JPH0323263A - 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 - Google Patents
積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物Info
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- JPH0323263A JPH0323263A JP1156504A JP15650489A JPH0323263A JP H0323263 A JPH0323263 A JP H0323263A JP 1156504 A JP1156504 A JP 1156504A JP 15650489 A JP15650489 A JP 15650489A JP H0323263 A JPH0323263 A JP H0323263A
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- Japan
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- dielectric
- capacitance
- insulation resistance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率，絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良好
度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数が小さく、かつ密度の
より大きな誘電体磁器を得ることができる誘電体磁器組
成物に関するものである。
度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数が小さく、かつ密度の
より大きな誘電体磁器を得ることができる誘電体磁器組
成物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電率、絶縁抵抗が高く、良好度Ｑにすぐれ、
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記
のような系が知られている。
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記
のような系が知られている。
？ＢａＯ−ＴｉＯ２Ｎｄ２０ｓ系
− ＢａＯ − Ｔｉ０２ − Ｓｍ２０５系発明が解
決しようとする課題 しかし、これらの組成は，例えば０，０９１３ａＯ −
０，５５ Ｔｉ０２ ０，３６ Ｎｄ０３／２の組成
比からなる誘電体材科を使用し、円板形磁器コンデンサ
を作製すると、絶縁抵抗の平均値：８，ＯＸ１０Ω、絶
縁砿壊強度の￥均値： ａｏｋ▼／ｏ＋ｍであシ、満足
のできる値ではない。また、この誘電体磁器の密度は、
６６１／ｃｒｔｌであるが、一般に長さＬ３−２Ｘ幅Ｗ
１．６ｍｎ＋以下の漬層セラミックコンデンサのりフロ
ーはんだ付け、特にペーパーリフローはんだ付けでは、
チップ立ち（通常、ツームストーン現象，マンハッタン
現象と呼ばれている。）が発生しやすく、このチップ立
ちを防ぐため誘電体磁器の密度をよシ大きくしなければ
ならないという課題があった。
決しようとする課題 しかし、これらの組成は，例えば０，０９１３ａＯ −
０，５５ Ｔｉ０２ ０，３６ Ｎｄ０３／２の組成
比からなる誘電体材科を使用し、円板形磁器コンデンサ
を作製すると、絶縁抵抗の平均値：８，ＯＸ１０Ω、絶
縁砿壊強度の￥均値： ａｏｋ▼／ｏ＋ｍであシ、満足
のできる値ではない。また、この誘電体磁器の密度は、
６６１／ｃｒｔｌであるが、一般に長さＬ３−２Ｘ幅Ｗ
１．６ｍｎ＋以下の漬層セラミックコンデンサのりフロ
ーはんだ付け、特にペーパーリフローはんだ付けでは、
チップ立ち（通常、ツームストーン現象，マンハッタン
現象と呼ばれている。）が発生しやすく、このチップ立
ちを防ぐため誘電体磁器の密度をよシ大きくしなければ
ならないという課題があった。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式ＸＢＩ
ＬＯ ７（（ＴｉＯ２）（＋−ｉａ）（Ｓｎ０２）ｍ
）−ＺＲｅｊＯｓ■２と表した時（ただし、ｘ＋７＋ｚ
＝１．００，０−０１≦ｍ≦０．１０、Ｒ６はＬａ ，
Ｐｒ ， Ｎ（！ ， Ｓｖａから選ばれる一種以上
の希上煩元素。）、” ＋ ７ ，ｚが以下に表す各点
ｅ，ｂ，ｅ，ｄ，ｅ，ｆで囲まれるモル比の範囲からな
る主成分１００重量部に対し、副戒分としてニオブ酸化
物ｉ Ｉｔ）２０５に換算して０．３〜５．０重量部含
有したことを特徴とする誘電体磁器組成物を提案するも
のである。
ＬＯ ７（（ＴｉＯ２）（＋−ｉａ）（Ｓｎ０２）ｍ
）−ＺＲｅｊＯｓ■２と表した時（ただし、ｘ＋７＋ｚ
＝１．００，０−０１≦ｍ≦０．１０、Ｒ６はＬａ ，
Ｐｒ ， Ｎ（！ ， Ｓｖａから選ばれる一種以上
の希上煩元素。）、” ＋ ７ ，ｚが以下に表す各点
ｅ，ｂ，ｅ，ｄ，ｅ，ｆで囲まれるモル比の範囲からな
る主成分１００重量部に対し、副戒分としてニオブ酸化
物ｉ Ｉｔ）２０５に換算して０．３〜５．０重量部含
有したことを特徴とする誘電体磁器組成物を提案するも
のである。
作用
第１図は本発明にかかる組或物の主成分の組成範囲を示
す三元図であシ，主威分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、▲領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに，ｃ，ｎ領域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。
す三元図であシ，主威分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、▲領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに，ｃ，ｎ領域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。
そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス方向に移
行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。筐た、Ｒ
ｅをＬａ ， Ｐｒ ， Ｎ（！ ， Ｓｍ から選ぶ
ことにより、Ｌａ ， Ｐｒ ， Ｎ（１ ， Ｓｔａ
の順で誘電率を大きく下げることなく、静電容量温度係
数をプラス方向に移行することが可能であう、Ｌａ ，
Ｐｒ ， Ｈａ・Ｓｍの１種あるいは組合せによシ静
電容量温度係数の調節が可能である。
行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。筐た、Ｒ
ｅをＬａ ， Ｐｒ ， Ｎ（！ ， Ｓｍ から選ぶ
ことにより、Ｌａ ， Ｐｒ ， Ｎ（１ ， Ｓｔａ
の順で誘電率を大きく下げることなく、静電容量温度係
数をプラス方向に移行することが可能であう、Ｌａ ，
Ｐｒ ， Ｈａ・Ｓｍの１種あるいは組合せによシ静
電容量温度係数の調節が可能である。
１た、Ｔｉ０２をＳｎ０２で置換することによシ、誘電
率、良好度Ｑ、静電容量温度係数、絶縁抵抗，絶縁破壊
強度の値を太き〈変えることなく、誘電体磁器の密度を
大きくする効果を有し、その置換率ｌが０．０１未満で
は置換効果はなく、一方０。２０を越えると誘電率、良
好度Ｑが低下し、静電容量温度係数もマイナス側に大き
くなりすぎ実用的でなくなる。
率、良好度Ｑ、静電容量温度係数、絶縁抵抗，絶縁破壊
強度の値を太き〈変えることなく、誘電体磁器の密度を
大きくする効果を有し、その置換率ｌが０．０１未満で
は置換効果はなく、一方０。２０を越えると誘電率、良
好度Ｑが低下し、静電容量温度係数もマイナス側に大き
くなりすぎ実用的でなくなる。
また，主成分に対し、副成分Ｎｂ２０５を含有すること
により、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が向上する効果を有し
− Ｎｔｌ２０５の含有量が主或分１００重量部に対し
、０．３重量部未満はそれほど絶縁破壊強度が大きくな
く，この発明の範囲から除外した。
により、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が向上する効果を有し
− Ｎｔｌ２０５の含有量が主或分１００重量部に対し
、０．３重量部未満はそれほど絶縁破壊強度が大きくな
く，この発明の範囲から除外した。
一方、Ｎｂ２０５の含有量が主成分に対し、５．０重量
部を越えると良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下し、静電容量温
度係数がマイナス側に大きくなり，さらに静電容量の温
度変化の直線性が失われ実用的でなくなる。
部を越えると良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下し、静電容量温
度係数がマイナス側に大きくなり，さらに静電容量の温
度変化の直線性が失われ実用的でなくなる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
（実施例１）
出発原料には化学的に高純度のＢＩＬｃＯ５ ， Ｔｉ
Ｏ２＋Ｓｎ０２ ，Ｌａ２０３ ，Ｐｒ６０＋＋
，Ｎ（１２０５ ｒ Ｓｍ２０ｓｂよびＮｂ２０５粉
末を下記の第１表に示す組或比になるように秤量し、め
のうポーＮを備えたゴム内張りのボーμミ〃に純水とと
もに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を
高アルミナ質のノレッポに入れ、空気中で１１ｏｏｃに
て２時間仮焼した。この仮焼粉末を、めのうボー／ｌ／
を備えたゴム内張シのボーＨミ）ｖに純水とともに入れ
、湿式粉砕後，脱水乾燥した。この粉砕粉末に，有機バ
インダーを加え、均質とｆｙ ｆｃ後，３２メソシュの
ふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて或形
圧力１ｔｏｎ／，．Ｊで直径１５闘、厚み０．４ｆｆｌ
ｍに成形した。次いで、成形円板をジルコニア粉末を敷
いたγＮミナ質のサヤに入れ、空気中にて下記の第１表
に示す温度で２時間焼成し、第１表に示す組成比の誘電
体磁器を得た。
Ｏ２＋Ｓｎ０２ ，Ｌａ２０３ ，Ｐｒ６０＋＋
，Ｎ（１２０５ ｒ Ｓｍ２０ｓｂよびＮｂ２０５粉
末を下記の第１表に示す組或比になるように秤量し、め
のうポーＮを備えたゴム内張りのボーμミ〃に純水とと
もに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を
高アルミナ質のノレッポに入れ、空気中で１１ｏｏｃに
て２時間仮焼した。この仮焼粉末を、めのうボー／ｌ／
を備えたゴム内張シのボーＨミ）ｖに純水とともに入れ
、湿式粉砕後，脱水乾燥した。この粉砕粉末に，有機バ
インダーを加え、均質とｆｙ ｆｃ後，３２メソシュの
ふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて或形
圧力１ｔｏｎ／，．Ｊで直径１５闘、厚み０．４ｆｆｌ
ｍに成形した。次いで、成形円板をジルコニア粉末を敷
いたγＮミナ質のサヤに入れ、空気中にて下記の第１表
に示す温度で２時間焼成し、第１表に示す組成比の誘電
体磁器を得た。
このようにして得られた誘電体磁ｆｉｔ円板は、厚みと
直径と重量を測定し、重量を厚みと直径より算出した体
積で除算し、誘電体磁器の密度とした。
直径と重量を測定し、重量を厚みと直径より算出した体
積で除算し、誘電体磁器の密度とした。
また，誘電率，良好度Ｑ、静電容！温度係数測定用試料
は，誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶
縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円板の
外周より内側に１ ａｌｌ＋の幅で銀電原のない部分を
設け、銀電極を焼き付けた。
は，誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶
縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円板の
外周より内側に１ ａｌｌ＋の幅で銀電原のない部分を
設け、銀電極を焼き付けた。
そして、誘電率、良好度Ｑ、静電容ｉｔ温度係数は、Ｙ
ＨＰ社製デジタ，ｖＬｃＲメータのモデ／Ｌ’４２ア５
▲を使用し、測定温度２０℃、測定電圧１．Ｏ Ｖｒｍ
ｓ、測定周波数１Ｍ［Ｉｚでの測定より求めた。なふ・
、静電容量の温度変化は、−６５℃−−２５ｔ，２０Ｃ
、８５Ｃ、１２６Ｃの静電容量を測定し，直線性を確認
するとともに、静電容量温度係数は，２０ＣとＳＳＣの
静電容量を用いて次式により求めた。
ＨＰ社製デジタ，ｖＬｃＲメータのモデ／Ｌ’４２ア５
▲を使用し、測定温度２０℃、測定電圧１．Ｏ Ｖｒｍ
ｓ、測定周波数１Ｍ［Ｉｚでの測定より求めた。なふ・
、静電容量の温度変化は、−６５℃−−２５ｔ，２０Ｃ
、８５Ｃ、１２６Ｃの静電容量を測定し，直線性を確認
するとともに、静電容量温度係数は，２０ＣとＳＳＣの
静電容量を用いて次式により求めた。
Ｔ Ｏ ＝ （Ｃ−Ｃｏ ）／Ｇｏ Ｘ １／ｅｔｓ
Ｘ １０６ＴＣ：静電容量温度係数（ ｐｐｍ／ｃ）Ｇ
ｏ ： ２０Ｃｆの静電容ｆｆｉ（１）Ｆ）ｃ ：８
５０での静電容量（ｐ２） また，誘電率は次式より求めた。
Ｘ １０６ＴＣ：静電容量温度係数（ ｐｐｍ／ｃ）Ｇ
ｏ ： ２０Ｃｆの静電容ｆｆｉ（１）Ｆ）ｃ ：８
５０での静電容量（ｐ２） また，誘電率は次式より求めた。
Ｋ ＝ １４３−８ Ｘ Ｇｏ Ｘ ｔ／Ｄ２Ｋ ：誘
電率 Ｃｏ：２０Ｃでの静電容量（ｐＦ） Ｄ ：誘電体磁器の直径（ ｒｎ＋＋＋ ）ｔ ：誘電
体磁器の厚み（ ｍｍ ） さらに、絶縁抵抗は、Ｙｌ｛Ｐ社製ＨＲメータのモデ／
ｌ／４３２９▲を使用し、測定電圧５ＱＶ． Ｄ． Ｃ
．、測定時間１分間による測定より求めた。
電率 Ｃｏ：２０Ｃでの静電容量（ｐＦ） Ｄ ：誘電体磁器の直径（ ｒｎ＋＋＋ ）ｔ ：誘電
体磁器の厚み（ ｍｍ ） さらに、絶縁抵抗は、Ｙｌ｛Ｐ社製ＨＲメータのモデ／
ｌ／４３２９▲を使用し、測定電圧５ＱＶ． Ｄ． Ｃ
．、測定時間１分間による測定より求めた。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業（株）製高電圧
［源ＰＨ８３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイ
ｐ中に入れ、昇圧速度ｓｏｂ／ｓｅａにより求めた絶縁
破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１ ｆｆｌｌｌ１当た
りの絶縁破壊強度とした。
［源ＰＨ８３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイ
ｐ中に入れ、昇圧速度ｓｏｂ／ｓｅａにより求めた絶縁
破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１ ｆｆｌｌｌ１当た
りの絶縁破壊強度とした。
試験条件を第１表に併せて示し、試＠結果を下記の第２
表に示す。
表に示す。
なふ・，実施例にふ・ける誘電体磁器の作製方法では，
ＢａＣＯ５ ， Ｔｉ０２ ， ＳｎＯｚ ＋ Ｌ＆
２０ｓ ， Ｐｒ６０＋＋ ＋Ｎｄ２０ｓ ， Ｓｔａ
２０５およびＮｂ２０５ ｉ使用し，たが、この方法に
限定されるものではなく、所望の組或比になるように、
ＢＩＬＴｉ０３などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化
物など空気中での加熱により、ＢａＯ ， Ｔｉ０２
， Ｓｎ０２ ， Ｌ！Ｌ２０５ ， Ｐｒ６０Ｈ ，
Ｎ（１２０５ ．５重２０３ ．ｂよびＮｂ２０５
となる化合物金使用しても実施例と同程度の特性金得
ることができる。
ＢａＣＯ５ ， Ｔｉ０２ ， ＳｎＯｚ ＋ Ｌ＆
２０ｓ ， Ｐｒ６０＋＋ ＋Ｎｄ２０ｓ ， Ｓｔａ
２０５およびＮｂ２０５ ｉ使用し，たが、この方法に
限定されるものではなく、所望の組或比になるように、
ＢＩＬＴｉ０３などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化
物など空気中での加熱により、ＢａＯ ， Ｔｉ０２
， Ｓｎ０２ ， Ｌ！Ｌ２０５ ， Ｐｒ６０Ｈ ，
Ｎ（１２０５ ．５重２０３ ．ｂよびＮｂ２０５
となる化合物金使用しても実施例と同程度の特性金得
ることができる。
１た、主或分をあらかじめ仮焼し，副或分を添加しても
実施例と同程度の特Ｉ！＋．を得ることができる。
実施例と同程度の特Ｉ！＋．を得ることができる。
また、誘電体磁器用として一般に使用される工業用原科
の二酸化チタン、例えばチタン工業（株）製二酸化チタ
ンＫＪＬ−１０、古河鉱業（株）製二酸化チタンｙ▲−
ＳＳＷには最大０．４５重量形のＮｂ２０５が含筐れる
が．これらの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁
器を作製しても、主成分１ｏＯ重量部に対してＮｂ２０
５の含有駄は最大で０．２３重量部であり、この発明の
範囲外であるが、工業用家科の二酸化チタン中のＮｂ２
０５量を考畜し，不足分のＮｂ２０５を含有させること
により、￥施例と同程度の特性を得ることができる。
の二酸化チタン、例えばチタン工業（株）製二酸化チタ
ンＫＪＬ−１０、古河鉱業（株）製二酸化チタンｙ▲−
ＳＳＷには最大０．４５重量形のＮｂ２０５が含筐れる
が．これらの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁
器を作製しても、主成分１ｏＯ重量部に対してＮｂ２０
５の含有駄は最大で０．２３重量部であり、この発明の
範囲外であるが、工業用家科の二酸化チタン中のＮｂ２
０５量を考畜し，不足分のＮｂ２０５を含有させること
