JPH03223760A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH03223760A JPH03223760A JP2019459A JP1945990A JPH03223760A JP H03223760 A JPH03223760 A JP H03223760A JP 2019459 A JP2019459 A JP 2019459A JP 1945990 A JP1945990 A JP 1945990A JP H03223760 A JPH03223760 A JP H03223760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- layer
- resist pattern
- contrast
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はレジストパターン形成方法に関し、特に多層
レジストプロセスのレジストパターン形成方法に関する
ものである。
レジストプロセスのレジストパターン形成方法に関する
ものである。
半導体装置の高集積化にともない、回路パターンの微細
化が要求されるようになり、この要求を満たすため回路
パターンの製造工程において、下地層を加工するための
マスクとなるレジストパターンにも微細化が要求される
ようになった。そのため、従来より多層に塗布したレジ
スト膜を用いてレジストの加工形状を良くする多層レジ
ストプロセスが用いられている。この多層レジストプロ
セスの一種にポータプル会コンフォーマプル・マスク法
（以下ＰＣＭ法と称す）と呼ばれる方法がある。第２Ａ
図ないし第２Ｅ図はＰＣＭ法を用いた従来のレジストパ
ターン形成方法を示す断面工程図である。
化が要求されるようになり、この要求を満たすため回路
パターンの製造工程において、下地層を加工するための
マスクとなるレジストパターンにも微細化が要求される
ようになった。そのため、従来より多層に塗布したレジ
スト膜を用いてレジストの加工形状を良くする多層レジ
ストプロセスが用いられている。この多層レジストプロ
セスの一種にポータプル会コンフォーマプル・マスク法
（以下ＰＣＭ法と称す）と呼ばれる方法がある。第２Ａ
図ないし第２Ｅ図はＰＣＭ法を用いた従来のレジストパ
ターン形成方法を示す断面工程図である。
基板１上に平坦化兼パターニング用の下層レジスト２を
形成する。次に下層レジスト２上に下層レジスト２の露
光時にマスクの役目をする上層しシスト３を形成し、第
２Ａ図のような構造を得る。
形成する。次に下層レジスト２上に下層レジスト２の露
光時にマスクの役目をする上層しシスト３を形成し、第
２Ａ図のような構造を得る。
次に露光マスク４を介し、上層レジスト３に上層露光光
５を照射し、その後現像することにより第２Ｂ図に示す
ように上層レジストパターン３ａが形成される。上層レ
ジストパターン３ａは第２Ｂ図に示すように台形になる
ことが多い。これは上層レジスト３の底面付近の露光量
が表面付近に比べ少なくなることに基づく。
５を照射し、その後現像することにより第２Ｂ図に示す
ように上層レジストパターン３ａが形成される。上層レ
ジストパターン３ａは第２Ｂ図に示すように台形になる
ことが多い。これは上層レジスト３の底面付近の露光量
が表面付近に比べ少なくなることに基づく。
次に、第２Ｃ図に示すように、上層レジストパターン３
ａを介して下層レジスト２に下層露光光６を照射する。
ａを介して下層レジスト２に下層露光光６を照射する。
上層レジストパターン３ａは下層露光光６を吸収する性
質をもっており、このため上層レジストパターン３ａは
下層レジスト２露光時にマスクとなる。このとき、上層
レジストパターン３ａは前述のように台形であるため側
面において下層露光光６の吸収が不完全となる。その結
果、上層レジストパターン３ａをマスクとして下層レジ
スト２を露光した場合の光学像のコントラストが第２Ｄ
図のように弱くなる。
質をもっており、このため上層レジストパターン３ａは
下層レジスト２露光時にマスクとなる。このとき、上層
レジストパターン３ａは前述のように台形であるため側
面において下層露光光６の吸収が不完全となる。その結
果、上層レジストパターン３ａをマスクとして下層レジ
スト２を露光した場合の光学像のコントラストが第２Ｄ
図のように弱くなる。
その後現像すると第２Ｅ図に示すような下層レジストパ
ターン２ａが得られる。
ターン２ａが得られる。
従来のレジストバタ・−ンの形成は上記のような順序で
行われ、下層レジスト２露光時のマスクとなる上層レジ
ストパターン３ａが台形となっているので、上層レジス
トパターン３ａを介して下層レジスト２に照射される下
層露光光６の吸収が上層レジストパターン３ａの側面で
不完全になり、下層レジスト２上の光学像のコントラス
トが低下し、下層レジスト２を現象しても所望の下層レ
ジストパターン２ａが得られないという問題点があった
。この問題は微細なレジストパターンを形成する場合さ
らに深刻となる。
行われ、下層レジスト２露光時のマスクとなる上層レジ
ストパターン３ａが台形となっているので、上層レジス
トパターン３ａを介して下層レジスト２に照射される下
層露光光６の吸収が上層レジストパターン３ａの側面で
不完全になり、下層レジスト２上の光学像のコントラス
トが低下し、下層レジスト２を現象しても所望の下層レ
ジストパターン２ａが得られないという問題点があった
。この問題は微細なレジストパターンを形成する場合さ
