JPH03221279A - マーキング用マスク及びこれを使用したｔｅａ―ｃｏ↓２レーザマーキング装置 - Google Patents
マーキング用マスク及びこれを使用したｔｅａ―ｃｏ↓２レーザマーキング装置Info
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- JPH03221279A JPH03221279A JP2013720A JP1372090A JPH03221279A JP H03221279 A JPH03221279 A JP H03221279A JP 2013720 A JP2013720 A JP 2013720A JP 1372090 A JP1372090 A JP 1372090A JP H03221279 A JPH03221279 A JP H03221279A
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- JP
- Japan
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- mask
- laser
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- Pending
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/44—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements
- B41J2/442—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements using lasers
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- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/465—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using masks, e.g. light-switching masks
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- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＴＥＡ−ＣＯ，レーザを照射してマーキング
を行うＴＥＡ−Ｃｏ、レーザマーキング装置及びこの装
置に使用されるマーキング用マスクに関する。
を行うＴＥＡ−Ｃｏ、レーザマーキング装置及びこの装
置に使用されるマーキング用マスクに関する。
近年、レーザによるマーキングは、従来のインクによる
捺印や機械による刻印などの方法に代わって盛んに注目
されている。マーキングミスが少なく、処理が高速に行
える上、運転コストが安いためである。
捺印や機械による刻印などの方法に代わって盛んに注目
されている。マーキングミスが少なく、処理が高速に行
える上、運転コストが安いためである。
現在開発されているレーザマーキング装置は、ＴＥＡ
Ｃｏｗ レーザまたはＹＡＧレーザを用いたものが主
なものである。このうち、発振波長との関係から、各々
のレーザでマーキングできる材料が限定される。即ち、
例えばＹＡＧレーザはガラスには透過率が高いためマー
キングできず、ＴＥＡ−Ｃｏｔ レーザは、金属には反
射率が高いためマーキングできない。
Ｃｏｗ レーザまたはＹＡＧレーザを用いたものが主
なものである。このうち、発振波長との関係から、各々
のレーザでマーキングできる材料が限定される。即ち、
例えばＹＡＧレーザはガラスには透過率が高いためマー
キングできず、ＴＥＡ−Ｃｏｔ レーザは、金属には反
射率が高いためマーキングできない。
ＴＥＡ−ＣＯ，レーザマーキング装置は、ＹＡＧレーザ
ではマーキングできないガラス等のマーキングができる
ことや、発振装置が比較的安価であることなどから、そ
の応用が広がっている。
ではマーキングできないガラス等のマーキングができる
ことや、発振装置が比較的安価であることなどから、そ
の応用が広がっている。
マーキングをｊテうためは、発振されたレーザを所定の
パターンに成形して照射する必要があり、このため、マ
ーキング用マスクが使用される。
パターンに成形して照射する必要があり、このため、マ
ーキング用マスクが使用される。
第３図は、ＴＥＡ−Ｃｏ、レーザマーキング装置に使用
される従来のマーキング用マスクの説明図である。従来
のマーキング用マスクは、銅やステンレス等の金属板２
１に、所望のパターンの穴２２を設けたものである。
