JPH03234003A - フェライト磁性体 - Google Patents
フェライト磁性体Info
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- JPH03234003A JPH03234003A JP2030842A JP3084290A JPH03234003A JP H03234003 A JPH03234003 A JP H03234003A JP 2030842 A JP2030842 A JP 2030842A JP 3084290 A JP3084290 A JP 3084290A JP H03234003 A JPH03234003 A JP H03234003A
- Authority
- JP
- Japan
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- ferrite
- ferrite magnetic
- magnetic
- powder
- glass
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- Pending
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- Magnetic Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気ヘッド、インダクタンス部品。
電源用トランスコア等に用いられる高周波特性に優れた
フェライト磁性体に関するものである。
フェライト磁性体に関するものである。
従来の技術
従来の磁性材料の製造方法は、主として粉末冶金法、即
ち粉末成形と高温焼成の工程を必要とする焼結法がほと
んどである。
ち粉末成形と高温焼成の工程を必要とする焼結法がほと
んどである。
酸化物磁性体をつくる場合は、出発原料を所定の割合で
配合し、適当な条件で仮焼成して脱ガスおよびある程度
の固相反応を進めた後、粉砕、造粒、成形という工程を
経て、その成形体を適切な雰囲気中で高温本焼成するこ
とによって所望の磁気特性4機械的強度を有し、他結晶
からなる焼結体を得ている。
配合し、適当な条件で仮焼成して脱ガスおよびある程度
の固相反応を進めた後、粉砕、造粒、成形という工程を
経て、その成形体を適切な雰囲気中で高温本焼成するこ
とによって所望の磁気特性4機械的強度を有し、他結晶
からなる焼結体を得ている。
上記工程中の成形法としては、圧縮成形・押出成形・静
水圧成形または磁場中で圧縮成形する磁場成形などがあ
る。その中で、押型中での圧縮成形は最も一般的な方法
で、成形圧力は一般に0.5〜5ton/ciである。
水圧成形または磁場中で圧縮成形する磁場成形などがあ
る。その中で、押型中での圧縮成形は最も一般的な方法
で、成形圧力は一般に0.5〜5ton/ciである。
この成形圧力は、焼成時の収縮に大きく影響する。すな
わち成形圧が大きいほど、成形密度が上がり焼結時の収
縮率は一般に低下する。
わち成形圧が大きいほど、成形密度が上がり焼結時の収
縮率は一般に低下する。
本焼成温度は原料粉末の材料1組成とさらにはそのサイ
ズ、形状によって異なるが通常は1000〜1400℃
という高温である。焼成雰囲気は求められる材料1組成
によって酸化性雰囲気か非酸化性雰囲気が選ばれる。
ズ、形状によって異なるが通常は1000〜1400℃
という高温である。焼成雰囲気は求められる材料1組成
によって酸化性雰囲気か非酸化性雰囲気が選ばれる。
この焼成法の欠点は、上述のように高温で処理しなけれ
ばならないと言うことに加えて焼結による寸法変化が生
ずることである。焼結が終わると通常10〜20%大き
い場合はそれ以上も収縮しており、焼結晶の寸法にばら
つきを生み、歩留を悪くするため、研磨などの機械加工
等の後処理が必要となる。
ばならないと言うことに加えて焼結による寸法変化が生
ずることである。焼結が終わると通常10〜20%大き
い場合はそれ以上も収縮しており、焼結晶の寸法にばら
つきを生み、歩留を悪くするため、研磨などの機械加工
等の後処理が必要となる。
上述の焼結過程での収縮は次のような原因で起こる。即
