JPH03220718A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH03220718A JPH03220718A JP1586190A JP1586190A JPH03220718A JP H03220718 A JPH03220718 A JP H03220718A JP 1586190 A JP1586190 A JP 1586190A JP 1586190 A JP1586190 A JP 1586190A JP H03220718 A JPH03220718 A JP H03220718A
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、反応室の面状発熱体上の基板上で導入された
ガスの化学反応を行わせ、基板上に薄膜を形成するＣＶ
Ｄ、スパッタ等の半導体製造装置。
ガスの化学反応を行わせ、基板上に薄膜を形成するＣＶ
Ｄ、スパッタ等の半導体製造装置。
とくに面状発熱体に関する。
一般に、半導体製造装置は、第５図に示すように１反応
室（１）に面状発熱板（２）を設け、この発熱板（２）
上に基板（３）を載置し、基板（３）を発熱板（２）に
より高温に加熱し、膜にしようとする拐料のガス（４）
を反応室（１）に導入し、基板（３）上で分解、還元、
酸化。
室（１）に面状発熱板（２）を設け、この発熱板（２）
上に基板（３）を載置し、基板（３）を発熱板（２）に
より高温に加熱し、膜にしようとする拐料のガス（４）
を反応室（１）に導入し、基板（３）上で分解、還元、
酸化。
置換などの化学反応を行わせ、基板（３）上に所望の博
腺を形成する。
腺を形成する。
なお、同図において、（５）はヒータ、（６）は電極で
ある。
ある。
そして、従来の前記面状発熱体（２）は、第６図ないし
第８図に示すように、焼結型の赤外線の透過が良くない
セラミックスからなる円板状の熱板（７）の上面に、渦
巻状の溝（８）を形成し、その溝（８）に断面円形のヒ
ータ（９）を埋設し、熱板（７）の上下面を熱板（７）
と同材質の押え板αＦ、（１１，１によりはさんで構成
し、上側の押え板ａＱの上面にＳＴＪ’Ｓ、Ｍｏ等から
なる金属プレートを設け、そのプレート上に基板を載置
している。
第８図に示すように、焼結型の赤外線の透過が良くない
セラミックスからなる円板状の熱板（７）の上面に、渦
巻状の溝（８）を形成し、その溝（８）に断面円形のヒ
ータ（９）を埋設し、熱板（７）の上下面を熱板（７）
と同材質の押え板αＦ、（１１，１によりはさんで構成
し、上側の押え板ａＱの上面にＳＴＪ’Ｓ、Ｍｏ等から
なる金属プレートを設け、そのプレート上に基板を載置
している。
なか、溝（８）の断面は一辺が約１間の正方形で半径方
向の溝（８）の間隔は約１問弱であり、ヒータ（９）の
直径は１ ａｍ弱である。
向の溝（８）の間隔は約１問弱であり、ヒータ（９）の
直径は１ ａｍ弱である。
従来の前記発熱体（２）の場合、溝（８ン技びヒータ（
９）が渦巻状であるため１通電時ヒータ（９）が伸張し
て拡大し、熱板（７）の上面部汝び上側の押え板ＯＯ１
を破損する。
９）が渦巻状であるため１通電時ヒータ（９）が伸張し
て拡大し、熱板（７）の上面部汝び上側の押え板ＯＯ１
を破損する。
さらに、ヒータ（９）からの熱は、上側の押え根囲及び
金属プレートが赤外線を透過しないため、伝導によシ基
板（３）に到達し、基板（３）を急速加熱することがで
きない。
金属プレートが赤外線を透過しないため、伝導によシ基
板（３）に到達し、基板（３）を急速加熱することがで
きない。
本発明は、前記の点に留意し、熱板及び押え板の破損を
防止し、急速加熱を司能にした半導体製造装置を提供す
ることを目的とする。
防止し、急速加熱を司能にした半導体製造装置を提供す
ることを目的とする。
前記課題を解決するために１本発明の半導体製造装置は
、反応室の面状発熱体上に基板を設け、前記基板上で導
入されたガスの化学反応を行わせ。
、反応室の面状発熱体上に基板を設け、前記基板上で導
入されたガスの化学反応を行わせ。
前記基板上に薄膜を形成するＣＶＤ、スパッタ等の半導
体製造装置に釦いて、 前記面状発熱体を、上面を複数個の扇形の区画に等分割
した円板状の熱板と、前記各区画毎に中心部側から周縁
部側へと１周縁部側から中心部側へと、同心円状に折返
して形成された溝と、前記前に埋設された横方向に長寸
の断面矩形状のヒータと、別記熱板上に重合され赤外線
の透過の良好な石英からなる円板状の押え板とにより構
成したものである。
体製造装置に釦いて、 前記面状発熱体を、上面を複数個の扇形の区画に等分割
した円板状の熱板と、前記各区画毎に中心部側から周縁
部側へと１周縁部側から中心部側へと、同心円状に折返
して形成された溝と、前記前に埋設された横方向に長寸
の断面矩形状のヒータと、別記熱板上に重合され赤外線
の透過の良好な石英からなる円板状の押え板とにより構
成したものである。
前記のように構成された本発明の半導体製造装置は、円
板状の熱板の上面を複数個の扇形の区画に尋分割し、各
区画毎に同心円状に折返した溝を形成し、その溝に横方
向に長寸の断面矩形状のヒータを埋設し、熱板に赤外線
の透過の良好な石英からなる円板状の押え板を重合した
ため、ヒータの円周方向の伸張が折返しにより相殺され
て極めて小さく、熱板の上面部を破損しなく、玄た、ヒ
ータの断面が横方向に長くて扁平であυ、上側の押え板
を破損することもなく、均一に加熱できる。
板状の熱板の上面を複数個の扇形の区画に尋分割し、各
