JPH03221950A - 銀拡散転写像形成を利用する電子回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は電子工業に有用な絶縁性基体上に導電性金属パ
ターンを形成する方法およびかかる方法を用いて製造さ
れた物品に関する。さらに詳しくは、本発明は導電性金
属パターンを形成する銀拡散転写像形成法および該方法
を用いて製造された物品に関する。

発明の背景 電子工業に用いられる印刷回路は単層または多層゛構造
の誘電基体に結合された薄膜金属回路トレースからなっ
ている。回路トレースは多くの場合鋼と誘電体材料の積
層体を用いそしてホトレジストを適用して製造される。

サブトラクティブ法では銅層をホトレジストでカバーし
次に露光し現像してカバーされた銅を回路パターン部分
にだけ残存させる。次にカバーされなかった銅を化学エ
ツチングによって除去する。ホトレジストを除去すると
誘電基体上に銅回路パターンが残る。

セミアデイティブ法では厚さ０．１ミル以下の銅層を有
する積層体が用いられる。ホトレジストを適用し、露光
しそして現像される。次に、回路パターンはホトレジス
トでカバーされていない部分において所望の厚さに電気
メッキされる。ホトレジストを剥離した後、銅をドック
エツチングするとお互いに電気的に分離された回路トレ
ースが残る。これらのホトレジストをベースとした方法
は多くの処理工程を必要とする。

さらに、高い回路密度の素子が必要とされるので、大抵
の厚膜ホトレジスト系の場合に可能なものより高い解像
度を有することが必要である。

ハロゲン化銀写真系は極めて高い解像度を有しそして特
別な条件下では導電性回路パターンを形成することが知
られている。標準ノ＼３１ ０ゲン化銀乳剤層を露光し現像すると、通常非導電性の
黒色金属銀像が得られる。米国特許第２．８５４，３８
６号、第３，４２４，５８１号、第３．５５１，１４９
号、第３，６４７，４５６号および第４．８６８，０８
１号に開示されたような導電性銀像となすことができる
。

導電性銀像は拡散転写現像技術を用いて最も簡単に得ら
れる。拡散転写現像の場合、露光されたハロゲン化銀乳
剤層は拡散転写核を含有するレセプター層と接触して現
像される。現像剤は未現像のハロゲン化銀と錯体を形成
してそれをレセプター層に拡散させてそこで拡散転写核
が金属銀の生皮に触媒作用を与える化合物を包含する。

多くの場合、レセプター層中のこの拡散転写像は乳剤と
受像体との界面近くで濃縮される銀を有しておりそして
その表面は導電性である。

普通の拡散転写フィルムでは、核の十分な分離、像被覆
力の強化および乳剤層除去中の支持′１９ 体への像の接着を行うために、拡散転写核はコロイドシ
リカのような他の添加剤と一緒にバインダー例えばゼラ
チンまたは合成ポリマー中の基体に適用される。しかし
ながら、これらのバインダーは得られた回路の電気特性
と高温安定性に悪影響を与える可能性がある。バインダ
ーを含まない拡散転写核を用いる銀拡散転写系が米国特
許第３．６００，１８５号および第３．８２２，１２７
号に記載されている。

しかしながら、上記文献のものはいずれも今日の電子工
業で用いられるような商業用回路の製造に必要なきびし
い性質の釣合を遠戚することができなかった。最終回路
基体と処理工程の選択により、電気特性、機械特性、耐
薬品性、防湿性および熱安定性にすぐれ、特にはんだ付
けに適した回路を製造しなければならない。

多くの適用のために、薄膜拡散転写銀回路は極めて多く
の抵抗性を有しそして金属とメッキされてさらに導電性
になることが必要である。これは電気メッキまたは無電
解メッキ技術によって行うことができる。銀は無電解メ
ッキに対しては貧触媒であり、そして米国特許第３．６
００，１８５号および第３，８２２，１２７号に記載さ
れたようにメッキする前にパラジウムイオンと処理して
活性化されることが多い。しかしながら、これらの処理
を行うと地肌部分のメッキがうまくいかない。

さらに、銀金風が移行して樹枝状結晶を形威しそしてこ
れらの結晶により回路がだめになることが知られている
。

それ故、本発明の１つの目的は上述の商業用回路のすべ
ての基準を満足する導電性鋲回路パターンを形成する改
良法を提供することである。

さらに本発明の目的は電気メッキおよび／または無電解
メッキを行うことができかつ銀樹枝状結晶の形成に抵抗
する銀回路パターンを提供することである。

発明の要約 本発明は （ａ）絶縁性基体に親水処理を施して基体の表面部分に
親水性を付与し、 （ｂ）絶縁性基体の親水性部分にバインダーなしで拡散
転写核を施し、 （ｃ）拡散転写核に重ねられた絶縁性基体上に層として
か、または第２の基体上に層として、ハロゲン化銀を含
有する感光性物質を施し、（ｄ）感光性物質層の一部分
を活性線に露光し、 （ｅ）工程（ｄ）において露光した層に現像液を施し、 （ｆ）銀拡散転写によって基体上にコーティングとして
銀のパターンを形成させ、この際層の表面部分は拡散転
写核と接触するものとし、そ５− して （ｇ）絶縁性基体の表面上に工程（ｆ）で形成された銀
のパターンを残しながらはじめにハロゲン化銀物質が含
まれていた層を除去する、以上の各工程から戊る、絶縁
性基体上に密着性導電性金属パターンを形成させる方法 に関する。

第２の態様では、本発明は （ａ）絶縁性基体に親水処理を施して基体の表面部分に
親水性を付与し、 （ｂ）絶縁性基体の親水性部分にバインダーなしで拡散
転写核を施し、 （ｃ）拡散転写核に重ねられた絶縁性基体上に層として
か、または第２の基体上の層として、ハロゲン化顕を含
有する感光性物質を施し、（ｄ）感光性物質層の一部分
を活性線に露光し、 （ｅ）工程（ｄ）において露光した層に現像液を６ 施し、 （ｆ）銀拡散転写によって基体上にコーティングとして
銀のパターンを形成させ、この際層の表面部分は拡散転
写核と接触するものとし、（ｇ）絶縁性基体の表面上に
工程（ｆ）で形成された銀パターンを残しながらはじめ
にハロゲン化銀物質が含まれていた層を除去し、そして
（ｈ）この現像された銀パターンをｐＨ約Ｏから５を有
する酸性溶液で処理し、この際工程（ｈ）を工程（ｇ）
と同時にかまたは工程（ｇ）の直後に行い、 ０）工程（ｈ）からの銀のパターンを本質的にＰｄ（Ｉ
Ｉ）、Ｐｔ（ＩＶ　）、Ｒｈ（ＩＩＩ）およびこれらの
混合物からなる群から選ばれた金属イオンを含有する水
溶液であって、４．０よりも大きくないｐＨとまた０、
０３Ｍよりも小さい／ｈライドイオン濃度とを有する溶
液で処理し、そして （ｊ）工程（１）で処理した銀のパターンを少なくとも
１つの導体金属で無電解的にメッキする、以上の各工程
からなる、絶縁性基体上に密着性導電性金属パターンを
形成させる方法 に関する。

第３の態様では、本発明は絶縁性基体とそれに結合され
た銀層からなり、該銀層のパターンは上記の拡散転写法
によって形成されたものである印刷回路板のような電子
デバイスの形成に有用な物品に関する。

発明の詳細 な説明は絶縁性基体上に密着性導電回路を形成する方法
に関する。支持体材料と処理工程は所望の特性を有する
最終回路を得るように選択しなければならない。これは
適当な基体上に銀拡散転写像形成により銀金風回路パタ
ーンを形成させることによって行われる。次に、銀像の
上に所望の他の導電性金属をメッキすることができる。

回路基板と処理工程を選択して特定の試験基準に合致す
る回路を製作しなければならない。

これらの基準、試験法および規格の例はインスティテユ
ート・フォ・インターコンネクテイング・アンド・パッ
ケージング・エレクトロニツクス・サーキッツ（ｌｎｓ
ｔｉｔｕｔｅ　ｆｏｒ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｎ
ｇ　ａｎｄ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ　Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ）、リンカーンウッド、イリノ
イ州、アメリカによって出版されたＡＮＳＩ／　ＩＰＣ
−ＦＣ−２３１ＢＸＡＮＳＩ／　ＩＰＣＦＣ−２４１Ｂ
およびＡＮＳＩ／　ＩＰＣ−ＴＭ−６５０に記載されて
いる。一般に、電子基体は４より小さい誘電率と０．０
５より良好なｌ　ＭＨｚにおける損失係数のようなすぐ
れた電気特性を有すべきである。また、前記基体は可撓
性基体については０．２０％より良好な寸法安定性（硬
質基体については１０よりすぐれたファクター）および
２００００ｃｂ／　ｉｎ’より大きい引張り強さのよう
なすぐれた機械特性を有すべきである。完成回路は１０
８オームより良好９ な絶縁抵抗、１０８オームより良好な防湿、絶縁抵抗な
どを有すべきである。回路は３Ｑｂ／ｉｎ−幅（このレ
ベルの接着では、金属に３Ｍスコッチテープを適用して
除去しても損傷を受けない）より大きな剥離強さを有す
べきである。また、回路は化学暴露に抵抗しそして種々
の化学環境に暴露した後に測定機械特性の７５％を保持
すべきである。さらに、電子回路はすぐれた熱安定性を
有しそしてハンダフロート試験に合格できるものでなけ
ればならない。

絶縁性基体は拡散転写現像のための核を担持しそして最
終的には、銀像が接着している支持体である。本発明の
実施に用いることのできる基体は電気絶縁性でなければ
ならずまたすぐれた防湿性を有さなければならない。ま
た、以後の処理工程に必要な機械、熱および化学安定性
を有すべきである。基体は可撓性または剛性のいずれか
であってもよい。

０ 般に、基体は重合体樹脂からなり、フィルムまたは他の
固体マトリックスの形態であってもよい。樹脂は安定な
繊維または不活性光てん剤、セルロース紙またはポリア
ラミド紙、ガラスまたはポリアラミド布で補強されてい
てもよい。適当な熱硬化性樹脂の例には架橋性重合体ア
クリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、高性能エポキシ
樹脂、フェノール樹脂およびけい素樹脂がある。適当な
熱可塑性樹脂の例にはフルオロカーボン樹脂例えばボリ
ア］・ラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシパ
ーフルオロビニルエーテルの重合体およびテトラフルオ
ロエチレンとへキサフルオロプロピレンの共重合体；ポ
リアルイミドのようなポリイミド；ポリアリールエーテ
ル；ポリアリールケトンおよびボリアリールエーテルケ
トン；ポリエステル：ポリエチレンオキシド；ポリフェ
ニレンスルフィド；ポリカーボネート；ポリフェニレン
オキシド；ポリスルホン；ビスマレイミドおよびビスマ
レイミドトリアジン；およびシアネートエステルがある
。

また、基体は同じかまたは異なっていてもよいいくつか
の層の積層体であってもよい。例えば、ポリアラミド布
で補強されそしてフルオロ重合体フィルムに積層された
エポキシ樹脂を用いることができる。

１回のはんだ工程が必要とされる適用のために、熱安定
性の高い基体を用いることが必要である。これらの適用
にはポリイミド、フルオロ重合体およびポリエステルは
好適な可撓性基体でありそしてガラス布、ＦＲ−４で補
強されたエポキシ樹脂は好適な剛性基体である。１回よ
り多いはんだ工程を必要とする適用にはポリイミド、フ
ルオロ重合体およびＦＲ−４が好ましい。

基体がフィルムの場合、それは−枚のシートまたは連続
したロールの形態であってもよい。

可撓性回路の適用には通常１〜５ミルの範囲の厚さを有
するフィルムが用いられる。剛性回路の適用には、厚い
材料を用いてもよい。２次元および３次元面を用いても
よい。

絶縁性基体はバインダーを追加しなくても拡散転写核を
吸収、吸着あるいは結合できるものでなければならない
。さらに、基体は核部位で拡散転写現像を行うものであ
るので、水性現像剤溶液により膨潤または湿潤できるも
のでなければならない。しかしながら、所望の電気特性
を維持するために、基体はすぐれた防湿性を有すること
が必要である。これらの−見矛盾した要件は絶縁性基体
を化学的にまたは物理的に処理して顕微鏡的に薄い表面
層をより親水性にさせる本発明の方法を用いて満たされ
る。

