JPH03230514A - 荷電粒子ビーム露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔ｍ要］ 電子ビーム露光装置および露光方法に関し、ビーＪ、の
偏向座標値とマスク座標系とのキャリブレイションを高
精度に行い、露光性能を高めることのできる電工ビーム
露光装置および露光方法を提供することを目的とし、 装置は、電子銃から放出された荷電粒子ビームの断面形
状を成形する２個以上の複数個の開口パターンからなる
パターン群を持つマスク板と、該マスク板を挟んで配置
され、マスク板を１ｌｌｌ過する荷電粒子ビームをほぼ
並行ビームに保つレンズ系と、前記パターン群の内の所
望の開口をビームを通すように、該マスク板のビーム入
射側で、レンズ系で決まる光軸からビームを偏向させ、
該パターン群の内の所望の開口にビームを照射するとと
もに、マスク板のビーム出射側で、マスク出射後ビーム
を再度光軸に戻すブロック偏向手段と、前記マスク板の
所望の開口パターンを通過した荷電粒子ビームの断面を
縮小する縮小レンズと、試料近傍に配置され、断面が縮
小された荷電粒子ビームを偏向し、試料上の所定位置に
投影照射してマスク板の所望の開口パターンを露光させ
る照射偏向手段と、荷電粒子ビームが試料に照射された
ときの電流を測定する電流測定手段と、を備え、前記マ
スク板は、大きさと配置位置が予め分かったキャリブレ
イション用のマークパターンを有し、前記電流測定手段
により試料側で荷電粒子ビームの照射に伴う電流値を測
定することにより、ビーム通過状況を認識可能な、少な
くとも２通り以上の条件でＲ？ｆ記キャリブレイション
用のマークパターンにビームを通し、各条件に対するブ
ロック偏向手段の偏向条件と予め分かっているキャリブ
レイション用のマークパターンの大きさと配置位置から
マスク板上のビーム位置と大きさを決定するように構成
する。

また、方法は、電子銃から放出された荷電粒子ビームの
断面形状を２個以上の複数個の開口パターンからなるパ
ターン群を持つマスク板により成形し、該マスク板を通
過する荷電粒子ビームをほぼ並行ビームに保ち、前記マ
スク板のビーム入射側で、レンズ系で決まる光軸からビ
ームを偏向させて該パターン群の内の所望の開口にビー
ムを照射するとともに、マスク板のビーム出射側で、マ
スク出射後ビームを再度光軸に戻し、前記マスク板の所
望の開口パターンを通過した荷電粒子ビムの断面を縮小
し、断面が縮小された荷電粒子ビームを偏向し、試料上
の所定位置に投影照射してマスク板の所望の開ロバクー
ンを試料に露光させるとともに、試料側で荷電粒子ビー
ムの照射に伴う電流値を測定することにより、前記マス
ク板に形成された大きさと配置位置が予め分かったキャ
リブレイション用のマークパターンにおける荷電粒子ビ
ームの通過状況を認識可能な、少なくとも２ｉ１１り以
上の条件で前記キャリブレイション用のマークパターン
にビームを通し、各条件に対する前記マスク板の偏向条
件と予め分かっているキャリブレイション用のマークパ
ターンの大ぎさと配置位置からマスク板上のビーム位置
と大きさを決定するように構成する。

〔産業上の利用分野］ 本発明は、電子ビーム露光装置および露光方法に係り、
詳しくは、電子線により微細パターンを形成する装置お
よびその方法に関する。

近年、集積回路の高密度化に伴い、長年微細パターン形
成方法の主流であったフォトリソグラフィに代わり、電
子線を用いる新しい露光方法が検討され、実際に使用さ
れるようになっている。

〔従来の技術〕

従来の電子ビーム露光装置は、可変矩形ビームを用いて
、試料ウェハ上で電子ビームを偏向走査し、パターンを
描いていく描画装置であった。

このような装置は、ソフトであるパターンデータから、
パターンというハードを作るつくるバタンジェネレート
機能を持った装置であるが、矩形のショットを繋げてパ
ターンを描画するため、パターンサイズが小さくなるほ
と、一般に単位面積当たりの露光シシソト数が増加し、
スループットが低下するという問題点がある。

そこで、この問題に対処し、超微細パターンの露光にお
いても現実的なスループットを得るためにブロック露光
方法が提案されている。

すなわち、超微細パターンが必要となる半導体装置は、
例えば６４ＭＤＲＡＭのように、微細ではあるが露光す
る殆どの面積はある基本パターンの繰り返しであるもの
が多い。もし繰り返しパターンの単位となる基本パター
ンを、それ自身の複雑さには関係なく１ショノ１−で発
生できれば、このようなパターンを微細さにはよらず一
定のスループットで露光すことが可能となる。

そこで、以上のような基本パターンを透過マスク上に持
ち、これを電子ビームで照射することにより、１シヨツ
トで基本パターンを発生し、それを繋げて繰り返しパタ
ーンを露光する方法がブロック露光方法である。

このような露光方法の一例は、ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳ、
　０ＮＥＬＥＣＴＲＯＮ　ＤＥＶＩＣＩＥ　ｖｏｌ、Ｅ
Ｄ　−２６（１９７９）　６６３に報告されており、第
６図に示すような構成をしている。

同図において、電子銃１から放出された電子ビーム２は
第１矩形成形アパーチヤ３を通りレンズ４で絞られた後
、クロスオーバの像点に置かれたパターン選択用デフレ
クタ５によって偏向され、ステンシルマスク６上の任意
のパターン部分に照射される。ステンシルマスク６には
可変矩形アパーチャ６Ａ、二周整用マークパターン６Ｂ
、繰り返し用基本パターン６Ｃが形成され、ステンシル
マスク６に近接してレンズ７が配置されている。したが
って、電子ビーム２はステンシルマスク６によって断面
がパターン化された後、レンズ７の収束作用により光軸
に戻されるとともに、振り戻し用デフレクタ８を通り縮
小レンズ９で断面が縮小され、投影レンズ１０、偏向系
１１を通過してウェハ１２上に露光される。これにより
、例えばメモリセルの場合であれば、数セル分が１シヨ
ツトで露光される。

しかし、この方式では、光軸から偏向された電子２はレ
ンズ７の収縮作用だけで光軸に戻されるため、どのパタ
ーンを選択するかにより、電子２は磁界レンズ７内の違
った軌道を通って来る。また、ステンシルマスク６上に
できるだけ多くのパターンを配置するためには、電子軌
道が光学軸からなるべく離れた部分を通るようにする必
要があるが、このようにすると、転写像に現れるレンズ
収差の影響が大きくなる恐れがある。

そこで、この問題を解決する電子光学系を有する装置を
本発明の出願人は先に提案している。この装置の構成は
後述の実施例と同様であるため、省略する。この装置で
は、ステンシルマスクを挟んで上下に２つのレンズを設
けるとともに、ステンシルマスクの上下で開口パターン
選択用偏向器により電子ビームを振り、振り戻すことに
より、上下レンズの中心を通すようにしてマスクパター
ンを選択している。

〔発明が解決しようとする課題］ ところで、上記の先願にかかるブロックパターン転写型
電子ビーム露光装置にあっては、第一矩形成形アパーチ
ャの像がステンシルマスク上に結像されるように電子光
学系を設定し、入射側マスク偏向器により、この像位置
をステンシルマスク上で変化させ、所望のブロックパタ
ーン位置を選択してビームを通したり、同一のブロック
パターン上でビームの通し方を変え、ウェハにおけるビ
ーム断面の形状を変えたり、大きさを変えたりする構成
であるため、入射側マスク偏向器への入力データとステ
ンシルマスク上のアパーチャの像位置（ビーム１ｆｆｌ
過位置）の関係を高精度でキャリフレイジョンするとと
もに、ステンシルマスク上におけるアパーチャの像の大
きさを求める必要があるが、実際上はこれが難しく、結
局、露光性能を向上できないという問題点があった。

例えば、ウェハ上でショットサイズを０．０１μｍ精度
で指定し、マスクからウェハまでの縮小率が１／１００
の場合、マスク上でのアパーチャの像位置（ビーム通過
位置）を１μｍ精度で設定する必要がある。このキャリ
ブレイションのため、マスク上にはキャリブレイション
用マークパターンを形成する。なお、キャリブレイショ
ン用マークパターンは縮小率を老えて、通常３００μｍ
口程度の矩形パターンであり、このマークパターンの大
きさはマスクパターンを形成する時点で正確に決まる。

一方、ステンシルマスクマスク上におけるアパーチャの
像の大きさは３００μｍ口程度で矩形、この大きさはレ
ンズ条件によって変わり、正確に指定することはできな
い。ずなわら、第７図に示すように大きさしく〜３００
μｍ）と配置位置（Ｘ、、ｙｏ）が予め分かったキャリ
ブレイション用マークパターン（矩形孔）２１に断面サ
イズが確定していないビームを通すことにより、ビーム
位置とサイズを１μｍ以内の精度で決める必要がある。

例えば、ステンシルマスクマスク上におけるアパーチャ
の像２２はビームの左下の代表点Ｂの位置とビームサイ
ズｘ、ｙで表され、偏向器のキャリブレイションは最終
的にこの座標系で行われる。そして、ビームキャリブレ
イションでは、通常、キャリブレイション用マークパタ
ーン部ヲＨ大ヒＬが′ａ過する条件を求め調整する。

しかし、このような方法では、キャリブレイション用マ
ークパターンの大きさとステンシルマスク上のビームサ
イズが正確に等しくな、い限り、十分な精度でビーム通
過条件を設定できず、露光性能が低下するという不具合
がある。

すなわち、第８図はビーム２３のサイズがキャリブレイ
ション用マークパターン２１のサイズより大きい例であ
り、同図（ａ）と（ｂ）ではビーム位置が異なるものの
、通過ビーム量はほぼ同じで、両者の区別をつけること
はできないため、十分な精度でビーム通過条件を設定で
きない。また、第９図はビーム２３のサイズがキャリブ
レイション用マークパターン２１のサイズより小さい例
であり、この場合も同図（ａ）と（ｂ）ではビーム位置
が異なるものの、通過ビーム量はほぼ同じで、両者の区
別がつけられないため、同しく十分な精度でビーム通過
条件を設定できない。

そこで本発明は、ビームの偏向座標値とマスク座標系と
のキャリブレイションを高精度に行い、露光性能を高め
ることのできる電子ビーム露光装置および露光方法を提
供することを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明による電子ビーム露光装置および露光方法は上記
目的達成のため、装置は、電子銃から放出された荷電粒
子ビームの断面形状を成形する２個以上の複数個の開口
パターンからなるパターン群を持つマスク板と、該マス
ク板を挟んで配置され、マスク板を通過する荷電粒子ビ
ームをほぼ並行ビームに保つレンズ系と、前記パターン
群の内の所望の開口をビームを通すように、該マスク板
のビーム入射側で、レンズ系で決まる光軸からビームを
偏向させ、該パターン群の内の所望の開口にビームを照
射するとともに、マスク板のビーム出射側で、マスク出
射後ビームを再度光軸に戻すブロック偏向手段と、前記
マスク板の所望の開口パターンを通過したＧＩ電粒子ビ
ームの断面を縮小する縮小レンズと、試料近傍に配置さ
れ、断面が縮小された荷電粒子−ビームを偏向し、試料
上の所定位置に投影照射してマスク板の所望の開口バタ
ンを露光させる照射偏向手段と、荷電粒子ビームが試料
に照射されたときの電流を測定する電流測定手段と、を
備え、前記マスク仮は、大きさと配置位置が予め分かっ
たキャリブレイション用のマークパターンを有し、＋ｊ
ｉｊ記電？！ｌε測定丁段により試料側で荷電粒子ビー
ムの！（（（射に伴う電流値を測定することにより、ビ
ーム通過状況を認、識可能な、少なくとも２通り以上の
条件で前記キャリブレイション用のマークパターンにビ
ームを通し、各条件に対するブロック偏向手段の偏向条
件と予め分かっているキャリブレイション用のマークパ
ターンの大きさと配置位置からマスク板上のビーム位置
と大きさを決定するように構成している。

また、方法は、電子銃から放出された荷電粒子ビームの
断面形状を２個以上の複数個の開口パターンからなるパ
ターン群を持つマスク仮により成形し、該マスク仮を通
過する荷電粒子ビームをほぼ並行ビームに保ち、前記マ
スク板のビーム入射側で、レンズ系で決まる光軸からビ
ームを偏向させて該パターン群の内の所望の開口にビー
ムを照射するとともに、マスク板のビーム出射側で、マ
スク出射後ビームを再度光軸に戻し、前記マスク板の所
望の開口パターンを通過した荷電粒子ビームの断面を縮
小し、断面が縮小された荷電粒子ビームを偏向し、試料
上の所定位置に投影照射してマスク板の所望の開口パタ
ーンを試料に露光させるとともに、試料側で荷電粒子ビ
ームの照射に伴う電流値を測定することにより、前記マ
スク板に形成された大きさと配置位置が予め分かったキ
ャリブレイション用のマークパターンにおける荷電粒子
ビームの通過状況を認識可能な、少なくとも２通り以上
の条件で前記キャリブレイション用のマークパターンに
ビームを通し、各条件に対する前記マスク仮の偏向条件
と予め分かっているキャリブレイション用のマークパタ
ーンの大きさと配置位置からマスク板上のビーム位置と
大きさを決定するように構成している。

〔作用〕

本発明では、試料側で荷電粒子ビームの照射に伴う電流
値が測定され、これにより、マスク板に形成された大き
さと配置位置が予め分かったキャリブレイション用のマ
ークパターンにおける荷電粒子ビームの通過状況を認識
可能な、少なくとも２通り以上の条件でキャリブレイシ
ョン用のマークパターンにビームが通され、各条件に対
するマスク板の偏向条件と多め分かっているキャリブレ
イション用のマークパターンの大きさと配置位置からマ
スク板上のど−人位置と大きさが決定される。

したがって、マスク座標系は予め分かっているため、ビ
ームの偏向座標値をマスク座標系で高精度にキャリブレ
イションできる。

〔実施例〕

以下、本発明を図面に基づいて説明する。

第１〜５図は本発明に係る電子ビーム露光装置および露
光方法の一実施例を示す図である。第１図は本装置の構
成図である。この図において、３１は電子銃、３２はア
ノード、３３はアパーチャ、３４は第ルンズ、３５は偏
向器、３６は第２レンズ、３７は第３レンズ、３８Ａ　
、３８Ｂは入射マスクデフレクタ、３８Ｃ，３８Ｄは出
射マスクデフレクタ、３９はステンシルマスク、４０は
各デフレクタに偏向条件を与えるデフレクタ駆動回路、
４１はブランキング電極、４２は縮小レンズ、４３は絞
りアパーチャ、４４は第１投影レンズ、４５は第２投影
レンズ、４６は偏向器（照射偏向手段に相当）、４７は
ウェハ、４８は電子ビーム、４９はウェハ４７の電流値
を測定する電流測定器（電流測定手段に相当）である。

第２レンズ３６および第３レンズ３７（レンズ系に相当
）の間では電子ビーム４８はほぼ並行ビームになってお
り、開口パターンを選択する入射マスクデフレクタ３８
八、３８Ｂおよび出射マスクデフレクタ３８Ｃ，３８Ｄ
によりステンシルマスク３９の」二下で電子ビーム４８
を振り、振り戻すことにより、レンズ３６．３７のレン
ズ中心を浦ず条件でステンシルマスク３９上のマスクパ
ターンを選１尺する。

ステンシルマスク　（マスク板にｔｅ当）３９は第２図
に示すような構造をしており、マスクＷ板に二９１Ｓｉ
等の半導体や金属板などが用いられる。第２図（ａ）は
ステンシルマスク３９の平面図、第２図（ｂ）はステン
シルマスク３９の断面図である。ステンシルマスク３９
のパターン形成部分は断面図乙こ示ずように薄１１９化
されており、これＯこエツチング技術を用いて抜きパタ
ーンを形成する。ステンシルマスク３９には電子ビーム
照射可能領域３ｇ＋′１およびパターン形成可１１社領
域３９Ｂがあり、領域３９Ｂに非繰り返しパターン用開
口部３９Ｃやパターン３９Ｄが形成されている。

また、ステンシルマスク３９上にはマスクデフレクタ３
８Ａ〜３８Ｄにより選択可能なパターンの集まりである
パターン群（パターンの組）が複数個（複数組）用意さ
れており、個々のパターンの組はマスクを支持するＸ、
Ｙステージにより電子光学軸近傍に移動させることがで
きる。さらに、ステンシルマスク３９上には後述のキャ
リブレイション用のマークパターン６１が形成されてい
る。なお、マスク３９をこのステージにロードするため
に、コラム本体とはゲートバルブで切り離すことができ
るマスクロード用サブチェンバが設けられている。

マスクデフレクタ３３Ａ〜３８Ｄはブロック偏向手段５
１を構成し、ブロック偏向手段５１はデフレクタ駆動回
路４０の出力に基づいてパターン群の内の所望の開口を
ビームを通すように、ステンシルマスク３９のビーム入
射側で、レンズ系３６．３７で決まる光軸からビームを
偏向させ、該パターン群の内の所望の開口にビームを照
射するとともに、ステンシルマスク３９のビーム出射側
で、マスク出射後ビームを再度光軸に戻す。そして、本
実施例ではウェハ４７側でビーム電流値を電流測定器４
９により測定するごとにより、マスクデフレクタ３３Ａ
〜３８Ｄの偏向座標値をマスク座標系でキャリブレイシ
ョンする構成となっている。

以上の構成において、本実施例では試料（ウェハ）４７
側で電子ビーム４８の照射に伴う電流値が電流測定器４
９により測定され、これにより、ステンシルマスク３９
に形成された大きさと配置位置が予め分かったキャリブ
レイション用のマークパターンにおける電子ビーム４８
の通過状況を認識可能な、少なくとも２通り以上の条件
でキャリブレイション用のマークパターンにビームが通
され、各条件に対するステンシルマスク３９の偏向条件
と予め分かっているキャリブレイション用のマークパタ
ーンの大きさと配置位置からステンシルマスク３９上の
ビーム位置と大きさが決定される。

これを具体的に説明すると、次のようになる。

第３図に示す６１はステンシルマスク３９上に形成され
たキャリブレイション用のマークパターンであり、その
大きさＬｌ、Ｌ　２　（〜３００　ｔ−ｔｍ　）とマス
ク座標系における配置位置（ｘｏ　、　ＹＯ）はマスク
作成時に予め分かっている。ただし、Ｌ１≠■。

２でもよい。このマークパターン６１に電子ビーム４８
を通し、マスク座標系におけるビーム原点の位置とビー
ムの大きさｘ、ｙを求めなければならない。

土」りＬズセ７ヨ＞３７１ そこで、まずウェハ４７側でビーム電流値を観察し、ビ
ームが第３図の位置に示すビームパターン６２．６３に
照射されるような条件でマークパターン６１を通過する
状況を設定する。これは、電子ビーム４８をそれぞれ少
し＋Ｘ側、＋Ｙ側にずらしたとき、電流値が零になる条
件を求めればよい。このときのブロック偏向手段５１の
偏向座標（ブロック偏向手段５１がビーム偏向さゼる座
標）をそれぞれ（ＸＩ　、Ｙｌ　”）、（Ｘｚ　、Ｙｚ
　）とした場合、マークパターン６１の隅Ｐ点に対応す
るプロ・ツク偏向手段５１の偏向座標は（ＸＩ　、ｙｚ
　）と決めることができる。したがって、マスク座標系
におけるＰ点の座標は予め分かっているため、両者の関
係を用いればブロック偏向手段５１の偏向座標値をマス
ク座標系でキャリブレイションできることになる。

ま」くしＬヤ」づ乙エフ１１− また、ウェハ４７側でビーム電流値を観察し、ビームが
第４図の位置に示すビームパターン６４．６５に照射さ
れるような条件でマークパターン６１を通過する状況を
設定する。ごれは、電子ビーム４８をそれぞれ少し＋Ｘ
側、−Ｙ側にずらしたとき、電流値が零になる条件を求
めればよい。このときのブロック偏向手段５１の偏向座
標をそれぞれ（Ｘ３、Ｙ３）、（ｘ、　、ｙ、）とした
場合、偏向量の差Ｘ３　　Ｙ４に等しくなるのが、マー
クパターン６１の大きさＬｌ’こビームのＸ方向のサイ
ズＸを加えた鼠となる。　：１−ヤリフ゛レイジョンＩ
でフ゛ロック偏向手段５１の偏向座標とマスク座標系の
対応は取れており、またマークパターン６１の大きさＬ
ｌ又はＬ２は予め分かっているため、これよりビームの
Ｘ方向のサイズＸを求めることができる。

夫？リフレインヨン■ さらに、ウェハ４７側でビーム電流値を観察し、ビーム
が第５図の位置に示すビームパターン６５．６６に照射
されるような条件でマークパターン６１を通過する状況
を設定する。これは、電子ビーム４８をそれぞれ少し＋
Ｙ側、−Ｙ側にずらしたとき、電流値が零になる条件を
求めればよい。このときのブロック偏向手段５１の偏向
座標をそれぞれ（Ｘｌ、Ｙｓ）、（Ｘ６、Ｙ６）とした
場合、偏向量の差ｘ５−ｙ６に等しくなるのが、マーク
パターン６１の大きさＬ　２にビームのＸ方向のサイズ
ｙを加えた鼠となる。　キャリブレイション■でブロッ
ク偏向手段５１の偏向座標とマスク座標系の対応は取れ
ており、またマークパターン６１０大きさＬｌ又はＬ２
は予め分かっているため、これよりビームのＸ方向のサ
イズｙを求めることができる。

このように、マスク座標系におけるＰ点の座標は予め分
かっているため、両者の関係を用いればブロック偏向手
段５１の偏向座標値をマスク座標系でキャリブレイショ
ンできることになる。したがって、ビームの偏向座標値
とマスク座標系とのキャリブレイションを高精度に行う
ごとができ、露光性能の向上を図ることができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、ビームの偏向座標値とマスク座標系と
のキャリブレイションを高精度に行うことができ、露光
性能の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１〜５図は本発明に係る電子ビーム露光装置および露
光方法の一実施例を示す図であり、第１図はその構成図
、 第２図はそのステンシルマスクの構造を示す図、第３図
はそのキャリブレイション■の方法を説明する図、 第４図はそのキャリブレイション■の方法を説明する図
、 第５図はそのキャリブレイション■の方法を説明する図
、 第６〜９図は従来の電子ビーム露光装置を示す図であり
、 第６図はその構成図、 第７図はそのキャリブレイションの方法を説明する図、 第８図はそのビームサイズがマークパターンサイズより
大きい場合を示す図、 第９図はそのビームサイズがマークパターンサイズより
小さい場合を示す図である。 ３１・・・・・・電子銃、 ３２・・・・・・アノード、 ３３・・・・・・アパーチャ、 ３４・・・・・・第ルンズ、 ３５・・・・・・偏向器、 ３６・・・・・・第２レンズ（レンズ系）、３７・・・
・・・第３レンズ（レンズ系）、３３Ａ　、３８Ｂ・・
・・・・　入射マスクデフレクタ、３８Ｃ１３８Ｄ・・
・・・・　出射マスクデフレクタ、３９・・・・・・ス
テンシルマスク（マスク板）、４０・・・・・・デフレ
クタ駆動回路、４１・・・・・・ブランキング電極、 ４２・・・・・・縮小レンズ、 ４３・・・・・・絞りアパーチャ、 ４４・・・・・・第１投影レンズ、 ４５・・・・・・第２投影レンズ、 ４６・・・・・・偏向器（照射偏向手段）、４７・・・
・・・ウェハ（試料）、 ４８・・・・・・電子ビーム、 ４９・・・・・・電流測定器（電流測定手段）、５１・
・・・・・ブロック偏向手段、 ６１・・・・・・キャリブレイション用のマークパター
ン、６２〜６６・・・・・・ビームパターン。 パターン パターン 一実施例のステンシルマスクの構造を示ス図第２図 Ｂ、（Ｘ、、Ｙ ） 一実施例のキャリブレイション■の方法を説明する図第
５図 Ｖノ１ 従来例の構成図 第６図 従来例のキャリブレイノヨンの方法を説明する間第７図 （ａ） （ｂ） 第 図 （ａ） （ｂン

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）電子銃から放出された荷電粒子ビームの断面形状
   を成形する２個以上の複数個の開口パターンからなるパ
   ターン群を持つマスク板と、該マスク板を挟んで配置さ
   れ、マスク板を通過する荷電粒子ビームをほぼ並行ビー
   ムに保つレンズ系と、 前記パターン群の内の所望の開口をビームを通すように
   、該マスク板のビーム入射側で、レンズ系で決まる光軸
   からビームを偏向させ、該パターン群の内の所望の開口
   にビームを照射するとともに、マスク板のビーム出射側
   で、マスク出射後ビームを再度光軸に戻すブロック偏向
   手段と、 前記マスク板の所望の開口パターンを通過した荷電粒子
   ビームの断面を縮小する縮小レンズと、 試料近傍に配置され、断面が縮小された荷電粒子ビーム
   を偏向し、試料上の所定位置に投影照射してマスク板の
   所望の開口パターンを露光させる照射偏向手段と、 荷電粒子ビームが試料に照射されたときの電流を測定す
   る電流測定手段と、を備え、 前記マスク板は、大きさと配置位置が予め分かったキャ
   リブレイション用のマークパターンを有し、 前記電流測定手段により試料側で荷電粒子ビームの照射
   に伴う電流値を測定することにより、ビーム通過状況を
   認識可能な、少なくとも２通り以上の条件で前記キャリ
   ブレイション用のマークパターンにビームを通し、各条
   件に対するブロック偏向手段の偏向条件と予め分かって
   いるキャリブレイション用のマークパターンの大きさと
   配置位置からマスク板上のビーム位置と大きさを決定す
   るように構成したことを特徴とする電子ビーム露光装置
   。
2. （２）電子銃から放出された荷電粒子ビームの断面形状
   を２個以上の複数個の開口パターンからなるパターン群
   を持つマスク板により成形し、該マスク板を通過する荷
   電粒子ビームをほぼ並行ビームに保ち、 前記マスク板のビーム入射側で、レンズ系で決まる光軸
   からビームを偏向させて該パターン群の内の所望の開口
   にビームを照射するとともに、マスク板のビーム出射側
   で、マスク出射後ビームを再度光軸に戻し、 前記マスク板の所望の開口パターンを通過した荷電粒子
   ビームの断面を縮小し、 断面が縮小された荷電粒子ビームを偏向し、試料上の所
   定位置に投影照射してマスク板の所望の開口パターンを
   試料に露光させるとともに、試料側で荷電粒子ビームの
   照射に伴う電流値を測定することにより、 前記マスク板に形成された大きさと配置位置が予め分か
   ったキャリブレイション用のマークパターンにおける荷
   電粒子ビームの通過状況を認識可能な、少なくとも２通
   り以上の条件で前記キャリブレイション用のマークパタ
   ーンにビームを通し、各条件に対する前記マスク板の偏
   向条件と予め分かっているキャリブレイション用のマー
   クパターンの大きさと配置位置からマスク板上のビーム
   位置と大きさを決定するようにしたことを特徴とする電
   子ビーム露光方法。