JPH03224204A

JPH03224204A - 低損失酸化物磁性材料

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Publication number: JPH03224204A
Application number: JP2024364A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Shoji; 潔庄司; Tsutomu Otsuka; 努大塚; Atsushi Yonekura; 淳米倉; Tetsuyoshi Chiba; 千葉　哲義; Tatsuya Chiba; 龍矢千葉
Original assignee: Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 1989-02-04
Filing date: 1990-02-05
Publication date: 1991-10-03
Anticipated expiration: 2011-11-06
Also published as: JP2551491B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、電源トランス等に用いられる低損失酸化物磁
性材料に関する。

［従来の技術］従来のスイッチング電源用の変圧器においては。

スイッチング周波数として専ら１０〜２００　ｋＨｚ程
度のものが使用されており、これに対応すべき低損失酸
化物磁性材料として、主成分として３０〜４０モル％の
一酸化マンガン（ＭｎＯ）、５〜１５モル％の酸化亜鉛
（ＺｎＯ）及び残部として酸化第二鉄（Ｆｅ２０３　）
を含み、副成分として。

０．０４〜０．１５重量％の酸化カルシウム（Ｃａｂ）
と０．０１０〜０．１００重量％の二酸化ケイ素（Ｓ　
ｚ　０２　）とを含むＭ　ｎ　−Ｚ　ｎ系スピネル型フ
ェライトがすでに開発されている。

［発明が解決しようとする課題］近年、スイッチング電源を小型・軽量化するために、ス
イッチング周波数が１００　ｋ）Ｉｚｚ以上高周波で使
用するのが一般的となりつつある。

ところが従来の成分を有する低損失酸化物磁性材料をス
イッチング周波数か１００　ｋＨｚ以上のスイッチング
電源用の変圧器の磁心材料として使用すると鉄損による
電力損失が大きく、それによる発熱のため許容温度以上
に温度か上昇し、トランス自体やその周辺部品を損ない
使用に耐えないという欠点かあった。

そこで１本発明の技術的課題は周波数が１００ｋ　Ｈｚ
以上の高い周波数で使用しても鉄損を小さく。

従って発熱を許容温度以下に抑えて実用に供し得る低損
失酸化物磁性材料を提供することにある。

［課題を解決するための手段］本発明によれば、主成分として３０〜４２．０モル％の
一酸化マンガンｕｖｆｎｏ）　　４．０〜１９モル％の
酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び残部として酸化第二鉄（Ｆｅ２
０３）を含み、副成分として０．０２０〜０．１５重量
％の酸化カルシウム（Ｃａ　Ｏ）と、０．００５〜０．
１０重量％の二酸化ケイ素（ＳｉＯ□）とを含み、添加
物として１．００ｆｆｉ量％以下の酸化ハフニウム（Ｈ
ｆ　Ｏ□）を含むことを特徴とする低損失酸化物磁性材
料か得られる。

本発明によれば、前記低損失酸化物磁性材料において、
添加物として　さらに０，３０重量％以下の酸化ジルコ
ニウム（Ｚ　ｒ０２）、０．２０重量％以下の酸化バナ
ジウム（Ｖ２０５　）　及ヒ０．３０重量％以下の酸化
タンタル（Ｔａ２０５）の少なくとも一種を含むことを
特徴とする低損失酸化物磁性材料が得られる。

本発明によれば、前記した。いずれかの低損失酸化物磁
性材料において、添加物としてさらに０．５０重量％以
下のＡｌ２Ｏ，、及び０，３０重量Ｏｏ以下のＴｉＯ２
の少なくとも一種を含むことを特徴とする低損失酸化物
磁性材料が得られる。

ここで１本発明において、必須添加物として１．００重
量％以下の酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）としたのは、こ
の元素の上記適量は、粗大結晶粒成長の抑制を行うとと
もに、結晶粒界に析出して。