本発明の方法を実施するのに有用な化学処理により、通
常表面上に極性な、しばしば酸素に富んだ、しばしばイ
オンおよび金属の結合部位３ でかつ親水性の基例えばヒドロキシル、カルボニル、カ
ルボキシル、カルボキシアミド基などが生成する。化学
的に変性された表面は拡散転写核を化学的に結合するか
あるいはこの核を吸収できる。さらに、この表面は拡散
転写現像か親水性処理した表面層に深くゆきわたるよう
に塩基性水性拡散転写現像剤溶液により膨潤するか湿潤
できるものである。

親水性処理によって影響される基体の深さを最小にする
ことが重要である。これは吸収される水分量を最小にす
るために必要である。というのは水分が存在すると灰抜
のはんだおよび再はんだ処理工程でふくれが生じ、表面
抵抗か低下しそして銀と他の金属の移行が促進される可
能性があるからである。化学的に変性された親水性表面
層は厚さが約０，０２〜０．２マイクロメーターである
ことが好ましい。

通常、本発明の方法に有用な表面の物理的変４ 化はくずを残す処理の場合におけるように表面の物理的
強さをあまり低下させないで表面積を増大させる処理か
ら生じる。表面積が増大すると表面が親水化されて湿り
が改善される。普通、表面積が増大すると追加された層
が絶縁性基体に浸透して層の接着性が改善される。

物理的親水性処理と接着の促進は化学的親水性処理より
も水分吸収と他の臨界的性質に与える影響が少ないので
絶縁性基体の表面下５マイクロメーターおよびそれ以上
に処理を延長させて低い解像度の像を得ることができる
。高い解像度とよりきれいな背景を得るためには基体が
なめらかなほどよくそして表面粗さが１マイクロメータ
ーより小さい方が好ましい。

親水性処理からのゆるく結合したくずが表面上に残るの
を回避するかあるいは大幅に劣化した基体の厚い層が表
面に残るのを回避することが重要である。普通、これは
親水性処理を最小限にするかあるいは、ゆるくまたは弱
化した物質を溶剤作用および／または処理中の機械的ス
クラビングにより除去するかあるいは溶剤による別のク
リーニングステップやスクラビングにより除去すること
によって制御される。

親水性処理には強非水性塩基例えばメタノール性水酸化
カリウムまたは水性塩基溶液による処理；強還元剤例え
ばナトリウム金属、リチウムアマルガム、ナフテン酸ナ
トリウムなどによる処理；強酸化剤例えばクロム酸塩、
重クロム酸塩または過マンガン酸塩イオンまたは緩酸化
剤例えば過硫酸ナトリウム、強酸例えば濃硫酸による処
理：粗面化または機械研磨あるいはアルゴンイオンスパ
ッタリングにおけるような高エネルギー処理および電気
放電、コロナ放電、反応プラズマまたは火炎による処理
がある。

選択された正確な親水性処理は用いられる絶縁性基体の
性質に依存することが認められる。

ポリイミドフィルムを基体として用いる場合、一般に親
水性処理はアルコールお゛よび／またはジアミンを含め
ての水性塩基溶液によるエツチングを含む。適当なエツ
チング技術は米国特許第３，８２１，０１６号、第４，
４２６．２５３号および第４．７２５，５０４号に開示
されている。また、アルゴンイオンと他の反応プラズマ
エッチによりすぐれた接着を与える金属化法用のポリイ
ミドが親水化される。

フルオロ重合体フィルムの表面は非プロトン性強塩基ま
たは強還元剤による処理によって親水化することができ
る。火炎、プラズマおよび強還元剤を含めての種々の方
法によるポリテトラフルオロエチレンの表面変性はり、
Ｍ、　３ｉｐｅｒｋｏ。

Ｒ，Ｒ，ＴｈｏｍａｓのＪ、　Ａｄｈｅｓｉｏｎ　Ｓｃ
ｉ、　Ｔｅｃｈｎｏｌ、、　３゜１９８９、１５７−１
７３に記載されている。

ポリエステル、ポリエーテルイミド、ポリアリールケト
ンなどの表面は強酸化性エツチング７ 剤、強酸例えば濃硫酸、火炎または電気放電による処理
によって親水化することができる。

エポキシまたは他の樹脂をガラス、ポリアラミド布、紙
などのような補強材に浸透させて形成された基体の表面
は粗面化および／または化学エツチングにより親水化す
ることかできる。

粗面化技術の例には研磨、ザンドブラスト、溶剤ひび割
れ、別の粗面とのエンボスおよびアルゴンイオンスパッ
タリングのような高エネルギー処理などがある。化学エ
ツチングは通常酸化剤および酸との処理により行われる
。例えば、ＦＲ−４基体を過マンガン酸塩溶液中に浸漬
させて表面を化学的にエツチングし粗面化することがで
きる。

絶縁性基体が異なった材料の積層体である場合、表面処
理は表面上に存在する物質に適合させるべきである。ま
た、複数の処理の組合せを用いてもよい。

４８ また、絶縁性疎水性基体の表面を別の物質例えば表面が
容易に親水化される接着性層でコトすることもできる。

コートした物質は絶縁性基体への接着性がすぐれている
ことの他に、電気抵抗、耐薬品性にすぐれかつ温度安定
性が高いものでなければならない。後者の性質は灰抜の
はんだ工程を伴う適用のために特に重要である。接着剤
は若干の親水性を有すべきでありすなわち、水性銀現像
側溶液の浸透を与えるものでなければならないが、それ
はあまり親水性になりすぎて水分吸収が過剰になっては
いけない。

接着性組成物の例は米国特許第３，７２８，１５０号、
第３，８２２，１７５号および第３．９００．６６２号
に記載されている。これらの交さ結合性重合体アクリル
系接着剤組成物は、ポリイミド基体に特に適しておりそ
して水性塩基による簡単な処理によって親水性化するこ
とができる。

本発明の方法における次の工程は拡散転写核を絶縁性基
体の親水性部分に適用することである。「拡散転写核」
とは触媒作用部位として働き錯体銀イオンが金属銀へ還
元されるのを助ける粒子を意味する。多くの従来法では
拡散転写核はバインダー典型的にはゼラチン、ゼラチン
誘導体、セルロース誘導体、デキストリン、可溶性でん
ぷん、ポリビニルアルコール、ポリスチレンスルホン酸
およびアクリル酸の共重合体中のコーティングとして適
用される。これらのバインダーは水分を吸収し、金属と
基体の結合に応力をかけると寸法が不安定になりやすい
のでこれらは通常電子適用には適していない。吸収され
た水分によりふくれが生じ、はんだ付けが損なわれ、金
属の移行が促進されそして長く使用するとショートする
。バインダーを電子適用に使用させるためには、バイン
ダーは最終回路の必要な基体への高い接着性を有し、回
路処理用薬品に対して不活性であり、はんだ適用に対し
て安定であり、そして電子性能を低下させないものでな
ければならない。このようなすべての要件を満足させる
バインダーを開発することは困難である。

適切なバインダーを選択するという問題は本発明の方法
を使用することによって回避される。

絶縁性基体の顕微鏡的表面層を上述のようにして親水化
しそして拡散転写核を親水化表面層にバインダーを用い
ないで直接適用する。

銀拡散転写法に適した拡散転写核はよく知られている。

それらは典型的には（１）金属例えば銀、金、パラジウ
ム、パラジウム／錫、銅、鉄、ロジウムおよびアルミニ
ウム；（２）銀、亜鉛、クロム、ガリウム、鉄、カドミ
ウム、コバルト、ニッケル、マンガン、鉛、アンチモン
、ビスマス、砒素、銅、ロジウム、パラジウム、白金、
ランタンおよびチタンを含めての金属のスルフィド、セ
レニド、チルライド、ポリスルフィド１ またはポリセレニド：（３）処理中に金属核を生成する
易還元性金属塩例えば硫酸パラジウム、硝酸銀またはく
えん酸銀および（４）入ってくる拡散銀塩と反応して核
を生成する無機塩例えは硫化ナトリウムである。好適な
触媒は銅、銀、パラジウム／錫、硫化亜鉛、硫化パラジ
ウム、硫化銅、硫化ニッケル、パラジウム塩および硫酸
パラジウムである。銀拡散転写像形成にすぐれた核であ
る硫化亜鉛のようなスルフィドは特に関心があるが無電
解ニッケルおよび銅メッキに触媒作用を与えない。

拡散転写核は慣用の適用法例えばスプレースパッタリン
グ、印刷、ブラッシング、デイツプコーティング、ロー
ルコーティングなどによって基体に適用することができ
る。処理された基体を拡散転写核の水溶液または分散液
の中に浸漬させて行うことが好ましい。基体表面上の拡
散転写核の濃度は本発明の方法にとって重要２− である。あまりにも多い拡散転写核が存在すると、以後
のメッキ工程において非回路部分にメッキが生じるとい
う問題が起こる可能性がある。

また、過剰の拡散転写核の使用は現像された銀像の接着
と電気特性に悪い影響を与える可能性がある。拡散転写
核が極端に少なすぎると、銀像は十分に現像されないで
解像力に難点が生じる可能性がある。０．０１〜３０マ
イクログラム／ｃｍ２のレベルが好ましく、０．５〜２
０マイクログラム／ｃｍ”が最も好ましいことがわかっ
た。

普通、直径が０．００１〜０．０１マイクロメーターの
現像核が親水化層に少なくとも０．０２マイクロメータ
ー浸透する場合に最良の結果が得られることがわかった
。いくらかの場合、核が浸透しそして親水化層の厚さ全
体に分散される。これはこの層の電子顕微鏡で観察され
る。

絶縁性基体を親水化しそして拡散転写核を適用する工程
は順次行われるのが好ましいが、２つの工程は同時に行
うことができる。例えば、絶縁性基体の表面を強酸との
処理によって親水化すると、酸性溶液は拡散転写核を含
有する。

表面は親水化されるので拡散転写核は基体の表面に付着
する。

本発明の方法における次の工程はハロゲン化銀含有感光
層の適用である。この感光層はシングルシートまたは拡
散転写洗去系（ｊ）ＴＷＯ）については解像核の適用後
練水性基体上に直接適用することができる。あるいはま
たツウシートまたは写真製版転写系（ＰＭＴ）について
は感光層を第２の支持体に適用することができる。

拡散転写現像核を含む親水性表面はハロゲン化銀感光層
と接触させる前に剥離層で保護してもよい。剥離層は移
動性拡散転写核によるハロゲン化銀層の汚染を防止しそ
してハロゲン化銀層中に像現像で形成されたコロイド銀
による絶縁性基体表面の汚染を最小限にする。剥離層は
拡散転写現像剤に透過性であって拡散転写現像直後のす
すぎ工程の間に除去できるものでなけれはならない。剥
離層は像の解像力が失われるのをさけるために薄くなけ
ればならない。０．１〜３．０マイクロメーターの厚さ
が好ましい。写真用ハロゲン化銀被膜に適した大抵の水
膨潤性、水可溶性重合体は剥離層として適している。そ
の例にはゼラチン、フタール化ゼラチン、セルロース誘
導体例えばカルボキシメチルセルロースおよびヒドロキ
シメチルセルロースおよび他の親水性高分子コロイド物
質例えはデキストリン、可溶性でんぷん、ポリビニルア
ルコールまたはポリスチレンスルホン酸がある。

ハロゲン化銀含有感光層は通常親水性バインダー中のハ
ロゲン化銀柱の分散物からなっている。バインダーは拡
散転写プロセスに普通に用いられる物質のいずれであっ
てもよく例えばゼラチン、フタール化ゼラチン、セルロ
ース誘導５ 体例えばカルボキシメチルセルロースおよびヒドロキシ
メチルセルロースおよび他の親水性高分子コロイド物質
例えばデキス］・リン、可溶性でんぷん、ポリビニルア
ルコールまたはポリスチレンスルホン酸がある。バイン
ダーは最も好都合なゼラチンである。ハロゲン化銀は写
真適用に用いられるよく知られた塩のいずれであっても
よい。代表的な有用な塩には塩化銀、臭化銀、よう化銀
、塩臭化銀、よう臭化銀および塩よう臭化銀の単独また
は混合物がある。ハロゲン化物の沈殿は通常慣用の技術
を用いてゼラチン中で行われる。

