JPH03222384A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

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JPH03222384A
JPH03222384A JP1695590A JP1695590A JPH03222384A JP H03222384 A JPH03222384 A JP H03222384A JP 1695590 A JP1695590 A JP 1695590A JP 1695590 A JP1695590 A JP 1695590A JP H03222384 A JPH03222384 A JP H03222384A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting type
chip
monitoring
light emitting
assembled
Prior art date
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Pending
Application number
JP1695590A
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English (en)
Inventor
Seiichi Nagai
永井 精一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はモニタ用フォトダイオード(以下PDと略す)
を内蔵した面発光形半導体レーザダイオード(以下LD
と略す)装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来の7アブリペロー形LIJを用いた例を第3図に示
す。LDチップ(1)は熱応力緩和材としてのサブマウ
ント(2)を介して放熱ブロック(8)に組立てられ、
放熱ブロック(8)はモニタ用PDチップ(4)が組込
lれたステム(5)に組立てられている。LDチップ(
1)及びPDチップ(4)は金線(6)がボンディング
され、リード線(7)へ電気的に導通されている。ステ
ム(5)にキャップ(8)が取付けられ、LDが構成さ
れている。
次に動作について説明する。
LDチップ(1)はリード線(γンに電圧を印加される
と、LDチップ(1)に電流が流れ、レーザ発振が始1
す、LDチップ(1)より2方向にレーザ光が図示矢印
で示す如く、放射される。一方のレーザ光は光システム
の光源として用いられ、他方のレーザ光はモニタPD(
4)に入射してLrJ光出力の制御に用いられる。モニ
タPD(4)はレーザ光に対して図示の如く傾斜してか
り、レーザ光の入射光がPD(4)で反射して再びLD
チップ(1)へ入射する事のないように組立てられてい
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成てれていた
ので、LLIチップ、PDチップのダイボンド面、ワイ
ヤボンド面が平行面上ではないため組立工程が複雑にな
る欠点があシ、又、面発光形LDにかいてはモニタPD
と良好な光結合する方法がないという問題点があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、面発光形LDKt?いて、良好なモニタPDと
の光結合を行なえる半導体レーザ装置を得る事を目的と
する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る半導体装置は、面発光形LDを用いてサブ
マウントにモニタPDを形成し、このモニタPD上に(
2)発光形LDを組立てたものである。
〔作用〕 本発明における半導体レーザ装置は、面発光形LDにか
いて、モニタFDとの良好な光結合が得られるとともに
、LD及びPDのボンディング面が平行平面上にあるた
めダイボンド、ワイヤボンド工程が簡略化できる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第1図、第2図にかいて、(4)はサブマウント(2)
に形1li32すれたモニタ用P D 、 (9)は面
発光形LDチップを示す。
サブマウント(2)にモニタPD(4)が形成てれ、モ
ニタPD(4)上に面発光形LDチップ(9)が組立て
られ、サブマウント(2)がステム(6)に組込鵞れ、
 LIJチップ(9) 、 P D(4)が金線(6)
でリード線(7)にワイヤボンドされ、電気的に導通で
れる。ステム(6)にキャップ(8)が溶接され構成さ
れる。
面発光形LDの裏面反射率を100%よυ小とくして裏
面よう光が透過できるようにしである。
本実施例では面発光形LDチップ(9)の裏面より光が
透過できるようにして置き、サブマウント(2)中にモ
ニタPD(4)が形aされ、モニタPD(4)上に面発
光形LDチップ(9)が組立てられて卦り、面発光形L
Dの裏面よりの出射光がモニタPDに入射し、良好な光
結合が行なえる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、面発光形LDにかいても
モニタPDとの良好な光結合が得られ。
LDとPDのボンディング面が平行平面上にあるため、
ダイボンド、ワイヤボンド工程を簡略化できるという効
果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である面発光形LDチップと
モニタPDの取付状態を示す拡大正面断面図、第2図は
本発明の一実施例である半導体レーザ装置の正面断面図
、第3図は従来の半導体レーザ装置の正面断面図である
。 図において、(2)はサブマウント、(4)はモニタP
Ds (o)は面発光形LIJを示す。 なに1図中、同一符号は同一 筐たは相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザダイオードチップが熱応力緩和材としてのサブマ
    ウントを介して放熱体に組立てられ、モニタ用フォトダ
    イオードが内蔵されている半導体レーザ装置において、
    前記レーザダイオードが面発光形レーザダイオードで構
    成され、前記サブマウント中にモニタ用フォトダイオー
    ドが形成され、このフォトダイオード上に面発光形レー
    ザダイオードチップが組立てられている事を特徴とする
    半導体レーザ装置。
JP1695590A 1990-01-26 1990-01-26 半導体レーザ装置 Pending JPH03222384A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006237570A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Samsung Electro Mech Co Ltd モニター用のフォトダイオードと一体型の発光ダイオードパッケージ
JP2007266313A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006237570A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Samsung Electro Mech Co Ltd モニター用のフォトダイオードと一体型の発光ダイオードパッケージ
US7649208B2 (en) 2005-02-25 2010-01-19 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package including monitoring photodiode
JP2007266313A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

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