JPH032295B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH032295B2 JPH032295B2 JP17543884A JP17543884A JPH032295B2 JP H032295 B2 JPH032295 B2 JP H032295B2 JP 17543884 A JP17543884 A JP 17543884A JP 17543884 A JP17543884 A JP 17543884A JP H032295 B2 JPH032295 B2 JP H032295B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- carrier
- selenium
- carrier generation
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明は、高濃度のテルルを含むセレン合金よ
りなるキヤリア発生層を有する電子写真用高感度
感光体に関する。
りなるキヤリア発生層を有する電子写真用高感度
感光体に関する。
普通紙複写機あるいはHe−Neレーザ、半導体
レーザ、発光ダイオード等を光源とした光プリン
タなどに用いられる長波長光領域の高感度感光体
として、米国特許第3655377号明細書あるいは特
開昭55−77744号公報などの公知の３〜４層構造
の感光層を有する機能分離型感光体がある。この
感光体は、純セレンまたは低濃度セレン・テルル
合金よりなるキヤリア輸送層の上に、場合によつ
てはAsを添加した高濃度セレン・テルル合金層
をキヤリア発生層として設け、その上に表面保護
層として場合によつてはAs，TeあるいはGeを添
加したセレン層を順次積層したものである。この
様な構造をとることによつて、高感度化のために
キヤリア発生層中のTe濃度を高くしても表面層
によつて表面電荷をブロツクするため帯電特性や
暗減衰特性を損なわずに高感度感光体を得ること
ができる。 しかし、例えば800nmの波長の半導体レーザ光
に対する感度を有するためにはキヤリア発生層の
表面側においてはTe含有量が35重量％以上の高
濃度でなければならず、低テルル濃度のキヤリア
輸送層との間にバンドギヤツプ差を生じ、正孔の
注入が阻止され、残留電位が増大するという問題
がある。
レーザ、発光ダイオード等を光源とした光プリン
タなどに用いられる長波長光領域の高感度感光体
として、米国特許第3655377号明細書あるいは特
開昭55−77744号公報などの公知の３〜４層構造
の感光層を有する機能分離型感光体がある。この
感光体は、純セレンまたは低濃度セレン・テルル
合金よりなるキヤリア輸送層の上に、場合によつ
てはAsを添加した高濃度セレン・テルル合金層
をキヤリア発生層として設け、その上に表面保護
層として場合によつてはAs，TeあるいはGeを添
加したセレン層を順次積層したものである。この
様な構造をとることによつて、高感度化のために
キヤリア発生層中のTe濃度を高くしても表面層
によつて表面電荷をブロツクするため帯電特性や
暗減衰特性を損なわずに高感度感光体を得ること
ができる。 しかし、例えば800nmの波長の半導体レーザ光
に対する感度を有するためにはキヤリア発生層の
表面側においてはTe含有量が35重量％以上の高
濃度でなければならず、低テルル濃度のキヤリア
輸送層との間にバンドギヤツプ差を生じ、正孔の
注入が阻止され、残留電位が増大するという問題
がある。
本発明は、長波長光領域に対する感度を持つた
めに高濃度のTeを含有するキヤリア発生層と純
セレンからなる低濃度のTeを含有するキヤリア
輸送層との間のバンドギヤツプ差に基づく残留電
位の増大が防止された電子写真用高感度感光体を
提供することを目的とする。
めに高濃度のTeを含有するキヤリア発生層と純
セレンからなる低濃度のTeを含有するキヤリア
輸送層との間のバンドギヤツプ差に基づく残留電
位の増大が防止された電子写真用高感度感光体を
提供することを目的とする。
本発明によれば、キヤリア輸送層と表面層の間
に設けられるキヤリア発生層が、表面層に接する
側の40〜60重量％のTeを含むセレン・テルル合
金よりなるキヤリア発生層と、キヤリア輸送層に
接する側での０〜10重量％からキヤリア発生部に
接する側での25〜35重量％までTe濃度が連続的
に変化するセレン・テルル合金よりなる正孔注入
部とが積層されてなることによつて上記の目的を
達成される。 正孔注入部は、上記のバンドギヤツプ差を低減
し、正孔の注入性を向上する目的で設けるもの
で、、理想的にはキヤリア輸送層側ではキヤリア
輸送層と同じバンドギヤツプ差を有し、キヤリア
発生部側ではそのバンドギヤツプと等しくなる
Te濃度分布を有するものが正孔注入部では最適
である。しかし一方ではこの正孔注入部からの熱
励起キヤリアも実用上無視できず、熱励起キヤリ
アに基づく高温での現像部電位の低下を防ぐため
に正孔注入部のTe最高濃度を抑える必要があり、
キヤリア発生部側においてキヤリア発生部より５
％以上の濃度差を設けている。
に設けられるキヤリア発生層が、表面層に接する
側の40〜60重量％のTeを含むセレン・テルル合
金よりなるキヤリア発生層と、キヤリア輸送層に
接する側での０〜10重量％からキヤリア発生部に
接する側での25〜35重量％までTe濃度が連続的
に変化するセレン・テルル合金よりなる正孔注入
部とが積層されてなることによつて上記の目的を
達成される。 正孔注入部は、上記のバンドギヤツプ差を低減
し、正孔の注入性を向上する目的で設けるもの
で、、理想的にはキヤリア輸送層側ではキヤリア
輸送層と同じバンドギヤツプ差を有し、キヤリア
発生部側ではそのバンドギヤツプと等しくなる
Te濃度分布を有するものが正孔注入部では最適
である。しかし一方ではこの正孔注入部からの熱
励起キヤリアも実用上無視できず、熱励起キヤリ
アに基づく高温での現像部電位の低下を防ぐため
に正孔注入部のTe最高濃度を抑える必要があり、
キヤリア発生部側においてキヤリア発生部より５
％以上の濃度差を設けている。
第１図は本発明に基づく感光体の構造を示し、
導電性基体１の上にキヤリア輸送層２、正孔注入
部３およびキヤリア発生部４からなるキヤリア発
生層５ならびに表面層６が積層されている。一実
施例として、基体１に直径120mm、長さ260mmのア
ルミニウム管を用い、この基体を60℃に保つて純
セレンを52μmの厚さに蒸着してキヤリア輸送層
２とした。この層２の上に、蒸発源を400℃に保
ち、20〜50メツシユのセレンとTe濃度Ａ重量％
のセレン・テルル合金の粉末を、それらの混合比
を時間と共に変えて、第２図に示す正孔注入層部
分３のTe濃度分布を得るように蒸発源に供給し
てフラツシユ蒸着を行つた。層部分３の厚さは
0.5μmである。ひきつづきTeB重量％を含むセレ
ン・テルル合金を0.1〜0.3μmの厚さにフラツシユ
蒸着してキヤリア発生層部分４を形成した。最後
にTe重量％のセレン・テルル合金をフラツシユ
蒸着を行い、2μmの厚さの表面層６を得た。 Ａ，Ｂの値を変化させ、第１表に示すそれぞれ
５本ずつの８種の試料の感光体を作製した。
導電性基体１の上にキヤリア輸送層２、正孔注入
部３およびキヤリア発生部４からなるキヤリア発
生層５ならびに表面層６が積層されている。一実
施例として、基体１に直径120mm、長さ260mmのア
ルミニウム管を用い、この基体を60℃に保つて純
セレンを52μmの厚さに蒸着してキヤリア輸送層
２とした。この層２の上に、蒸発源を400℃に保
ち、20〜50メツシユのセレンとTe濃度Ａ重量％
のセレン・テルル合金の粉末を、それらの混合比
を時間と共に変えて、第２図に示す正孔注入層部
分３のTe濃度分布を得るように蒸発源に供給し
てフラツシユ蒸着を行つた。層部分３の厚さは
0.5μmである。ひきつづきTeB重量％を含むセレ
ン・テルル合金を0.1〜0.3μmの厚さにフラツシユ
蒸着してキヤリア発生層部分４を形成した。最後
にTe重量％のセレン・テルル合金をフラツシユ
蒸着を行い、2μmの厚さの表面層６を得た。 Ａ，Ｂの値を変化させ、第１表に示すそれぞれ
５本ずつの８種の試料の感光体を作製した。
【表】
これらの感光体の残留電位を調べたところ、試
料１は350V、試料２は140V、試料３は80Vであ
り、これに対して試料４ないし７ではすべて65V
以下の良好な結果を示した。 次に、第３図に示すように試料グループ４ない
し７の感光体３１を矢印３２の方向に回転し、帯
電器３３より90゜の角度の位置にある表面電位測
定プローブ３４によつて測定した暗部電位Ｖの温
度上昇による低下率（40℃の値の20℃の値に対す
る比）を、感光体流れ込み1fを一定にして測定し
た。その結果、温度上昇による低下率はまず感光
体の波長780nmの単色光による初期800Vからの
半減衰露光量に強く依存することが判つた。第４
図は各試料別の暗部電位低下率の半減衰露光量依
存性を示す。線４１，４２，４３，４４がそれぞ
れ試料４，５，６，７の各グループにおいて得ら
れた値である。このようにＡの値を低くすること
によつて暗部電位の温度係数が改善されることが
判つた。 これにより、Ａの値は25〜35重量％に限定する
ことが有効である。
料１は350V、試料２は140V、試料３は80Vであ
り、これに対して試料４ないし７ではすべて65V
以下の良好な結果を示した。 次に、第３図に示すように試料グループ４ない
し７の感光体３１を矢印３２の方向に回転し、帯
電器３３より90゜の角度の位置にある表面電位測
定プローブ３４によつて測定した暗部電位Ｖの温
度上昇による低下率（40℃の値の20℃の値に対す
る比）を、感光体流れ込み1fを一定にして測定し
た。その結果、温度上昇による低下率はまず感光
体の波長780nmの単色光による初期800Vからの
半減衰露光量に強く依存することが判つた。第４
図は各試料別の暗部電位低下率の半減衰露光量依
存性を示す。線４１，４２，４３，４４がそれぞ
れ試料４，５，６，７の各グループにおいて得ら
れた値である。このようにＡの値を低くすること
によつて暗部電位の温度係数が改善されることが
判つた。 これにより、Ａの値は25〜35重量％に限定する
ことが有効である。
本発明は、高Te濃度のセレン・テルル合金よ
りなるキヤリア発生層とキヤリア伝導層の間のバ
ンドギヤツプ差による残留電位の増大を防止する
ためセレン発生層のキヤリア伝導層側にTe濃度
が連続的に変化する正孔注入部を設けると供に、
そのTe最高濃度に温度上昇時の暗部電位の低下
が少なくなる上限値を設定することにより、長波
長光露光に応できる高感度感光体が低残留電位、
低暗部電位温度係数で得られるので、その効果は
極めて大きい。
りなるキヤリア発生層とキヤリア伝導層の間のバ
ンドギヤツプ差による残留電位の増大を防止する
ためセレン発生層のキヤリア伝導層側にTe濃度
が連続的に変化する正孔注入部を設けると供に、
そのTe最高濃度に温度上昇時の暗部電位の低下
が少なくなる上限値を設定することにより、長波
長光露光に応できる高感度感光体が低残留電位、
低暗部電位温度係数で得られるので、その効果は
極めて大きい。
第１図は本発明による感光体の層構造断面図、
第２図はそのキヤリア発生層の膜厚方向における
濃度分布線図、第３図は本発明の効果を知るため
の感光体特性試験装置の配置図、第４図は第３図
の装置によつて得られた感光体の同一流れ込み電
流における暗部電位温度低下率と半減衰露光量と
の関係線図である。 １……導電性基体、２……キヤリア輸送層、３
……正孔注入部、４……キヤリア発生部、５……
キヤリア発生層、６……表面層。
第２図はそのキヤリア発生層の膜厚方向における
濃度分布線図、第３図は本発明の効果を知るため
の感光体特性試験装置の配置図、第４図は第３図
の装置によつて得られた感光体の同一流れ込み電
流における暗部電位温度低下率と半減衰露光量と
の関係線図である。 １……導電性基体、２……キヤリア輸送層、３
……正孔注入部、４……キヤリア発生部、５……
キヤリア発生層、６……表面層。
Claims (1)
- １ 導電性基体上に積層されたキヤリア輸送層、
キヤリア発生層、表面層を有するものにおいて、
キヤリア発生層が表面層に接する側の40〜60重量
％のテルルを含むセレン・テルル合金よりなるキ
ヤリア発生部と、キヤリア輸送層に接する側での
０〜10重量％からキヤリア発生部に接する側での
25〜35重量％までテルル濃度が連続的に変化する
セレン・テルル合金よりなる正孔注入部とが積層
されてなることを特徴とする電子写真用高感度感
光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17543884A JPS6152648A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電子写真用高感度感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17543884A JPS6152648A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電子写真用高感度感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6152648A JPS6152648A (ja) | 1986-03-15 |
| JPH032295B2 true JPH032295B2 (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=15996091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17543884A Granted JPS6152648A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電子写真用高感度感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6152648A (ja) |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP17543884A patent/JPS6152648A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6152648A (ja) | 1986-03-15 |
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