JPH032337B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH032337B2 JPH032337B2 JP57029931A JP2993182A JPH032337B2 JP H032337 B2 JPH032337 B2 JP H032337B2 JP 57029931 A JP57029931 A JP 57029931A JP 2993182 A JP2993182 A JP 2993182A JP H032337 B2 JPH032337 B2 JP H032337B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- orientation
- facet
- orientation flat
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、ホトエツチング工程におけるマス
ク合わせの際、ウエハの位置の設定を行なうため
の半導体装置の製造方法に関する。
ク合わせの際、ウエハの位置の設定を行なうため
の半導体装置の製造方法に関する。
一般に、半導体装置を製造する工程において、
ホトエツチング工程は重要な工程の一つである。
このホトエツチング工程では、ウエハの所定の位
置に露光するためにマスクが用いられ、このマス
クとウエハを正確に対応させるマスク合わせを行
なう必要がある。このマスク合わせを行なうに
は、ウエハの位置を予め正確に設定しておく必要
があり、これを仮にプリアライン（prealign）と
称する。
ホトエツチング工程は重要な工程の一つである。
このホトエツチング工程では、ウエハの所定の位
置に露光するためにマスクが用いられ、このマス
クとウエハを正確に対応させるマスク合わせを行
なう必要がある。このマスク合わせを行なうに
は、ウエハの位置を予め正確に設定しておく必要
があり、これを仮にプリアライン（prealign）と
称する。
このプリアライン方法は、従来第１図に示すよ
うなウエハ１１のオリエンテーシヨンフラツト１
２を利用して行なわれている。具体的には、例え
ば第２図に示すようにウエハ１１を一方向に回転
させながら、アーム２１ａ〜２１ｃおよびその各
アーム２１ａ〜２１ｃに取り付けられたローラ２
２ａ〜２２ｃを使用してウエハ１１のオリエンテ
ーシヨンフラツト１２を固定するようにし検出す
る。このオリエンテーシヨンフラツト１２の検出
によりオリエンテーシヨン１２を基準としたウエ
ハ１１の位置を設定することができる。
うなウエハ１１のオリエンテーシヨンフラツト１
２を利用して行なわれている。具体的には、例え
ば第２図に示すようにウエハ１１を一方向に回転
させながら、アーム２１ａ〜２１ｃおよびその各
アーム２１ａ〜２１ｃに取り付けられたローラ２
２ａ〜２２ｃを使用してウエハ１１のオリエンテ
ーシヨンフラツト１２を固定するようにし検出す
る。このオリエンテーシヨンフラツト１２の検出
によりオリエンテーシヨン１２を基準としたウエ
ハ１１の位置を設定することができる。
また、上記のような方法以外に、第３図に示す
ように光電検出装置３１を用いてウエハ１１のオ
リエンテーシヨンフラツト１２を検出する方法が
ある。この方法では、第４図Ａ，Ｂに示すよう
に、ウエハ１１を一方向に回転させた際の光電検
出装置３１の発光素子３１ａからの光３２に対す
る受光素子３１ｂの受光量の相違によりオリエン
テーシヨンフラツト１２を検出する。すなわち、
オリエンテーシヨンフラツト１２以外の部分では
発光素子３１ａからの光３２を遮断する（第４図
のＡ）ことにより、ウエハ１１を回転し続ける。
また、オリエンテーシヨンフラツト１２の場合に
は、上記光３２を受光素子３１ｂが受光し（第４
図のＢ）、それによりウエハ１１の回転をストツ
プする。さらに、この場合、オリエンテーシヨン
フラツト１２を基準としたウエハ１１の設定の精
度を上げるため、第５図Ａ，Ｂに示すようにオリ
エンテーシヨンフラツト１２に対する左右の二点
の受光素子３１ｂの受光量の差を検出する。この
受光量のバランスを取るまで、ウエハ１１の回転
を微調整することにより、基準の位置に対してオ
リエンテーシヨンフラツト１２を平行にすること
ができる。
ように光電検出装置３１を用いてウエハ１１のオ
リエンテーシヨンフラツト１２を検出する方法が
ある。この方法では、第４図Ａ，Ｂに示すよう
に、ウエハ１１を一方向に回転させた際の光電検
出装置３１の発光素子３１ａからの光３２に対す
る受光素子３１ｂの受光量の相違によりオリエン
テーシヨンフラツト１２を検出する。すなわち、
オリエンテーシヨンフラツト１２以外の部分では
発光素子３１ａからの光３２を遮断する（第４図
のＡ）ことにより、ウエハ１１を回転し続ける。
また、オリエンテーシヨンフラツト１２の場合に
は、上記光３２を受光素子３１ｂが受光し（第４
図のＢ）、それによりウエハ１１の回転をストツ
プする。さらに、この場合、オリエンテーシヨン
フラツト１２を基準としたウエハ１１の設定の精
度を上げるため、第５図Ａ，Ｂに示すようにオリ
エンテーシヨンフラツト１２に対する左右の二点
の受光素子３１ｂの受光量の差を検出する。この
受光量のバランスを取るまで、ウエハ１１の回転
を微調整することにより、基準の位置に対してオ
リエンテーシヨンフラツト１２を平行にすること
ができる。
上記のようにして、マスク合わせの際、ウエハ
１１の位置を正確に設定するプリアラインを行な
うことができる。しかしながら、上記第２図に示
す機械的検出方法によるプリアライン方法では、
オリエンテーシヨンの検出精度、すなわちプリア
ライン精度はローラ２２ａ〜２２ｃの位置および
動作精度に大きく依存する。また、機械的検出方
法および光電検出装置３１による光学的検出方法
の両者とも、検出結果に基づいてウエハ１１の回
転を制御してオリエンテーシヨンフラツト１２の
位置を決めるため、ウエハ１１の回転はスムース
で均一にセンターリングされ回転されなければな
らない。さらに、ウエハ１１自体の円形の精度お
よびオリエンテーシヨンフラツト１２の長さと形
状の精度にも大きく依存することになる。したが
つて、従来のプリアライン方法では、ウエハ１１
の位置の設定を高い精度で行なうことはきわめて
困難であつた。
１１の位置を正確に設定するプリアラインを行な
うことができる。しかしながら、上記第２図に示
す機械的検出方法によるプリアライン方法では、
オリエンテーシヨンの検出精度、すなわちプリア
ライン精度はローラ２２ａ〜２２ｃの位置および
動作精度に大きく依存する。また、機械的検出方
法および光電検出装置３１による光学的検出方法
の両者とも、検出結果に基づいてウエハ１１の回
転を制御してオリエンテーシヨンフラツト１２の
位置を決めるため、ウエハ１１の回転はスムース
で均一にセンターリングされ回転されなければな
らない。さらに、ウエハ１１自体の円形の精度お
よびオリエンテーシヨンフラツト１２の長さと形
状の精度にも大きく依存することになる。したが
つて、従来のプリアライン方法では、ウエハ１１
の位置の設定を高い精度で行なうことはきわめて
困難であつた。
この発明は上記の事情を鑑みてなされたもの
で、プリアライン方法において、ウエハのオリエ
ンテーシヨンフラツトの位置の検出精度に依存す
ることなく、ウエハの位置を正確に検出して高い
精度で容易にウエハの位置を設定でき、それによ
りホトエツチング工程を確実に行なうことができ
る半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
で、プリアライン方法において、ウエハのオリエ
ンテーシヨンフラツトの位置の検出精度に依存す
ることなく、ウエハの位置を正確に検出して高い
精度で容易にウエハの位置を設定でき、それによ
りホトエツチング工程を確実に行なうことができ
る半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
上記の目的を達成するために、この発明におい
ては、ウエハの表面に気相成長層を形成する際に
生ずる突起物であるフアセツトを光学的検出手段
で検出する。この検出結果に基づいて、ウエハの
回転動作を制御して所定の位置にウエハを設定す
る。
ては、ウエハの表面に気相成長層を形成する際に
生ずる突起物であるフアセツトを光学的検出手段
で検出する。この検出結果に基づいて、ウエハの
回転動作を制御して所定の位置にウエハを設定す
る。
以下図面を参照してこの発明の一実施例につい
て説明する。第６図乃至第８図はこの発明に係る
ウエハのプリアライン方法の工程を示す図であ
る。すなわち、まず第６図Ａに示すウエハ１１の
表面に気相成長層６１を形成する。この場合、通
常ウエハ１１の端の一定の位置（例えばウエハ１
１の面の結晶方位111面）に突起物であるフアセ
ツト（facet）６２が生ずる。このフアセツト６
２は、特にその部分に気相成長が促進して形成さ
れ、その大きさ（例えば数μｍ〜数十μｍ）は気
相成長層６１の厚さにより異なると考えられる。
さらに、フアセツト６２はその大きさによりウエ
ハ１１の表面にマスク合わせを行なう際、マスク
にダメージを与える要因になる。そのため、第６
図Ｂに示すように、ウエハ１１の端にベベリング
（bevelling）を行なつて、フアセツト６２がウエ
ハ１１の表面（すなわち気相成長層６１の表面）
に突き出ることを防止し、マスク合わせの際にマ
スクにダメージを与えることを防ぐ。
て説明する。第６図乃至第８図はこの発明に係る
ウエハのプリアライン方法の工程を示す図であ
る。すなわち、まず第６図Ａに示すウエハ１１の
表面に気相成長層６１を形成する。この場合、通
常ウエハ１１の端の一定の位置（例えばウエハ１
１の面の結晶方位111面）に突起物であるフアセ
ツト（facet）６２が生ずる。このフアセツト６
２は、特にその部分に気相成長が促進して形成さ
れ、その大きさ（例えば数μｍ〜数十μｍ）は気
相成長層６１の厚さにより異なると考えられる。
さらに、フアセツト６２はその大きさによりウエ
ハ１１の表面にマスク合わせを行なう際、マスク
にダメージを与える要因になる。そのため、第６
図Ｂに示すように、ウエハ１１の端にベベリング
（bevelling）を行なつて、フアセツト６２がウエ
ハ１１の表面（すなわち気相成長層６１の表面）
に突き出ることを防止し、マスク合わせの際にマ
スクにダメージを与えることを防ぐ。
このようにしてウエハ１１の端にフアセツト６
２を形成し、このフアセツト６２を検出すること
によりウエハ１１の位置を検出する。すなわち、
第７図Ａ，Ｂに示すように回転するウエハ１１の
端に光電検出装置７１の発光素子７１ａから光３
２を与えた際、フアセツト６２のない場合の受光
素子７１ｂの受光量（第７図のＡ）およびフアセ
ツト６２のある場合の受光素子７１ｂの受光量
（第７図のＢ）とでは異なる。これを利用して、
第８図に示すようにウエハ１１の位置を設定す
る。すなわち、ウエハ１１を一方向に一定の速度
で回転させる。この回転動作は、例えばウエハチ
ヤツク（図示せず）にウエハ１１を載置して行な
う。そして、所定の位置に上記第７図Ａ，Ｂで示
したような光電検出装置７１を設ける。この光電
検出装置７１でウエハ１１の表面に形成されたフ
アセツト６２を検出して、ウエハ１１の回転動作
を停止する。この場合、ウエハ１１のフアセツト
６２の中で（第８図に示すように例えば４箇所に
ある場合）、基準となるフアセツト６２を設定す
る必要がある。例えば、オリエンテーシヨン１２
の付近のフアセツト６２をウエハ１１の位置設定
の基準とした場合、オリエンテーシヨン１２の検
出結果（前記第４図Ｂに示した方法による）およ
びオリエンテーシヨン１２の付近のフアセツト６
２の検出結果の両者に基づいてウエハ１１の回転
動作を停止する。
２を形成し、このフアセツト６２を検出すること
によりウエハ１１の位置を検出する。すなわち、
第７図Ａ，Ｂに示すように回転するウエハ１１の
端に光電検出装置７１の発光素子７１ａから光３
２を与えた際、フアセツト６２のない場合の受光
素子７１ｂの受光量（第７図のＡ）およびフアセ
ツト６２のある場合の受光素子７１ｂの受光量
（第７図のＢ）とでは異なる。これを利用して、
第８図に示すようにウエハ１１の位置を設定す
る。すなわち、ウエハ１１を一方向に一定の速度
で回転させる。この回転動作は、例えばウエハチ
ヤツク（図示せず）にウエハ１１を載置して行な
う。そして、所定の位置に上記第７図Ａ，Ｂで示
したような光電検出装置７１を設ける。この光電
検出装置７１でウエハ１１の表面に形成されたフ
アセツト６２を検出して、ウエハ１１の回転動作
を停止する。この場合、ウエハ１１のフアセツト
６２の中で（第８図に示すように例えば４箇所に
ある場合）、基準となるフアセツト６２を設定す
る必要がある。例えば、オリエンテーシヨン１２
の付近のフアセツト６２をウエハ１１の位置設定
の基準とした場合、オリエンテーシヨン１２の検
出結果（前記第４図Ｂに示した方法による）およ
びオリエンテーシヨン１２の付近のフアセツト６
２の検出結果の両者に基づいてウエハ１１の回転
動作を停止する。
このようにして、基準となるフアセツト６２を
検出し、この検出結果に基づいてウエハ１１の回
転動作を制御しウエハ１１を所定の位置に設定で
きる。しかも、この場合オリエンテーシヨン１２
の検出結果を利用して行なつても、オリエンテー
シヨン１２の検出精度、すなわちその長さおよび
形状の影響を受ける検出精度に依存することな
く、オリエンテーシヨン１２の有無のみを検出す
ればよい。したがつて、ウエハ１１の位置を正確
に設定することを容易に行なうことができる。
検出し、この検出結果に基づいてウエハ１１の回
転動作を制御しウエハ１１を所定の位置に設定で
きる。しかも、この場合オリエンテーシヨン１２
の検出結果を利用して行なつても、オリエンテー
シヨン１２の検出精度、すなわちその長さおよび
形状の影響を受ける検出精度に依存することな
く、オリエンテーシヨン１２の有無のみを検出す
ればよい。したがつて、ウエハ１１の位置を正確
に設定することを容易に行なうことができる。
なお、上記実施例において基準となるフアセツ
ト６２の設定にオリエンテーシヨン１２を利用し
たが、これに限ることなく他の方法でもよい。例
えば、２個のフアセツト６２間に光学的検出手段
で検出できるマークを設け、このマークの検出結
果を利用してもよい。
ト６２の設定にオリエンテーシヨン１２を利用し
たが、これに限ることなく他の方法でもよい。例
えば、２個のフアセツト６２間に光学的検出手段
で検出できるマークを設け、このマークの検出結
果を利用してもよい。
以上詳述したようにこの発明によれば、ウエハ
のオリエンテーシヨンフラツトの位置の検出精度
に依存することなく、ウエハの位置を正確に検出
してウエハの位置を高い精度で容易に設定でき
る。したがつて、ホトエツチング工程において、
マスク合わせの際のウエハのプリアラインを正確
に行なうことができ、ホトエツチング工程を確実
に行なうことができるものである。
のオリエンテーシヨンフラツトの位置の検出精度
に依存することなく、ウエハの位置を正確に検出
してウエハの位置を高い精度で容易に設定でき
る。したがつて、ホトエツチング工程において、
マスク合わせの際のウエハのプリアラインを正確
に行なうことができ、ホトエツチング工程を確実
に行なうことができるものである。
第１図はウエハの構成図、第２図乃至第５図は
従来のウエハの位置の設定方法を説明する図、第
６図乃至第８図はこの発明の一実施例に係るウエ
ハの位置の設定方法を説明する図である。 １１……ウエハ、１２……オリエンテーシヨン
フラツト、２１ａ〜２１ｃ……アーム、２２ａ〜
２２ｃ……ローラ、３１，７１……光電検出装
置、６１……気相成長層、６２……フアセツト。
従来のウエハの位置の設定方法を説明する図、第
６図乃至第８図はこの発明の一実施例に係るウエ
ハの位置の設定方法を説明する図である。 １１……ウエハ、１２……オリエンテーシヨン
フラツト、２１ａ〜２１ｃ……アーム、２２ａ〜
２２ｃ……ローラ、３１，７１……光電検出装
置、６１……気相成長層、６２……フアセツト。
Claims (1)
- １ ウエハの表面に一定の厚さをもつて気相成長
層を形成し、この気相成長層の所定の位置に形成
される突起物であるフアセツトを光学的検出手段
で検出し、この検出結果に基づいて上記ウエハに
対するマスク合わせの際に必要な上記ウエハの位
置をウエハの回転動作を制御して設定することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57029931A JPS58147118A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57029931A JPS58147118A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147118A JPS58147118A (ja) | 1983-09-01 |
| JPH032337B2 true JPH032337B2 (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=12289730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57029931A Granted JPS58147118A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147118A (ja) |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP57029931A patent/JPS58147118A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58147118A (ja) | 1983-09-01 |
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