される従来のマーキング用マスクの説明図である。従来
のマーキング用マスクは、銅やステンレス等の金属板２
１に、所望のパターンの穴２２を設けたものである。
〔発明が解決しようとする技術的課題〕従来のＴＥＡ−
Ｃｏ、レーザマーキングに使用されるマスクは、打ち抜
き式のものであるため、例えば「Ａｊの文字のパターン
とするときは、第３図に示すように、ブリッジ２３が必
要となる。
Ｃｏ、レーザマーキングに使用されるマスクは、打ち抜
き式のものであるため、例えば「Ａｊの文字のパターン
とするときは、第３図に示すように、ブリッジ２３が必
要となる。
従って、このままでは、マーキングされるパターンも正
しいｒ Ａ Ｊの文字でなく、ブリッヂ２３の部分が転
写されたものとなってしまう。
しいｒ Ａ Ｊの文字でなく、ブリッヂ２３の部分が転
写されたものとなってしまう。
そこで、従来より、このブリッヂを打ち消してマーキン
グする方法が幾つか考えられている０例えば、パルス状
のレーザを２シッント打ち、２シヨントめは結像レンズ
等を移動させて二つの像をずらして重ねたり（特開昭６
３−１）１０５８号公報）、結像レンズによるレーザの
儂をぼやかしたり（特開昭６３−１）８２７８号公報）
する方法であるる。
グする方法が幾つか考えられている０例えば、パルス状
のレーザを２シッント打ち、２シヨントめは結像レンズ
等を移動させて二つの像をずらして重ねたり（特開昭６
３−１）１０５８号公報）、結像レンズによるレーザの
儂をぼやかしたり（特開昭６３−１）８２７８号公報）
する方法であるる。
しかしながら、結像レンズ等を移動させて二つの像をず
らして重ねる方法は、複雑な機構、動作を必要とし、マ
ーキング装置のコストが高くなる他、２ショット以上打
つ動作が必要なため、処理時間が長くなるという問題が
あり、また結像レンズによるレーザの像をぼやかす方法
は、当然のことながら、鮮明なマーキングという点では
満足できるものではない。
らして重ねる方法は、複雑な機構、動作を必要とし、マ
ーキング装置のコストが高くなる他、２ショット以上打
つ動作が必要なため、処理時間が長くなるという問題が
あり、また結像レンズによるレーザの像をぼやかす方法
は、当然のことながら、鮮明なマーキングという点では
満足できるものではない。
本発明は、かかる課題を解決するためになされたもので
あり、処理時間が長くならず、安価でかつ鮮明なブリッ
ヂレスのマーキングを行うことを目的とする。
あり、処理時間が長くならず、安価でかつ鮮明なブリッ
ヂレスのマーキングを行うことを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明のマーキング用マスク
は、１０．６μｍ付近の光の透過率が高い基板と、該基
板の表面を加工してマーキングしようとするパターンの
形状に形威された、１０００μｍ付近の光の透過率の低
いマスク部とからなることを特徴とし、本発明のＴＥＡ
−Ｃｏ、レーザマーキング装置は、ＴＥＡ−−Ｃｏ、レ
ーザ発振装置と、特許請求の範囲第（１）項記載のマー
キング用マスクと、該マーキング用マスクを透過したレ
ーザを結像させる結像レンズとを具備したことを特徴と
する。
は、１０．６μｍ付近の光の透過率が高い基板と、該基
板の表面を加工してマーキングしようとするパターンの
形状に形威された、１０００μｍ付近の光の透過率の低
いマスク部とからなることを特徴とし、本発明のＴＥＡ
−Ｃｏ、レーザマーキング装置は、ＴＥＡ−−Ｃｏ、レ
ーザ発振装置と、特許請求の範囲第（１）項記載のマー
キング用マスクと、該マーキング用マスクを透過したレ
ーザを結像させる結像レンズとを具備したことを特徴と
する。
（作用〕
上記構成にかかる本発明のマーキング用マスク及びＴＥ
Ａ−Ｃｏ、レーザマーキング装置は、基板を透過した光
によってマーキングがされる。
Ａ−Ｃｏ、レーザマーキング装置は、基板を透過した光
によってマーキングがされる。
（実施例）
以下本発明の詳細な説明する。
第１図は本実施例のマーキング用マスクを説明するため
の斜視図である。第１図において、１）は１０．６μｍ
付近の光の透過率が高い基板、１２は１０．６μｍ付近
の光の透過率の低いマスク部を示す、１０．６μｍ付近
の光の透過率が高い基板１）には、本実施例では、シリ
コンが使用されている・ １０．６μｍ付近の光の透過
率の低し１マスク部１２には、金が用いられている。第
１図に示すマーキング用マスクは、シリコンからなる基
板１２に金を蒸着し、その上にレジスト塗布して、露光
、現像、エツチングを行い、蒸着された金を所定のパタ
ーンに成形して、マスク部１２とすることにより作成さ
れる。シリコンからなる基板１４の表面は、無反射コー