らに深刻となる。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、下層レジ−スト露光時の光学像のコントラス
トを向上させることにより、精度よく下層レジストパタ
ーンを形成することができるレジストパターン形成方法
を得ること目的とする。
たもので、下層レジ−スト露光時の光学像のコントラス
トを向上させることにより、精度よく下層レジストパタ
ーンを形成することができるレジストパターン形成方法
を得ること目的とする。
この発明に係るレジストパターン形成方法は、下地層を
準備する工程と、前記下地層の一生面上に第１のレジス
トを形成する工程と、前記第１のレジストの表面全面に
光退色性材料より成るコントラスト増強層を形成する工
程と、前記コントラスト増強層の表面に第２のレジスト
を形成する工程と、前記第２のレジストを所定のパター
ンにパターニングする工程と、前記パターニングされた
第２のレジストをマスクとして前記コントラスト増強層
及び第１のレジストを露光し、現像することにより前記
第１のレジストを所定のパターンにパターニングする工
程とを備えている。
準備する工程と、前記下地層の一生面上に第１のレジス
トを形成する工程と、前記第１のレジストの表面全面に
光退色性材料より成るコントラスト増強層を形成する工
程と、前記コントラスト増強層の表面に第２のレジスト
を形成する工程と、前記第２のレジストを所定のパター
ンにパターニングする工程と、前記パターニングされた
第２のレジストをマスクとして前記コントラスト増強層
及び第１のレジストを露光し、現像することにより前記
第１のレジストを所定のパターンにパターニングする工
程とを備えている。
この発明においては第１のレジストの表面に光退色性材
料より成るコントラスト増強層を形成し、パターニング
された第２のレジストをマスクとしてコントラスト増強
層を介して第１のレジストに露光を施すので、第２のレ
ジストでの露光光の吸収が不完全でも、第１のレジスト
への露光光のコントラストは向上する。
料より成るコントラスト増強層を形成し、パターニング
された第２のレジストをマスクとしてコントラスト増強
層を介して第１のレジストに露光を施すので、第２のレ
ジストでの露光光の吸収が不完全でも、第１のレジスト
への露光光のコントラストは向上する。
第１Ａ図ないし第１Ｆ図はこの発明に係るレジストパタ
ーン形成方法の一実施例を示す断面工程図および波形図
である。例えば、ＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレー
ト）より成る基板１上に下層レジスト２をスピン塗布す
る。その後、第１Ａ図に示すように、下層レジスト２上
に全面光退色性材料より成るコントラスト増強層１０を
スピン塗布する。
ーン形成方法の一実施例を示す断面工程図および波形図
である。例えば、ＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレー
ト）より成る基板１上に下層レジスト２をスピン塗布す
る。その後、第１Ａ図に示すように、下層レジスト２上
に全面光退色性材料より成るコントラスト増強層１０を
スピン塗布する。
次に第１Ｂ図に示すようにコントラスト増強層１０上全
面に上層レジスト３をスピン塗布する。
面に上層レジスト３をスピン塗布する。
その後、露光マスク４を介し上層露光光５を照射しその
後現像することにより第１Ｃ図に示すように上層レジス
トパターン３ａが形成される。このとき上層レジストパ
ターン３ａは従来と同様台形になる。
後現像することにより第１Ｃ図に示すように上層レジス
トパターン３ａが形成される。このとき上層レジストパ
ターン３ａは従来と同様台形になる。
次に、上層レジストパターン３ａを介してコントラスト
増強層１０に下層露光光６を照射する。
増強層１０に下層露光光６を照射する。
このとき従来と同様上層レジストパターン３ａは下層露
光光６を吸収する性質をもっており、このため、上層レ
ジストパターン３ａはコントラスト増強層１０及び下層
レジスト２露光時にマスクとして機能する。コントラス
ト増強層１０は前述のように光退色性材料より成ってお
り、この光退色性材料は周知のように強く露光されれば
早くブリーチングして光の透過率が高まり、弱い露光で
は遅くブリーチングする。従って、台形である上層レジ
ストパターン３ａの側面において下層露光光６の吸収が
不完全であっても、コントラスト増強層１０は明確にブ
リーチング部１０ａと非ブリーチング部１０ｂに分けら
れる。ブリーチング部１０ａは光の透過率が高く、非ブ
リーチング部１０ｂは光の透過率が低い。このため、下
層レジスト２に照射される下層露光光６のコントラスト
が第１Ｅ図に示すように従来（第２Ｄ図参照）よりも向
上する。そのため、現像後の下層レジストパターン２ａ
は第１Ｆ図に示すように従来（第２Ａ図）より矩形性が
よくなる。
光光６を吸収する性質をもっており、このため、上層レ
ジストパターン３ａはコントラスト増強層１０及び下層
レジスト２露光時にマスクとして機能する。コントラス
ト増強層１０は前述のように光退色性材料より成ってお
り、この光退色性材料は周知のように強く露光されれば
早くブリーチングして光の透過率が高まり、弱い露光で
は遅くブリーチングする。従って、台形である上層レジ
ストパターン３ａの側面において下層露光光６の吸収が
不完全であっても、コントラスト増強層１０は明確にブ
リーチング部１０ａと非ブリーチング部１０ｂに分けら
れる。ブリーチング部１０ａは光の透過率が高く、非ブ
リーチング部１０ｂは光の透過率が低い。このため、下