ハロゲン化銀の粒サイズ分布と増感はレーザー像形成、
リングラフ、直線ポジなどを含めての所望の写真プロセ
スに適合するように制御することができる。ハロゲン化
銀層はポジまたはネガとして作用するものであってもよ
い。普通、銀塩分散物を普通の化合物例えばいおう、金
、６ ０ジウム、セレンなどであるいは有機増感色素例ｔばシ
アニン、１．１’−ジエチル−４，４′−シアニンヨー
シト、メチンおよびポリメチンシアニン色素、クリプト
シアニン、メロシアニンなどで増感する。また、写真用
ハロゲン化銀組成物中に普通に用いられる他の添加剤は
所望により存在していてもよい。

通常、存在するハロゲン化銀の量は５〜８０ｍｇ／　ｄ
　ｍ　２の銀であり、別のハロゲン化銀コーテッドシー
トからの写真製版転写にはｌＯ〜１５ｍｇ／ｄｍ２が好
ましくそしてシングルシート拡散転写洗去法には１０−
４０ｍｇ／　ｄｍ２、普通１５ｒｎｇ／　ｄｍ２が用い
られる。最低量の銀により最高の解像力が得られそして
良好な導電性を得るためには無電解金属メッキを必要と
するからしれない。最高量の銀により像の直接電気メッ
キのための最高の導電性が得られる。

本発明の方法における次の工程はハロゲン化銀層の少な
くとも一部を活性線に露光することである。これは写真
用ハロゲン化銀材料について普通に用いられる任意の方
法例えば紫外光、可視光または赤外光、陰極線管または
レーザによる像形成によって行うことができる。通常、
ハロゲン化銀層を所望の回路トレースのパターンで像露
光させる。ネガとして働くハロゲン化銀乳剤の場合、乳
剤の非露光部分は絶縁性基体上の現像銀パターンと一致
する。

露光後、ハロゲン化銀層を現像剤溶液と接触正大して拡
散転写核で処理された基体層と緊密に接触させる。ワン
シート系の場合これはシートを現像剤溶液に通して行わ
れる。ツウシーＩ・系の場合２枚のシートを現像剤で湿
らし次に現像側枝を含有する基体の親水性処理を施した
側と接触させてハロゲン化銀層とロールで圧縮する。

ネガとして働くハロゲン化銀乳剤の場合、ハロゲン化銀
は活性線に露光された乳剤の部分に存在する現像剤の作
用によって金属銀に急速に還元される。同時に、現像剤
中の銀イオン錯化剤によって未露光部分に可溶性銀イオ
ン錯体が生成する。これらの錯体は絶縁性基体の表面に
拡散する。そこでの拡散転写核は物理的現像のための触
媒作用部位として働いて銀イオン錯体から金属銀を析出
させる。ワンシートシステムではもともとハロゲン化銀
を含有している上部乳剤層は普通の場合洗浄により除去
される。乳剤層は０〜５のｐＨを有する酸溶液、普通ｌ
Ｏ容量％の酢酸中で洗去するのが好ましい。ツウシトシ
ステムでは２枚のシートを剥離して基体から乳剤層を除
去する。この結果ポジ銀像が絶縁性基体層上に形成され
る。ポジとして働くハロゲン化銀乳剤を用いる場合、露
光部分のハロゲン化銀は錯体を形成しそして基体層に拡
散する。

これにより絶縁性基体層上にネガ像が形成され９− る。拡散転写法用の現像浴はよく知られておりそして例
えばＡｎｄｒｅ　Ｒｏｔｔ等のｒ　Ｐｈｏｔｏｇｒａｐ
ｈｉｃＳｉｌｖｅｒ　Ｈａｌｉｄｅ　Ｄｉｆｆｕｓｉｏ
ｎ　ＰｒｏｃｅｓｓｅｓＪ　　（ＦｏｃａｌＰｒｅｓｓ
、　　１９７２）およびＧ　ｒ　ａ　ｎ　１．　　Ｈａ
　ｉ　ｓ　ｔのｒＭｏｄｅｒｎＰｈｏｔｏｇｒａｐｈｉ
ｃ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ、　Ｖｏｌ、２　Ｊ　　（Ｗ
ｉｌｅｙ１９７９）に記載されている。

現像剤溶液による処理に続いて、系を酸停止液で処理す
ることが好ましい。酸により親水性表面層が解膨潤しそ
して基体の最終電気抵抗が改善される。予想外なことに
、現像された銀像の基体への接着も改善される。酸停止
工程を用いないと、像がすすぎ工程で損傷を受ける結果
実質的にエージングさせるかあるいはさらにメッキを施
した場合でも接着性と像成分が永久に損なわれるおそれ
がある。これに対して、酸停止液を用いると、拡散転写
像はより強靭になりそしてリンス中にスクラビングを行
うことができ、乾燥時にスフラッチングに耐えしから実
際には基体への接着性が経時的に向上する。これは特に
塩基で親水化されたポリイミド基体の場合にあてはまる
。また、酸停止液はワンシートシステムの乳剤層の除去
を助ける。酸停止はもともとハロゲン化銀（通常ゼラチ
ン）を含有している層の除去と同時に実施するのが好ま
しい。

酸停止液は約５より小さいｐＨを有すべきである。好適
な酸停止液は２．５のｐＨを有する１０容量％の水性酢
酸溶液である。

核のような現像された銀が親水化表面の中に少なくとも
０．０２マイクロメーター浸透する場合に最良の結果が
得られる。これはこの層の電子顕微鏡写真によって観察
される。浸透は親水化層全体におよんで、銀像を表面に
固定して良好な定着を与える。

基体上に形成された銀像は通常極めて薄い。

それは低電流が必要とされるようないくつかの電子適用
では許容できるものであるからしれない。しかしながら
、多くの適用では銀像を追加の金属で覆って回路の電気
特性と耐久性を改善するのが好ましい。銀像の覆いすな
わちメッキに用いることのできる金属の例には銅、ニッ
ケル、金、銀、パラジウム、亜鉛、クロム、錫、鉛、コ
バルトおよびそれらの合金がある。また、像を順次異な
った金属で覆うこともできる。電気特性と安定性がよく
しから経済的な面から銅を用いるのが好ましい。

般に、回路パターンに遊離した銀素子が存在しない時、
銀像は通常電気メッキでカバーされる。この目的のため
に任意の標準的電気メッキ法を使用することができる。

もし銀像の導電率が電気メッキするのにあまりにも低く
、像が像素子を遊離しないならば、銀像はまず少量の金
属を電気メッキして導電性とし、次いで通常の電気メッ
キにより最終的な塗りの厚さにメッキされる。

もし回路パターンに遊離した銀素子があるならば、一般
に銀像をカバーするために無電解メッキ法を使用するこ
とが好ましい。無電解メッキに使用しうる金属の例とし
ては銅、金、ニッケル、パラジウム、コバルトおよびそ
れらの合金がある。米国特許第３，６００，１８５号お
よび同３　８２２．１２７号に開示されているように金
属銀はまず触媒作用の後に、無電解メッキされねばなら
ない。

３ 典型的には、水溶性の塩化パラジウムまたは水溶性のカ
リウムクロロパラデー１・のいずれかが使用される。然
しなからこれらの重金属イオン溶液はまた親水性の「カ
プトン」［Ｆ］ポリイミドおよびＦＲ−４のような非銀
部分の基体を活性化し、全表面にわたって電気メッキを
することができる。従って、選択的に銀像を活性化し無
電解メッキのバックグラウンドを失活化する必要がある
。

基体上の銀の選択的な活性化は、高ハロゲン化物濃度お
よび相対的に低いｐＨ，３またはそれ以下の範囲のパラ
ジウム（■）、白金（ＩＶ）またはロジウム（ＩＩＩ）
の溶液で現像した像および基体を処理することによって
遠戚されることが分かった。適切なハロゲン化物には塩
化物、臭化物および沃化物がある。塩化物が好ましい。

溶液のハロゲン化物濃度は非銀部分の失活化にとって決
定的なものである。好ましくは、ハロゲン化４ 物の濃度は０．０３モルより大きく、１．０モルより大
きいのが最も好ましい。０．０３モルより大きいハロゲ
ン化物濃度では、基体の触媒的活性化は銀の活性化に影
響を及ぼさないで抑制される。

パラジウム、白金およびロジウムイオンは銀パターン上
に還元された金属として付着すると思われる。これは、
活性化後パターン上にかなりの濃度の非銀金属イオンを
示す結合プラズマ原子吸収データーによって支持される
。ハロゲン化物イオンは酸化と可溶化を促進する核の金
属と錯体化して基体の非銀像部分からの被除去に役立つ
と思われる。またハロゲン化物は、基体上のパラジウム
、白金またはロジウムイオンと錯体をつくってこれらイ
オンの付着を防止する。他の錯体配位子、例えばチオシ
アネート、シアニドおよびホスファイトは基体の好まし
くない活性化を防ぐのにも有効であると思われる。

銀金属は、原子移動して樹枝状結晶となることが知られ
ている。電子的適用には、全体的に回路線が電気的に接
続して回路が損なわれるので受は入れられないものであ
る。これは銀金属が回路パターンにほとんど使用されな
かった１つの理由である。樹枝状結晶の形成は、現像し
た銀パターンを酸で処理し、他の金属でメッキし、そし
て温和なエツチング溶液、例えば、酸性アンモニウムバ
ーサルフェードでメッキしたパターンを処理することに
よって殆ど完全に除去しうろことが分かった。酸は２．
０より大きくないｐＨを有すべきである。銀のトレース
回路が無電解メッキされるべき時は、上述のメッキする
ための銀表面を活性化するパラジウムイオンおよび酸に
よる処理は、ｐＨが２．０より大きくない限り十分であ
る。絶縁基体上における銀パタンは典型的な樹枝状結晶
形成を示している。

酸で処理した後にメッキするが最終のエッチング処理を
しない銀パターンはＡＮＳＩ／ＩＰＣ−ＦＣ２４１１試
験方法２．６．３．２、に記載した温度、湿度およびバ
イアス条件下、これらはこの試験に不合格ではないけれ
ども２４時間後に微視的な樹枝状結晶の形成を示す。

酸で処理し、メッキし、最終的なエツチング溶液で処理
した銀パターンは、１０００倍の倍率の顕微鏡で検査し
た前述と同一条件下では銀の原子移動または樹枝状結晶
の形成を示さない。

回路パターンをメッキをした後酸性状態にしておくのが
好ましい。この酸処理は表面の電気的性質を劣化する表
面のイオンを除去する。酸溶液は５より少ないｐＨを有
するべきである。好ましい酸リンス剤は０．ＩＮ硫酸ま
たは塩酸である。

ある場合には、本発明の工程に焼付けまたはエージング
を包含させるのが好都合である。特にポリイミドが絶縁
基体として使用される特有７ 用である。焼付けは１５０°Ｃまたはそれ以下の温度で
達成されるが３００°Ｃ程度の高い温度でも使用しうる
。時間は数分から１時間までである。

エージングはさらに長い時間でも用いることができるけ
れども一般に２４時間〜７２時間室温で行なわれる。一
般に、焼付けまたはエージングの工程は絶縁基体上の銀
パターンの形成後または銀像が少なくとも１つの導電性
金属でカバーされた後行なわれる。また基体は拡散転写
核の適用後、特に架橋性のアクリルポリマー系接着材料
でコートした基体に対して焼付けされる。

本発明の方法により、摩擦またはＳｃｏｔｃｈＴＭテー
プにより除去することのできない銀像の形成が得られる
。４ミクロンの線の解像、溝および１０オーム／平方よ
り小さい抵抗を達成することが可能である。いくつかの
低負荷適用、例えばシールディングおよび低電圧／低電
流回路に対し銀像トレースはさらに金属化することなし
に８ 使用することができる。これらの銀像トレースは抗摩耗
性コーティングで保護するのが好ましい。条件のきびし
い負荷および環境、例えば温度や湿分に対して絶縁コー
ティング、例えばエポキシまたはシリコンで保護するか
または絶縁接着材料を用いて例えばポリイミドのような
保護フィルムで積層することが好ましく、それにより大
いに銀の原子移動および樹枝状結晶の形成を低下させる
。

大抵の適用に対して銀のトレースは銅のような金属によ
って電気メッキまたは無電解メッキによってきれいにメ
ッキすることができる。トレース上のメッキはＡＮＳＩ
／ＩＰＣ−ＦＣ−２４１法２．４．９による３〜８プリ
（ｐｌｉ）の範囲で良好な接着性を示し、ＡＮＳＩ／Ｉ
ＰＣ−ＦＣ−２４１Ｂ試験方法２．６．３．２によす少
すくとも１０８オームの水分および抵抗を有し、良好な
化学抵抗性および寸法安定法を有し、そして銀樹枝状結
晶の形成を示さない。基体フィルム、例えばポリイミド
、ポリエーテルイミド、ポリアリールケトンまたはフル
オロポリマーのフィルムおよびガラスまたはポリアラミ
ド繊維で強化した樹脂を用いて調製した回路は、熱的に
十分安定ではんだ付けおよび再はんだ付け操作を可能に
する。最も好ましいのはポリイミドフィルムからつくら
れた回路である。

本発明の方法によりなされる工程および製品は基本的に
は平らな表面で用いられ、平らな基体の１側面または両
側面に使用される。然しなから、製法および製品は平ら
な表面に限定されない。例えば、もし親水性で触媒的な
被処理か基体中の孔に拡大されるならば、孔は銀拡散転
写により像をつくり、導電性となる。薄い基体には、シ
ングルまたはツーシートバージョン（ｓｈｅｅｔ　ｖｅ
ｒｓｉｏｎ）の何れもが導電性孔を生皮する。厚い基体
には、工程のシングルシートバージョンが選ばれる。

実施例 次の実施例は本発明を説明するものであるが本発明を限
定するものではない。他に示さない限り全てのパーセン
トは重量パーセントである。

試験操作のコピーは、１ｎｓｔ目ｕｔｅ　ｆｏｒ　Ｉｎ
ｔｅｒｃ。

ｎｎｅｃｔｉｎｇ　ａｎｄ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ　Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｃ４ｒｃｕｉｔｓ。

Ｌｉｎｃｏｌｎｗｏｏｄ　　１ｌｌｉｎｏｉｓ（イリノ
イ州）から入手したものである。

実施例　ｌ この実施例は本発明によるシングルシート拡散転写プロ
セスを用いる銅メッキ銀回路の製造を説明する。

Ａ、親水性処理 ＶＮ２０Ｏｒカプトン」■ポリイミドフィルム（デュポ
ン社製）の２ミル厚さのサンプルをｌＮＫＯ３２３重量
％およびエタノール７７容量％の混合物からなるエツチ
ング溶液に２分間浸漬した。このエツチングに続いてサ
ンプルをすすいで６５°Ｃの＝７１ タップ水で洗浄し風乾した。

Ｂ、拡散転写核の適用 上述の乾燥サンプルを次のように処理した：１、　０．
ＩＮ水酸化ナトリウムに室温で１分浸し、次いで水です
すいだ。

２．２３％５ｈｉｐｌｅｙ　Ｃａｔａｐｒｅｐ　４０４
（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）である水溶性酸浴に室温で１分
間浸漬した。

３、水溶性のコロイド状パラジウム／錫１１Ｘ（Ｓｈｉ
ｐｌｅｙ　Ｃａｔａｐｏｓｉｔ　４４．　Ｓｈｉｐｌｅ
ｙ社製）中に４５°Ｃで２分間浸漬した。

４、水中で１分間すすいだ。

フルオロ硼酸促進剤（Ｓｈｉｐｌｅｙ　Ａｃｃｅｌｅｒ
ａｔｏｒ１９、　Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）の１０％水溶液
に２５°Ｃで３分間浸漬した。

６、水中で１分間すすいだ。

７、風乾。

Ｃ，ハロゲン化銀の適用 上述のカプトン「カプトン」［Ｆ］基体を乳剤の表５゜ ＝７２ 面にフィルムの右側のループを保持し、フィルムを１側
面から溶液の表面をすくうように動かしてハロゲン化銀
写真用乳剤でコートする。ハロゲン化銀乳剤は８０重量
％のＡｇＣ４，１９，５重量％のＡｇＢｒおよび０．５
重量％のＡｇｌであった。乳剤を標準の金塩化物／チオ
サルフェートで増感させ、またブルーアルゴン／イオン
レーザ−光線にスペクトル増感させた。最終的なコーテ
ィングは、モデル４０００Ｐａｎａｌｙｚｅｒ（Ｐａｎ
ａｍｅｔｒｉｃｓ、　Ｗａｌｔｈａｍ社製）で測定し基
体上でハロゲン化銀として銀１４．９ｍｇ／ｄｍ２を得
た。コーティングを風乾させＩこ。

Ｄ２　　露光と現像 上述のサンプルをＡＮＳＩ／ＩＰＣ−ＦＣ−２４１Ｂ試
験方法２．６．３．２で所望のコーム（ｃｏｍｂ）試験
パターンのポジティブ７オトツールでマスクし、そして
タングステン光源からの強度２２ル・ンクスの光で９．
５秒間露光した。露光したサンプルをＵｎｉｖｅｒ−ｓ
ａｌ　Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ　ＣＰ２９７Ｂ（Ａｇｆａ　
Ｇｅｖａｅｒｔ社製）中の４％硫酸ナトリウム溶液に４
５秒間浸した。次いでサンプルを直ちに１０重量％酢酸
水溶液の酸停止浴に浸した。サンプルを４５秒間酸停止
浴に保持し、次いで乳剤コーティングを綿でこすりとっ
た。次にサンプルをＤＬＦ定着液（デュポン社製）に５
分間つけ、０．５Ｎ硫酸に５分浸した。次いでサンプル
を蒸留水で１５分すすぎ、風乾させに。

得られた銀のくし型（ｃｏｍｂ）パターンは、電気的に
導電性であった。ポルト／オーム計は、探針が付着銀上
でほぼ１ｃｍ離れて保持された時１８〜１００オームの
読みであった。ＴＲ５２７濃度計（ＭａｃｂｅＬｈ社製
）で測定した付着銀の透過光学濃度は３．０−３．７で
あった。像は３Ｍ　ＳｃｏｔｃｈＴＭテープを適用して
もまたはがしても損傷はなかっＩこ。

Ｅ、銅による電気メッキ 上述の銀回路サンプルを酸性硫酸銅メッキ浴（ｃｏｐｐ
ｅｒ　Ｇｌｅａｍ　１２５．　ＬｅａＲｏｎａ１社製）
で電気メッキした。浴は次の組成を有していた： 或　　　分　　　　　　　％（重量または容量）Ｃｏｐ
ｐｅｒ　Ｇｌｅａｍ　１２５キヤリア　　　　ｌ、０（
容量）Ｃｏｐｐｅｒ　Ｇｌｅａｍ　１２５添加剤　　　
　　０．５（容量）硫酸　　　　　　　　　　　　　］
、Ｏ，Ｏ（容量）濃塩酸　　　　　　　　　　　　　０
．０１６　（容量）硫酸銅、５水塩　　　　　　　　　
７．５（重量）カーボン粉末（無硫黄）　　　　　　０
．６　（重量）粒状カーボン（無硫黄）　　　　　　　
０．９　（重量）サンプルを１．５アンペア／平方フイ
ート（ＡＳＦ）で３０分、３０ＡＳＦで４５分メッキし
て銅の総厚さ１．４ミルを得た。ＡＮＳＩ／ＩＰＣ−Ｆ
Ｃ−２４１Ｂ試験法２．６．３．２を使用して、少なく
とも２Ｘ１０９オームの水分および絶縁抵抗が測定され
た。

実施例　２ この実施例は、本発明による写真製版転写ツーシート法
を用いて銅−メッキ銀回路の製造を７５ 示す。

Ａ、親水性処理 ＶＮ２０００　ｒカプトン」■ポリイミドフィルムの２
ミルの厚さのサンプルを実施例１に記載したように表面
の親水性処理を行なった。

Ｂ、拡散転写核の適用 上述の乾燥したサンプルを次のように処理しに　。

１、室温で１分間０．ＩＮ水酸化すｉ・リウムに浸し、
続いて水ですすいだ。

２、室温で２分間０．０２％の硫酸パラジウム水溶液に
浸し、続いて水ですすいだ。

３、室温で２分硫化ナトリウム・９水塩の１０％水溶液
に浸した。

４、水ですすぎ、風乾した。

Ｃ，ハロゲン化銀の適用 商業的に入手しうる写真製版転写写真印画紙をハロゲン
化銀シー１−−コダックＰＭＴ　Ｉ［ネカ印６ 両紙、ＫＮｐ（Ｅ２ｓ（、ｍａｎ　Ｋｏｄａｋ社製）と
して使用した。

Ｄ、露光と現像 サンプルを像を必要としない剥離試験を用いて評価した
。従って乳剤シートを活性線照射にさらさないで銀を「
カプトン」■基体の全域にわたって均一に現像した。

未露光のＰＭＴ紙を、上述のＢ工程からの「カプトン」
■基体とともにＵｎｉｖｅｒｓａｌ　　Ｄｅｖｅｌｏｐ
ｅｒＣＰ２９７Ｂを入れたモデル１４００　Ｐ　１．ｔ
　Ｔプロセッサー（ＮｕＡｒｃ社製）中に送り込んで、
ＰＩＪＴ紙の乳剤面が、現像液で湿潤化した直後の「カ
プトン」■基体の親水性表面に接して積層を形成させる
。６０秒後、ＰＭＴ紙をサンプルから剥離するとサンプ
ル全体の表面を被う光沢のある暗い銀が現れる。サンプ
ルを直ちに２２℃で６０秒間ｌＯ％の酢酸水溶液の停止
浴に浸した。次いでサンプルを３５°Ｃの水で２分間す
すぎ、風乾した。銀回路は電気的に導電性であった。ポ
ル１−／オーム計は探針が付着した銀上でほぼｌ　ｃｍ
離れて保った時３０オームの読みを示した。Ｐａｖａｌ
ｙｚｅｒモデル４０００で測定すると、コダックＰＭＴ
紙はハロゲン化銀として銀をｌｏ、３ｍｇ／ｄｍ”含有
しそして６．０ｍｇ／ｄｒｎ２の銀すなわち５８％は基
体に転写された。

像は３Ｍ　ＳｃｏｔｃｈＴＭテープを適用しても剥離し
ても損なわれなかった。透過光学濃度は２．４であった
。

Ｅ、銅による電気メッキ Ｄ工程からのサンプルを実施例１に記載のように銅で電
気メッキした。サンプルはＡＮＳＩ／ｌ　ＰＣ−ＦＣ−
２４１Ｂ法２．４．９による４、５ポンド／インチ巾の
平均１７８インチ剥離強度を有していた。２４時間コン
ディショニングの後、金属／基体接着性は著しい改善性
を示し、剥離強度は５．９ポンド／インチ巾に増加した
。

実施例　３ この実施例は、銅による本発明の銀回路の無電解メッキ
を説明するものである。実施例１Ｇの銀回路ザンプルを
ＩＮ塩酸中の０．１％硫酸パラジウム溶液で１分間活性
化させた。次いでサンプルをＦｉｒｓｔ　　Ｃｈｏｉｃ
ｅＴＭ無電解銅メッキ浴（ｃａｌｌｅｒｙ　Ｃｈｅｍｉ
ｃａ１社製）中、６５°Ｃで５分間メッキした。最終的
な金属の厚さは０．３〜０．５マイクロメーターであっ
た。

実施例　４ この実施例は、本発明の銀回路パターンのニッケルによ
る無電解メッキを説明するものである。

実施例ＩＣの銀回路ザンプルを実施例３に記載したよう
に活性化した。次にサンプルをＮ１ｋｌａｄ７５２無電
解ニツケルメッキ浴（Ｗｈｉｔｃｏ　Ｃｈｅｍｉｃａ１
社製）中で６５°Ｃで５分間メッキした。最終の金属厚
さは０．５〜０．７ミクロメーターであまた。

ＡＮＳＩ／ＩＰＣ−ＦＣ−２４１試験方法２．６．３．
２によって測定９ した湿分および絶縁抵抗は、高温、高湿度での２４時間
後１０９オームより良好であった。

実施例　５ この実施例はエポキシ／ガラス剛性基体を用いた本発明
による銅−メッキ銀回路の製造を説明している。

Ａ、親水性化処理 ＦＲ−４ガラス／エポキシ銅ラミネート（Ｎｏｒｐｌａ
ｘ１０ａｋ社製）のサンプルをアンモニア性塩化第二銅
でエツチングして全ての銅を除去した。

銅を含まないサンプルを次のように処理した。

１、　　Ｖｅｒｓａ　Ｃ１ｅａｎ　４７酸性洗浄剤（デ
ュポン社製）中に５４°Ｃで１分間浸漬した。

２、水ですすいだ。

３、　１３．４％の過硫酸すトリウム水溶液と１２．８
％の硫酸水溶液に２５°Ｃで１分間浸し、続いて水です
すいだ。

４．１０％硫酸水溶液に１分間浸し、次いで水で０ すすいだ。

５、　９２６７状態調節装置（ＭａｃＤｅｒｍ　ｉｄ社
製）中に４６°Ｃで２分浸し、続いて水ですすいだ。

Ｂ、拡散転写核の適用 上述のエツチングしたサンプルをＭＡＣｕＰｒｅｐ９３
Ｐｒｅｄｉｐ（予備浸漬剤）　（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ社
製）中に３８００で３分間浸漬した。次いでＭＡＣｕＰ
ｒｅｐ９５活性剤（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ社製）中に４３
°Ｃで３分浸し、統いて水ですすいだ。次にサンプルを
ＭＡＣｕＰｒｅｐ９７促進剤（ＭａｃＤｅｒｍ　ｉｄ社
製）中に周囲温度で３分間浸漬した。続いてこれを水で
すすぎ、サンプルを風乾した。