粒界の比抵抗を増加させる効果があるからである。

また１本発明において、任意添加物として０．３０重量
％以下酸化ジルコニウム（Ｚｒ０２）０．２０ｆｆｉｆ
ｆｉ％以下酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ３）及び０．３００
重量％以下の酸化タンタル（Ｔａ２０３　）の少なくと
も一種としたのは、これらの元素の上記適量は、酸化ハ
フニウム（ＨｆＯ□）と同様に粗大結晶粒成長の抑制を
行うとともに、結晶粒界に析出して２粒界の比抵抗を増
加させる効果かあり、これら酸化ハフニウム、酸化ジル
コニウム、酸化バナジウム、及び酸化タンタルの添加量
は、それぞれの成分の上記した適量の上限値を越えると
著しい粒成長が生じ、経済的でなく、また、電力損失特
性が劣化するからである。

また１本発明において、上記必須添加物及び任意添加物
の他に　添加物としてさらに０．５０重量９６以下の酸
化アルミニウム（Ａｌ□０３）、及び０．３０重量％以
下の二酸化チタン（Ｔ　ｉ　０２　）の少なくとも一種
を含むとしたのは、酸化アルミニウム（Ａ１２０．）、
及び二酸化チタン（Ｔ１０２）は、上記上限値内におい
て、結晶内に固溶し、結晶粒内の組織を均一にし、結晶
内部の抵抗を増加させるからである。

しかし、この上限値を越えると著しい電力損失を増加さ
せる。

［実施例］以下１本発明の実施例について９図面を参照して、説明
する。

（実施例１）主成分として、５３．０モル％の酸化第二鉄（Ｆｅ２０
３）、３７モル％の一酸化マンガン（ＭｎＯ）及び１０
．０モル％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含有し、副成分とし
て、０．０２５重量％の二酸化ケイ素（Ｓ　ｉ　０２　
）と０．０４３重量％の酸化カルシウム（Ｃａ　Ｏ）を
含有し、添加成分として酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）を
添加し、これらを混合し、予焼し、微粉砕し、造粒し２
成形プレスした後、酸素分圧０．１ａｔ％、温度１１５
０℃において焼結し、酸化物磁性材料を得た。

第１図は得られた酸化物磁性材料に対し酸化ハフニウム
（Ｈｆ０２）の添加量をパラメータとした時の温度Ｔ　
［’Ｃ］　と電力損失ＰＲ［ｋＷ／１１’　］の関係を
示した図である。第１図においては電力損失はＰＢ［ｋ
警／１１３］は周波数がＩＭＨｚ、最大磁束密度Ｂ１が
５００Ｇの場合を示している。また。

第１図において１曲線１は酸化ハフニウム（Ｈｆ０２）
を添加しない場合２曲線２は０．２０重量？６の酸化ハ
フニウム（Ｈｆ　Ｏ２）を添加した場合。

曲線３は０．４０重量％の酸化ハフニウム（Ｈｆ０２）
を添加した場合２曲線４は０，６０重量％の酸化ハフニ
ウム（ＨｆＯ２）を添加した場合。

曲線５は０．８０重量％の酸化ハフニウム（Ｈｆ０２）
を添加した場合１曲線６は１．００重量％の酸化ハフニ
ウム（Ｈｆ　Ｏ□）を添加した場合。

曲線７は１．２０重量％の酸化ハフニウム（ＨｆＯ□）
を添加した場合の特性をそれぞれ示している。第１図よ
り周波数Ｉ　ＭＨｚの場合においては電力損失ＰＢは酸
化ハフニウム（Ｈｆ０２）を添加するか否かに無関係に
温度が約６０℃の時最小値を有する。そして酸化ハフニ
ウム（ＨｆＯ２）の添加量を増加していくにつれて、電
力損失ＰＢは小さくなり添加量が０．６０重量％の時が
最も電力損失ＰＢは小さくなりそれよりも添加量を増加
していくにつれて、電力損失ＰＢが増加していき。

添加量が１，２０重量％を越えると　添加しない時より
も電力損失Ｐ３が大きくなる。

以上から周波数Ｉ　ＭＨｚにおいて酸化ハフニウム（Ｈ
ｆＯ２）を１．００重量％以下（０％を含まず）添加し
た方が、添加しないものより電力損失ＰＢが小さくなる
事がわかる。

第１表に、実施例１により得られた酸化物磁性材料（副
成分として、０．０２５重量％の二酸化ケイ素（ＳｉＯ
□）、０．０４３重量％の酸化カルシウム（Ｃａｂ）及
び０．０６０重量９６の酸化ハフニウム（Ｈｆ　Ｏ２）
を含有）と、従来の酸化物磁性材料（副成分として０．
０２５重量％の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）と０．０４３
重量％の酸化カルシウム（Ｃａ　Ｏ）を含有し、酸化ハ
フニウム（ＨｆＯ７）は添加しない）の諸特性（初透磁
率μｉ、飽和磁束密度Ｂ１５（磁化力１５［Ｏｅ］にお
ける磁束密度）［Ｇ］、残留磁束密度Ｂ　ｒ　［Ｇ］　
。

保持力Ｈｃ［Ｏｅ］を示す。尚、主成分はいずれも酸化
第二鉄（Ｆｅ２０．）を５３．０モル％２酸化マンガン
（ＭｎＯ）を３７．０モル％及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）を
１０．０モル％含有している。

第１表より明らかな如く１本発明の実施例１のものは、
スイッチング電源用磁心材料として求められる諸特性１
例えば初透磁率μｍが１０００以上、飽和磁束密度か５
０００Ｇ以上等という特性を十分に満たしている。

以上のことより添加物として酸化ハフニウム（ＨｆＯ□
）は、スイッチング電源用磁心材料として求められる諸
特性を十分に満たし２周波数が２００　ｋＨｚ以上にお
いて、電力損失ＰＢを１例えば約０．６０重量％添加し
た場合、添加しない場合に比較し、温度６０℃で約５０
０　ｋＷ／ｍ３改善できることがわかる。

第１表（実施例２）酸化物粉末を混合、成形、焼成してなる酸化物磁性材料
を主成分として、５３．０モル％の酸化第二鉄（Ｆ　ｅ
２０３　）、３６．０モル％の一酸化マンガン（ＭｎＯ
）、及び１１，０モル％の酸化亜鉛（Ｚ　ｎ　Ｏ）を含
有し、副成分として酸化カルシウム（Ｃａｂ）　　及び
二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を従来の低損失酸化物磁性材
料の成分範囲（酸化カルシウム（Ｃａｂ）が０．０２〜
０．１５重量９・６．二酸化ケイ素（Ｓ　ｉ　０２　）
が０．００５〜０．１００重量９６の範囲）で含有する
従来の低損失酸化物磁性材料に、さらに、酸化ジルコニ
ウム（Ｚｒ０２）、酸化アルミニウム（Ａ１２０ｉ）及
び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）の添加物を種々の割合で
複合添加した複数の実施例２の低損失酸化物磁性材料、
上記添加物を添加しない従来例及び比較例２として上記
添加物の単独または複合添加した複数の低損失酸化物磁
性材料を試作した。

これらの実施例２．従来例、及び比較例２の試作におい
ては、それぞれの酸化物原料を所定量秤量し混合した後
、造粒、成形プレスし、窒素ガス雰囲気中において、酸
素分圧５．Ｏａｔ％以下で。

１１００〜１３００℃の温度で焼成して試料を得た。

第２表は試作した実施例２の試料Ｎｏ、　１５〜１７゜
Ｎｏ、１９．２０，２２．２３，２５．２６と、従来例
として試料層、８．及び比較例２の試料ＮＯ，９〜Ｎｏ
。

１４　、　Ｎｏ、　１８　、　２１　、　２４について
、それぞれの副成分及び添加成分の含有量と１周波数２
００ｋＨｚで最大磁束密度Ｂｍが１００ＯＧの場合の電
力損失ＰＲの試料温度に対する最小値を示したものであ
る。

第２表によれば、添加物である二酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒＯ２）、酸化アルミニウム（Ａ１２０３）及び酸化ハ
フニウム（ＨｆＯ２）の複合添加によって、従来例の試
料Ｎ０９８より電力損失が減少していることがわかる。

これは、これらの添加物において、ＺｒＯ２とＨｆＯ２
は、低損失酸化物磁性材料の粒界に析出して９粒界の抵
抗率を増大させ、Ａｌ２Ｏ３は結晶内に固溶して結晶内
の抵抗率を増大させ、且つ結晶組織を均一にする効果が
あったと考えられ。