ち、磁性粉末を単に加圧した成形体は、粉末どうしが接
触しているもののまだ空隙は多く、700〜1000℃
以上の温度で加熱することによって粉末間の接触部分で
粉末を構成する原子の相互拡散が生じて焼結現象が始ま
る。その結果、焼結の進行度合と共に粉末間の空隙が減
少して行き、大きいときには20%を越える収縮を生む
のである。
ち、磁性粉末を単に加圧した成形体は、粉末どうしが接
触しているもののまだ空隙は多く、700〜1000℃
以上の温度で加熱することによって粉末間の接触部分で
粉末を構成する原子の相互拡散が生じて焼結現象が始ま
る。その結果、焼結の進行度合と共に粉末間の空隙が減
少して行き、大きいときには20%を越える収縮を生む
のである。
上述した焼結法の欠点を改良する研究がこれまでに数多
くなされてきた。たとえば、省エネルギー、設備装置あ
るいは生産性の点から、焼成温度を従来の焼成温度より
さらに下げる方法が検討されているが、それには各種の
添加物(焼結助剤)を使用する方法や加圧焼成法(ホッ
トプレス法)等が知られている。中でも加圧焼成法は効
果が大きいが、まだまだ高い温度での加圧であるために
特殊な装置が必要となり生産性も悪いために製品の形状
や用途に大きな制限を受けるものであった。
くなされてきた。たとえば、省エネルギー、設備装置あ
るいは生産性の点から、焼成温度を従来の焼成温度より
さらに下げる方法が検討されているが、それには各種の
添加物(焼結助剤)を使用する方法や加圧焼成法(ホッ
トプレス法)等が知られている。中でも加圧焼成法は効
果が大きいが、まだまだ高い温度での加圧であるために
特殊な装置が必要となり生産性も悪いために製品の形状
や用途に大きな制限を受けるものであった。
また、焼結体の収縮に関しては、収縮率を極力下げるあ
るいは収縮率を常に一定にコントロールする方法が種々
検討されてきたが、いずれも焼結が一部進んでいる状態
にあることから、ある程度の収縮は避けられないのが現
状である。たとえば、特開昭58−135606号公報
に開示されているように、フェライト仮焼粉末とガラス
粉末とを混合した後に、フェライトの焼結化の進行する
温度で焼成すると、このとき添加したガラス粉末がフェ
ライト粉末の周囲を覆うことでフェライトの緻密化を抑
えて低収縮率の焼結体を得ようとするものである。この
場合でもフェライトの焼結化をある程度進めているため
に数%の収縮が起こっている。
るいは収縮率を常に一定にコントロールする方法が種々
検討されてきたが、いずれも焼結が一部進んでいる状態
にあることから、ある程度の収縮は避けられないのが現
状である。たとえば、特開昭58−135606号公報
に開示されているように、フェライト仮焼粉末とガラス
粉末とを混合した後に、フェライトの焼結化の進行する
温度で焼成すると、このとき添加したガラス粉末がフェ
ライト粉末の周囲を覆うことでフェライトの緻密化を抑
えて低収縮率の焼結体を得ようとするものである。この
場合でもフェライトの焼結化をある程度進めているため
に数%の収縮が起こっている。
そこで、高温焼成で十分にフェライト化が進んだ高結晶
フェライト磁性粉末に、さらにこの焼成温度より低い軟
化点を持つガラス粉末を微量添加した混合物を加圧成形
し、この成形品を上記ガラス粉末の軟化温度以上でかつ
上記高結晶性フェライト磁性粉末の焼成温度以下の温度
範囲で加熱処理することによって収縮率の少ない、寸法
安定性に優れたフェライト磁性体を得られることが最近
の研究によって明らかになった。しかし、次に述べる高
周波領域における磁気損失は依然として改善されていな
い。
フェライト磁性粉末に、さらにこの焼成温度より低い軟
化点を持つガラス粉末を微量添加した混合物を加圧成形
し、この成形品を上記ガラス粉末の軟化温度以上でかつ
上記高結晶性フェライト磁性粉末の焼成温度以下の温度
範囲で加熱処理することによって収縮率の少ない、寸法
安定性に優れたフェライト磁性体を得られることが最近
の研究によって明らかになった。しかし、次に述べる高
周波領域における磁気損失は依然として改善されていな
い。
磁性体の磁気損失は一般に式(1)のように表される。
P l =Ph+Pe
=(Kh−f+Ke−f2・d2/ρ)・BIl−ve