Ｃ，ハロゲン化銀の適用 実施例２に記載したＰＭＴ紙を用いた。

Ｄ、露光と現像 ＰＭＴ紙の１枚を所望の回路のポジティブ７オトツール
でマスクし、タングステン光源からの強度１，４ルツク
スの光で６秒間露光した。

Ｂ工程からのＦＲ−４基体をＣＰ２９７Ｂ　Ｕｎｉｖｅ
ｒｓａｌＤｅｖｅｌｏｐｅｒで予め濡らし、５秒間水切
りをした。

露光ＰＭＴ紙をリーダーフィルムにテープ付けし、リー
ダーを現像剤中に１〜２インチ浸したシリンダーの周り
のＣＰ２９７Ｂ現像剤のトレイを通って「リストン」［
Ｆ］２４００ラミネーター（デュポン社製）のニップに
紐で吊した。ラミネーターを毎分２．５ｍの速度で始動
し、リーダーにより現像剤を通して露光ＰＭＴ　フィル
ムを引き寄せた。ＰＭＴフィルムがニップに到達した時
、現像剤で予め濡らしたＦＲ−４基体をＰＭＴフィルム
と一緒にニップ中に挿入し、フィルムの露光した乳剤面
を拡散転写核を有するＦＲ−４の親水性化表面と接触す
るようにした。６０秒後、ＰＭＴ紙をサンプルから剥離
すると、ＰＭＴ紙の未露光領域に相当するＦＲ−４表面
上に銀トレースが露出した。サンプルを直ちに２２°Ｃ
で６０秒間ｌＯ％酢酸停止浴に浸漬した。次に水ですす
ぎ、風乾させた。

銀回路は電気的に導電性であった。ポルト／オーム計は
探針が付着銀上でほぼ１ｃｍ離して保持した時、１００
オームの読みを示した。転写した銀の量は、Ｐａｎａｌ
ｙｚｅｒモデル４０００で測定した時７．８ｍｇ／ｄｍ
”であった。像は、ＳｃｏｔｃｈＴＭテープの適用また
は剥離によっても損傷を受けなかった。

Ｅ、銅による電気メッキ サンプルを実施例ＩＥの方法を用いて銅で電気メッキし
た。平均１八インチの剥離強度はＡＮＳＩ／ＩＰＣ−Ｆ
Ｃ−２４１Ｂ法２．４．９による線インチ当り６．５ポ
ンドであった。

水分および絶縁抵抗はＡＮＳＩ／ＩＰＣ−ＦＣ−２４１
Ｂ試験方法２．６．３．２で測定して少なくとも１０８
オームであった。

３ 実施例　に の実施例は単一シート拡散転写洗去法を使用するポリイ
ミド膜の連続ロールの基体としての使用を例証するもの
である。

Ａ、親水処理 厚さ５ミル、巾１４インチのＫａｐｔｏｎ■ポリイミド
膜のロールを米国特許筒４，７２５，５０４号、実施例
５の方法により連続的にエツチングした。

Ｂ、拡散転写核の適用 Ａからの親水化した試料を実施例ＩＢの方法により処理
した。

Ｃ，ハロゲン化銀の適用 Ｂからの試料を１１インチの巾に切断し、ハロゲン化銀
は、８０重量％のＡｇＣ１２，１９，５重量％のＡｇＢ
ｒ及び０．５重量％のＡｇｌであるハロゲン化銀乳剤を
含む写真用乳剤のコーティングに通常使用するバーコー
ター上で連続的にコーティングした。乳剤は標準の塩化
金／チオ硫酸塩で増感し、８４ ＨｅＮｅレーザーイメージセッター露光に対してもスペ
クトル的に増感した。基体は同時にゼラチン／マット耐
摩耗オーバーコートをコーティングした。どの層にも硬
化剤を添加しなかった。

乳剤層はｍｏｄｅｌ　４０００　Ｐａｎａｌｙｚｅｒで
測定した結果１４．４ｍｇ／ｄ＋＋１２の銀（ハロゲン
化銀トシテ）ヲ含んでいた。耐摩耗オーバーコートは約
２ミクロメーターの厚さであった。

Ｄ、露光と現像 Ｃからのコーティングした試料を多目的フォトツールと
接触させ、タングステンランプを使用して１．４ルツク
スで３５秒間露光した。

露光した試料をＵｎｉｖｅｒｓａｌ　Ｄｅｖｅｌｏｐｅ
ｒ　ＣＰ２９７Ｂ中硫酸ナトリウム４％溶液で、２６°
Ｃで１分間現像した。試料を直ちに１０％酢酸溶液に２
６°Ｃで１分間浸漬し、次いで乳剤を綿でこすり落とす
と元のフォトツールの倍増した光輝な銀様像が現れた。

次いで、現像した試料を水道水で３５°０で１分間洗浄
した。

ｍｏｄｅｌ　４０００　Ｐａｎａｌｙｚｅｒで測定した
結果、像は６．７ｍｇ／　ｄｍ”の現像された銀を含ん
でいた。ポルト／オーム計はプローブを現像された銀か
ら約１ｃｍ離して接触させた場合７オームを示した。

透過光学密度は３．０であり、一方ＫａｐｔＯｎ■ポリ
イミド単独の場合０．５９を示した。

実施例　７ 耐摩耗オーバーコートを使用せず、３０秒接触露光を使
用したことを除いて実施例６のように銀回路を調製した
。乳剤層はコーティング後で露光前１６．３ｍｇ／　ｄ
ｍ２の銀（ハロゲン化銀として）含んでいた。

像は現像後５．９ｍｇ／ｄｍ２の光輝な銀を含んでいた
。ポルト／オーム計はプローブを現像した銀から約１　
ｃｍ離して接触させた場合７オームを示した。透過光学
密度は２．７であった。フォトツールの４ミクロンのラ
インとみぞは再現され、解像は優れていた。

実施例　８ Ａ、親水処理 厚さ５ミル、幅１４インチのＫａｐｔｏｎ［Ｆ］ポリイ
ミド膜のロールを米国特許第４．７２５．５０４号、実
施例５の方法により連続的にエツチングした。

Ｂ、拡散転写核の適用 Ａからの親水化試料を実施例１Ｂの方法により処理した
。

Ｃ，ハロゲン化銀の適用 Ｂからの試料を１１インチの幅に切断し、ハロゲン化銀
は、１００重量％のＡｇＣ１２である黄色光に安全なハ
ロゲン化銀乳剤を含む写真用乳剤のコーティングに通常
使用するバーコーター上で連続的にコーティングし、前
記写真用乳剤をチオ硫酸塩で化学的に増感した。乳剤は
硬化剤を含まなかった。ｍｏｄｅｌ　４０００　Ｐａｎ
ａｌｙｚｅｒにより測定した結果、コーティングは１４
．２〜１７．４ｍｇ／７ ｄｍ２の銀（ハロゲン化銀として）を含んでいた。

Ｄ、露光と現像 Ｃからのコーティングした膜を多目的フォトツールと接
触させ、１００ワツトのタングステンランプを使用して
１２２ｃｍインチで３０秒間露光した。露光した試料を
実施例６Ｄのように現像しブこ。

像はｍｏｄｅｌ　４０００　Ｐａｎａｌｙｚｅｒで測定
した結果、９．４ｍｇ／ｄｍ２の現像した銀を含んでい
た。ポルト／オーム計はプローブを現像した銀から１ｃ
ｍ離して接触させた場合５オームを示した。フォトツー
ルの４ミクロンのラインとみぞは再現され、解像は優れ
ていた。

実施例　９ この実施例はＫａｐｔｏｎ［Ｆ］ポリイミドを自動的に
エツチングし、触媒作用を与え、乳剤でコーティングし
現像する半連続的方法を例証する。試料は手動で現像し
たが、この工程は同様に自動８ 化することができる。

実施例６Ｃからの乳剤コーティング試料をディジタル駆
動Ｈｅ　／　Ｎ　ｅレーザー光源を持つＨｉｇｈＬｉｇ
ｈｔ　Ｓｙｓｔｅｍ　（デュポン社）を使用して連続的
に像形成した。７．０のフィルター取付けと７．５〜１
５ｃｍ／分のフィード速度を使用した。レーザーヒーム
の大きさにより、この像形成装置の解像はｌミルに制限
される。

露光した試料はＵｎｉｖｅｒｓａｌ　Ｄｅｖｅｌｏｐｅ
ｒ　ＣＰ２９７Ｂ中硫酸ナトリウム４％溶液で、２６°
Ｃで１分間現像した。試料を直ちに１０％酢酸溶液に２
６°Ｃで１分間浸漬し、次いで乳剤を綿でこすり落とす
と元のディジタル像の倍増した光輝な銀様像が現れた。

現像した試料を水道水で３５°Ｃで１分間洗浄した。

ｍｏｄｅｌ　４０００　Ｐａｎａｌｙｚｅｒで測定した
結果、像は８．４ｍｇｌｄｍ２の現像された銀を含んで
いた。ポルト／オーム計はプローブを現像した銀から約
１ｃ＋＋＋離して接触させた場合９オームを示した。

透過光学密度は３．０であり、一方Ｋａｐｔｏｎ［Ｆ］
ポリイミド単独の場合０．６を示した。

実施例　１０ この実施例は金属と基体の間の良好な接着を確実にする
ため銀拡散転写前に基体上にきわめて薄い親水層を作る
必要性を例証する。

実施例２に記述した方法を工程２Ａを除いてＶＮ２００
０　　Ｋａｐｔｏｎ■ポリイミド膜の試料を使用して実
行した。得られた光輝な銀回路は導電性であった。ボル
ト／オーム計はプローブを付着した銀から約１ｃｍ離し
て保った場合３０オームの読みを示した。この場合、像
は３Ｍ　ＳｃｏｔｃｈＴＭＴａｐｅを張り、そして取り
除くことにより完全に除去された。試料は工程２Ｅにお
けるように無電解めっきした。しかしながら、めっきし
た金属はどうしても基体に接着しなかった。

工程２Ａの親水処理を除いて上述のように調製したＫａ
ｐｔｏｎ■ポリイミド膜上の銀像を２４７日後に再試験
し、テープ試験は再び完全に失敗した。

このことはエージングにより非親水化Ｋａｐｔｏｎ■へ
の接着は解決されないことを示している。

実施例　１１ この実施例は無電解めっきのための銀の選択的活性化に
おいて高い塩化物濃度と低いｐＨを持つことの必要性を
例証する。

実施例２Ｄの試料銀回路をテトラクロロパラジウム酸カ
リウムの０．１％水溶液中で１分間活性化した。洗浄後
、試料を無電解ニッケルでめっきした。めっきは選択的
でなく、全試料がニッケルで覆われた。活性化溶液のｐ
Ｈを塩酸で段階的に下げた。０．０３モルの塩化物濃度
に相当する１、５のｐＨで活性化作用が選択的となり、
銀のみがニッケルでめっきされた。同様に、０．１Ｍ基
塩化カリウム中酸パラジウムの０．１％水溶液は選択的
活性化を与えた。結果を次の表に要約して１ 示す。

活性化選択性のｐＨと塩化物濃度との相関塩化物濃度 ニッケルめっき ジウム酸カリウム ポリイミド ０．１％テトラクロロパラ ジウム酸カリウム＋塩酸 ２．５ ０．００３ 銀とＫａｐｔｏｎ■ ポリイミド ０．１％テトラクロロパラ ジウム酸カリウム＋塩酸 ２．０ ０、Ｏｌ 銀とＫａｐｔｏｎ■ ポリイミド ０．１％テトラクロロパラ ジウム酸カリウム→−塩酸 １．５ ０．０３ 銀 ０．１％テトラクロロパラ ジウム酸カリウム＋塩酸 ■、０ ０．１ 銀 ０．１Ｍ基塩化カリウム中、１％ 硫酸パラジウム ３．０ ０．１ 銀 実施例　１２ この実施例は水洗中の銀像の湿潤強さを増すため後現像
酸処理の使用を例証する。