により、￥施例と同程度の特性を得ることができる。
また，上述の基本組成のほかに、Ｓｉ０２ ， Ｍｎ０
２ ，Ｆｅｌ２０５ ， ＺｎＯなど一般にフラックス
と考えられている塩類、酸化物などを、特性を損なわな
い範囲で加えることもできる。
２ ，Ｆｅｌ２０５ ， ＺｎＯなど一般にフラックス
と考えられている塩類、酸化物などを、特性を損なわな
い範囲で加えることもできる。
（以 下余 白）
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗、絶縁
破壊電圧が高く、良好度ｑにすぐれ、静電容量温度係数
が小さいため、製品の小形化．大容量化が可能である。
破壊電圧が高く、良好度ｑにすぐれ、静電容量温度係数
が小さいため、製品の小形化．大容量化が可能である。
また，密度のよう大きな誘電体磁器であるため、この組
成物で而実装の小形チップ部品を作製するとりフローは
んだ付けでのチップ立ちを改善できるなど、実装性の高
い製品を得ることが可能である。
成物で而実装の小形チップ部品を作製するとりフローは
んだ付けでのチップ立ちを改善できるなど、実装性の高
い製品を得ることが可能である。
第１図は本発明にかかる組或物の主成分の組或範囲を説
明する三元図である。
明する三元図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＢａＯ−ｙ〔（ＴｉＯ＿２）＿（＿１＿−＿ｍ＿）（
ＳｎＯ＿２）＿ｍ〕−ｚＲｅＯ＿３＿／＿２と表した時
（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００、０．０１≦ｍ≦０．
２０、ＲｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一種
以上の希土類元素。）、ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ
，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆで囲まれるモル比の範囲からなる
主成分１００重量部に対し、副成分としてニオブ酸化物
をＮｂ＿２Ｏ＿５に換算して０．３〜５．０重量部含有
したことを特徴とする誘電体磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156504A JP3008409B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156504A JP3008409B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323263A true JPH0323263A (ja) | 1991-01-31 |
| JP3008409B2 JP3008409B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=15629208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1156504A Expired - Fee Related JP3008409B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3008409B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8235833B2 (en) | 2004-04-21 | 2012-08-07 | Cobra Golf Incorporated | Transitioning hollow golf clubs |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1156504A patent/JP3008409B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8235833B2 (en) | 2004-04-21 | 2012-08-07 | Cobra Golf Incorporated | Transitioning hollow golf clubs |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3008409B2 (ja) | 2000-02-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |