JPS5922372B2 - フォトマスク修正方法 - Google Patents
フォトマスク修正方法Info
- Publication number
- JPS5922372B2 JPS5922372B2 JP54018375A JP1837579A JPS5922372B2 JP S5922372 B2 JPS5922372 B2 JP S5922372B2 JP 54018375 A JP54018375 A JP 54018375A JP 1837579 A JP1837579 A JP 1837579A JP S5922372 B2 JPS5922372 B2 JP S5922372B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- laser
- metal chelate
- photomask
- white spot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＬＳＩ製造に用いられるフォトマスクの欠落欠
陥を修正するためのフォトマスク修正方法に関するもの
である。
陥を修正するためのフォトマスク修正方法に関するもの
である。
フォトマスクに存在する欠陥には第１図に示す様に基板
１上にマスク材料（例えばクロム、酸化クロム、酸化鉄
、シリコンｅｔｃ）がパターン２以外に余分に残留して
いる欠陥（黒点欠陥）３、マスク材料が欠落している欠
陥（白点欠陥）４の２種類がある。
１上にマスク材料（例えばクロム、酸化クロム、酸化鉄
、シリコンｅｔｃ）がパターン２以外に余分に残留して
いる欠陥（黒点欠陥）３、マスク材料が欠落している欠
陥（白点欠陥）４の２種類がある。
これらのうち黒点欠陥についてはレーザにより極めて良
好に修正できる。
好に修正できる。
一方白点欠陥については第２図に示すごとく、基板ガラ
ス５につけられた蒸着用金属膜６を基板１に形成された
パターン２に対向させて少し間隔を隔ててホルダＴで固
定し、白点欠陥４に対向する蒸着用金属膜、６部分に高
エネルギービーム８を照射し、このエネルギーによつて
加熱蒸発された蒸着用金属の蒸気が白点欠陥４に付着し
、膜が形成されて修正が完了する。しかし、この方法で
は大気中で金属蒸気を白点欠陥に付着させるため、付着
強度が著しく低く、膜厚も十分なものでは得られない。
また周辺への回り込みも大きく、周辺へ黒点欠陥を生ぜ
しめ、これを改めて除去するという追加の工程も必要と
なる。本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくし
、白点欠陥修正を容易に精度よく行うようにしたフォト
マスク修正方法を提供するにある。
ス５につけられた蒸着用金属膜６を基板１に形成された
パターン２に対向させて少し間隔を隔ててホルダＴで固
定し、白点欠陥４に対向する蒸着用金属膜、６部分に高
エネルギービーム８を照射し、このエネルギーによつて
加熱蒸発された蒸着用金属の蒸気が白点欠陥４に付着し
、膜が形成されて修正が完了する。しかし、この方法で
は大気中で金属蒸気を白点欠陥に付着させるため、付着
強度が著しく低く、膜厚も十分なものでは得られない。
また周辺への回り込みも大きく、周辺へ黒点欠陥を生ぜ
しめ、これを改めて除去するという追加の工程も必要と
なる。本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくし
、白点欠陥修正を容易に精度よく行うようにしたフォト
マスク修正方法を提供するにある。
即ち、本発明は白点欠陥部およびその周辺に金属原子を
含む錯塩、特に金属キレート化合物を塗布し、白点欠陥
部にエネルギービームを照射して加熱分解し、金属を析
出させ白点欠陥部に析出した金属を付着させることによ
り、白点欠陥を修正する。以下、本発明の実施例を図に
従つて具体的に説明する。
含む錯塩、特に金属キレート化合物を塗布し、白点欠陥
部にエネルギービームを照射して加熱分解し、金属を析
出させ白点欠陥部に析出した金属を付着させることによ
り、白点欠陥を修正する。以下、本発明の実施例を図に
従つて具体的に説明する。
第３図に示す様に基板１に金属キレートポリマーを溶媒
に溶かして塗布した後乾燥させ、上記金属キレートポリ
マーの膜１１を形成する。ここで金属キレートポリマー
膜を加熱すると加熱された部分の金属キレートポリーマ
ーが分解されて金属が析出し、基板１上に金属膜１３と
して形成される。その後溶媒で洗浄することにより、未
分解の金属キレートポリマーは溶解され基板１上には金
属膜１３のみが残留する。ここで加熱源として高エネル