区画毎に同心円状に折返した溝を形成し、その溝に横方
向に長寸の断面矩形状のヒータを埋設し、熱板に赤外線
の透過の良好な石英からなる円板状の押え板を重合した
ため、ヒータの円周方向の伸張が折返しにより相殺され
て極めて小さく、熱板の上面部を破損しなく、玄た、ヒ
ータの断面が横方向に長くて扁平であυ、上側の押え板
を破損することもなく、均一に加熱できる。
さらに、上側の押え板が赤外線の透過の良好な石英から
なるため、伝導でなく輻射によりサセプタを加熱でき、
急速加熱が可能であシ、消費電力も大幅に削減できる。
なるため、伝導でなく輻射によりサセプタを加熱でき、
急速加熱が可能であシ、消費電力も大幅に削減できる。
１実施例について、第１図ないし第４図を参照して説明
する。
する。
それらの図面において、０は面状発熱体（２）の円板状
の熱板であり、赤外線の透過の良好な溶解型の透明な石
英からなる。αのは熱板（２）の上面を複数個の扇形に
等分割して形成された区画であう、図示は４分割を示す
。
の熱板であり、赤外線の透過の良好な溶解型の透明な石
英からなる。αのは熱板（２）の上面を複数個の扇形に
等分割して形成された区画であう、図示は４分割を示す
。
ａ＜は各区画０毎に同心円状に折返して形成された溝で
あシ、中心部側から周縁部側へと１周縁部側から中心部
側へと）唄次に形成され、各区画α４毎のｋＱΦは中心
部側又は周縁部側で隣接の区画ａ３の＃）αゆに連通し
ている。
あシ、中心部側から周縁部側へと１周縁部側から中心部
側へと）唄次に形成され、各区画α４毎のｋＱΦは中心
部側又は周縁部側で隣接の区画ａ３の＃）αゆに連通し
ている。
曲は溝αΦに埋設されたヒータであう、横方向に長寸の
断面短形状であり、板体から打抜きによジ形成され、幅
が４〜５朋、厚みが約１朋である。
断面短形状であり、板体から打抜きによジ形成され、幅
が４〜５朋、厚みが約１朋である。
（ＩＱは熱板（２）の上面に重合された上側の押え板で
あり、熱板（２）と同材質からなり、下面の一部が溝σ
４）の上側に嵌合している。α力は熱板（２）の下面に
重合された下側の押え板であシ、熱板（２）と同材質か
らなる。
あり、熱板（２）と同材質からなり、下面の一部が溝σ
４）の上側に嵌合している。α力は熱板（２）の下面に
重合された下側の押え板であシ、熱板（２）と同材質か
らなる。
（縛は面状発熱体（２）のハウジングであり、５ｕｓ８
０４からなる。α鐘は上側の押え板ＱＱ上のサセプタで
あシ、熱板（２）と同材質からなう、基板（３）が載置
宮れる。
０４からなる。α鐘は上側の押え板ＱＱ上のサセプタで
あシ、熱板（２）と同材質からなう、基板（３）が載置
宮れる。
そして、前記のように、サセプタＱすが赤外線の透過の
良好な石英からなる場合、ヒータα旬からの熱が上側の
押え板αＱ及びサセプタ０つを透過し、輻射熱として基
板（３）に伝達されるため、基板（３）をより急速に加
熱することができる。
良好な石英からなる場合、ヒータα旬からの熱が上側の
押え板αＱ及びサセプタ０つを透過し、輻射熱として基
板（３）に伝達されるため、基板（３）をより急速に加
熱することができる。
なか、サセプタα轡にカーボンを用いる場合は。
サセプタ０９）の上面での温度の均一性をよう向上する
ことができる。
ことができる。
筐た、反応室（１）の雰囲気にＨ２、ハロゲンガス等が
ある場合は、サセプクｑツとして金属又はコーテ４ ィングを行ったカーホンを用いてもよい。
ある場合は、サセプクｑツとして金属又はコーテ４ ィングを行ったカーホンを用いてもよい。
本＠用は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載する効果を奏する。
下に記載する効果を奏する。
熱板ｑ力の上面が複数個の扉形の区画α東に等分割され
、各区画α１毎に同心円状に折返した溝σ→が形成され
、その溝αΦに横方向に長寸の断面矩形状のヒータＱ■
が埋設され、熱板亜に赤外線の透過の良好な石英からな
る押え板σＱが重合されているため。
、各区画α１毎に同心円状に折返した溝σ→が形成され
、その溝αΦに横方向に長寸の断面矩形状のヒータＱ■
が埋設され、熱板亜に赤外線の透過の良好な石英からな
る押え板σＱが重合されているため。
ヒータＱ５１の円周方向の伸張が折返しによう相殺され
て極めて小埒＜、熱板（２）の上面部、即ち半径方向の
溝（１４）間の突部を破損することが防止され、かつ、
ヒータＱ５１が扁平であるため、上側の押え板α呻を破
損することもなく、均一に加熱することができる。
て極めて小埒＜、熱板（２）の上面部、即ち半径方向の
溝（１４）間の突部を破損することが防止され、かつ、
ヒータＱ５１が扁平であるため、上側の押え板α呻を破
損することもなく、均一に加熱することができる。
その上、上側の押え板ＱＯが赤外線の適過の良好な石英
からなるため、ヒータα■が輻射によシサセプク０りを
加熱でき、急速加熱を可能とすることができ、消費電力
を大幅に削減することができる。
からなるため、ヒータα■が輻射によシサセプク０りを
加熱でき、急速加熱を可能とすることができ、消費電力
を大幅に削減することができる。
第１図ないし第４図は本発明の半導体製造装置の１実施
例の要部を示し、第１図は面状発熱体の一部破断乎面図
、第２図は第１図の破断正面図。 集３図は第２図の一部の拡大図、第４図は面状発熱体を
組込んだ状態の一部の切断正面図、第５図は反応室の概
略正面図、第６図ないし第８図は従゛来例を示し、第６
図は面状発熱体の一部破断乎面図、第７図は第６図の破
断正面図、第８図は第７図の一部の拡大図である。 （１）・・・反応室、（２）・・・面状発熱体、（３）
・・・基板、αの・・・熱板、σ１・・・区画、０勺・
・・溝、０５）・・・ヒータ、αＱ・・・押え板。
例の要部を示し、第１図は面状発熱体の一部破断乎面図
、第２図は第１図の破断正面図。 集３図は第２図の一部の拡大図、第４図は面状発熱体を
組込んだ状態の一部の切断正面図、第５図は反応室の概
略正面図、第６図ないし第８図は従゛来例を示し、第６
図は面状発熱体の一部破断乎面図、第７図は第６図の破
断正面図、第８図は第７図の一部の拡大図である。 （１）・・・反応室、（２）・・・面状発熱体、（３）
・・・基板、αの・・・熱板、σ１・・・区画、０勺・
・・溝、０５）・・・ヒータ、αＱ・・・押え板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 反応室の面状発熱体上に基板を設け、前記基板上で
導入されたガスの化学反応を行わせ、前記基板上に薄膜
を形成するＣＶＤ、スパッタ等の半導体製造装置におい
て、 前記面状発熱体を、上面を複数個の扇形の区画に等分割
した円板状の熱板と、前記各区画毎に中心部側から周縁
部側へと、周縁部側から中心部側へと、同心円状に折返
して形成された溝と、前記溝に埋設された横方向に長寸
の断面矩形状のヒータと、前記熱板上に重合され赤外線
の透過の良好な石英からなる円板状の押え板とにより構
成した半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015861A JP2551182B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015861A JP2551182B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03220718A true JPH03220718A (ja) | 1991-09-27 |
| JP2551182B2 JP2551182B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=11900584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015861A Expired - Fee Related JP2551182B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551182B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6626236B1 (en) * | 1999-03-24 | 2003-09-30 | Komatsu Ltd. | Substrate temperature control plate and substrate temperature control apparatus comprising same |
| JP2006080491A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-03-23 | Applied Materials Inc | 化学気相成長用の加熱基板支持 |
| US7718930B2 (en) | 2003-04-07 | 2010-05-18 | Tokyo Electron Limited | Loading table and heat treating apparatus having the loading table |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63278322A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP2015861A patent/JP2551182B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63278322A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6626236B1 (en) * | 1999-03-24 | 2003-09-30 | Komatsu Ltd. | Substrate temperature control plate and substrate temperature control apparatus comprising same |
| US7718930B2 (en) | 2003-04-07 | 2010-05-18 | Tokyo Electron Limited | Loading table and heat treating apparatus having the loading table |
| JP2006080491A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-03-23 | Applied Materials Inc | 化学気相成長用の加熱基板支持 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2551182B2 (ja) | 1996-11-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070822 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |