JPH03227014A - 液相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシャル成長装置Info
- Publication number
- JPH03227014A JPH03227014A JP2292390A JP2292390A JPH03227014A JP H03227014 A JPH03227014 A JP H03227014A JP 2292390 A JP2292390 A JP 2292390A JP 2292390 A JP2292390 A JP 2292390A JP H03227014 A JPH03227014 A JP H03227014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- epitaxial growth
- saturated melt
- gas
- boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は化合物半導体の製造等に適用さ口る液相エピ
タキシャル成長装置に関し、基板を収容する室、及び結
晶愚液を貯溜する室をガス置換できるようにしたもので
ある。
タキシャル成長装置に関し、基板を収容する室、及び結
晶愚液を貯溜する室をガス置換できるようにしたもので
ある。
一般に、化合物半導体を用いた液相エピタキシャル成長
では量産技術もさることながら、エピタキシャル成長さ
せた基板の面状態も重要である。
では量産技術もさることながら、エピタキシャル成長さ
せた基板の面状態も重要である。
特に、ＧａＡｓ系の太陽電池用のエピタキシャル成長で
はＡＩの組成比が〜ａ９程度と非常に大きく、その為飽
和融液が酸化されやすい問題があり、このような飽和融
液でエピタキシャル成長を行うと基板の面状態は酸化さ
れた飽和融液の影響を受は異常成長を生じる。
はＡＩの組成比が〜ａ９程度と非常に大きく、その為飽
和融液が酸化されやすい問題があり、このような飽和融
液でエピタキシャル成長を行うと基板の面状態は酸化さ
れた飽和融液の影響を受は異常成長を生じる。
第３図は従来の液相エピタキシャル成長装置の構造を示
す平面図、第４図は第３図のＩＹ −ＩＹ線における断
面図である。
す平面図、第４図は第３図のＩＹ −ＩＹ線における断
面図である。
図において、（１）はボート本体で、上段の室（２）、
中段の室（３）、下段の室（４）の３段構造から成り立
っている。（５）は下段の室（４）に収納されている飽
和融液（８）を収容するための引出し容器、（６）は上
段の室（２）と中段の室（３）を仕切り飽和融液（８）
を落下させる開孔部Ｇ（Ｊを有し左右の摺動が可能な第
１のスライダ、（７）は中段の室（３）と下段の室（４
）を仕切り飽和融液（８）を落下させる開孔部αジを有
し左右の摺動が可能な第２のスライダ、（９）はエピタ
キシャル成長させるべき基板、□□□はボート（１）が
炉内にある時、飽和融液（８）から蒸気圧の高い物質が
蒸発するのを抑える為上段の室（２）にかぶせる蓋で、
ねじＱ４で固定さ口る。
中段の室（３）、下段の室（４）の３段構造から成り立
っている。（５）は下段の室（４）に収納されている飽
和融液（８）を収容するための引出し容器、（６）は上
段の室（２）と中段の室（３）を仕切り飽和融液（８）
を落下させる開孔部Ｇ（Ｊを有し左右の摺動が可能な第
１のスライダ、（７）は中段の室（３）と下段の室（４
）を仕切り飽和融液（８）を落下させる開孔部αジを有
し左右の摺動が可能な第２のスライダ、（９）はエピタ
キシャル成長させるべき基板、□□□はボート（１）が
炉内にある時、飽和融液（８）から蒸気圧の高い物質が
蒸発するのを抑える為上段の室（２）にかぶせる蓋で、
ねじＱ４で固定さ口る。
次に動作について説明する。
この従来の装置で第４図に示した状態でボート（１）を
炉内に挿入する。炉内で所定の温度に達すると、第１の
スライダ（５）を図示矢印の方向に移動させ、開孔部Ｏ
Ｑから上段の室（２）の飽和融液（８）を中段の室（３
月こ流入させ基板（９）を浸す。この状態で炉を徐冷し
てエピタキシャル成長を行う。エピタキシャル成長終了
後、第２のスライダ（７ンを図示矢印の方向に移動させ