２ Ａ、親水処理 ２ミルのＫａｐｔｏｎ■ポリイミド膜のロールを実施例
６Ａにおけるように連続的にエツチングしＩこ。

Ｂ、拡散転写核の適用 １２Ａからの親水化した試料を実施例ＩＢの方法により
処理した。

Ｃ，ハロゲン化銀の適用 実施例２Ｃに記述したＰＭＴ紙を使用した。

Ｄ、Ｎ光と現像 ＰＭＴ紙のシートをフォトツールでマスクし、タングス
テン光源からの強さ１．４ルツクスの光で６秒間露光し
た。

露光したＰＭＴ紙を上の工程Ｂからの１（ａｐｔｏｎ■
ポリイミド基体のシートと共にＵｎｉｖｅｒｓａｌＤｅ
ｖｅｌｏｐｅｒ　ＣＰ２９７Ｂ　（Ａｇｆａ　Ｇｅｖａ
ｅｒｔ、　Ｔｅｔｅｒｂｏｒｏ。

ＮＪ）中硫酸ナトリウムの４％溶液を充填したｍｏｄｅ
ｌ　１４００　ＰＭＴ　ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ　（ＮｕＡ
ｒｃ、　Ｃｈｉｃａｇｏ。

１１１ｉｎｏｉｓ）にＰＭＴ紙の乳剤側が現像液で濡ら
した短時間後にＫａｐｔｏｎ■基体の親水化した表面と
合致してラミネートを形成するように供給した。

６０秒後ＰＭＴ紙を試料からはがすと基体の表面上に光
輝な銀像が現れた。次いで試料を３５°Ｃの水で２分間
洗浄した。水中にある間、端をこすると重大な損傷が起
こった。像を風乾した。

上の工程Ｂからの触媒作用を与えた基体の第２シートを
工程ＣとＤにおけると同様の方法で結像し、現像したが
、但し工程りにおいてＰＭＴ紙を現像した像からはがし
た後、像形成した基体は直ちに１０容量％の酢酸水溶液
中で２２°Ｃで６０秒間浸漬した後、３５°Ｃの水で２
分間洗浄した。

水中にある間この酸処理した試料は上の酸処理しない試
料が重大な損傷を受けた条件下でこすっても重大な損傷
を起こさなかった。このことは後現像酸処理は湿潤工程
で取り扱う間の損傷を予防することを示している。

実施例　１３ この実施例は強固な基体の機械処理、粗面ＦＲ−４ファ
イバーグラス補強エポキシ板の高解像像形成、及び現像
液の組成を例証する。ＦＲ−４基体を上の実施例５Ａと
Ｂに記述したように親水化し、拡散転写核で処理した。

実施例２に記述したようなＰＮ２紙を銀増感物質として
使用しＩこ。

Ｄ、露光と現像 １、装置 Ｒ４ｃｈｍｏｎｄ　Ｍｉｃｒｏ　ｍ■１８°ｓｔｒａｉ
ｇｈｔ　ｔｈｒｏｕｇｈ”ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ（Ｒｉｃ
ｈｍｏｎｄ／　Ｇｒａｐｈｉｃ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ、　
Ｉｎｃ、。

Ｐｒｏｖｉｄｅｎｃｅ、　Ｒ１）を種々な厚さの試料を
受は入れるため出口ローラーに１２０オンスの圧力をバ
ネによりかけるように変更した。このプロセッサーは触
媒作用を与えた表面を現像液で予め湿らせた強固な基体
をローラーにより水平に運搬する。出口ローラーで基体
は露光し現像液で湿５ らせた像形成したハロゲン化銀ＰＭＴ膜ど合致して拡散
転写用ラミネートを形成する。

２、現像液 戊　　　　　　　分　　　　　　　　　　　％無水Ｎａ
２ＳＯ３ ４，８ エチレンジアミン四酢酸・ニナトリ ウム塩・二水和物 ０．０８ Ｎａ、５２０３５Ｈ２０ Ｂｒ ヒドロキノン フェニドン ２．０ ０．０８ ０．９６ ０．１６ 水を加えて１００％にする ＫＯＨＯＨチル１３．０に調節 ３、露光と現像 実施例２Ｃに記述したようなＰＮ２紙のシートを実施例
５Ｄに記述のように露光し、上の工程Ｄ２の現像液を充
填した改変したＭｉｃｒｏ　　ｍ　＠　　ｐｒｏｃｅ６ ｓｓｏｒ　（上の工程Ｄｉ）の底部通路に乳剤側を上に
して供給した。同時に、上で記述したＦＲ−４板をＭｉ
ｃｒｏ　ｍ■の頂部通路に活性側を下に向けて供給した
。ＰＮ２紙と板のラミネートを６０秒間保ち、はがし、
次いで板をｌＯ容量％酢酸水に６０秒間浸漬し、４５°
Ｃの水で６０秒間洗浄し、次いで風乾した。

板は透明な背景と鮮明な像を持っていた。ボルト／オー
ム計はプローブを黒色の銀像から約１ｃｍ離して保った
場合４０〜６０オームの読みを示した。像は３Ｍ　５ｃ
ｏｔｃｈＲｔａｐｅを張り、次いで除去することにより
損傷を受けなかった。４ミクロンのラインとみぞという
微細部は部分的に解像された。

実施例　１４ この実施例は拡散転写核として種々な金属硫化物の使用
を例証する。試料は実施例２に記述のように調製し、但
し実施例６の親水処理を使用し、種々な金属硫化物を調
製した。幾つかの処理した試料シートをポリイミドとの
結合を改善するため下表に示すように１３０°Ｃで５分
間焼き付けた。これらの試料を実施例１Ｅに記述した方
法を用いて銅で無電解めっきし、少なくとも７日間コン
ディショニングした後実施例２に記述のようにはがしを
試験した。その結果を下表に示す。

硫化パラジウム　　　　　　なし 硫化銅　　　　　　　　　　あり 硫化亜鉛　　　　　　　　　あり 硫化ニッケル　　　　　　　あり 実施例　１５ この実施例においては、 無電解めっきのため の銀パターンの活性化に使用する溶液の化学作用を試験
する。

実施例６により調製したＫａｐｔｏｎ＠ポリイミド上の
裸の銀の試料を誘電性結合７°ラズマ（ＩＣＰ）原子吸
光により分析し、表面上に６５ミクログラム／平方セン
ナメートルを持つことが認められた。この試料を実施例
３に記述の方法により活性化し、水洗で完了した。生成
する活性化された銀像を無電解めっきの間に起こる還元
をシミュレートするため１％ナトリウムボロヒドリドと
反応させた。この膜をＩｃＰ原子吸光により分析し、付
着した金属は銀６１ミクログラム／平方センチメートル
及びパラジウム１９ミクログラム／平方センチメートル
であることが認められた。

これは銀が活性化工程の間にパラジウムにより置換され
ることが銀の痕跡量が無電解めっきのための活性を付与
することを示している。

Ｋａｐｔｏｎ■膜の試料を実施例６のように親水化９ し、パラジウム／スズで処理した。ＩＣＰ原子吸光を使
用してＰｄを分析し、パラジウム４．６ミクログラム／
平方センチメートルであることか認められた。次いで膜
をＩＮの）Ｉｌｌて１分間処理した。その後の分析はｌ
ミクログラム／平方センチメートル以下の濃度であるこ
とを示した。更に倍率３００，０００の透過型電顕写真
（ＴＥＭ）は触媒粒子が塩化物処理前は存在するか処理
後は存在しないことを示した。このことは低いｒ）Ｈに
おける塩化物の作用は基体への触媒作用付与を防き、存
在し得る露光した触媒を除くことを示している。

実施例　ｌに の実施例は２ミルのＫａｐｔｏｎ＠ポリイミド膜の両側
における、及び膜に予め開けた３／８インチの穴を経る
導電銀コーティングの同時拡散転写の発現を例証する。

Ａ、親水処理 １００ ＶＮ２００　Ｘａｐｔｏｎ■の２ミルのシートに幾ツカ
ノ３７８インチの穴を開け、次いで実施例ＩＡの処理を
行った。

Ｂ、拡散転写核の適用 実施例１Ｂの方法に従った。

Ｃ，ハロゲン化銀の適用 実施例１ｃのハロゲン化銀乳剤を基体に同一量適用した
が、但し浸漬コーティングにより両側と穴の内側に同時
にコーティングした。

Ｄ、露光と現像 未露光試料をＡｇｆａ　Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ　Ｄｅｖｅ
ｌｏｐｅｒ　ＣＰ２９７Ｂ中に４５秒間浸漬し、次いで
１０容量％酢酸水に直ちに浸漬した。乳剤コーティング
を綿ではがした。次いで基体を水で洗浄し、風乾した。

シートは両側に光輝な導電性銀コーティングを持ってい
た。ポルト／オーム計はプローブを一つの側の付着した
銀から約１ｃ＋＋＋離して保った場合−つの側では５〜
１０オーム、他の側では１００オームの読みを示した。

穴を通じる導電性を測るため個々の穴をそれらの回りで
切って分離し、それらをシートから除いた。次いでボル
ト／オーム計のプローブを穴の回りの膜の反対側に接触
させた場合単一の穴を経る抵抗を測定することができた
。穴を経る抵抗は７４０〜５００，０００オームの間で
変動し、これは恐らくコーティングの変動によるもので
あろう。両側銀コーティング膜の全透過光学密度は５．
８であつＩこ。

同様な両側ハロゲン化銀コーティング膜で穴のないもの
は実施例ＩＤに記述のように両側に別別に最小の露光を
与え、現像して膜の両側に別別の導電性像を形成させ゛
た。

実施例　１７ この実施例は硬化したＷＡ　Ａｄｈｅｓｉｖｅ（デュポ
ン社）、すなわち米国特許第３，７２８，１５０号、第
３．８２２，１７５号及び第３，９００，６６２号に記
述された架橋可能ポリマー性アクリル接着剤の表面の銀
拡散転写像形成を例証する。

Ａ、　　ＷＡ　Ａｄｈｅｓｉｖｅの適用ｌミルのＫａｐ
ｔｏｎ■ポリイミド膜（デュポン社）の試料をＷＡ　　
Ａｄｈｅｓｉｖｅ溶液で１ミルにコーティングし、オー
ブン中で１２０　’Ｏで１０分間乾燥した。

＃３５の針金を巻いた棒を使用するドローダウンコーテ
ィング法を接着溶液を膜の表面に広げる場合に使用した
。乾燥後、接着剤をオープン中で１５０℃で２０分間か
けて硬化した。

