JPS63169724A - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS63169724A JPS63169724A JP226387A JP226387A JPS63169724A JP S63169724 A JPS63169724 A JP S63169724A JP 226387 A JP226387 A JP 226387A JP 226387 A JP226387 A JP 226387A JP S63169724 A JPS63169724 A JP S63169724A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- upper step
- crystal melt
- epitaxial growth
- cover
- Prior art date
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- Pending
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、化合物半導体結晶の製造等に用いる液相エ
ピタキシャル成長装置に関する。
ピタキシャル成長装置に関する。
■−ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置において、液
相エピタキシャル放炎装置による量産は重要な技術であ
抄、特に素子サイズの大きいＧａＡＢ大場電地場電池て
は非常に重要となる。
相エピタキシャル放炎装置による量産は重要な技術であ
抄、特に素子サイズの大きいＧａＡＢ大場電地場電池て
は非常に重要となる。
第２図（ａ）はＧａＡｓ太陽電池のように量産性を必要
とする場合に従来から用いている液相エピタキシャル放
炎装置の構成を示す平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
ｂ−ｂ断面図である。１はボート本体、２゜３．４はボ
ート本体１に設けられた上段の室、下段の室および中段
の室、５は下段の室３に収容された引きだし容器、６は
上段の室２に収容されている結晶融液、７は第１のスラ
イダ８に設けられ結晶融液６を中段の室４に流入させる
ための開孔部、９は中段の室４と下段の呈３とを仕切る
ための第２のスライダである。１０は第１のスライダ８
に設けられ、矢印Ａの方向にスライドさせた時、一定の
時間遅れ會もって第２のスライダ９を連切させるＬ字形
板である。１１は第２のスライダ１０に設けられ中段の
室４の結晶融液６を引きだし容器５に収容させるための
開孔部である。
とする場合に従来から用いている液相エピタキシャル放
炎装置の構成を示す平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
ｂ−ｂ断面図である。１はボート本体、２゜３．４はボ
ート本体１に設けられた上段の室、下段の室および中段
の室、５は下段の室３に収容された引きだし容器、６は
上段の室２に収容されている結晶融液、７は第１のスラ
イダ８に設けられ結晶融液６を中段の室４に流入させる
ための開孔部、９は中段の室４と下段の呈３とを仕切る
ための第２のスライダである。１０は第１のスライダ８
に設けられ、矢印Ａの方向にスライドさせた時、一定の
時間遅れ會もって第２のスライダ９を連切させるＬ字形
板である。１１は第２のスライダ１０に設けられ中段の
室４の結晶融液６を引きだし容器５に収容させるための
開孔部である。
この装置で液相エピタキシャル成長させるには、図の状
態でボート本体１’＆図では省略した炉内に入れ、所定
温度まで昇温する。炉内が所定の温度に達したら、第１
のスライダ８を矢印Ｂの方向にスライドさせ、開孔部７
ｆ：、通して上段の室２にある結晶融液６を中段の室４
の側面から流入させて基板１２を泣す。この状態で徐冷
すると、基板１２０表面にエピタキシャル成長が行なわ
れる。エピタキシャル成長終了後は、第１のスライダ８
を矢印Ａの方向にスライドさせることにより、Ｌ字形板
１０の働きによって第２のスライダ９が連動し、第２の
スライダ９を設けである開孔部１１を通じて結晶融液６
が中段の呈４から下段の室３に収容されている引きだし
容器５に流入し収容される。
態でボート本体１’＆図では省略した炉内に入れ、所定
温度まで昇温する。炉内が所定の温度に達したら、第１
のスライダ８を矢印Ｂの方向にスライドさせ、開孔部７
ｆ：、通して上段の室２にある結晶融液６を中段の室４
の側面から流入させて基板１２を泣す。この状態で徐冷
すると、基板１２０表面にエピタキシャル成長が行なわ
れる。エピタキシャル成長終了後は、第１のスライダ８
を矢印Ａの方向にスライドさせることにより、Ｌ字形板
１０の働きによって第２のスライダ９が連動し、第２の
スライダ９を設けである開孔部１１を通じて結晶融液６
が中段の呈４から下段の室３に収容されている引きだし
容器５に流入し収容される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の装置において、中段の室４．は、炉内で結晶融液
６から蒸気圧の高い物質が蒸発するのを抑えるため、で
きるだけ気密が保たれるようになっていることから、充
分なガス置換ができないという問題があった。すなわち
、ボート本体１が炉内に入る前に中段の室４のガス置換
を行なうためには、第１のスライダ８、第２のスライダ
９を加工してできるわずかな空間を利用しているが、こ
のようなわずかな空間の利用によっては、中段の室４が
完全に置換される可能性が少なく、エピタキシャル成長
時に悪影響を与える可能性がある。
６から蒸気圧の高い物質が蒸発するのを抑えるため、で
きるだけ気密が保たれるようになっていることから、充
分なガス置換ができないという問題があった。すなわち
、ボート本体１が炉内に入る前に中段の室４のガス置換
を行なうためには、第１のスライダ８、第２のスライダ
９を加工してできるわずかな空間を利用しているが、こ
のようなわずかな空間の利用によっては、中段の室４が
完全に置換される可能性が少なく、エピタキシャル成長
時に悪影響を与える可能性がある。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、ボート本体が炉内に入る前に、ガス置換を充
分に行なえるようにした液相エピタキシャル成長装置を
得ることを目的とする。
たもので、ボート本体が炉内に入る前に、ガス置換を充
分に行なえるようにした液相エピタキシャル成長装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る液相エピタキシャル成長装置は、スライ
ド可能な蓋を有し底の一部に開孔部を有する上段の室、
基板を収容しスライド可能な底板金有する中段の室およ
び下段の室からなり、上段の室の蓋と中段の室の底板と
を連動させる手段を備えるとともに、中段の室に、その
底板を上段の室の下から引出した状態で上段の室の底の
開孔部をふさぐ隔壁を設けたものである。
ド可能な蓋を有し底の一部に開孔部を有する上段の室、
基板を収容しスライド可能な底板金有する中段の室およ
び下段の室からなり、上段の室の蓋と中段の室の底板と
を連動させる手段を備えるとともに、中段の室に、その
底板を上段の室の下から引出した状態で上段の室の底の
開孔部をふさぐ隔壁を設けたものである。
隔壁により結晶融液の流出を抑えつつ、中段の室の底部
を上段の室の蓋とともに引出した状態で、基板支持部の
ガス置換が充分に行なわれる。
を上段の室の蓋とともに引出した状態で、基板支持部の
ガス置換が充分に行なわれる。
第１図（＆）はこの発明の一実施例を示す平面図、同図
（ｂ）は同図（ａ）のｂ−ｂ断面図である。同図中、第
２図（ａ） 、 （ｂ）と同一符号は同等部分を示す。
（ｂ）は同図（ａ）のｂ−ｂ断面図である。同図中、第
２図（ａ） 、 （ｂ）と同一符号は同等部分を示す。
第１図において、２１はエピタキシャル成長させる基は
基板支持具２１の底をふさぎ結晶融液６が流出するのを
防ぐためのスライド可能な板、２４はスライド可能な蓋
２２および底板２３を連動させるための棒である。図示
の状態では、上段の室２は、スライド可能な蓋２２の隙
間からガスの置換が行なわれる。このとき、上段の室２
の底部の開孔部２５は、基板支持具２１の隔壁２６でふ
さがれているため、結晶融液６は上段の室２から漏れる
ことはない。
基板支持具２１の底をふさぎ結晶融液６が流出するのを
防ぐためのスライド可能な板、２４はスライド可能な蓋
２２および底板２３を連動させるための棒である。図示
の状態では、上段の室２は、スライド可能な蓋２２の隙
間からガスの置換が行なわれる。このとき、上段の室２
の底部の開孔部２５は、基板支持具２１の隔壁２６でふ
さがれているため、結晶融液６は上段の室２から漏れる
ことはない。
次に、この実施例による液相エピタキシャル成長の動作
を説明する。まず、図面の状態でガス置換を行なう。こ
の状態では、上述したようにスライド可能な蓋２２の隙
間から上段の室２がガス置換される。基板支持具２１は
上面全面、底の一部が開放されているため、容易にガス
置換ができる。
を説明する。まず、図面の状態でガス置換を行なう。こ
の状態では、上述したようにスライド可能な蓋２２の隙
間から上段の室２がガス置換される。基板支持具２１は
上面全面、底の一部が開放されているため、容易にガス
置換ができる。
がスライドして上段の室２および基板支持具２１の底部
がふさがれる。
がふさがれる。
この状態でボート本体１を炉内に移動させ、所定温度ま
で昇温させた後、連動用の棒２４をさらにＡの方向にス
ライドさせる。これにより、基板支持具２１、スライド
可能な蓋２２および板２３が連動して動き、上段の室２
の底部の開孔部２５から結晶融液６が基板支持具２１の
中に流入する。
で昇温させた後、連動用の棒２４をさらにＡの方向にス
ライドさせる。これにより、基板支持具２１、スライド
可能な蓋２２および板２３が連動して動き、上段の室２
の底部の開孔部２５から結晶融液６が基板支持具２１の
中に流入する。
連動用の棒２４を所定の位置まで移動させると、基板支
持具２１の上面がふさがれ、基板支持具２１内が密閉状
態となる。この状態で徐冷することにより、エピタキシ
ャル成長が行われる。エビタキシャル成長終了後は、矢
印Ｂの方向に連動用の棒ライド可能な板２３がスライド
することによって、基板支持具２１の底があき、結晶融
液６が下段の室３の引きだし容器５にすべて収容される
。
持具２１の上面がふさがれ、基板支持具２１内が密閉状
態となる。この状態で徐冷することにより、エピタキシ
ャル成長が行われる。エビタキシャル成長終了後は、矢
印Ｂの方向に連動用の棒ライド可能な板２３がスライド
することによって、基板支持具２１の底があき、結晶融
液６が下段の室３の引きだし容器５にすべて収容される
。
以上説明したように、この発明による液相エピタキシャ
ル成長装置では、エピタキシャル成長前に基板周囲のガ
ス置換が充分に行なわれるため、ガス置換が不充分であ
ることに起因して生ずる異常なエピタキシャル成長が防
止できる。
ル成長装置では、エピタキシャル成長前に基板周囲のガ
ス置換が充分に行なわれるため、ガス置換が不充分であ
ることに起因して生ずる異常なエピタキシャル成長が防
止できる。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例を示す平面図、同図
（ｂ）はそのｂ−ｂ断面図、第２図（ａ）は従来の液相
エピタキシャル成長装置を示す平面図、第２図中）はそ
のｂ−ｂ断面図である。 ２・・・・上段の室、３・・Φ・下段の呈、４拳拳−一
中段の室、６参争・・結晶融液、１２・・・・エピタキ
シャル成長させるべき基板、２２・・φ・スライド可能
な蓋、２３・・・−スライド可能な底板、２４・・・・
蓋２２と底板２３とを連動させる棒、２５・・・・開孔
部、２６・・・φ隔壁。
（ｂ）はそのｂ−ｂ断面図、第２図（ａ）は従来の液相
エピタキシャル成長装置を示す平面図、第２図中）はそ
のｂ−ｂ断面図である。 ２・・・・上段の室、３・・Φ・下段の呈、４拳拳−一
中段の室、６参争・・結晶融液、１２・・・・エピタキ
シャル成長させるべき基板、２２・・φ・スライド可能
な蓋、２３・・・−スライド可能な底板、２４・・・・
蓋２２と底板２３とを連動させる棒、２５・・・・開孔
部、２６・・・φ隔壁。
Claims (1)
- スライド可能な蓋を有し、エピタキシャル成長に必要な
結晶融液を貯溜すべき室で底の一部に開孔部を有する上
段の室、上記結晶融液を用いてエピタキシャル成長させ
るべき基板を収容し、室の底がスライド可能な板から成
る中段の室、上記エピタキシャル成長に用いた結晶融液
を流入させるべき容器を収容できる下段の室および上記
スライド可能な上段の室の蓋とスライド可能な中段の室
の底板とを連動させる手段を備え、中段の室は、底板を
上段の室の下から引出した状態で上段の室の底の開孔部
をふさぐ隔壁を備えていることを特徴とする液相エピタ
キシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP226387A JPS63169724A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP226387A JPS63169724A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169724A true JPS63169724A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11524480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP226387A Pending JPS63169724A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63169724A (ja) |
-
1987
- 1987-01-08 JP JP226387A patent/JPS63169724A/ja active Pending
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