これらの複合作用によって１組織内部の電磁気特性の均
一化と組織全体の抵抗率を増大せしめ、これが鉄損失を
減少せしめたものと、考えられる。

また、第２表において、ＺｒＯ２を０．４０％添゛加し
た試料層＋１８．Ａ１□０３０．６０％添加した試料Ｎ
（Ｌ２１及びＨｆＯ２１，１０添加した試料Ｎｏ、　２
４においては、異常粒の成長が認められ。

そのため電力損失が大きくなったと考えられる。

又、第２表の試料Ｎｏ、　９〜１４は、それぞれ添加物
の単独又は２つが０％であり、この場合も電力損失が大
きく効果が薄いことがわかる。

以　　　下　　　余　　　白第表以下余白（実施例３）実施例２と同様の主成分と従来の副成分範囲を含ａする
従来の低損失酸化物磁性材料に、さらに二酸化チタン（
ＴｉＯ２）、五酸化バナジウム（Ｖ２０ｓ　）　、及び
酸化ハフニウム（Ｈｆ０２）の添加物を種々の割合で複
合添加した複数の実施例３の低損失酸化物磁性材料を各
種試作し、この比較例として、上記添加物を添加しない
従来の低損失酸化物磁性材料２及び比較例３として上記
添加物を単独または複合添加した複数の低損失磁性材料
を併せて各種試作した。

実施例３．従来例、及び比較例３の試作においては、実
施例２と同様に、それぞれの酸化物原料を所定量秤量し
混合した後、造粒、成形プレスし窒素ガス雰囲気中にお
いて、酸素分圧５．Ｏａｔ％以下で、１１００〜１３０
０℃の温度で焼成して試料を得た。

第３表は試作した実施例３の試料ＮＯ，３３〜３５゜３
７．３８，４０，４１，４３．４４と、従来例として試
料Ｎα８．及び比較例３の試料Ｎｏ、　２７〜３２、随
３６，３９．４２について、それぞれの副成分及び添加
物成分の含有量と１周波数２００ｋｌｌｚで最大磁束密
度Ｂｍが１００ＯＧの場合の電力損失の試料温度に対す
る最小値を示したものである。

第３表によれば、添加物である二酸化チタン（ＴｉＯ２
）、五酸化バナジウム（Ｖ２０．）。

及び酸化ハフニウム（Ｈｆ　０２）の複合添加によって
、従来の比較例の試料Ｎｏ、　２８より電力損失が減少
していることがわかる。これは、添加物。

■２０．及びＨｆＯ２が粒界に析出して粒界の抵抗率を
増大させ、且つ結晶組織を均一にする効果があったと考
えられ、これらの複合作用によって。

実施例２と同様にして、電力損失を減少せしめたものと
考えられる。

第３表において、ＴｉＯ２を０．３０重量％添加した試
料随３９及びＨｆＯ２を１，１０重量％添加した試料１
り、４２においては、異常粒の成長が認められ、そのた
め電力損失が大きくなったと考えられる。

第３表の試料Ｎｏ、　２７〜３２は、それぞれ添加物の
単独又は２つが０９６であり、この場合も電力損失が大
きく効果が薄いことがわかる。

第４表は、従来の試料Ｎｏ、　８と本発明の実施例２の
試料＼０．１について、第５表は、従来の試料Ｎｏ、　
８と、実施例３の試料Ｎα３３について、それぞれの初
透磁率μ、飽和磁束密度Ｂ１５．残留磁束密度Ｂｒ、及
び抵抗率ρの各電磁気特性について比較したものである
。

第４表及び第５表では、μ、Ｂ＋ｓ、Ｂｒについては、
試料ＮＯ，８とｋｌ　５．又は、試料１１１Ｏ，３３の
いずれも遜色なく、抵抗率のみが実施例２のＮｏ、１５
又は実施例３のＮ（Ｌ３３のそれぞれが、従来のＮα８
の十倍以上の値を示している。この抵抗率の格段の向上
か、渦電流損失を減少せしめた主な原因になっているこ
とが理解される。

以　　下　　余　　白第表以下余白以上１本発明の実施例２．３によって、１００ｋＨｚ以
上の電力損失の低減がなされ、１００ｋＨｚ以上の高周
波におけるスイッチング電源用トランスコア材料として
優れた低損失酸化物磁性材料が得られることが確認され
た。

以　　下　　余　　白（実施例４）主成分として、５０．０モル％の酸化第二鉄（Ｆｅ２０
．）、３９．０モル％の一酸化マンガン（Ｍ　ｎ　Ｏ）
及び８゜０モル％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）に、副成分とし
て、二酸化ケイ素（Ｓ　ｌ　０２　）酸化カルシウム（
Ｃａ　Ｏ）　、　酸化ハフニウム（Ｈｆ０２）、酸化ジ
ルコニウム（ＺｒＯ２）。

三酸化アルミニウム（Ａ１２０３）、五酸化バナジウム
（Ｖ　２０　ｑ−）を単独または複合添加し、混合し、
造粒し、成形プレスした後、窒素ガス雰囲気中において
、酸素分圧５．Ｏａｔ％以下、各組成において、最適焼
結温度である１１００〜１３００″Ｃ温度で焼結した。

第６表は、主成分とし・て５３．０モル％酸化第二鉄（
Ｆ　ｊ２０３　）、３９．０モル％の一酸化マンガン（
Ｍ　ｎ　Ｏ）及び８．０モル％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を
含有する高透磁率Ｍ　ｎ−Ｚ　ｎフェライトに１副成分
として二酸化ケイ素（Ｓ　ｉ　Ｏ２）　。

酸化カルシウム（Ｃａ　Ｏ）を添加し、更に、酸化ハフ
ニウム（Ｈｆ０２）と酸化ジルコニウム（Ｚ　ｒ　０２
　）　、及び選択成分として、酸化アルミニウム（Ａ１
２０３）と五酸化バナジウム（Ｖ　２０、）とを複合添
加したときの１周波数がＩＭＨｚ。

最大磁束密度Ｂの値が５００Ｇ　（ガウス）の場合の電
力損失（鉄損）の６０℃付近に於ける夫々の組成に於け
る値を示す。

本発明の組成と電力損失（鉄損）との値を示す第６表を
参照して説明する。

第６表に、各副成分の添加量と、電力損失（鉄損）との
関係を示す。

第６表より二酸化ハフニウム（ＨｆＯｚ）、二酸化ジル
コニウム（Ｚ「０□）、酸化アルミニウム（Ａ　１２０
３　’）　、　五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）の複合添
加によって、電力損失の値は、従来の低損失酸化物磁性
材料の値に比べて低い値を示し。

特性値は、従来の値に比べてほぼ３０％程向上している
ことがわかる。

酸化ハフニウム（Ｈｆ０２）１．１０重量％添加（試料
番号５２），二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ□）０．４０
重量％添加（試料番号６０）、酸化アルミニウム（Ａ　
Ｉ２０３　）　０．６０重量％添加（試料番号６３）、
五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ、）０．２５重量％添加（試
料番号６６）においては、結晶粒に異常粒の成長が認め
られ、比抵抗ρも劣化し、電力損失が大きくなっている
。

（実施例５）実施例４と同様にして、主成分として。

５０．０モル％の酸化第二鉄（Ｆｅ２　ｏ３　）。

３９．０モル％の一酸化マンガン（ＭｎＯ）及び８．０
モル％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）に、副成分として、二酸化
ケイ素（ＳｉＯ□）、酸化カルシウム（Ｃａｂ）、酸化
ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（Ｚｒ０２
）、及び選択成分として酸化アルミニウム（Ａ　Ｉ　２
０３　）　、二酸化チタン（Ｔ　ｉ　０２　）を単独ま
たは複合添加し、混合し造粒し、成形プレスした後、窒
素ガス雰囲気中において、酸素分圧５．Ｑａｔ％以下、
各組成において、最適焼結温度である１１００〜１３００℃温度で焼結した。

第７表は主成分として５３．０モル％の酸化第二鉄（Ｆ
ｅ２０４　）３９．０モル％の一酸化マンガン（Ｍ　ｎ
　Ｏ）を含有し、副成分として二酸化ケイ素（Ｓｉｎ２
）、酸化カルシウム（Ｃａ　Ｏ）を基本とし、さらに酸
化ハフニウム（Ｈｆ０２）と酸化ジルコニウム（ＺｒＯ
２）、及び選択成分として酸化アルミニウム（Ａｌ□０
．）と二酸化チタン（Ｔ　ｉ　０２　）とを複合添加し
たときの２周波数がＩ　ＭＨｚ　、動作磁束密度Ｂが５
００Ｇ　（ガウス）の場合の電力損失（鉄損）の６０℃
付近に於ける各組成の於ける値を示す。