・・・・・・(1) なお、Plは磁気損失、Phはヒステリシス損失、Pe
は渦電流損失、Khはヒステリシス損失定数、Keは渦
電流定数、dは平均結晶粒径、ρは比抵抗、nは定数、
Veは磁性体の実効体積、fは周波数である。
・・・・・・(1) なお、Plは磁気損失、Phはヒステリシス損失、Pe
は渦電流損失、Khはヒステリシス損失定数、Keは渦
電流定数、dは平均結晶粒径、ρは比抵抗、nは定数、
Veは磁性体の実効体積、fは周波数である。
上記式(11より、低周波では周波数fに比例するヒス
テリシス損失成分phが支配的であり、高周波ではf2
に比例する渦電流損失成分Peが支配的であることがわ
かる。またその渦電流損失Peを低減するには、平均結
晶粒径dを小さく比抵抗ρを大きくすればよいことがわ
かる。
テリシス損失成分phが支配的であり、高周波ではf2
に比例する渦電流損失成分Peが支配的であることがわ
かる。またその渦電流損失Peを低減するには、平均結
晶粒径dを小さく比抵抗ρを大きくすればよいことがわ
かる。
磁性材料は磁気的性質からみて軟質、硬質に分けられ、
さらに材質の点から金属磁性体と酸化物磁性体に分ける
ことができる。金属磁性体として、カーボニル鉄、パー
マロイ、センダスト等があり、これらは透磁率は高いも
のの比抵抗が低いため高周波領域での渦電流損失が大き
い。この渦電流損失を減少するには、金属磁性体の板厚
の極薄化(10μm以下)が有効であるが、製造上難し
く価格も高くなる。一方、酸化物磁性材料はフェライト
に代表されるように、比抵抗が大きいため渦電流損失が
低いという特徴を存している。
さらに材質の点から金属磁性体と酸化物磁性体に分ける
ことができる。金属磁性体として、カーボニル鉄、パー
マロイ、センダスト等があり、これらは透磁率は高いも
のの比抵抗が低いため高周波領域での渦電流損失が大き
い。この渦電流損失を減少するには、金属磁性体の板厚
の極薄化(10μm以下)が有効であるが、製造上難し
く価格も高くなる。一方、酸化物磁性材料はフェライト
に代表されるように、比抵抗が大きいため渦電流損失が
低いという特徴を存している。
しかし、フェライト磁性体と言えども高周波領域で、高
透磁率と低渦電流損失を両立させることは従来から強く
要望されているが、まだ満足するべきレベルにはないの
が現状である。フェライト磁性体として、MnZnフェ
ライト系、NiZnフェライト系、CuZnフェライト
系等があるが、比抵抗は低いものの高透磁率、高磁束密
度。
透磁率と低渦電流損失を両立させることは従来から強く
要望されているが、まだ満足するべきレベルにはないの
が現状である。フェライト磁性体として、MnZnフェ
ライト系、NiZnフェライト系、CuZnフェライト
系等があるが、比抵抗は低いものの高透磁率、高磁束密
度。
低HeのMnZnフェライトが高周波用磁芯として使わ
れている。
れている。
フェライト磁性体の比抵抗をさらにあげるために、M
n Z nフェライトに酸化ニオブを含有させる方法(
特開昭58−15037号公報)、結晶粒界に非磁性酸
化物を存在させる方法(特開昭60−91602号公報
)、CaOの単独添加あるいはCa−3iO2の複合添
加する方法(特開昭61−101458号公報)等のフ
ェライト粒界に高抵抗酸化物を偏析させる方法が考えら
れてきた。
n Z nフェライトに酸化ニオブを含有させる方法(
特開昭58−15037号公報)、結晶粒界に非磁性酸
化物を存在させる方法(特開昭60−91602号公報
)、CaOの単独添加あるいはCa−3iO2の複合添
加する方法(特開昭61−101458号公報)等のフ
ェライト粒界に高抵抗酸化物を偏析させる方法が考えら
れてきた。
発明が解決しようとする課題
近年、各種電子機器の高周波化や、スイッチング電源の
小型・軽量化に伴う高周波化等により、M Hz以上の
高周波領域におけるフェライト磁性体の磁気損失改善が
ますます要求されているが、前述したように、従来技術
によって高周波領域で高透磁率かつ低磁気損失のフェラ
イト磁性体を提供することは容易でない。
小型・軽量化に伴う高周波化等により、M Hz以上の
高周波領域におけるフェライト磁性体の磁気損失改善が
ますます要求されているが、前述したように、従来技術
