JPH0323618A - 基板と露光用マスクとの位置合わせ方法 - Google Patents
基板と露光用マスクとの位置合わせ方法Info
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- JPH0323618A JPH0323618A JP1158561A JP15856189A JPH0323618A JP H0323618 A JPH0323618 A JP H0323618A JP 1158561 A JP1158561 A JP 1158561A JP 15856189 A JP15856189 A JP 15856189A JP H0323618 A JPH0323618 A JP H0323618A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
この発明は、たとえば半導体装置の製造などにおいて好
適に実施される基板と露光用マスクとの位置合わせ方法
に関するものである. (従来の技術〕 たとえば半導体装置の製造などでは、トランジスタ素子
や配線などの形戒のためにホトリソグラフィ技術とエッ
チング技術を用いた酸化膜や金属膜などのパターン形戒
が行われる.ホトリソグラフィ技術とは、基板表面にホ
トレジストを塗布′し、このホトレジストを所定のパタ
ーンの露光用マスクを介して紫外線やX線などで選択的
に露光させ、さらに前記ホトレジストを現像して、露光
されなかった(または露光された)部分のホトレジスト
を除去して、前記基板表面にホトレジストをパターン形
威させて、前記露光用マスクのパターンを基板表面に転
写させる技術である.たとえば、金X!!iw1などが
形威された基板表面に前記露光用マスクのパターンを転
写して、エッチングを施すことにより配線などのパター
ン形威が行われることになる. たとえば集積回路などでは、トランジスタ素子や配線な
どの形威のためなどに、前述のようにしてパターン形威
した酸化膜や金属膜などが複数層積層されるのであるが
、各膜のパターン形威の際に、半導一体基板などの基板
表面にすでに形威した酸化膜などのパターンと、この酸
化膜などのパターン上に形威される別の膜のパターンと
の位置関係には一定の精度が保たれる必要があり、この
位置関係がずれると集積回路に致命的な不良が生じるこ
とになる.したがって、基板表面への前記露光用マスク
のパターンの転写には充分な注意が必要であり、このた
め基板と露光用マスクとの位置合わせが重要となる. 基板と露光用マスクとの位置合わせを行うための従来技
術は第3図に示されている.ホトレジストを塗布した半
導体基板などの基板1の表面には、前に形威した酸化膜
などの膜2のパターニングにより、マスク3と基板lと
の位置合わせを行う際の目印となる四角形の第1の位置
合わせマークI’llが形威されてい.る.この第1の
位置合わせマークMlとは、膜2の縁部であって、たと
えばこの第1の位置合わせマークM1の周囲の領域の基
板1上に膜2が形威されている.マスク3はたとえば透
明板に晴部3D(第3図では斜線を付して示す.)を選
択的に形威したもので、この暗部3Dを第1の位置合わ
せマークMlと相似形に形成してその周縁部をマスク3
側の第2の位置合わせマークM2とし、この第2の位置
合わせマークM2が前記第1の位置合わせマークMlに
囲まれた領域内に納まるようにマスク3と基板lとの位
置合わせを行うようにしている.位置合わせ余裕ffi
l,l2および位置合わせ余裕ffi3, ffi4
がそれぞれ互いに等しくなるようにして、第1の位置合
わせマークMl内の領域の中央に第2の位置合わせマー
クM2が位置するようにマスク3と基板1との位置合わ
せが行われるのが最良であるが、第2の位置合わせマー
クM2が第1の位置合わせマークM1に囲まれた頷域内
に納まっている状態であれば、集積回路などに致命的な
欠陥が生じることはない.〔発明が解決しようとする課
題〕 上述のように第1の位置合わ妊マークMlは、基板1表
面に先にパターン形威された膜2の周縁部であるが、こ
の第1の位置合わせマークMlはは主としてエッチング
精度の問題からその寸法に多少の誤差が生じることがあ
る.たとえば第4図に示すように第1の位置合わせマー
クMlが基板l上に大きく転写された場合には、位置合
わせ余裕11〜l4が比較的大きくなり、したがって第
1の位置合わせマークMl内の領域に第2の位置合わせ
マークM2を合わせ込んでも、基板lとマスク3との位
置合わせが所定の精度で行われなくなる恐れがある.こ
のような場合には、集積回路などにおいて致命的な不良
が生じることは前述のとおりである. このような問題は、たとえば第3図において暗部3Dが
マスク3の透明部であって、この領域の周囲の領域が晴
部であり、第1の位置合わせマークM1が第2の位置合
わせマークよりも小さくされている場合に、第lの位置
合わせマークMlが通常よりも小さく転写されたときに
も生じる.二の発明の目的は、上述の技術的!!題を解
決し、基板と露光用マスクとの位置合わせが格段に良好
に行われるようにした基板と露光用マスクとの位置合わ
せ方法を提供することである. 〔課題を解決するための手段〕 この発明の基板と露光用マスクとの位置合わせ方法は、
基板表面に設けた第1の位置合わせマークおよび露光用
マスクに設けた第2の位置合わせマークのいずれか一方
の各辺に、この位置合わせマークの内方側または外方側
に突出し、相互に略等しい複数の段差部を有し、隣接す
る前記段差部間を結ぶ線分が相互に略平行である凸部を
設け、各辺の凸部において対応する前記線分と前記第1
および第2の位置合わせマークの他方の各辺との各距離
が略均等になるようにすることを特徴とする. 〔作用〕 この発明の構戒によれば、基板側の第1の位置合わせマ
ークおよび露光用マスク側の第2の位置合わせマークの
いずれか一方の各辺に設けた凸部は、相互に略等しい複
数の段差部を有しており、隣接する段差部間を結ぶ線分
は相互に略平行であるので、このような凸部を設けた第
1および第2の位置合わせマークのいずれか一方は、凸
部が設けられない他方の位置合わせマークと略相似の形
状の複数の位置合わせマークと同等の働きを有すること
ができる.すなわち、各辺の凸部において対応する前記
線分により仮想的に構威される多角形は、凸部が設けら
れない前記他方の位置合わせマークと略相似な多角形と
なる. このように、凸部を設けた第1および第2の位置合わせ
マークのいずれか一方が、同時に複飲の相互に略相似な
関係の多角形の役割を果たすことができる結果、たとえ
基板側の第1の位置合わせマークが所定の寸法で基板表
面に転写されない場合にも、凸部を設けた位置合わせマ
ークの各辺の凸部において参照が可能な線分を見出し、
この線分に対応する各辺の線分と、凸部を設けない位置
合わせマークの各辺との各I!離を略均等にすることに
より、第1の位置合わせマークに第2の位置合わせマー
クを所定の精度で合わせ込むことができる.したがって
、第1の位置合わせマークの転写精度に依らずに、基板
と露光用マスクとの位置合わせを良好に、かつ一定の精
度を保って行うことができるようになる. 〔実施例〕 第1図はこの発明の一実施例の基板と露光用マスクとの
位置合わせ方法を示す説明図である.ホトレジストを塗
布した基[11の表面に先に酸化膜などの膜l2をパタ
ーン形威しておき、この膜12の周縁部を第lの位置合
わせマークmlとする.そして、この第1の位置合わせ
マークmlに、露光用マスク13(以下『マスク13,
という.)に設けた第2の位置合ね廿マークm2を合わ
せ込む.マスクl3は透明板に暗部130(第1図では
斜線を付して示す.)を選択的に形威したもので、たと
えばこの暗部13Dの周縁部が前記第2の位置合わせマ
ークm2とされる. この実施例では、第1の位置合わせマークm1は略四角
形とされ、その各辺には第1の位置合わせマークmlの
内方側に突出する凸部A1〜A4が形威されている.そ
して、第2の位置合わせマークm2は前記第1の位置合
わせマークm1に略相似形な四角形とされる. 第1の位置合わせマークmlの各辺に形威した凸部AI
−A4は、それぞれ所定の位置合わせ余裕に略等しい複
数の段差部d 1 1 −d 1 4, d21〜d
24,d31〜d34,d41〜d44を有し、各辺に
おいて隣接する段差部間を結ぶ線分は相互に略平行にな
っている.すなわち、たとえば凸部AIが形威された辺
において、段差部dll,d12を結ぶ線分wllと、
段差部dl3.dlJ間を結ぶ線分W13とは同一直線
上にあり、これらと段差部dl2,dla間を結ぶ綿分
wl2とは相互に平行となっている.さらに、これらの
線分wll,wl2,wl3は凸部A1が形威された辺
における基準辺w10(第1図では第2の位置合わせマ
ークm2と重なっている.)と相互に平行である.この
ような関係は、凸部A2〜A4が形威された各辺で同様
である. このような凸部AI−A4を形威した第1の位置合わせ
マークmlでは、各辺においてそれぞれ対応する線分w
ll (wl3).w21 (w23),w31 (w
33),w4 1 (w43);wl2,w22,w3
2,w42および基準辺wlo,W20,W30,W4
0によってそれぞれ仮想的に形成される四角形は相互に
略相似な形状を有し、このようにして第lの位置合わせ
マークmlは同時に複数の略相似な形状の位置合わせマ
ークとして機能する. 基板lとマスクl3との位置合わせに当たっては、第2
の位置合わせマークm2の各辺に近接した線分wll
(wl3),w21 (w23),w31 (w33)
.w41 (w43)(すなわち凸部Al〜A4におい
て対応する線分)を参照して行うことになる.この場合
操作者は、位置合わせ余裕j!11.4!13および位
置合わせ余裕l12,/14が相互に略等しくなるよう
に基板11またはマスク13を変位させて、位置合わせ
を行う.第1図に示された状態は、第1の位置合わせマ
一クm1が正確に転写された場合であるが、第1の位置
合わせマークmlが大きく転写された場合には第2図図
示の状態となる.すなわち、膜l2がたとえばオーバー
エッチングされた場合には膜12の縁部が後退し、結果
として基板11の表面には第1の位置合わせマークml
が大きく転写されることになる.この場合において、た
とえば従来技術では、第1の位置合わせマークmlはマ
スクl3の暗部130の背後に隠れてしまい、基板11
とマスクl3との位置合わせを行うことができなくなる
恐れがあるのに対し、この実施例では、第2図図示のよ
うに凸部A1〜A4においてそれぞれ段差部dl2.d
l3;d22,d23;d32,d33゛;d42,d
43よりも第1の位置合わせマークmlの内方側の部分
が第2の位置合わせマークm2の内方側に突出しており
、したがって線分wl2,w22,w32,w42を基
準とし、位置合わせ余裕ffi21〜ffi24を略均
等に調整して、基板lとマスクl3との位置合わせを良
好にしかも高い精度で行うことができる.逆に第l図図
示の場合よりも第1の位置合わせマークmlが小さく転
写された場合には、第1の位置合わせマークmlの基準
辺wlO,w20,w30,w40と第2の位置合わせ
マークm2の各辺との間の距離が均等になるようにして
、基板11とマスク13との位置合わせを行うことがで
きる. 以上のようにこの実施例によれば、第1の位置合わせマ
ークmlの大きさがエッチング精度の問題などから所定
の大きさから逸脱した場合にも、基板lとマスク13と
の相互の位置合わせが良好にしかも正確に行われるよう
になる.この結果、たとえば集積回路などでは回路配線
などの形成を良好に行うことができるようになり、歩留
りが格段に向上される. 前述の実施例では、基板ll側に設けた第1の位置合わ
せマークm1の各辺に凸部AI−A4を形威するように
したが、基板側に設ける第1の位置合わせマークを凸部
を設けない多角形として、露光用マスク側に設ける第2
の位置合わせマークの各辺に凸部At−A4と同様な凸
部を形威するようにしてもよい. また、前述の実施例では、第lの位置合わせマークm1
の各辺に形威される凸部A1〜A4はそれぞれ4つの段
差部を有するものとしたが、第1の位置合わせマークm
lの転写時の寸法誤差がさらに大きくなる可能性がある
場合には、各凸部の段差部をさらに多くすればよい. さらにまた、たとえば第1の位置合わせマークm1の各
辺に設けられる凸部は、この第1の位置合わせマークm
1の外方側に突出したものであってもよい. さらに第l図に示された構威において、マスク13の暗
部と透明部とが反転された構威に対してもこの発明は容
易に応用し得る. また、前述の実施例では、位置合わせマークml,m2
の形状を略四角形であるようにしたが、この位置合わせ
マークの形状としては、任意の多角形が適用可能である
.このような場合には、多角形形状の第1または第2の
位置合わせマークの各辺に前述の凸部AI−A4と同様
な凸部を設けるようにすればよい. 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明の基板と露光用マスクとの位置合
わせ方法によれば、基板側の第1の位置合わせマークが
所定の寸法で基板表面に転写されなくても、この第lの
位置合わせマークに対して露光用マスク側の第2の位置
合わせマークを一定の精度で合わせ込むことができるよ
うになり、したがって、第lの位置合わセマークの転写
精度に依らずに、基板と露光用マスクとの位置合わせを
良好に、かつ一定の梢度を保って行うことができるよう
になる. この結果、たとえば集積回路などにおいて、回路配線な
どのパターン形威を良好に行って、その歩留りを向上す
ることができるようになる.
適に実施される基板と露光用マスクとの位置合わせ方法
に関するものである. (従来の技術〕 たとえば半導体装置の製造などでは、トランジスタ素子
や配線などの形戒のためにホトリソグラフィ技術とエッ
チング技術を用いた酸化膜や金属膜などのパターン形戒
が行われる.ホトリソグラフィ技術とは、基板表面にホ
トレジストを塗布′し、このホトレジストを所定のパタ
ーンの露光用マスクを介して紫外線やX線などで選択的
に露光させ、さらに前記ホトレジストを現像して、露光
されなかった(または露光された)部分のホトレジスト
を除去して、前記基板表面にホトレジストをパターン形
威させて、前記露光用マスクのパターンを基板表面に転
写させる技術である.たとえば、金X!!iw1などが
形威された基板表面に前記露光用マスクのパターンを転
写して、エッチングを施すことにより配線などのパター
ン形威が行われることになる. たとえば集積回路などでは、トランジスタ素子や配線な
どの形威のためなどに、前述のようにしてパターン形威
した酸化膜や金属膜などが複数層積層されるのであるが
、各膜のパターン形威の際に、半導一体基板などの基板
表面にすでに形威した酸化膜などのパターンと、この酸
化膜などのパターン上に形威される別の膜のパターンと
の位置関係には一定の精度が保たれる必要があり、この
位置関係がずれると集積回路に致命的な不良が生じるこ
とになる.したがって、基板表面への前記露光用マスク
のパターンの転写には充分な注意が必要であり、このた
め基板と露光用マスクとの位置合わせが重要となる. 基板と露光用マスクとの位置合わせを行うための従来技
術は第3図に示されている.ホトレジストを塗布した半
導体基板などの基板1の表面には、前に形威した酸化膜
などの膜2のパターニングにより、マスク3と基板lと
の位置合わせを行う際の目印となる四角形の第1の位置
合わせマークI’llが形威されてい.る.この第1の
位置合わせマークMlとは、膜2の縁部であって、たと
えばこの第1の位置合わせマークM1の周囲の領域の基
板1上に膜2が形威されている.マスク3はたとえば透
明板に晴部3D(第3図では斜線を付して示す.)を選
択的に形威したもので、この暗部3Dを第1の位置合わ
せマークMlと相似形に形成してその周縁部をマスク3
側の第2の位置合わせマークM2とし、この第2の位置
合わせマークM2が前記第1の位置合わせマークMlに
囲まれた領域内に納まるようにマスク3と基板lとの位
置合わせを行うようにしている.位置合わせ余裕ffi
l,l2および位置合わせ余裕ffi3, ffi4
がそれぞれ互いに等しくなるようにして、第1の位置合
わせマークMl内の領域の中央に第2の位置合わせマー
クM2が位置するようにマスク3と基板1との位置合わ
せが行われるのが最良であるが、第2の位置合わせマー
クM2が第1の位置合わせマークM1に囲まれた頷域内
に納まっている状態であれば、集積回路などに致命的な
欠陥が生じることはない.〔発明が解決しようとする課
題〕 上述のように第1の位置合わ妊マークMlは、基板1表
面に先にパターン形威された膜2の周縁部であるが、こ
の第1の位置合わせマークMlはは主としてエッチング
精度の問題からその寸法に多少の誤差が生じることがあ
る.たとえば第4図に示すように第1の位置合わせマー
クMlが基板l上に大きく転写された場合には、位置合
わせ余裕11〜l4が比較的大きくなり、したがって第
1の位置合わせマークMl内の領域に第2の位置合わせ
マークM2を合わせ込んでも、基板lとマスク3との位
置合わせが所定の精度で行われなくなる恐れがある.こ
のような場合には、集積回路などにおいて致命的な不良
が生じることは前述のとおりである. このような問題は、たとえば第3図において暗部3Dが
マスク3の透明部であって、この領域の周囲の領域が晴
部であり、第1の位置合わせマークM1が第2の位置合
わせマークよりも小さくされている場合に、第lの位置
合わせマークMlが通常よりも小さく転写されたときに
も生じる.二の発明の目的は、上述の技術的!!題を解
決し、基板と露光用マスクとの位置合わせが格段に良好
に行われるようにした基板と露光用マスクとの位置合わ
せ方法を提供することである. 〔課題を解決するための手段〕 この発明の基板と露光用マスクとの位置合わせ方法は、
基板表面に設けた第1の位置合わせマークおよび露光用
マスクに設けた第2の位置合わせマークのいずれか一方
の各辺に、この位置合わせマークの内方側または外方側
に突出し、相互に略等しい複数の段差部を有し、隣接す
る前記段差部間を結ぶ線分が相互に略平行である凸部を
設け、各辺の凸部において対応する前記線分と前記第1
および第2の位置合わせマークの他方の各辺との各距離
が略均等になるようにすることを特徴とする. 〔作用〕 この発明の構戒によれば、基板側の第1の位置合わせマ
ークおよび露光用マスク側の第2の位置合わせマークの
いずれか一方の各辺に設けた凸部は、相互に略等しい複
数の段差部を有しており、隣接する段差部間を結ぶ線分
は相互に略平行であるので、このような凸部を設けた第
1および第2の位置合わせマークのいずれか一方は、凸
部が設けられない他方の位置合わせマークと略相似の形
状の複数の位置合わせマークと同等の働きを有すること
ができる.すなわち、各辺の凸部において対応する前記
線分により仮想的に構威される多角形は、凸部が設けら
れない前記他方の位置合わせマークと略相似な多角形と
なる. このように、凸部を設けた第1および第2の位置合わせ
マークのいずれか一方が、同時に複飲の相互に略相似な
関係の多角形の役割を果たすことができる結果、たとえ
基板側の第1の位置合わせマークが所定の寸法で基板表
面に転写されない場合にも、凸部を設けた位置合わせマ
ークの各辺の凸部において参照が可能な線分を見出し、
この線分に対応する各辺の線分と、凸部を設けない位置
合わせマークの各辺との各I!離を略均等にすることに
より、第1の位置合わせマークに第2の位置合わせマー
クを所定の精度で合わせ込むことができる.したがって
、第1の位置合わせマークの転写精度に依らずに、基板
と露光用マスクとの位置合わせを良好に、かつ一定の精
度を保って行うことができるようになる. 〔実施例〕 第1図はこの発明の一実施例の基板と露光用マスクとの
位置合わせ方法を示す説明図である.ホトレジストを塗
布した基[11の表面に先に酸化膜などの膜l2をパタ
ーン形威しておき、この膜12の周縁部を第lの位置合
わせマークmlとする.そして、この第1の位置合わせ
マークmlに、露光用マスク13(以下『マスク13,
という.)に設けた第2の位置合ね廿マークm2を合わ
せ込む.マスクl3は透明板に暗部130(第1図では
斜線を付して示す.)を選択的に形威したもので、たと
えばこの暗部13Dの周縁部が前記第2の位置合わせマ
ークm2とされる. この実施例では、第1の位置合わせマークm1は略四角
形とされ、その各辺には第1の位置合わせマークmlの
内方側に突出する凸部A1〜A4が形威されている.そ
して、第2の位置合わせマークm2は前記第1の位置合
わせマークm1に略相似形な四角形とされる. 第1の位置合わせマークmlの各辺に形威した凸部AI
−A4は、それぞれ所定の位置合わせ余裕に略等しい複
数の段差部d 1 1 −d 1 4, d21〜d
24,d31〜d34,d41〜d44を有し、各辺に
おいて隣接する段差部間を結ぶ線分は相互に略平行にな
っている.すなわち、たとえば凸部AIが形威された辺
において、段差部dll,d12を結ぶ線分wllと、
段差部dl3.dlJ間を結ぶ線分W13とは同一直線
上にあり、これらと段差部dl2,dla間を結ぶ綿分
wl2とは相互に平行となっている.さらに、これらの
線分wll,wl2,wl3は凸部A1が形威された辺
における基準辺w10(第1図では第2の位置合わせマ
ークm2と重なっている.)と相互に平行である.この
ような関係は、凸部A2〜A4が形威された各辺で同様
である. このような凸部AI−A4を形威した第1の位置合わせ
マークmlでは、各辺においてそれぞれ対応する線分w
ll (wl3).w21 (w23),w31 (w
33),w4 1 (w43);wl2,w22,w3
2,w42および基準辺wlo,W20,W30,W4
0によってそれぞれ仮想的に形成される四角形は相互に
略相似な形状を有し、このようにして第lの位置合わせ
マークmlは同時に複数の略相似な形状の位置合わせマ
ークとして機能する. 基板lとマスクl3との位置合わせに当たっては、第2
の位置合わせマークm2の各辺に近接した線分wll
(wl3),w21 (w23),w31 (w33)
.w41 (w43)(すなわち凸部Al〜A4におい
て対応する線分)を参照して行うことになる.この場合
操作者は、位置合わせ余裕j!11.4!13および位
置合わせ余裕l12,/14が相互に略等しくなるよう
に基板11またはマスク13を変位させて、位置合わせ
を行う.第1図に示された状態は、第1の位置合わせマ
一クm1が正確に転写された場合であるが、第1の位置
合わせマークmlが大きく転写された場合には第2図図
示の状態となる.すなわち、膜l2がたとえばオーバー
エッチングされた場合には膜12の縁部が後退し、結果
として基板11の表面には第1の位置合わせマークml
が大きく転写されることになる.この場合において、た
とえば従来技術では、第1の位置合わせマークmlはマ
スクl3の暗部130の背後に隠れてしまい、基板11
とマスクl3との位置合わせを行うことができなくなる
恐れがあるのに対し、この実施例では、第2図図示のよ
うに凸部A1〜A4においてそれぞれ段差部dl2.d
l3;d22,d23;d32,d33゛;d42,d
43よりも第1の位置合わせマークmlの内方側の部分
が第2の位置合わせマークm2の内方側に突出しており
、したがって線分wl2,w22,w32,w42を基
準とし、位置合わせ余裕ffi21〜ffi24を略均
等に調整して、基板lとマスクl3との位置合わせを良
好にしかも高い精度で行うことができる.逆に第l図図
示の場合よりも第1の位置合わせマークmlが小さく転
写された場合には、第1の位置合わせマークmlの基準
辺wlO,w20,w30,w40と第2の位置合わせ
マークm2の各辺との間の距離が均等になるようにして
、基板11とマスク13との位置合わせを行うことがで
きる. 以上のようにこの実施例によれば、第1の位置合わせマ
ークmlの大きさがエッチング精度の問題などから所定
の大きさから逸脱した場合にも、基板lとマスク13と
の相互の位置合わせが良好にしかも正確に行われるよう
になる.この結果、たとえば集積回路などでは回路配線
などの形成を良好に行うことができるようになり、歩留
りが格段に向上される. 前述の実施例では、基板ll側に設けた第1の位置合わ
せマークm1の各辺に凸部AI−A4を形威するように
したが、基板側に設ける第1の位置合わせマークを凸部
を設けない多角形として、露光用マスク側に設ける第2
の位置合わせマークの各辺に凸部At−A4と同様な凸
部を形威するようにしてもよい. また、前述の実施例では、第lの位置合わせマークm1
の各辺に形威される凸部A1〜A4はそれぞれ4つの段
差部を有するものとしたが、第1の位置合わせマークm
lの転写時の寸法誤差がさらに大きくなる可能性がある
場合には、各凸部の段差部をさらに多くすればよい. さらにまた、たとえば第1の位置合わせマークm1の各
辺に設けられる凸部は、この第1の位置合わせマークm
1の外方側に突出したものであってもよい. さらに第l図に示された構威において、マスク13の暗
部と透明部とが反転された構威に対してもこの発明は容
易に応用し得る. また、前述の実施例では、位置合わせマークml,m2
の形状を略四角形であるようにしたが、この位置合わせ
マークの形状としては、任意の多角形が適用可能である
.このような場合には、多角形形状の第1または第2の
位置合わせマークの各辺に前述の凸部AI−A4と同様
な凸部を設けるようにすればよい. 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明の基板と露光用マスクとの位置合
わせ方法によれば、基板側の第1の位置合わせマークが
所定の寸法で基板表面に転写されなくても、この第lの
位置合わせマークに対して露光用マスク側の第2の位置
合わせマークを一定の精度で合わせ込むことができるよ
うになり、したがって、第lの位置合わセマークの転写
精度に依らずに、基板と露光用マスクとの位置合わせを
良好に、かつ一定の梢度を保って行うことができるよう
になる. この結果、たとえば集積回路などにおいて、回路配線な
どのパターン形威を良好に行って、その歩留りを向上す
ることができるようになる.
第l図はこの発明の一実施例の基板と露光用マスクとの
位置合わせ方法を示す説明図、第2図は基板11に第1
の位置合わせマークmlが大きく転写された場合の様子
を示す説明図、第3図は従来技術を示す説明図、第4図
は基板lに第1の位置合わせマークMlが大きく転写さ
れた場合の様子を示す説明図である. 11・・・基板.13・・・露光用マスク、13D・・
・暗部、ml・・・第1の位置合わせマーク、m2・・
・第2の位置合わセマーク、AI−A4・・・凸部、d
ll〜dl4,d21〜d24,d31〜d34,d4
1−d44−・・段差部、W11〜Wl4,w21〜w
24,w31〜w34,w41〜w 4 4 ・・・線
分、l l 1 〜N 1 4, j!2 1 〜j
!24・・・位置合わせ余裕 0) 昧 寸 滅
位置合わせ方法を示す説明図、第2図は基板11に第1
の位置合わせマークmlが大きく転写された場合の様子
を示す説明図、第3図は従来技術を示す説明図、第4図
は基板lに第1の位置合わせマークMlが大きく転写さ
れた場合の様子を示す説明図である. 11・・・基板.13・・・露光用マスク、13D・・
・暗部、ml・・・第1の位置合わせマーク、m2・・
・第2の位置合わセマーク、AI−A4・・・凸部、d
ll〜dl4,d21〜d24,d31〜d34,d4
1−d44−・・段差部、W11〜Wl4,w21〜w
24,w31〜w34,w41〜w 4 4 ・・・線
分、l l 1 〜N 1 4, j!2 1 〜j
!24・・・位置合わせ余裕 0) 昧 寸 滅
Claims (1)
- 基板表面に設けた多角形形状の第1の位置合わせマーク
に、露光用マスクに設けられ前記第1の位置合わせマー
クと略相似な図形の第2の位置合わせマークを合わせ込
んで、前記基板と前記露光用マスクとの位置合わせを行
う方法において、前記第1および第2の位置合わせマー
クのいずれか一方の各辺に、この位置合わせマークの内
方側または外方側に突出し、相互に略等しい複数の段差
部を有し、隣接する前記段差部間を結ぶ線分が相互に略
平行である凸部を設け、各辺の凸部において対応する前
記線分と前記第1および第2の位置合わせマークの他方
の各辺との各距離が略均等になるようにすることを特徴
とする基板と露光用マスクとの位置合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158561A JPH0323618A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 基板と露光用マスクとの位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158561A JPH0323618A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 基板と露光用マスクとの位置合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323618A true JPH0323618A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15674394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1158561A Pending JPH0323618A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 基板と露光用マスクとの位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0323618A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5858732A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5963728A (ja) * | 1982-10-04 | 1984-04-11 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-21 JP JP1158561A patent/JPH0323618A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5858732A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5963728A (ja) * | 1982-10-04 | 1984-04-11 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
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