JPH0451408A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0451408A JPH0451408A JP2159005A JP15900590A JPH0451408A JP H0451408 A JPH0451408 A JP H0451408A JP 2159005 A JP2159005 A JP 2159005A JP 15900590 A JP15900590 A JP 15900590A JP H0451408 A JPH0451408 A JP H0451408A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pts
- dielectric
- nb2o5
- mno2
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高い誘電率を有し、さらに絶縁破壊電圧、絶縁
抵抗が高く、また結晶粒径が小さい誘電体磁器組成物に
関するものである。
抵抗が高く、また結晶粒径が小さい誘電体磁器組成物に
関するものである。
従来の技術
従来から、高い誘電率を有する誘電体磁器組成物として
、BaTiO3にBad、 Cab、 TiO2,Zr
0zなどを適当量添加したものが知られている。
、BaTiO3にBad、 Cab、 TiO2,Zr
0zなどを適当量添加したものが知られている。
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの誘電体磁器組成物は結晶粒径が10〜
20μmと大きく、気孔率も高いため、積層セラミック
コンデンサのように誘電体厚みが薄い製品への応用につ
いては、絶縁破壊電圧が低い、外部電極を形成するメツ
キ処理時の絶縁破壊電圧および絶縁抵抗の低下などの課
題があった。
20μmと大きく、気孔率も高いため、積層セラミック
コンデンサのように誘電体厚みが薄い製品への応用につ
いては、絶縁破壊電圧が低い、外部電極を形成するメツ
キ処理時の絶縁破壊電圧および絶縁抵抗の低下などの課
題があった。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式
x BaO−y Tie□−z CeO□と表した時(
ただし、χ+y+z=1.OO) 、x、 y、
zが以下に表す各点a、 b、 c、 dで囲ま
れるモル比の範囲からなる主成分100重量部に対し、
Nb2O5を0.3〜3.0重量部(!: MnO□を
0.05〜0.25重量部含有することを特徴とする誘
電体磁器組成物を提供するものである。
ただし、χ+y+z=1.OO) 、x、 y、
zが以下に表す各点a、 b、 c、 dで囲ま
れるモル比の範囲からなる主成分100重量部に対し、
Nb2O5を0.3〜3.0重量部(!: MnO□を
0.05〜0.25重量部含有することを特徴とする誘
電体磁器組成物を提供するものである。
作用
第1図は本発明にかかる主成分の組成範囲を示す三元図
であり、組成範囲を限定した理由を第1図を参照しなが
ら説明する。まず、A領域では誘電率が小さく、実用的
でなくなる。また、B領域ではキュリー点がマイナス側
に太き(なりすぎ、温度特性の静電容量変化率がプラス
側に大きくはずれ実用的でなくなる。さらに、C領域で
は燃結が著しく困難である。さらにまた、D領域では誘
電率が小さく、実用的でなくなる。
であり、組成範囲を限定した理由を第1図を参照しなが
ら説明する。まず、A領域では誘電率が小さく、実用的
でなくなる。また、B領域ではキュリー点がマイナス側
に太き(なりすぎ、温度特性の静電容量変化率がプラス
側に大きくはずれ実用的でなくなる。さらに、C領域で
は燃結が著しく困難である。さらにまた、D領域では誘
電率が小さく、実用的でなくなる。
」−記の組成系、組成範囲にかかる本発明の構成によれ
ば、主成分に対し、Nb、O,を含有することにより、
静電容量と絶縁抵抗の積(CR積)と絶縁破壊電圧を向
上さ・ける効果を有しているが、その含有率が主成分1
00重量部に対し、0.3重量部未満では含有効果はな
く、一方3.0重量部を超えるとキュリー点がマイナス
側にずれ誘電率を低下させる。また、主成分に対し、M
nO□を含有することにより、cr積を大きくする効果
を有しているが、その含有率が主成分100重量部に対
し、0.05重量部未満あるいは0.25重量部を超え
るとcr積が低下する。さらに、本発明の誘電体磁器組
成物はその結晶粒径を5〜10μmとすることができる
。
ば、主成分に対し、Nb、O,を含有することにより、
静電容量と絶縁抵抗の積(CR積)と絶縁破壊電圧を向
上さ・ける効果を有しているが、その含有率が主成分1
00重量部に対し、0.3重量部未満では含有効果はな
く、一方3.0重量部を超えるとキュリー点がマイナス
側にずれ誘電率を低下させる。また、主成分に対し、M
nO□を含有することにより、cr積を大きくする効果
を有しているが、その含有率が主成分100重量部に対
し、0.05重量部未満あるいは0.25重量部を超え
るとcr積が低下する。さらに、本発明の誘電体磁器組
成物はその結晶粒径を5〜10μmとすることができる
。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
まず、出発原料には化学的に高純度のBaC0,3Ti
Oz、 Ce0z、 NbzOsおよびMn0z粉末を
下記の第1表に示す組成比になるように秤量し、めのう
ボールを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに
入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。次に、この乾燥粉末
を高アルミナ質のルツボに入れ、空気中で1100°C
にて2時間仮焼した。次いで、この仮焼粉末をめのうボ
ールを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入
れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。次に、この粉砕粉末に
有機バインダーを加え、均質とした後、32メソシユの
ふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形
圧力1t。
Oz、 Ce0z、 NbzOsおよびMn0z粉末を
下記の第1表に示す組成比になるように秤量し、めのう
ボールを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに
入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。次に、この乾燥粉末
を高アルミナ質のルツボに入れ、空気中で1100°C
にて2時間仮焼した。次いで、この仮焼粉末をめのうボ
ールを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入
れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。次に、この粉砕粉末に
有機バインダーを加え、均質とした後、32メソシユの
ふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形
圧力1t。
n/caで直径15闘、厚み0.4mmに成形した。次
いで、この成形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ
質のザヤに入れ、空気中にて下記の第1表に示す組成比
の誘電体磁器を得た。
いで、この成形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ
質のザヤに入れ、空気中にて下記の第1表に示す組成比
の誘電体磁器を得た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、また絶縁破壊電圧および絶縁抵抗測定用試料は、誘電
体磁器円板の外周より1mm内側まで銀電極を焼き付け
た。そして、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性は、
横河・ヒューレント・バノカード■製デジタルL CR
メータのモデル4274 Aを使用し、測定温度20°
C3測定電圧1.OVrms、測定周波数1kHzでの
測定より求めた。また絶縁破壊電圧は、菊水電子工業■
製の高圧直流電源での測定より求めた。さらに、絶縁抵
抗は、クケダ理研工業■製の高抵抗計での測定より求め
た。
を測定し、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、また絶縁破壊電圧および絶縁抵抗測定用試料は、誘電
体磁器円板の外周より1mm内側まで銀電極を焼き付け
た。そして、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性は、
横河・ヒューレント・バノカード■製デジタルL CR
メータのモデル4274 Aを使用し、測定温度20°
C3測定電圧1.OVrms、測定周波数1kHzでの
測定より求めた。また絶縁破壊電圧は、菊水電子工業■
製の高圧直流電源での測定より求めた。さらに、絶縁抵
抗は、クケダ理研工業■製の高抵抗計での測定より求め
た。
それから、誘電率は次式より求めた。
K= 143.8X Co X t / D”K :誘
電率 Co:20°Cでの静電容量(pP )D =誘電体磁
器円板の直径 (mm )t :誘電体磁器円板の厚み
(n+m )また、絶縁破壊電圧は次式より求めた。
電率 Co:20°Cでの静電容量(pP )D =誘電体磁
器円板の直径 (mm )t :誘電体磁器円板の厚み
(n+m )また、絶縁破壊電圧は次式より求めた。
B1=BO/l
B1:絶縁破壊電圧(kv/mm)
BO:絶縁破壊電圧(kv )
さらに、絶縁抵抗は、CR積として次式より求めた。
CR=Co XRO/10′2
CR:CR積(Mn・μF)
RO:絶縁抵抗(Ω)
さらにまた、結晶粒径は、倍率400での光学顕微鏡観
察より求めた。試験条件および試験結果を下記の第1表
に併せて示す。
察より求めた。試験条件および試験結果を下記の第1表
に併せて示す。
(以下余白)
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ba
C0z、 TiO2,Ce0z、 Nb2o5および
MnO2を使用したが、この方法に限定されるものでは
なく、所望の組成比になるようにBaTiO3などの化
合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱に
より、[laO,Ti0z、 CeO,11bzosお
よびMn0zとなる化合物を使用しても実施例と同程度
の特性を得ることができる。
C0z、 TiO2,Ce0z、 Nb2o5および
MnO2を使用したが、この方法に限定されるものでは
なく、所望の組成比になるようにBaTiO3などの化
合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱に
より、[laO,Ti0z、 CeO,11bzosお