層レジスト２に照射される下層露光光６のコントラスト
が第１Ｅ図に示すように従来（第２Ｄ図参照）よりも向
上する。そのため、現像後の下層レジストパターン２ａ
は第１Ｆ図に示すように従来（第２Ａ図）より矩形性が
よくなる。
以上のようにこの発明によれば、第１のレジストの表面
全面に光退色性材料より成るコントラスト増強層を形成
し、パターニングされた第２のレジストをマスクとして
コントラスト増強層及び第１のレジストと露光するよう
にしたので、第２のレジストでの露光光の吸収が不完全
でも第１のレジストへの露光光のコントラストは向上す
る。その結果、第１のレジストを現象すると第１のレジ
ストを所望のパターンに精度よく形成できるという効果
がある。
全面に光退色性材料より成るコントラスト増強層を形成
し、パターニングされた第２のレジストをマスクとして
コントラスト増強層及び第１のレジストと露光するよう
にしたので、第２のレジストでの露光光の吸収が不完全
でも第１のレジストへの露光光のコントラストは向上す
る。その結果、第１のレジストを現象すると第１のレジ
ストを所望のパターンに精度よく形成できるという効果
がある。
第１Ａ図ないし第１Ｆ図はこの発明に係るレジストパタ
ーン形成方法の一実施例を説明するための図、第２Ａ図
ないし第２Ｅ図は従来のレジストパターン形成方法を説
明するための図である。 図において、１は基板、２は下層レジスト、２ａは下層
レジストパターン、３は上層レジスト、３ａは上層レジ
ストパターン、１０はコントラスト増強層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第１Ａ図 基板 ２：下層レジスト １ｏ：コントラスト増強層 第１Ｂ 図 ３：上層レジスト 第１Ｃ 図 第１Ｄ 図 第１Ｅ 図 第１Ｆ 図 ２ａ：下層レジストパターン 第２Ａ図 第２Ｂ図
ーン形成方法の一実施例を説明するための図、第２Ａ図
ないし第２Ｅ図は従来のレジストパターン形成方法を説
明するための図である。 図において、１は基板、２は下層レジスト、２ａは下層
レジストパターン、３は上層レジスト、３ａは上層レジ
ストパターン、１０はコントラスト増強層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第１Ａ図 基板 ２：下層レジスト １ｏ：コントラスト増強層 第１Ｂ 図 ３：上層レジスト 第１Ｃ 図 第１Ｄ 図 第１Ｅ 図 第１Ｆ 図 ２ａ：下層レジストパターン 第２Ａ図 第２Ｂ図
Claims (1)
- （１）下地層を準備する工程と、 前記下地層の一主面上に第１のレジストを形成する工程
と、 前記第１のレジストの表面全面に光退色性材料より成る
コントラスト増強層を形成する工程と、前記コントラス
ト増強層の表面に第２のレジストを形成する工程と、 前記第２のレジストを所定のパターンにパターニングす
る工程と、 前記パターニングされた第２のレジストをマスクとして
前記コントラスト増強層及び第１のレジストを露光し、
現像することにより前記第１のレジストを所定のパター
ンにパターニングする工程とを備えたレジストパターン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019459A JPH03223760A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019459A JPH03223760A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03223760A true JPH03223760A (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=11999901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019459A Pending JPH03223760A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03223760A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0689467A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-03-29 | Nec Corp | ピット形成方法 |
| JP2007173826A (ja) * | 2005-12-24 | 2007-07-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | デュアル・ダマシン構造を製作する方法 |
-
1990
- 1990-01-29 JP JP2019459A patent/JPH03223760A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0689467A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-03-29 | Nec Corp | ピット形成方法 |
| JP2007173826A (ja) * | 2005-12-24 | 2007-07-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | デュアル・ダマシン構造を製作する方法 |
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