ギービーム例えばレーザビーム、電子ビーム等を使用す
ることによＶ１極めて限定された領域のみを加熱するこ
とが可能であり１白点欠陥の存在するフオトマスク全面
に、あるいは白点欠陥とその周辺に金属キレートポリー
マの膜を形成し白点欠陥部分にのみエネルギービームを
照射、加熱することによ）分解、析出した金属によ勺、
白点欠陥を修正することができる。
に溶かして塗布した後乾燥させ、上記金属キレートポリ
マーの膜１１を形成する。ここで金属キレートポリマー
膜を加熱すると加熱された部分の金属キレートポリーマ
ーが分解されて金属が析出し、基板１上に金属膜１３と
して形成される。その後溶媒で洗浄することにより、未
分解の金属キレートポリマーは溶解され基板１上には金
属膜１３のみが残留する。ここで加熱源として高エネル
ギービーム例えばレーザビーム、電子ビーム等を使用す
ることによＶ１極めて限定された領域のみを加熱するこ
とが可能であり１白点欠陥の存在するフオトマスク全面
に、あるいは白点欠陥とその周辺に金属キレートポリー
マの膜を形成し白点欠陥部分にのみエネルギービームを
照射、加熱することによ）分解、析出した金属によ勺、
白点欠陥を修正することができる。
ここで金属キレートポリマとして説明して来たが、これ
は金属錯塩特に金属キレート化合物を用いることにより
、厚さが一様な膜が得られる。ここで使用する金属キレ
ートポリマーとしては例えばエチレンイミンの金属キレ
ート（即ち金属としてＣｒ，．Ｃｕ，．Ｐｄ等を含んだ
キレート）を重合させたものである。
は金属錯塩特に金属キレート化合物を用いることにより
、厚さが一様な膜が得られる。ここで使用する金属キレ
ートポリマーとしては例えばエチレンイミンの金属キレ
ート（即ち金属としてＣｒ，．Ｃｕ，．Ｐｄ等を含んだ
キレート）を重合させたものである。
次に加熱源としてレーザビームを使用した場合の修正装
置を第４図に示す。
置を第４図に示す。
対物レンズ１３の実像面にＸ−Ｙ２方向に可動で任意の
大きさの矩形が形成できるスリツト１４（図中には一方
向のみを示してある）を備え、照明ランプ１５ａからの
照明光のうちダイクロイツクミラー１６を透過した波長
の光をスリツト１４で任意の大きさの矩形に成形して、
基板１上の白点欠陥部４上に塗布されている金属キレー
トポリマー上に対物レンズ１３により投影する。
大きさの矩形が形成できるスリツト１４（図中には一方
向のみを示してある）を備え、照明ランプ１５ａからの
照明光のうちダイクロイツクミラー１６を透過した波長
の光をスリツト１４で任意の大きさの矩形に成形して、
基板１上の白点欠陥部４上に塗布されている金属キレー
トポリマー上に対物レンズ１３により投影する。
この投影された矩形は、レーザ源としてＹＡＧレーザを
使用するならば、特定の可視波長のみを透過する特性フ
イルタ１７を照明装置の直後に設置することにより、ま
たレーザ源としてＡｒレーザの様に可視波長のレーザを
使用するならばレーザ波長と異なる可視波長を透過する
特性フイルタ１７を用いることにより、照明装置１５ｂ
とハーフミラー１８による白色光の照明のもとで明ｂよ
うに区別でき、反射ハーフミラー１９と接眼レンズ２０
によう観察しながら白点欠陥４の大きさと矩形の大きさ
を整合あるいは位置合せをすることができる。
使用するならば、特定の可視波長のみを透過する特性フ
イルタ１７を照明装置の直後に設置することにより、ま
たレーザ源としてＡｒレーザの様に可視波長のレーザを
使用するならばレーザ波長と異なる可視波長を透過する
特性フイルタ１７を用いることにより、照明装置１５ｂ
とハーフミラー１８による白色光の照明のもとで明ｂよ
うに区別でき、反射ハーフミラー１９と接眼レンズ２０
によう観察しながら白点欠陥４の大きさと矩形の大きさ
を整合あるいは位置合せをすることができる。
位置合せ、および大きさの整合が終つた後、レーザ発振
器２１を発振させるか、あるいは必要に応じて一定時間
だけシヤツタ２２を開いてレーザ光２３を通過させ、照
明ランプ１５ａによる矩形領域と同一箇所にレーザ光を
照射して金属キレートポリマーを白点欠陥部分のみ分解
して金属を析出させ、白点欠陥を修正する。
器２１を発振させるか、あるいは必要に応じて一定時間
だけシヤツタ２２を開いてレーザ光２３を通過させ、照
明ランプ１５ａによる矩形領域と同一箇所にレーザ光を
照射して金属キレートポリマーを白点欠陥部分のみ分解
して金属を析出させ、白点欠陥を修正する。
また第４図には塗布した金属キレートポリマー１１狽睦
らレーザ光２３を照射しているが、第５図に示す様に基
板１側から基板を通して金属キレートポリマ一１１に照
射しても効果は全く同じである。