ティングが施されており、１０．６μｍ付近の光の透過
率が高く、充分実用に耐えうる。他の実施例としては、
Ｇｅ。
の斜視図である。第１図において、１）は１０．６μｍ
付近の光の透過率が高い基板、１２は１０．６μｍ付近
の光の透過率の低いマスク部を示す、１０．６μｍ付近
の光の透過率が高い基板１）には、本実施例では、シリ
コンが使用されている・ １０．６μｍ付近の光の透過
率の低し１マスク部１２には、金が用いられている。第
１図に示すマーキング用マスクは、シリコンからなる基
板１２に金を蒸着し、その上にレジスト塗布して、露光
、現像、エツチングを行い、蒸着された金を所定のパタ
ーンに成形して、マスク部１２とすることにより作成さ
れる。シリコンからなる基板１４の表面は、無反射コー
ティングが施されており、１０．６μｍ付近の光の透過
率が高く、充分実用に耐えうる。他の実施例としては、
Ｇｅ。
Ｚｎ５ｅ、ＣｄＴｌ、ＧａＡｓ、ＮａＣ１，ＫＣｌ等が
１０，６μｍの光の透過率が高く、基板１）として使用
可能である。
１０，６μｍの光の透過率が高く、基板１）として使用
可能である。
一方、周知のように銅、鉄などを始めとしたほとんど金
属は、１０．６μｍ付近の光の透過率が低く、上記実施
例の金の他、各種の金属がマスク部１２として使用可能
である。また、マスク部１２は、上記の１０．６μｍ付
近の光の透過率が低い物質を被着させて設ける場合の他
、基Ｉｌｌの表面をサンドブラスト法により、マーキン
グしようとするパターンの形状のスリガラス部分を形威
することによっても構成可能である。
属は、１０．６μｍ付近の光の透過率が低く、上記実施
例の金の他、各種の金属がマスク部１２として使用可能
である。また、マスク部１２は、上記の１０．６μｍ付
近の光の透過率が低い物質を被着させて設ける場合の他
、基Ｉｌｌの表面をサンドブラスト法により、マーキン
グしようとするパターンの形状のスリガラス部分を形威
することによっても構成可能である。
第２図は、第１図のマーキング用マスクを使用したＴＥ
Ａ−Ｃｏ、レーザマーキング装置の実施例の概略説明図
である。２はＴＥＡ−Ｃｏ、レーザ発振装置、３は折り
返しミラー、４はシリンドリカルレンズ、ｌはマーキン
グ用マスク、５は結像レンズとしてのメニスカスレンズ
、６は搬送系、７はマーキングされるワークを示す。
Ａ−Ｃｏ、レーザマーキング装置の実施例の概略説明図
である。２はＴＥＡ−Ｃｏ、レーザ発振装置、３は折り
返しミラー、４はシリンドリカルレンズ、ｌはマーキン
グ用マスク、５は結像レンズとしてのメニスカスレンズ
、６は搬送系、７はマーキングされるワークを示す。
第２図において、ＴＥＡ−Ｃｏｔレーザ発振装置２から
出射されたパルス状のレーザは、シリンドリカルレンズ
３により特定方向に集光され、マーキング用マスクｌを
照射する。マーキング用マスクｌを透過したレーザは、
所望のパターンの光となり、メニスカスレンズ５で縮小
されて、ワーク７に照射される。レーザが照射されたワ
ーク７は、表面の材料の蒸発や変色により、マーキング
がされることになる。
出射されたパルス状のレーザは、シリンドリカルレンズ
３により特定方向に集光され、マーキング用マスクｌを
照射する。マーキング用マスクｌを透過したレーザは、
所望のパターンの光となり、メニスカスレンズ５で縮小
されて、ワーク７に照射される。レーザが照射されたワ
ーク７は、表面の材料の蒸発や変色により、マーキング
がされることになる。
第２図のマーキング用マスク１は、第１図に示すように
ブリッヂが形成されていないので、第２図のワーク７に
マーキングされるパターンには、ブリッヂが転写される
ことはない。
ブリッヂが形成されていないので、第２図のワーク７に
マーキングされるパターンには、ブリッヂが転写される
ことはない。
第２図に示すＴＥＡ−Ｃｏ、レーザ発振装置の実施例に
おいて、ロフト番号等のマーキングの場合は、マーキン
グ用マスク１を円板状にするとともに回転軸を設け、搬
送系６の搬送信号に同期してマーキング用マスクｌを回
転させて駆動するようにしても良い。
おいて、ロフト番号等のマーキングの場合は、マーキン
グ用マスク１を円板状にするとともに回転軸を設け、搬
送系６の搬送信号に同期してマーキング用マスクｌを回
転させて駆動するようにしても良い。
以上説明した通り、本発明によれば、２シッット打って
像をずらして重ねたり、像をぼやかしたりしてブリッヂ
を消す必要がなくなるので、処理時間が長くならず、安
価でかつ鮮明なブリッヂレスのマーキングを行うことが
できる。
像をずらして重ねたり、像をぼやかしたりしてブリッヂ
を消す必要がなくなるので、処理時間が長くならず、安
価でかつ鮮明なブリッヂレスのマーキングを行うことが
できる。
第１図は本実施例のマーキング用マスクを説明するため
の斜視図である。第２図は第１図のマーキング用マスク
を使用したＴＥＡ−Ｃｏ、レーザマーキング装置の実施
例の概略説明図である。第３図Ｇ；！ＴＥＡ−Ｃｏ、レ
ーザマーキング装置に使用される従来のマーキング用マ
スクの説明図であ図中、 １ ２ −−−−・ １０．６μｍ付近の光の透過率の 高い基板 １０．６μｍ付近の光の透過率の 低いマスク部 ＴＥＡ−Ｃｏ、レーザ発振装置 折り返しミラー シリンドリカルレンズ マーキング用マスク 結像レンズとしてのメニスカスレ ンズ 搬送系 マーキングされるワーク を示す。 ９ 矛 １つ 茎 １！ｌ１ Ｘ３＠
の斜視図である。第２図は第１図のマーキング用マスク
を使用したＴＥＡ−Ｃｏ、レーザマーキング装置の実施
例の概略説明図である。第３図Ｇ；！ＴＥＡ−Ｃｏ、レ
ーザマーキング装置に使用される従来のマーキング用マ
スクの説明図であ図中、 １ ２ −−−−・ １０．６μｍ付近の光の透過率の 高い基板 １０．６μｍ付近の光の透過率の 低いマスク部 ＴＥＡ−Ｃｏ、レーザ発振装置 折り返しミラー シリンドリカルレンズ マーキング用マスク 結像レンズとしてのメニスカスレ ンズ 搬送系 マーキングされるワーク を示す。 ９ 矛 １つ 茎 １！ｌ１ Ｘ３＠
Claims (2)
- （１）１０．６μｍ付近の光の透過率が高い基板と、該
基板の表面を加工してマーキングしようとするパターン
の形状に形成された、１０．６μｍ付近の光の透過率の
低いマスク部とからなることを特徴とするマーキング用
マスク。 - （２）ＴＥＡ−ＣＯ＿２レーザ発振装置と、特許請求の
範囲第（１）項記載のマーキング用マスクと、該マーキ
ング用マスクを透過したレーザを結像させる結像レンズ
とを具備したことを特徴とするＴＥＡ−ＣＯ＿２レーザ
マーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013720A JPH03221279A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | マーキング用マスク及びこれを使用したｔｅａ―ｃｏ↓２レーザマーキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013720A JPH03221279A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | マーキング用マスク及びこれを使用したｔｅａ―ｃｏ↓２レーザマーキング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03221279A true JPH03221279A (ja) | 1991-09-30 |
Family
ID=11841082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013720A Pending JPH03221279A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | マーキング用マスク及びこれを使用したｔｅａ―ｃｏ↓２レーザマーキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03221279A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378137A (en) * | 1993-05-10 | 1995-01-03 | Hewlett-Packard Company | Mask design for forming tapered inkjet nozzles |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP2013720A patent/JPH03221279A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378137A (en) * | 1993-05-10 | 1995-01-03 | Hewlett-Packard Company | Mask design for forming tapered inkjet nozzles |
| US5417897A (en) * | 1993-05-10 | 1995-05-23 | Hewlett-Packard Company | Method for forming tapered inkjet nozzles |
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