によって高周波領域で高透磁率かつ低磁気損失のフェラ
イト磁性体を提供することは容易でない。
従来は、フェライトの比抵抗をさらに上げるためにフェ
ライト粒界にCaOなどの高抵抗酸化物を混合・焼成す
ることにより、それらを結晶粒界層に選択的に析出させ
る方法が考えられてきた。
ライト粒界にCaOなどの高抵抗酸化物を混合・焼成す
ることにより、それらを結晶粒界層に選択的に析出させ
る方法が考えられてきた。
しかし、この絶縁層は同時に各結晶粒間が容量的に結合
されるため、周波数が高くなると比抵抗が低下し、渦電
流損失が大きくなるという問題があった。また、絶縁層
が非磁性のために透磁率の著しい低下も避けられない問
題であった。
されるため、周波数が高くなると比抵抗が低下し、渦電
流損失が大きくなるという問題があった。また、絶縁層
が非磁性のために透磁率の著しい低下も避けられない問
題であった。
本発明は上記の問題点に鑑み、高周波領域(MHz帯)
においても高透磁率で低磁気損失のフェライト磁性体を
提供することを目的とするものである。
においても高透磁率で低磁気損失のフェライト磁性体を
提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明のフェライト磁性体は
、F e=0350〜56mo 1%、MnO20〜4
5mo 1%,ZnO 5〜30mol%からなる高温
焼成で十分にフェライト化が進んだ高結晶性M n Z
nフェライト磁性粉末にガラス粉末と、高級脂肪酸0
.1〜5.Qwt%を配合し、これらのフェライト磁性
粉末の焼成温度より低い軟化点を持つガラス粉末でフェ
ライト磁性粉末を結着した構成とするものである。
、F e=0350〜56mo 1%、MnO20〜4
5mo 1%,ZnO 5〜30mol%からなる高温
焼成で十分にフェライト化が進んだ高結晶性M n Z
nフェライト磁性粉末にガラス粉末と、高級脂肪酸0
.1〜5.Qwt%を配合し、これらのフェライト磁性
粉末の焼成温度より低い軟化点を持つガラス粉末でフェ
ライト磁性粉末を結着した構成とするものである。
作用
上記構成とすることにより得られたガラス結着型フェラ
イト磁性体は、熱処理後の結晶粒径が異常成長すること
なく均一のため、高周波領域においても高透磁率かつ低
磁気損失を実現している。
イト磁性体は、熱処理後の結晶粒径が異常成長すること
なく均一のため、高周波領域においても高透磁率かつ低
磁気損失を実現している。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
すなわち本発明は、高結晶性MnZnフェライト磁性粉
末とガラス粉末とオレイン酸などの高級脂肪酸とを混合
、造粒、加圧成形した後、上記ガラス粉末を軟化溶融さ
せることにより、それをガラス材で結着し固化したフェ
ライト磁性体である。そのフェライト磁性体の微細構造
を第1図に示す。図中1は高結晶性M n Z nフェ
ライト磁性粉末、2はガラス材、3は空隙、4は高結晶
性M n Z nフェライト磁性粉末1のボアを示す。
末とガラス粉末とオレイン酸などの高級脂肪酸とを混合
、造粒、加圧成形した後、上記ガラス粉末を軟化溶融さ
せることにより、それをガラス材で結着し固化したフェ
ライト磁性体である。そのフェライト磁性体の微細構造
を第1図に示す。図中1は高結晶性M n Z nフェ
ライト磁性粉末、2はガラス材、3は空隙、4は高結晶
性M n Z nフェライト磁性粉末1のボアを示す。
ここで使用する高結晶性MnZnフェライト磁性粉末1
は、高温焼成によって十分にフェライト化したものであ
って、通常は900℃以上で焼成したものが好ましい。
は、高温焼成によって十分にフェライト化したものであ
って、通常は900℃以上で焼成したものが好ましい。
フェライト化が十分進んでない磁性粉末を用いた場合、
フェライト焼結化がさらに進行し、大きな寸法収縮を伴
うので好ましくない。
フェライト焼結化がさらに進行し、大きな寸法収縮を伴
うので好ましくない。
高級脂肪酸の量は、多すぎるヒステリシス損失が増大し
全体としての磁気損失はむしろ大きくなる。
全体としての磁気損失はむしろ大きくなる。
以下、実施例では高級脂肪酸をオレイン酸を例として説
明する。
明する。
高周波領域(IMHz)での高透磁率、低磁気損失の目
標値は、透磁率1000以上、最大磁束密度Bm=50
mTで磁気損失が700 m w / cc以下とされ
ている。なお、磁気損失の測定方法はリング状フェライ
トコアに絶縁テープを一層巻いた後、線径0,26閣φ
の絶縁導線を全周にわたって一層巻いた試料を準備し、
室温で最大磁束密度Bm=50mT、周波数I M H
zで交流B−Hカーブ・トレーサーで測定したものであ
る。
標値は、透磁率1000以上、最大磁束密度Bm=50
mTで磁気損失が700 m w / cc以下とされ
ている。なお、磁気損失の測定方法はリング状フェライ
トコアに絶縁テープを一層巻いた後、線径0,26閣φ
の絶縁導線を全周にわたって一層巻いた試料を準備し、
室温で最大磁束密度Bm=50mT、周波数I M H
zで交流B−Hカーブ・トレーサーで測定したものであ
る。
(実施例)
組成A : Fe2O+ 53mo 1%,MnO 2
5mat%、ZnO22mol%よりなる出発混合物を
1320℃6時間焼成したM n −Z nフェライト
本焼磁性粉末を粉砕して、分級機にて1μm以下の磁性
粉末を用意した。
5mat%、ZnO22mol%よりなる出発混合物を
1320℃6時間焼成したM n −Z nフェライト
本焼磁性粉末を粉砕して、分級機にて1μm以下の磁性
粉末を用意した。
上記の磁性粉末にオレイン酸を0.0.01゜0.1.
0.5. 1.0. 3.0.5.0、および765w
t%の割合で添加してよく混ぜ、無アルカリはう酸鉛系
ガラス粉末を5重量部とバインダー(ポリヒニールアル
コール)7.5重量部を加え混合し造粒した後、3.O
t/aIの圧力でトロイダル状に圧縮成形した。その成
形体を、窒素中もしくは空気中において1200℃で6
0分で熱処理してフェライト磁性体を得た。
0.5. 1.0. 3.0.5.0、および765w
t%の割合で添加してよく混ぜ、無アルカリはう酸鉛系
ガラス粉末を5重量部とバインダー(ポリヒニールアル
コール)7.5重量部を加え混合し造粒した後、3.O
t/aIの圧力でトロイダル状に圧縮成形した。その成
形体を、窒素中もしくは空気中において1200℃で6
0分で熱処理してフェライト磁性体を得た。
その結果を表1に示す。また、第2図、第3図にオレイ
ン酸Oおよび0.5wt%で、混合した時の熱処理後の
SEM写真の模式図を示す。第3図において斜線部分は
異常成長結晶粒を示している。これより、オレイン酸を
0.1 w t%以上添加することにより、結晶粒径が
異常成長することなく均一のため、高周波領域で高透磁
率かつ低磁気損失のフェライト磁性体を得ることができ
ることがわかる。
ン酸Oおよび0.5wt%で、混合した時の熱処理後の
SEM写真の模式図を示す。第3図において斜線部分は
異常成長結晶粒を示している。これより、オレイン酸を
0.1 w t%以上添加することにより、結晶粒径が
異常成長することなく均一のため、高周波領域で高透磁
率かつ低磁気損失のフェライト磁性体を得ることができ
ることがわかる。
表 1
なお、上記実施例において、初透磁率の測定は、JIS
規格(C2561)に準じ、まず前述のリング状フェラ
イトコアに絶縁テープを一層巻いた後、線径0.26m
φの絶縁導線を全周にわたって16タ一ン巻いた試料を
準備した。次にこの自己インダクタンスをマスクウェル
ブリッジで測定磁界の強さが0.8 A/m以下にて測
定し、これより周波数IMHzでの初透磁率を算出した
。また、比抵抗はリング状トロイダルコアの両端面にI
n−Ga系導電性塗料を塗りこの面を黄銅板ではさみ、
インピダンスアナライザーを用いI M Hzの比抵抗
を測定した。
規格(C2561)に準じ、まず前述のリング状フェラ
イトコアに絶縁テープを一層巻いた後、線径0.26m
φの絶縁導線を全周にわたって16タ一ン巻いた試料を
準備した。次にこの自己インダクタンスをマスクウェル
ブリッジで測定磁界の強さが0.8 A/m以下にて測
定し、これより周波数IMHzでの初透磁率を算出した
。また、比抵抗はリング状トロイダルコアの両端面にI
n−Ga系導電性塗料を塗りこの面を黄銅板ではさみ、
インピダンスアナライザーを用いI M Hzの比抵抗
を測定した。
発明の効果
以上のように本発明によれば、Fe2O350〜56
m o 1%、MnO20〜45mol%。
m o 1%、MnO20〜45mol%。
Zn0 5〜30mol%からなる高温焼成で十分にフ
ェライト化が進んだ高結晶性MnZnフェライト粉末に
ガラス粉末と高級脂肪酸を0.1〜5.0wt%を配合
し、これらのフェライト磁性粉末の焼成温度より低い軟
化点を持つガラスでフェライト磁性粉末を結着したフェ
ライト磁性体は、高周波数領域でも高透磁率で低磁気損
失を実現することができる。
ェライト化が進んだ高結晶性MnZnフェライト粉末に
ガラス粉末と高級脂肪酸を0.1〜5.0wt%を配合
し、これらのフェライト磁性粉末の焼成温度より低い軟
化点を持つガラスでフェライト磁性粉末を結着したフェ
ライト磁性体は、高周波数領域でも高透磁率で低磁気損
失を実現することができる。
第1図は本発明によるフェライト磁性体の微細構造の模
式図、第2図、第3図はオレイン酸を0.0,1wt%
添加した時の焼成後のSEM写真の模式図である。 110019.高結晶MnZnフェライト磁性粉末、2
・・・・・・ガラス材、3・・・・・・空隙、4・・・
・・・粒界ポア。
式図、第2図、第3図はオレイン酸を0.0,1wt%
添加した時の焼成後のSEM写真の模式図である。 110019.高結晶MnZnフェライト磁性粉末、2
・・・・・・ガラス材、3・・・・・・空隙、4・・・
・・・粒界ポア。
Claims (1)
- Fe_2O_3 50〜56mol%,MnO 20〜
45mol%,ZnO 5〜30mol%からなる高温
焼成で十分にフェライト化が進んだ高結晶性MnZnフ
ェライト磁性粉末に、ガラス粉末と、高級脂肪酸0.1
〜5.0wt%に配合し、これらのフェライト磁性粉末
の焼成温度より低い軟化点を持つガラスでフェライト磁
性粉末を結集したフェライト磁性体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030842A JPH03234003A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | フェライト磁性体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030842A JPH03234003A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | フェライト磁性体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03234003A true JPH03234003A (ja) | 1991-10-18 |
Family
ID=12314952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2030842A Pending JPH03234003A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | フェライト磁性体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03234003A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012028373A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Riken Corp | 電波吸収体 |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP2030842A patent/JPH03234003A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012028373A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Riken Corp | 電波吸収体 |
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