Ａ−Ｂ　　親水化と拡散転写核の適用 １、　　Ｋａｐｔｏｎ■／ＷＡ基体を実施例１１セクシ
ヨンＢ１工程１〜７に記述のように処理した。

２、接着剤に溶媒を結合させるため試料を１２５℃で１
０分間焼き付けた。

Ｃ１メタライゼーション 銀像をＸａｐｔｏｎ［Ｆ］ＷＡ表面に形成し、実施例２
、工程Ｃ−Ｈに記述のように銅で無電解めっきした。試
料はＡＮＳＩ／　ＩＰＣ−ＦＣ−２４１Ｂのｍｅｔｈｏ
ｄ　２．４．９゜で測定した場合、７．０ｆｆｂ／イン
チ幅の平均１／８インチの剥離強度を持っていた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）　（ａ）　基体の表面部分に親水性を付与するため
   に絶縁性基体に親水処理を施し、 （ｂ）　絶縁性基体の親水性部分にバインダーなしで拡
   散転写核を施し、 （ｃ）　拡散転写核に重ねられた絶縁性基体上に層とし
   てか、または第２の基体上に層として、ハロゲン化銀を
   含有する感光性物質を施し、 （ｄ）　感光性物質層の一部分を活性線に露光し、 （ｅ）　工程（ｄ）において露光した層に現像液を施し
   、 （ｆ）　銀拡散転写によって基体上に、コーティングと
   して銀のパターンを形成させ、この際層の表面部分は拡
   散転写核と接触するものとし、そして （ｇ）　絶縁性基体の表面上に工程（ｆ）で形成された
   銀パターンを残しながらはじめにハロゲン化銀物質が含
   まれていた層を除去する、以上の各工程から成る、絶縁
   性基体上に密着性導電性金属、パターンを形成させる方
   法。 ２）　工程（ａ）および工程（ｂ）が同時に行なわれる
   請求項１）の方法。 ３）　銀コーティングが５０オーム／平方よりも大きく
   ない抵抗を有するものである請求項１）の方法。 ４）　少なくとも１回のハンダ付け操作ができるように
   基体が熱的に安定なものである請求項１）の方法。 ５）　複数回のハンダ付け操作ができるように基体が熱
   的に安定なものである請求項４）の方法。 ６）　基体がポリイミド、ポリエステルおよびガラス布
   で強化されたエポキシ樹脂からなる群から選ばれるもの
   である請求項４）の方法。 ７）　基体が架橋可能な重合アクリル系接着剤でコート
   されたポリイミドフィルムである請求項６）の方法。 ８）　基体が三次元表面を有するものである請求項１）
   の方法。 ９）　基体が少なくとも１つの孔を有するものである請
   求項１）の方法。 １０）　絶縁性基体が２つまたはそれ以上の層の複合体
   である請求項１）の方法。 １１）　ハロゲン化銀を含有する感光性物質が絶縁性基
   体上に拡散転写核に重ねられた層として施されるもので
   あり、さらに工程（ｂ）に引き続き拡散転写核とハロゲ
   ン化銀を含有する感光性物質との間に剥離層が絶縁基体
   に施されるものである請求項１）の方法。 １２）　剥離層がゼラチン、フタル酸化されたゼラチン
   、セルロース誘導体およびポリビニルアルコールからな
   る群から選ばれた物質で構成される請求項１１）の方法
   。 １３）　工程（ａ）において親水性が付与される基体の
   表面部分が０．２マイクロメートルよりも厚くないもの
   である請求項１）の方法。 １４）　工程（ｂ）において施された拡散転写核が絶縁
   性基体の親水性部分に少なくとも０．０２マイクロメー
   トル透入するものである請求項１）の方法。 １５）　工程（ｂ）において施された拡散転写核が絶縁
   性基体の親水性部分を通して完全に透入するものである
   請求項１４）の方法。 １６）　電気的導体のさらに少なくとももう１つのコー
   ティングが銀コーティングに加えられるものである請求
   項１）の方法。 １７）　銀コーティングが厚さ０．２マイクロメートル
   よりも厚くないものである請求項１６）の方法。 １８）　さらに施される電気導体コーティングのすべて
   の施用のあとで、この電気導体コーティングおよび絶縁
   性基体に酸性媒体が施されるものである請求項１６）の
   方法。 １９）　さらに施される電気導体が銅、ニッケル、金、
   銀、パラジウム、鉛、亜鉛、クロム、すず、鉄およびコ
   バルトからなる群から選ばれる金属である請求項１６）
   の方法。 ２０）　銀コーティングがニッケルの最初のコーティン
   グおよび銅の第２番目のコーティングと共にコートされ
   ているものである請求項１９）の方法。 ２１）　少なくとも１つの電気導体と共にコートされた
   銀コーティングの絶縁性基体への接着は、ＡＮＳＩ−Ｉ
   ＰＣ−ＦＣ−２４１Ｂ方法２．４．９のテストで測定し
   て少なくとも３．０ポンド／インチ巾である請求項１６
   ）の方法。 ２２）　絶縁性基体および少なくとも１つの電気導体で
   コートされた銀コーティングがＡＮＳＩ／ＩＰＣ−ＦＣ
   −２４１Ｂテスト方法２．６．３．２のテストで測定し
   て少なくとも１０＾８オームの湿分および絶縁抵抗値を
   有する請求項１６）の方法。 ２３）　工程（ｇ）からの銀パターンを絶縁コーティン
   グでカバーすることからさらに成る請求項１）の方法。 ２４）　絶縁性基体および絶縁コーティングでコートさ
   れた銀コーティングはＡＮＳＩ／ＩＰＣ−ＦＣ−２４１
   Ｂテスト方法２．６．３．２のテストで測定して少なく
   とも１０＾８オームの湿分および絶縁抵抗値を有する請
   求項２３）の方法。 ２５）　（ａ）　基体の表面部分に親水性を付与するた
   めに絶縁性基体に親水処理を施し、 （ｂ）　絶縁性基体の親水性部分にバインダーなしで拡
   散転写核を施し、 （ｃ）　拡散転写核に重ねられた絶縁性基体上に層とし
   てか、または第２の基体上の層として、ハロゲン化銀を
   含有する感光性物質を施し、 （ｄ）　感光性物質層の一部分を活性線に露光し、 （ｅ）　工程（ｄ）において露光した層に現像液を施し
   、 （ｆ）　銀拡散転写によって基体上にコーティングとし
   て銀パターンを形成させ、この際層の表面部分は拡散転
   写核と接触するものと し、 （ｇ）　絶縁性基体の表面上に工程（ｆ）で形成された
   銀パターンを残しながらはじめにハロゲン化銀物質が含
   まれていた層を除去し、そして （ｈ）　この現像された銀パターンをｐＨ約０から５を
   有する酸性溶液で処理し、この際工程（ｈ）を工程（ｇ
   ）と同時にかまたは工程（ｇ）の直後に行なう、以上の
   各工程から成る、絶縁性基体上に密着性導電性金属パタ
   ーンを形成させる方法。 ２６）　工程（ａ）および工程（ｂ）が同時に行なわれ
   る請求項２５）の方法。 ２７）　少なくとも１回のハンダ付け操作ができるよう
   に基体が熱的に安定なものである請求項２５）の方法。 ２８）　複数回のハンダ付け操作ができるように基体が
   熱的に安定なものである請求項２７）の方法。 ２９）　基体がポリイミド、ポリエステルおよびガラス
   布で強化されたエポキシ樹脂からなる群から選ばれるも
   のである請求項２７）の方法。 ３０）　基体が架橋可能な重合アクリル系接着剤でコー
   トされたポリイミドフィルムである請求項２９）の方法
   。 ３１）　基体が三次元表面を有するものである請求項２
   ５）の方法。 ３２）　基体が少なくとも１つの孔を有するものである
   請求項２５）の方法。 ３３）　絶縁性基体が２つまたはそれ以上の層の複合体
   である請求項２５）の方法。 ３４）　ハロゲン化銀を含有する感光性物質が絶縁性基
   体上に拡散転写核に重ねられた層として施されるもので
   あり、さらに工程（ｂ）に引き続き拡散転写核とハロゲ
   ン化銀を含有する感光性物質との間に剥離層が絶縁性基
   体に施されるものである請求項２５）の方法。 ３５）　剥離層がゼラチン、フタル酸化されたゼラチン
   、セルロース誘導体およびポリビニルアルコールからな
   る群から選ばれた物質で構成される請求項３４）の方法
   。 ３６）　工程（ａ）において親水性が付与される基体の
   表面部分が０．２マイクロメートルよりも厚くないもの
   である請求項２５）の方法。 ３７）　工程（ｂ）において施された拡散転写核が絶縁
   性基体の親水性部分に少なくとも０．０２マイクロメー
   トル透入するものである請求項２５）の方法。 ３８）　工程（ｂ）において施された拡散転写核が絶縁
   性基体の親水性部分を通して完全に透入するものである
   請求項３７）の方法。 ３９）　電気的導体のさらに少なくとももう１つのコー
   ティングが銀コーティングに加えられるものである請求
   項２５）の方法。 ４０）　銀コーティングが厚さ０．２マイクロメートル
   よりも厚くないものである請求項３９）の方法。 ４１）　さらに施される電気導体コーティングのすべて
   の施用のあとで、この電気導体コーティングおよび絶縁
   性基体に酸性媒体が施されるものである請求項３９）の
   方法。 ４２）　さらに施される電気導体が銅、ニッケル、金、
   銀、パラジウム、鉛、亜鉛、クロム、すず、鉄またはコ
   バルトからなる群から選ばれる金属である請求項３９）
   の方法。 ４３）　少なくとも１つの電気導体と共にコートされた
   銀コーティングの絶縁性基体への接着は、ＡＮＳＩ−Ｉ
   ＰＣ−ＦＣ−２４１Ｂ方法２．４．９のテストで測定し
   て少なくとも３．０ポンド／インチ巾である請求項３９
   ）の方法。 ４４）　絶縁性基体および少なくとも１つの電気導体で
   コートされた銀コーティングがＡＮＳＩ／ＩＰＣ−ＦＣ
   −２４１Ｂテスト方法２．６．３．２のテストで測定し
   て少なくとも１０＾８オームの湿分および絶縁抵抗値を
   有するものである請求項３９）の方法。 ４５）　（ａ）　銀パターンを本質的にＰｄ（II）、Ｐ
   ｔ（IV）、Ｒｈ（III）およびこれらの混合物からなる
   群から選ばれた金属イオンを含有する水溶液であって、
   ４．０よりも大きくないｐＨと、また０．０３Ｍよりも
   小さいハライドイオン濃度とを有する溶液で処理し、そ
   して （ｂ）　工程（ａ）で処理した銀パターンを少なくとも
   １つの金属で無電解的にメッキする、以上の工程からな
   る表面部分が親水性である基体上の銀パターンの上に無
   電解的にメッキをする方法。 ４６）　ハライドイオンがクロライドである請求項４５
   ）の方法。 ４７）　工程（ｂ）における金属が銅、ニッケル、パラ
   ジウム、金およびコバルトからなる群から選ばれるもの
   である請求項４５）の方法。 ４８）　工程（ａ）における金属イオンがＰｄ（II）で
   ある請求項４５）の方法。 ４９）　ｐＨが１．５よりも大きくない請求項４５）の
   方法。 ５０）　（ａ）　基体の表面部分に親水性を付与するた
   めに絶縁性基体に親水処理を施し、 （ｂ）　絶縁性基体の親水性部分にバインダーなしで拡
   散転写核を施し、 （ｃ）　拡散転写核に重ねられた絶縁性基体上に層とし
   てか、または第２の基体上に層として、ハロゲン化銀を
   含有する感光性物質を施し、 （ｄ）　感光性物質層の一部分を活性線に露光し、 （ｅ）　工程（ｄ）において露光した層に現像液を施し
   、 （ｆ）　銀拡散転写によって基体上にコーティングとし
   て銀パターンを形成させ、この際層の表面部分は拡散転
   写核と接触するものと し、 （ｇ）　絶縁性基体の表面上に工程（ｆ）で形成された
   銀パターンを残しながらはじめにハロゲン化銀物質が含
   まれていた層を除去し、 （ｈ）　この現像された銀パターンをｐＨ約０から５を
   有する酸性溶液で処理し、この際工程（ｈ）を工程（ｇ
   ）と同時にかまたは工程（ｇ）の直後に行ない、 （ｉ）　工程（ｈ）からの銀パターンを本質的にＰｄ（
   II）、Ｐｔ（IV）、Ｒｈ（III）およびこれらの混合物
   からなる群から選ばれた金属イオンを含有する水溶液で
   あって、４．０よりも大きくないｐＨとまた０．０３Ｍ
   よりも小さいハライドイオン濃度とを有する溶液で処理
   し、そして （ｊ）　工程（ｉ）で処理した銀パターンを少なくとも
   １つの導体金属で無電解的にメッキする、以上の各工程
   からなる、絶縁性基体上に密着性導電性金属パターンを
   形成させる方 法。 ５１）　工程（ａ）および工程（ｂ）が同時に行なわれ
   る請求項５０）の方法。 ５２）　さらに施される電気導体コーティングのすべて
   の施用のあとで、この電気導体コーティングおよび絶縁
   性基体に酸性媒体が施されるものである請求項５０）の
   方法。 ５３）　工程（１）におけるハライドがクロライドであ