らレーザ光２３を照射しているが、第５図に示す様に基
板１側から基板を通して金属キレートポリマ一１１に照
射しても効果は全く同じである。
また、第６図に同様にレーザ光を加熱源として用いた別
の例を示す。
の例を示す。
これは頂角の等しいプリズム２枚を反対方向へ等速度で
回転させることによう、このプリズムを透過するレーザ
光を直線上に走査する機構を設けたもので、上記プリズ
ム２枚からなる走査装置２５ａ，２５ｂ１およびこれら
を回転駆動させるためのモータ２６ａ，２６ｂ１それぞ
れのプリズム２５あるいはモータ２６の回転角を検出す
るためのロータリエンコーダ２７ａ，２７ｂを備えて卦
り、発振器２１から発振されたレーザ光２３は対物レン
ズ２８により基板１上の白点欠陥４を含めたマスク上に
塗布された金属キレートポリマ一１１上に集光照射され
る。
回転させることによう、このプリズムを透過するレーザ
光を直線上に走査する機構を設けたもので、上記プリズ
ム２枚からなる走査装置２５ａ，２５ｂ１およびこれら
を回転駆動させるためのモータ２６ａ，２６ｂ１それぞ
れのプリズム２５あるいはモータ２６の回転角を検出す
るためのロータリエンコーダ２７ａ，２７ｂを備えて卦
り、発振器２１から発振されたレーザ光２３は対物レン
ズ２８により基板１上の白点欠陥４を含めたマスク上に
塗布された金属キレートポリマ一１１上に集光照射され
る。
またレーザ光照射領域の観察のための観察光学系３０を
備えている。レーザの発振は制御装置２９によう制御さ
れる。即ち、白点欠陥４の大きさにより設定領域のみロ
ータリエンコーダ２７ａからの信号によりレーザの照射
位置を検出してレーザ光２３を発振あるいは必要に応じ
て設けたシヤツタ２２を開いてレーザ光２３を通過させ
、走査装置２６ａにより走査しながら金属キレートポリ
マ１１上に照射する。有効な一走査が終るとレーザ発振
が止められるかシヤツタ２２が閉じられると同時に走査
方向が直交する様に調整されたもう一組の走査装置２６
ｂによう一定距離だけシフトされこれを繰）返えすこと
により結果的に二次元的に白点欠陥部分を走査し、金属
を析出させ、白点欠陥を修正する。この時のレーザ光の
動きを第７図に示す。この中で破線で示しているのはレ
ーザスポツト３１の走査可能な軌跡、太い実線は実際に
照射されたレーザスポツト３１中心の軌跡である。この
時、スポットが十分重なる様にシフト量を選ぶ必要があ
る。また第５図に示した様に基板１側から基板を通して
照射しても全く同様の効果が得られる。レーザ源として
は照射された領域のパターン２にダメージを与えないパ
ワ！占度で、かつ金属キレートを数１００℃以上に加熱
する必要があるので、連続発振あるいはパルス巾が十分
に長い（例えば１μｓ以上）のパルス発振レーザ光が望
ましい。
備えている。レーザの発振は制御装置２９によう制御さ
れる。即ち、白点欠陥４の大きさにより設定領域のみロ
ータリエンコーダ２７ａからの信号によりレーザの照射
位置を検出してレーザ光２３を発振あるいは必要に応じ
て設けたシヤツタ２２を開いてレーザ光２３を通過させ
、走査装置２６ａにより走査しながら金属キレートポリ
マ１１上に照射する。有効な一走査が終るとレーザ発振
が止められるかシヤツタ２２が閉じられると同時に走査
方向が直交する様に調整されたもう一組の走査装置２６
ｂによう一定距離だけシフトされこれを繰）返えすこと
により結果的に二次元的に白点欠陥部分を走査し、金属
を析出させ、白点欠陥を修正する。この時のレーザ光の
動きを第７図に示す。この中で破線で示しているのはレ
ーザスポツト３１の走査可能な軌跡、太い実線は実際に
照射されたレーザスポツト３１中心の軌跡である。この
時、スポットが十分重なる様にシフト量を選ぶ必要があ
る。また第５図に示した様に基板１側から基板を通して
照射しても全く同様の効果が得られる。レーザ源として
は照射された領域のパターン２にダメージを与えないパ
ワ！占度で、かつ金属キレートを数１００℃以上に加熱
する必要があるので、連続発振あるいはパルス巾が十分
に長い（例えば１μｓ以上）のパルス発振レーザ光が望
ましい。
また加熱源として電子ビームを使用した場合についても
第７図に示した様に設定した領域に電子ビームを走査す
れば良い。
第７図に示した様に設定した領域に電子ビームを走査す
れば良い。
ただし第５図に示した方式は使用できない。以上説明し
たように本発明によればマスク材料が欠落している欠陥
（白点欠陥）に十分に厚い金属膜を容易かつ高精度に付
着させて完全に修正でき、実用に耐えうるフオトマスク
が得られる効果を奏する。
たように本発明によればマスク材料が欠落している欠陥
（白点欠陥）に十分に厚い金属膜を容易かつ高精度に付
着させて完全に修正でき、実用に耐えうるフオトマスク
が得られる効果を奏する。
第１図は各種欠陥を説明する図、第２図は従来のフオト
マスク修正方法を示す図、第３図は本発明のフオトマス
ク修正方法を示す図、第４図は本発明によるフオトマス
ク修正方法を実施する装置の一実施例を示す概略図、第
５図は第４図と異なり基板側から照射する説明図、第６
図は第４図と異なるフオトマスク修正装置の実施例を示
す概略図、第７図は第６図に示す装置において走査され
たレーザスポツトの動きを説明する図である。
マスク修正方法を示す図、第３図は本発明のフオトマス
ク修正方法を示す図、第４図は本発明によるフオトマス
ク修正方法を実施する装置の一実施例を示す概略図、第
５図は第４図と異なり基板側から照射する説明図、第６
図は第４図と異なるフオトマスク修正装置の実施例を示
す概略図、第７図は第６図に示す装置において走査され
たレーザスポツトの動きを説明する図である。
Claims (1)
- １ フォトマスクのパターンが欠落した白点欠陥に対し
て、フォトマスク全面または欠陥部分とその周辺に金属
キレート化合物の膜を塗布し、欠陥部分のみに高エネル
ギー・ビームを照射して該金属キレート化合物の膜を加
熱せしめ、該金属キレート化合物を分解し、金属を析出
させて白点部分を、該析出金属により埋めることを特徴
とするフォトマスク修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54018375A JPS5922372B2 (ja) | 1979-02-21 | 1979-02-21 | フォトマスク修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54018375A JPS5922372B2 (ja) | 1979-02-21 | 1979-02-21 | フォトマスク修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55111132A JPS55111132A (en) | 1980-08-27 |
| JPS5922372B2 true JPS5922372B2 (ja) | 1984-05-26 |
Family
ID=11969957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54018375A Expired JPS5922372B2 (ja) | 1979-02-21 | 1979-02-21 | フォトマスク修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922372B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4930439A (en) * | 1984-06-26 | 1990-06-05 | Seiko Instruments Inc. | Mask-repairing device |
| WO1986000426A1 (fr) * | 1984-06-26 | 1986-01-16 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | Dispositif de reparation de masques |
| JPH0642069B2 (ja) * | 1984-07-13 | 1994-06-01 | 株式会社日立製作所 | フォトマスク欠陥修正方法 |
| JPH0690516B2 (ja) * | 1985-10-11 | 1994-11-14 | 日本電気株式会社 | マスクパターンの修正方法 |
| JPS63228158A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-22 | Fujitsu Ltd | マスク欠陥修正方法 |
| JP3479838B2 (ja) * | 2000-10-19 | 2003-12-15 | 日本電気株式会社 | パターン修正方法及びパターン修正装置 |
-
1979
- 1979-02-21 JP JP54018375A patent/JPS5922372B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55111132A (en) | 1980-08-27 |
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