よびMn0zとなる化合物を使用しても実施例と同程度
の特性を得ることができる。
また、一般に使用されている工業用BaTi0iのBa
/Tiの比は、0.98以上であり、BaTiO3を出
発原料として使用した場合、不足分のTiO□を添加し
ても実施例と同程度の特性を得ることができる。
/Tiの比は、0.98以上であり、BaTiO3を出
発原料として使用した場合、不足分のTiO□を添加し
ても実施例と同程度の特性を得ることができる。
さらに、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加して
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
も実施例と同程度の特性を得ることができる。
さらにまた、誘電体磁器用として一般に使用される工業
用原料の酸化チタン、例えばチタン工業■製酸化チタン
KA−10、古河鉱業■製酸化チタンFA−5Hには最
大0.45重量%のNbzOsが含まれるが、これらの
酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作成しても
、主成分100重量%に対して、Nb2O5の含を量は
最大で0.17重量%であり、本発明の範囲外であるが
、工業用原料の酸化チタン中のNb2O5量を考慮し、
不足分のNb2O5を含有させることにより、実施例と
同程度の特性を得ることかできる。
用原料の酸化チタン、例えばチタン工業■製酸化チタン
KA−10、古河鉱業■製酸化チタンFA−5Hには最
大0.45重量%のNbzOsが含まれるが、これらの
酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作成しても
、主成分100重量%に対して、Nb2O5の含を量は
最大で0.17重量%であり、本発明の範囲外であるが
、工業用原料の酸化チタン中のNb2O5量を考慮し、
不足分のNb2O5を含有させることにより、実施例と
同程度の特性を得ることかできる。
それから、上述の基本組成のほかに、ZnO,5in2
Fe20aなど、一般にフラックスと考えられている塩
類、酸化物などを特性を損なわない範囲で加えることも
できる。
Fe20aなど、一般にフラックスと考えられている塩
類、酸化物などを特性を損なわない範囲で加えることも
できる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、高い誘電率を有し、さら
に絶縁破壊電圧および絶縁抵抗が高く、また、結晶粒径
が小さいため誘電体厚みを薄くでき、製品の小型化、大
容量化が可能である。
に絶縁破壊電圧および絶縁抵抗が高く、また、結晶粒径
が小さいため誘電体厚みを薄くでき、製品の小型化、大
容量化が可能である。
第1図は本発明にかかる組成範囲を説明する三元図であ
る。
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 xBaO−yTiO_2−zCeO_2と表した時(た
だし、x+y+z=1.00)、x,y,zが以下に表
す各点a,b,c,dで囲まれるモル比の範囲からなる
主成分100重量に対し、Nb_2O_2を0.3〜3
.0重量部とMnO_2を0.05〜0.25重量部含
有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159005A JPH0451408A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159005A JPH0451408A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451408A true JPH0451408A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15684160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2159005A Pending JPH0451408A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451408A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106024383A (zh) * | 2015-03-31 | 2016-10-12 | Tdk株式会社 | 层叠陶瓷电子部件 |
| CN114180949A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-03-15 | 大富科技(安徽)股份有限公司 | 陶瓷材料及其制备方法、陶瓷烧结体及其制备方法 |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP2159005A patent/JPH0451408A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106024383A (zh) * | 2015-03-31 | 2016-10-12 | Tdk株式会社 | 层叠陶瓷电子部件 |
| CN114180949A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-03-15 | 大富科技(安徽)股份有限公司 | 陶瓷材料及其制备方法、陶瓷烧结体及其制备方法 |
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