   る請求項５０）の方法。 ５４）　工程（ｊ）における導体金属が、銅、金、ニッ
   ケル、パラジウムおよびコバルトからなる群から選ばれ
   るものである請求項５０）の方法。 ５５）　工程（ｇ）における金属イオンがＰｄ（II）で
   ある請求項５０）の方法。 ５６）　ｐＨが１．５よりも大きくないものである請求
   項５０）の方法。 ５７）　少なくとも１つの電気導体と共にコートされた
   銀コーティングの絶縁性基体への接着は、ＡＮＳＩ−Ｉ
   ＰＣ−ＦＣ−２４１Ｂ方法２．４．９のテストで測定し
   て少なくとも３．０ポンド／インチ巾である請求項５０
   ）の方法。 ５８）　絶縁性基体および少なくとも１つの金属と共に
   無電解的にメッキされた銀のパターンが、ＡＮＳＩ／Ｉ
   ＰＣ−ＦＣ−２４１Ｂテスト方法２．６．３．２のテス
   トで測定して少なくとも１０＾８オームの湿分および絶
   縁抵抗値を有する請求項５０）の方法。 ５９）　少なくとも１回のハンダ付け操作ができるよう
   に基体が熱的に安定なものである請求項５０）の方法。 ６０）　複数回のハンダ付け操作ができるように基体が
   熱的に安定なものである請求項５０）の方法。 ６１）　基体がポリイミド、ポリエステルおよびガラス
   布で強化されたエポキシ樹脂からなる群から選ばれるも
   のである請求項５９）の方法。 ６２）　基体が架橋可能な重合アクリル系接着剤でコー
   トされたポリイミドフィルムである請求項５９）の方法
   。 ６３）　基体が三次元表面を有するものである請求項５
   ０）の方法。 ６４）　基体が少なくとも１つの孔を有するものである
   請求項５０）の方法。 ６５）　絶縁基体が２つまたはそれ以上の層の複合体で
   ある請求項５０）の方法。 ６６）　ハロゲン化銀を含有する感光性物質が絶縁性基
   体上に拡散転写核に重ねられた層として施されるもので
   あり、さらに工程（ｂ）に引き続き拡散転写核とハロゲ
   ン化銀を含有する感光性物質との間に剥離層が絶縁基体
   に施されるものである請求項５０）の方法。 ６７）　剥離層がゼラチン、フタル酸化されたゼラチン
   、セルロース誘導体およびポリビニルアルコールからな
   る群から選ばれた物質で構成されるものである請求項６
   ６）の方法。 ６８）　工程（ａ）において親水性が付与された基体の
   表面部分が０．２マイクロメートルよりも厚くないもの
   である請求項５０）の方法。 ６９）　工程（ｂ）において施された拡散転写核が絶縁
   性基体の親水性部分に少なくとも０．０２マイクロメー
   トル透入するものである請求項５０）の方法。 ７０）　工程（ｂ）において施された拡散転写核が絶縁
   基体の親水性部分を通して完全に透入するものである請
   求項６９）の方法。 ７１）　絶縁性基体上の密着性導電性金属パターンをそ
   なえた電子装置の製造に有用な物品であって、この密着
   性導電性金属パターンは、 （ａ）　基体の表面部分に親水性を付与するために絶縁
   性基体に親水処理を施し、 （ｂ）　絶縁性基体の親水性部分にバインダーなしで拡
   散転写核を施し、 （ｃ）　拡散転写核に重ねられた絶縁性基体上に層とし
   てか、または第２の基体上に層としてハロゲン化銀を含
   有する感光性物質を施 し、 （ｄ）　感光性物質層の一部分を活性線に露光し、 （ｅ）　工程（ｄ）において露光した層に現像液を施し
   、 （ｆ）　銀拡散転写によって基体上にコーティングとし
   て銀パターンを形成させ、この際層の表面部分は拡散転
   写核と接触するものとし、そして （ｇ）　絶縁基体の表面上に工程（ｆ）で形成された銀
   パターンを残しながらはじめにハロゲン化銀物質が含ま
   れていた層を除去することの各工程によって形成された
   ものである上記の物品。 ７２）　工程（ａ）および工程（ｂ）が同時に行なわれ
   るものである請求項７１）の物品。 ７３）　少なくとも１回のハンダ付け操作ができるよう
   に基体が熱的に安定なものである請求項７１）の物品。 ７４）　複数回のハンダ付け操作ができるように基体が
   熱的に安定なものである請求項７３）の物品。 ７５）　基体がポリイミド、ポリエステルおよびガラス
   布で強化されたエポキシ樹脂からなる群から選ばれるも
   のである請求項７３）の物品。 ７６）　基体が架橋可能な重合アクリル系接着剤でコー
   トされたポリイミドフィルムである請求項７５）の物品
   。 ７７）　基体が三次元表面を有するものである請求項７
   １）の物品。 ７８）　基体が少なくとも１つの孔を有するものである
   請求項７１）の物品。 ７９）　絶縁性基体が２つまたはそれ以上の層の複合体
   である請求項７１）の物品。 ８０）　銀コーティングが５０オーム／平方よりも大き
   くない抵抗を有するものである請求項７１）の物品。 ８１）　電気的導体のさらにもう一つのコーティングが
   銀コーティングに加えられるものである請求項７１）の
   物品。 ８２）　少なくとも１つの電気導体と共にコートされた
   銀コーティングの絶縁性基体への接着は、ＡＮＳＩ−Ｉ
   ＰＣ−ＦＣ−２４１Ｂ方法２．４．９のテストで測定し
   て少なくとも３．０ポンド／インチ巾である請求項８１
   ）の物品。 ８３）　絶縁性基体および少なくとも１つの電気導体で
   コートされた銀コーティングがＡＮＳＩ／ＩＰＣ−ＦＣ
   −２４１Ｂテスト方法２．６．３．２のテストで測定し
   て少なくとも１０＾８オームの湿度および絶縁抵抗値を
   有するものである請求項８１）の物品。 ８４）　工程（ｇ）からの銀パターンを絶縁コーティン
   グでさらにカバーすることからなる請求項７１）の物品
   。 ８５）　絶縁性基体および絶縁コーティングでコートさ
   れた銀コーティングは、ＡＮＳＩ／ＩＰＣ−ＦＣ−２４
   １Ｂテスト方法２．６．３．２のテストで測定して少な
   くとも１０＾８オームの湿度および絶縁抵抗値を有する
   ものである請求項８４）の物品。 ８６）　絶縁性基体上の密着性導電性金属パターンをそ
   なえた電子装置の製造に有用な物品であって、この密着
   性導電性金属パターンは、 （ａ）　基体の表面部分に親水性を付与するために絶縁
   性基体に親水処理を施し、 （ｂ）　絶縁性基体の親水性部分にバインダーなしで拡
   散転写核を施し、 （ｃ）　拡散転写核に重ねられた絶縁性基体上に層とし
   てか、または第２の基体上に層としてハロゲン化銀を含
   有する感光性物質を施 し、 （ｄ）　感光性物質層の一部分を活性線に露光し、 （ｅ）　工程（ｄ）において露光した層に現像液を施し
   、 （ｆ）　銀拡散転写によって基体上にコーティングとし
   て銀パターンを形成させ、この際 層の表面部分は拡散転写核と接触するものとし、 （ｇ）　絶縁基体の表面上に工程（ｆ）で形成された銀
   パターンを残しながらはじめにハロゲン化銀物質が含ま
   れていた層を除去しそし て、 （ｈ）　この現像された銀のパターンをｐＨ約０から５
   を有する酸性溶液で処理し、この際工程（ｈ）を工程（
   ｇ）と同時にかまたは工程（ｇ）の直後に行なう、以上
   の各工程によって形成されたものである、上記の物品。 ８７）　工程（ａ）および工程（ｂ）が同時に行なわれ
   るものである請求項８６）の物品。 ８８）　少なくとも１回のハンダ付け操作ができるよう
   に基体が熱的に安定なものである請求項８６）の物品。 ８９）　複数回のハンダ付け操作ができるように基体が
   熱的に安定なものである請求項８８）の物品。 ９０）　基体がポリイミド、ポリエステルおよびガラス
   布で強化されたエポキシ樹脂からなる群から選ばれるも
   のである請求項８８）の物品。 ９１）　基体が架橋可能な重合アクリル系接着剤でコー
   トされたポリイミドフィルムである請求項９０）の物品
   。 ９２）　基体が三次元表面を有するものである請求項８
   ６）の物品。 ９３）　基体が少なくとも１つの孔を有するものである
   請求項８６）の物品。 ９４）　絶縁性基体が２つまたはそれ以上の層の複合体
   である請求項８６）の物品。 ９５）　電気的導体のさらにもう１つのコーティングが
   銀コーティングに加えられるものである請求項８６）の
   物品。 ９６）　少なくとも１つの電気導体と共にコートされた
   銀コーティングの絶縁性基体への接着は、ＡＮＳＩ−Ｉ
   ＰＣ−ＦＣ−２４１Ｂ方法２．４．９のテストで測定し
   て少なくとも３．０ポンド／インチ巾である請求項９５
   ）の物品。 ９７）　絶縁性基体および少なくとも１つの電気導体で
   コートされた銀コーティングがＡＮＳＩ／ＩＰＣ−ＦＣ
   −２４１Ｂテスト方法２．６．３．２のテストで測定し
   て少なくとも１０＾８オームの湿度および絶縁抵抗値を
   有するものである請求項９５）の物品。 ９８）　絶縁性基体上の密着性導電性金属パターンをそ
   なえた電子装置の製造に有用な物品であって、この密着
   性導電性金属パターンは、 （ａ）　基体の表面部分に親水性を付与するために絶縁
   性基体に親水処理を施し、 （ｂ）　絶縁性基体の親水性部分にバインダーなしで拡
   散転写核を施し、 （ｃ）　拡散転写核に重ねられた絶縁性基体上に層とし
   てか、または第２の基体上に層としてハロゲン化銀を含
   有する感光性物質を施 し、 （ｄ）　感光性物質層の一部分を活性線に露光し、 （ｅ）　工程（ｄ）において露光した層に現像液を施し
   、 （ｆ）　銀拡散転写によって基体上にコーティングとし
   て銀のパターンを形成させ、この際層の表面部分は拡散
   転写核と接触するものとし、 （ｇ）　絶縁基体の表面上に工程（ｆ）で形成された銀
   のパターンを残しながらはじめにハロゲン化銀物質が含
   まれていた層を除去し、 （ｈ）　この現像された銀のパターンをｐＨ約０から５
   を有する酸性溶液で処理し、この際工程（ｈ）を工程（
   ｇ）と同時にかまたは工程（ｇ）の直後に行ない、 （ｉ）　工程（ｈ）からの銀パターンを本質的にＰｄ（
   II）、Ｐｔ（IV）、Ｒｈ（III）およびこれらの混合物
   からなる群から選ばれた金属イオンを含有する水溶液で
   あって、４．０よりも大きくないｐＨとまた０．０３Ｍ
   よりも小さいハライドイオン濃度とを有する溶液で処理
   し、そして （ｊ）　工程（ｉ）で処理した銀のパターンを少なくと
   も１つの導体金属で無電解的にメッキする、以上の各工
   程によって形成されたものである、上記の物品。 ９９）　工程（ａ）および工程（ｂ）が同時に行なわれ
   るものである請求項９８）の物品。 １００）　工程（ｉ）におけるハライドがクロライドで
   ある請求項９８）の物品。 １０１）　工程（ｊ）における導体金属が、銅、金、ニ
   ッケル、パラジウムおよびコバルトからなる群から選ば
   れるものである請求項９８）の物品。 １０２）　工程（ｇ）における金属イオンがＰｄ（II）
   である請求項９８）の物品。 １０３）　ｐＨが１．５よりも大きくないものである請
   求項９８）の物品。 １０４）　少なくとも１回のハンダ付け操作ができるよ
   うに基体が熱的に安定なものである請求項９８）の物品
   。 １０５）　複数回のハンダ付け操作ができるように基体
   が熱的に安定なものである請求項１０４）の物品。 １０６）　基体がポリイミド、ポリエステルおよびガラ
   ス布で強化されたエポキシ樹脂からな る群から選ばれるものである請求項１０４）の物品。 １０７）　基体が架橋可能な重合アクリル系接着剤でコ
   ートされたポリイミドフィルムである請求項１０６）の
   物品。 １０８）　基体が三次元表面を有するものである請求項
   ９８）の物品。 １０９）　基体が少なくとも１つの孔を有するものであ
   る請求項９８）の物品。 １１０）　絶縁性基体が２つまたはそれ以上の層の複合
   体である請求項９８）の物品。 １１１）　少なくとも１つの導体金属で無電解的にメッ
   キされた銀パターンの絶縁性基体への接着は、ＡＮＳＩ
   −ＩＰＣ−ＦＣ−２４１Ｂ方法２．４．９のテストで測
   定して少なくとも３．０ポンド／インチ巾である請求項
   ９８）の物品。 １１２）　絶縁性基体および少なくとも１つの導体金属
   で無電解的にメッキされた銀パターンは、ＡＮＳＩ／Ｉ
   ＰＣ−ＦＣ−２４１Ｂテスト方法２．６．３．２のテス
   トで測定して少なくとも１０＾８オームの湿度および絶
   縁抵抗値を有するものである請求項 ９８）の物品。