て、開孔部αηから下段の室（４）の弓出し容器（５）
に飽和融液（８）を収容する。
炉内に挿入する。炉内で所定の温度に達すると、第１の
スライダ（５）を図示矢印の方向に移動させ、開孔部Ｏ
Ｑから上段の室（２）の飽和融液（８）を中段の室（３
月こ流入させ基板（９）を浸す。この状態で炉を徐冷し
てエピタキシャル成長を行う。エピタキシャル成長終了
後、第２のスライダ（７ンを図示矢印の方向に移動させ
て、開孔部αηから下段の室（４）の弓出し容器（５）
に飽和融液（８）を収容する。
従来の液相エピタキシャル成長装置は以上のｊうに構成
されていたので、飽和融液は上段の室に収容されるとエ
ピタキシャル成長終了まで閉じ込められた状態となり、
酸化された状態の飽和融液を用いてエピタキシャル成長
が行わわる為成長表面に酸化した飽和融液が付着し異常
成長を生じるという問題点があった。
されていたので、飽和融液は上段の室に収容されるとエ
ピタキシャル成長終了まで閉じ込められた状態となり、
酸化された状態の飽和融液を用いてエピタキシャル成長
が行わわる為成長表面に酸化した飽和融液が付着し異常
成長を生じるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、成長表面に酸化した飽和融液による異常成長
を防止した液相エピタキシャル成長装置を得ることを目
的とする。
たもので、成長表面に酸化した飽和融液による異常成長
を防止した液相エピタキシャル成長装置を得ることを目
的とする。
この発明に係る液相エピタキシセル成長装置は、エピタ
キシャル成長を行う前に上段の室及び中段の室をガス置
換するとともに、炉内に於いて低温状態で中段の室にあ
る酸化している飽和融液をキャリアガスであるＨ２ガス
の還元作用を利用して飽和融液の酸化物を還元し、清浄
な飽和融液でエピタキシャル成長させるようにしたもの
である。
キシャル成長を行う前に上段の室及び中段の室をガス置
換するとともに、炉内に於いて低温状態で中段の室にあ
る酸化している飽和融液をキャリアガスであるＨ２ガス
の還元作用を利用して飽和融液の酸化物を還元し、清浄
な飽和融液でエピタキシャル成長させるようにしたもの
である。
この発明における液相エピタキシャル成長装置は、飽和
融液を中段の室に設」し基板を上段の室に設置、且つ、
上段の室の上部に開孔部を有する摺動可能な蓋及び底部
疹こスリット又は穴を設けることにより、総ての室がガ
ス置換することができるとともに、キャリア・ガスであ
る為ガスの還元作用を利用して飽和融液を処理すること
により、従来の酸化した飽和融液を用いることによりエ
ピタキシャル成長で生じる成長表面の不良を解消しよう
とするものである。
融液を中段の室に設」し基板を上段の室に設置、且つ、
上段の室の上部に開孔部を有する摺動可能な蓋及び底部
疹こスリット又は穴を設けることにより、総ての室がガ
ス置換することができるとともに、キャリア・ガスであ
る為ガスの還元作用を利用して飽和融液を処理すること
により、従来の酸化した飽和融液を用いることによりエ
ピタキシャル成長で生じる成長表面の不良を解消しよう
とするものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例である液相エピタキシャル
成長装置の構造を示す平面図、第２図は第１図の置−１
線における断面図で、図中、前記従来のものと同一符号
は同一部分を示す。
成長装置の構造を示す平面図、第２図は第１図の置−１
線における断面図で、図中、前記従来のものと同一符号
は同一部分を示す。
なお、本実施例では固定式の蓋の代りに左右の摺動可能
な蓋（，１４１、上段の室（２）を支えるためのピンＣ
Ｌす、及び上段の室（２）の底部にスリット又は穴ση
を設けている。
な蓋（，１４１、上段の室（２）を支えるためのピンＣ
Ｌす、及び上段の室（２）の底部にスリット又は穴ση
を設けている。
次にエピタキシャル成長の動作について説明する。ボー
ト本体（１）に於いて中段の室（３）に飽和融液（８）
をセットする。上段の室（２）を支えるビンＱ呻をセッ
トした後、上段の室（２）に基板（９）をセットし、摺
動可能な蓋α硼を開孔部斡が中央にくるようセットする
。
ト本体（１）に於いて中段の室（３）に飽和融液（８）
をセットする。上段の室（２）を支えるビンＱ呻をセッ
トした後、上段の室（２）に基板（９）をセットし、摺
動可能な蓋α硼を開孔部斡が中央にくるようセットする
。
この状態でボート本体（１）を石英管内に挿入し一定時
間ガス置換を行う。ボート本体（１）は蓋９勺の開孔部
時から上段の室（２）及び上段の室（２）の底部のスリ
ット又は穴ｃ１７）を通して中段の室（３）内が置換さ
れる。
間ガス置換を行う。ボート本体（１）は蓋９勺の開孔部
時から上段の室（２）及び上段の室（２）の底部のスリ
ット又は穴ｃ１７）を通して中段の室（３）内が置換さ
れる。
所定時間の経過後、上記の状態のままボート本体（１）
を炉内に挿入し、〜４５０″Ｃ程度の低温で一定時間保
持する。酸化している飽和融液（δ）は開孔部ｑ５スリ
ット又は六〇ηを通して入ってくるキャリアガスである
Ｈ、ガスに晒される為、）ｉ２ガスの還元作用によって
還元さ２’する。一定時間後、１１を図示矢印の方向に
移動させボート（１）を密閉状態にした後に所定の温度
まで上昇させる。ボート本体（１）を密閉状態でエピタ
キシャル成長終了後まで保持するため、飽和融液（８）
に含ま口ている蒸気圧の高い物質がボート本体（１）か
らでていくのが抑えられる。
を炉内に挿入し、〜４５０″Ｃ程度の低温で一定時間保
持する。酸化している飽和融液（δ）は開孔部ｑ５スリ
ット又は六〇ηを通して入ってくるキャリアガスである
Ｈ、ガスに晒される為、）ｉ２ガスの還元作用によって
還元さ２’する。一定時間後、１１を図示矢印の方向に
移動させボート（１）を密閉状態にした後に所定の温度
まで上昇させる。ボート本体（１）を密閉状態でエピタ
キシャル成長終了後まで保持するため、飽和融液（８）
に含ま口ている蒸気圧の高い物質がボート本体（１）か
らでていくのが抑えられる。
炉内が所定の温度に達すると、上段の室（２）を支えて
いるビンα呻を抜くと、基板（９）をセットした上段の
室（２）は飽和融液（８）の入った中段の室（３）の方
に降下する。
いるビンα呻を抜くと、基板（９）をセットした上段の
室（２）は飽和融液（８）の入った中段の室（３）の方
に降下する。
還元作用によって清浄化された飽和融液（８）は上段の
室（２ンの底部にあるスリット又は穴（１７）を通して
上段の室（２）に流入していく。この時、スリット又は
穴α力の効果により飽和融液（３）の表面に浮遊してい
る汚ない物は上段の室（２）には入らない。基板（９）
が飽和融液（８）で浸漬された後、浸漬するまでに基板
（９）に拡散された領域を除去してから、炉の温度を徐
冷するとエピタキシャル成長が行われる。
室（２ンの底部にあるスリット又は穴（１７）を通して
上段の室（２）に流入していく。この時、スリット又は
穴α力の効果により飽和融液（３）の表面に浮遊してい
る汚ない物は上段の室（２）には入らない。基板（９）
が飽和融液（８）で浸漬された後、浸漬するまでに基板
（９）に拡散された領域を除去してから、炉の温度を徐
冷するとエピタキシャル成長が行われる。
エピタキシャル成長終了後、第２のスライダ（７）を図
示矢印の方向に移動して、中段の室（３）にある飽和融
液（８）を下段の室（４ンの引出し容器（５）に収容す
る。
示矢印の方向に移動して、中段の室（３）にある飽和融
液（８）を下段の室（４ンの引出し容器（５）に収容す
る。
このように開孔部叫を有する左右摺動可能な蓋α４及び
飽和融液（８）を中段の室（３）にセットし、上段の室
（２）の底部にスリット又は穴叩を設けてガスの流れを
良（することにより、飽和融液（８ンのＨ２ガスによる
還元作用及びボート（１）全体がガス置換され、酸化が
原因と考えらｎる異常なエピタキシャル成長がなくなる
。
飽和融液（８）を中段の室（３）にセットし、上段の室
（２）の底部にスリット又は穴叩を設けてガスの流れを
良（することにより、飽和融液（８ンのＨ２ガスによる
還元作用及びボート（１）全体がガス置換され、酸化が
原因と考えらｎる異常なエピタキシャル成長がなくなる
。
以とのようにこの発明によれば、液相エピタキシャル成
長装置により酸化が原因と考えらｎる異常ナエビタキシ
ャル成長がｒｔ くなるという効果がある。
長装置により酸化が原因と考えらｎる異常ナエビタキシ
ャル成長がｒｔ くなるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例である液相エピタキシャル
成長装置の構造を示す平面図、第２図は第１図の１−１
線におけ−る断面図、第３図は従来の液相エピタキシャ
ル成長装置の構造を示す平面図、第４図は第３図のＩＶ
−ＩＶ線における断面図である。 図に於いて、（１）はボート本体、（２）は上段の室、
（３）は中段の室、（４）は下段の室、（５）は引出し
容器、（６）は第１のスライダ、（７）は第２のスライ
ダ、（８）は飽和融液、（９）は基板、ＯＱは第１のス
ライダに設けた開孔部、Ｑυは第２のスライダに設けた
開孔部、（１４は蓋、Ｃ１５は蓋Ｈに設けら口た開孔部
、ＯＱはピン、助はスリット又は穴を示す。 なお、図中、同一符号は同一部分を示す。
成長装置の構造を示す平面図、第２図は第１図の１−１
線におけ−る断面図、第３図は従来の液相エピタキシャ
ル成長装置の構造を示す平面図、第４図は第３図のＩＶ
−ＩＶ線における断面図である。 図に於いて、（１）はボート本体、（２）は上段の室、
（３）は中段の室、（４）は下段の室、（５）は引出し
容器、（６）は第１のスライダ、（７）は第２のスライ
ダ、（８）は飽和融液、（９）は基板、ＯＱは第１のス
ライダに設けた開孔部、Ｑυは第２のスライダに設けた
開孔部、（１４は蓋、Ｃ１５は蓋Ｈに設けら口た開孔部
、ＯＱはピン、助はスリット又は穴を示す。 なお、図中、同一符号は同一部分を示す。
Claims (1)
- エピタキシャル成長させるべき基板を収容し、上部に摺
動可能な第１のスライダ、底部にスリット状又は穴のあ
いた底板からなる上段の室、エピタキシャル成長させる
べき物質の飽和融液を貯溜するための中段の室、上記エ
ピタキシャル成長に用いた上記飽和融液を流入させる容
器を収容するための下段の室からなり、上記上段の室を
支えるためのピン、上記中段の室と下段の室を仕切ると
ともに開孔部を有し摺動可能な第２のスライダからなる
ボート本体に於て、エピタキシャル成長前に上記上段の
室及び中段の室かガス置換できることを特徴とする液相
エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292390A JPH03227014A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292390A JPH03227014A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03227014A true JPH03227014A (ja) | 1991-10-08 |
Family
ID=12096165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2292390A Pending JPH03227014A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03227014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002274993A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-25 | Dowa Mining Co Ltd | 液相エピタキシャル成長装置及び液相エピタキシャル成長方法。 |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2292390A patent/JPH03227014A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002274993A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-25 | Dowa Mining Co Ltd | 液相エピタキシャル成長装置及び液相エピタキシャル成長方法。 |
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