本発明の組成と、電力損失（鉄損）との値を示す第７表
について説明する。第７表は各副成分の添加量と電力損
失の関係を示す。第７表より、酸化ハフニウム（Ｈｆ　
Ｏ□）、二酸化ジルコニウム（Ｚ　ｒ　０２１．酸化ア
ルミニウム（Ａ１２０Ｂ）。

二酸化チタン（ＴｉＯ２）の複合添加によって。

電力損失が向上していることがわかる。又、電力損失は
２例として前述の通り周波数がＩＭ）Ｉｚ、最大磁束密
度５００Ｇ　（ガウス）での測定値を示すが、１００ｋ
Ｈｚ以上の周波数において、すべて同様の電力損失が見
られる。

酸化ハフニウム（Ｈｆ　Ｏ□）１．１０重量％添加（試
料番号８２）、酸化ジルコニウム（Ｚｒ０２）０．４０
重量％添加（試料番号８５）酸化アルミニウム（Ａｌ□
０３）０．６０重量％添加（試料番号８８）、二酸化チ
タン（Ｔ　ｉ　Ｏ□）０．３５重量％添加（試料番号９
１）においては。

結晶粒に異状粒の成長が認められ比抵抗ρも劣化し、電
力損失が大きくなっている。

第８表は、実施例５に於ける試料番号８３と。

従来組成（試料番号４７．７１）について、初透磁率μ
、飽和磁束密度Ｂ１９．残留磁束密度Ｂｒ。

比抵抗ρの比較を示す。

第８表には、実施例４に於ける試料番号５８と。

従来組成（試料番号６９）について、初透磁率μ。

磁化力が１５０ｅに於ける飽和磁束密度Ｂ１５＋残留磁
束密度Ｂｒ、保持力Ｈｅ、比抵抗ρの値を示すが２本発
明による低損失磁性材料の比抵抗の値は。

従来の組成の低損失磁性材料に比べて、２０倍以上の高
い値となっている。

また、第８表において２本発明による実施例５の試料番
号８０と従来（試料番号６９）について諸特性を比較す
ると、比抵抗ρが約２０倍以上となっていることがわか
る。

尚、実施例４．実施例５において、窒素ガス雰囲気中酸
素分圧０．５％における焼結温度は。

１１００〜１３００℃の範囲において、最適温度で焼結
した。

以　　　　下　　　　余　　　　白第表第７表第表（実施例６）主成分として５３．０モル％の酸化第二鉄（Ｆｅ、Ｏｓ
）、３９．０モル％の一酸化マンガン（ＭｎＯ）、及び
８．０モル％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含有し、副成分と
して、０．０１０〜０．０４０重量％、二酸化ケイ素（
ＳｉＯ２）。

０．０２０〜０．１５重量％の酸化カルシウム（Ｃａｂ
、）を含有し、添加成分として０．０１〜０．８０重量
％の酸化ハフニウム（Ｈｆ０２）０．００５〜０．３０
０重量％の酸化タンタル（Ｔａ２０５）を添加し、これ
らをボールミルにて混合した後、予焼し、粉砕し、造粒
し、成形プレスした後、酸素分圧０〜３％（０を含まず
）。

温度１１００〜１３００℃で１〜４時間焼結し。

酸化物磁性材料を得た。

第９表は各組成に於いて焼結条件を変化させて得られた
酸化物磁性材料の中で最も優れたコアロス特性を示した
試料について、二酸化ケイ素（Ｓ　ｉｏ　２　）　＋酸
化カルシウム（Ｃａｂ）、酸化／１フニウム（ＨｆＯ２
）、酸化タンタル（Ｔａ２０５）をパラメータとしたと
きの温度６０℃、砧東密度５００Ｇとしたときの電力損
失ＰＢ（ｍＷ／ｃｃ）を示したものである。

第９表において、試料番号１０６は主成分として５３．
０モル％の酸化第、二鉄（Ｆｅ２０．）。

３９．０モル％の一酸化マンガン（ＭｎＯ）、μび８．
０モル？６の酸化亜鉛（Ｚ　ｎ　Ｏ）を含有し。

０．０３０重量％の二酸化ケイ素（Ｓｉｎ２）。

０．０８０重ｊｉ　９６の酸化カルシウム（Ｃａｂ）（
副成分とし、酸化ハフニウム（ＨｆＯ□）、酸イ１タン
タル（Ｔａ２０ｑ）を添加していない従来に電源用Ｍ　
ｎ　−Ｚ　ｎ系フェライトである。

本発明における酸化物磁性材料は、いずれの場合も従来
のもの（試料１０６）より優れていることがわかる。ま
た、二酸化ケイ素（５１０２）が０．０３０重量％、酸
化カルシウム（Ｃａ　Ｏ）が０．０６０重量％、酸化ハ
フニウム（ＨｆＯ２）が０．１５重量％、酸化タンタル
（Ｔａｚ　ｏ、）が０．０５重量％を添加して作製した
試料番号１０２は、従来のフェライトと比較して電力損
失ＰＢが約１／２程度になっており、著しい低損失特性
を実現している。

第９表［発明の効果コ以上説明したように５本発明によれば、二酸化ケイ素及
び酸化カルシウムを含むＺ　ｎ−Ｍｎフェライト系酸化
物磁性材料において、添加物として１．００重量％以下
のＨｆＯ２スイッチング電源用トランスとして求められ
る諸特性を充分満足するとともに１周波数が１００ｋＨ
ｚ以上の高周波においても従来ものよりも電力損失を低
減でき。

高周波磁心用材料としてスイッチング電源の小型。

軽量化に十分に適合した材料を提供することができる。

また１本発明によれば、このＺ　ｎ　−Ｍ　ｎフェライ
ト系酸化物磁性材料において、添加物として。

さらに、０．３０重量％以下の酸化ジルコニウム（Ｚ　
ｒ０２　）、０．３０重量％以下の酸化タンタル（Ｔａ
２ｏ３　）の少なくとも一種を含むことにより、スイッ
チング電源用トランスとして求められる諸特性を更に向
上させることができる。

更に１本発明によれば、これらＺ　ｎ　−Ｍ　ｎフェラ
イト系酸化物磁性材料において、０．５０重量％以下の
Ａ　１２０３及び０，３０重量％以下のＴｉＯ２の少な
くとも一種を含むことにより、更に。

電力損失等の諸特性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係る低損失酸化物磁性材料の
温度と電力損失（Ｐｓ）との関係を示す図で、比較例と
して、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）を添加しない材料（
曲線１）及び１，２０重量％の酸化ハフニウム（ＨｆＯ
２）を添加した材料（曲線７）を併せて示した。

Claims

【特許請求の範囲】

１．主成分として３０〜４２．０モル％の一酸化マンガ
ン（ＭｎＯ），４．０〜１９モル％の酸化亜鉛（ＺｎＯ
），及び残部として酸化第二鉄（Ｆｅ＿２Ｏ＿３）を含
み，副成分として０．０２０〜０．１５重量％の酸化カ
ルシウム（ＣａＯ）と，０．００５〜０．１０重量％の
二酸化ケイ素（ＳｉＯ＿２）とを含み，添加物として１
．００重量％以下の酸化ハフニウム（ＨｆＯ＿２）を含
むことを特徴とする低損失酸化物磁性材料。
２．第１の請求項記載の低損失酸化物磁性材料において
，添加物としてさらに０．３０重量％以下の酸化ジルコ
ニウム（ＺｒＯ＿２），０．２０重量％以下の酸化バナ
ジウム（Ｖ＿２Ｏ＿５），及び０．３０重量％以下の酸
化タンタル（Ｔａ＿２Ｏ＿５）の少なくとも一種を含む
ことを特徴とする低損失酸化物磁性材料。
３．第１又は第２の請求項記載の低損失酸化物磁性材料
において，添加物としてさらに０．５０重量％以下のＡ
ｌ＿２Ｏ＿３，及び０．３０重量％以下のＴｉＯ＿２の
少なくとも一種を含むことを特徴とする低損失酸化物磁
性材料。