JPS5963728A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5963728A JPS5963728A JP57175036A JP17503682A JPS5963728A JP S5963728 A JPS5963728 A JP S5963728A JP 57175036 A JP57175036 A JP 57175036A JP 17503682 A JP17503682 A JP 17503682A JP S5963728 A JPS5963728 A JP S5963728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure mask
- mark
- alignment mark
- mask
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は写真蝕刻作業を複数回必要とする半導体装置の
製造方法、さらに詳しくは、複雑且つ高精度の露光マス
クの位置合わせが要求される半導体装置に使用される合
わせマークを有する露光マスクを用いる製造方法に関す
る。
製造方法、さらに詳しくは、複雑且つ高精度の露光マス
クの位置合わせが要求される半導体装置に使用される合
わせマークを有する露光マスクを用いる製造方法に関す
る。
従来例の構成とその問題点
一般に、半導体装置の製造技術では、たとえばバイポー
ラトランジスタの例でみると、ベース拡散、エミッタ拡
散、コンタクト孔形成、電極配線等を行うために上記し
た各工程で写真蝕刻作業を行い、その度に各工程の異な
る露光マスクを用い半導体基板と位置合わせをする必要
がある。
ラトランジスタの例でみると、ベース拡散、エミッタ拡
散、コンタクト孔形成、電極配線等を行うために上記し
た各工程で写真蝕刻作業を行い、その度に各工程の異な
る露光マスクを用い半導体基板と位置合わせをする必要
がある。
従来の各工程の多数種の露光マスクを位置合わせする方
法を、第１図および第２図を用いて説明する。先ず、第
１番目の露光マスクを用いて写真蝕刻処理を行うと、第
１図に示すよう忙、半導体基板表面の絶縁膜１に径小な
四角形の第１孔２が形成される。次にこの第１孔２を基
準にして第２番目の露光マスクの合わせマーク３に合わ
せて、写真蝕刻処理を施す。このとき、第１図の場合は
合わせマーク３の外側の絶縁膜を残すためにはポジ型フ
ォトレジストをｍ−るが、合わせマーク３は第１孔２よ
り大きくしなければ第１孔２が見えなくなり合わせられ
ない。また、第２図の場合は第１孔２の外側の絶縁膜を
残すためにはネガ型フォトレジストを用い、次に第２番
目の露光合わせマーク３は第１孔２より小さくしなけれ
ば両マーク同士の目合わせができない。
法を、第１図および第２図を用いて説明する。先ず、第
１番目の露光マスクを用いて写真蝕刻処理を行うと、第
１図に示すよう忙、半導体基板表面の絶縁膜１に径小な
四角形の第１孔２が形成される。次にこの第１孔２を基
準にして第２番目の露光マスクの合わせマーク３に合わ
せて、写真蝕刻処理を施す。このとき、第１図の場合は
合わせマーク３の外側の絶縁膜を残すためにはポジ型フ
ォトレジストをｍ−るが、合わせマーク３は第１孔２よ
り大きくしなければ第１孔２が見えなくなり合わせられ
ない。また、第２図の場合は第１孔２の外側の絶縁膜を
残すためにはネガ型フォトレジストを用い、次に第２番
目の露光合わせマーク３は第１孔２より小さくしなけれ
ば両マーク同士の目合わせができない。
従来の露光マスクの合わせマークは上述のように、使用
するフォトレジストの型により大小関係が決定されるた
め、第２露光マスクを第１露光マスクより以前に使用す
ることが出来なかった。この欠点を除去するために、従
来、同一露光マスク上に複数個の合わせマークを有し、
それら合わせマークは次番の露光マスクの合わせマーク
とは大小関係を異にし、ひとつの合わせマークは第１マ
スクの合わせマークより大きく、他のひとつの合わせマ
ークは第１マスクの合わせマークより小さくしたものが
用いられてきた。しかしながら、この方法では合わせマ
ークが複数個を要し、合わせマーク用面積が増大する。
するフォトレジストの型により大小関係が決定されるた
め、第２露光マスクを第１露光マスクより以前に使用す
ることが出来なかった。この欠点を除去するために、従
来、同一露光マスク上に複数個の合わせマークを有し、
それら合わせマークは次番の露光マスクの合わせマーク
とは大小関係を異にし、ひとつの合わせマークは第１マ
スクの合わせマークより大きく、他のひとつの合わせマ
ークは第１マスクの合わせマークより小さくしたものが
用いられてきた。しかしながら、この方法では合わせマ
ークが複数個を要し、合わせマーク用面積が増大する。
発明の目的
本発明は上記の欠点に鑑みてなされたものであり、合わ
せマークが最小であり、且つ、第２露光マスクを第１露
光マスクより以前に使用しだい場合に於いて高精度にマ
スク合わせを行なうことを可能にした半導体装置の製造
方法を提供せんとするものである。
せマークが最小であり、且つ、第２露光マスクを第１露
光マスクより以前に使用しだい場合に於いて高精度にマ
スク合わせを行なうことを可能にした半導体装置の製造
方法を提供せんとするものである。
発明の構成
本発明は、第１の露光マスクに付した合せマークに対し
て、第２の露光マスクの合せマークを、前記第１の露光
マスクの合せマークを比例縮少させた要部とこの要部か
ら前記第１の露光マスクの合せマークを越える寸度のは
み出し部とを有する露光マスクを用いることを特徴とす
る半導体装置の製造方法を提供するものである。この構
成によれば、第１および第２の露光マスクを重ねだとき
、相方の合せマークが縮少要部とはみ出し部とで互いに
内法、外法を形作るので、雨露光マスクの合せ順序を互
いに入れ替えて用いることも可能になる。
て、第２の露光マスクの合せマークを、前記第１の露光
マスクの合せマークを比例縮少させた要部とこの要部か
ら前記第１の露光マスクの合せマークを越える寸度のは
み出し部とを有する露光マスクを用いることを特徴とす
る半導体装置の製造方法を提供するものである。この構
成によれば、第１および第２の露光マスクを重ねだとき
、相方の合せマークが縮少要部とはみ出し部とで互いに
内法、外法を形作るので、雨露光マスクの合せ順序を互
いに入れ替えて用いることも可能になる。
実施例の説明
第３図は本発明実施例の露光マスクの合せマークの様相
を示すもので、第２の露光マスクの合せマーク４を、第
１の露光マスクの合せマーク６に重ねだものである。す
なわち、第２の露光マスクの合せマーク４は、第１の露
光マスクの合せマーク６に対して、その比例縮少要部４
ａと、はみ出し部４ｂとをもったものである。
を示すもので、第２の露光マスクの合せマーク４を、第
１の露光マスクの合せマーク６に重ねだものである。す
なわち、第２の露光マスクの合せマーク４は、第１の露
光マスクの合せマーク６に対して、その比例縮少要部４
ａと、はみ出し部４ｂとをもったものである。
第４図と第６図は本発明の一実施例である露光マスクの
重ね合わぜを示す図であり、第４図において６は第１の
露光マスクであり、７は第２の露光マスクである。第５
図は第４図で使用した各露光マスクと同一であり、重ね
合わせ順序を逆にしだものである。
重ね合わぜを示す図であり、第４図において６は第１の
露光マスクであり、７は第２の露光マスクである。第５
図は第４図で使用した各露光マスクと同一であり、重ね
合わせ順序を逆にしだものである。
まず、第４図（ａ）は第１の露光マスク６の合せマーク
部分を示し、合わせマーク６に対応しだ半導 。
部分を示し、合わせマーク６に対応しだ半導 。
体基板上の合せヤーク、すなわち的マークは写真蝕刻法
によって形成する。マスク合せの操作は、同図（ｂ）に
示す様に、第２の露光マスク７の合せマーク４を前記第
１の露光マスク６に付された合わせマーク６によって所
定半導体基板に蝕刻形成された的マークにマスク合わせ
を行なう。このと１第１露光マスク６０合わせマーク６
の中心点８と第２露光マスク７０合わせマーク４の中心
点９は同一点になっており、合わせマーク４は第１露光
マスク６０合わせマーク５より、はみ出し部１０がはみ
出し、これ以外は小さくなっている。このはみ出し部１
０は、半導体基板上の的マークとの差の寸法を高精度に
定めておくことにより、このはみ出し部１Ｑによって、
その的マークに対して高精度に重ね合わせることが可能
となる。
によって形成する。マスク合せの操作は、同図（ｂ）に
示す様に、第２の露光マスク７の合せマーク４を前記第
１の露光マスク６に付された合わせマーク６によって所
定半導体基板に蝕刻形成された的マークにマスク合わせ
を行なう。このと１第１露光マスク６０合わせマーク６
の中心点８と第２露光マスク７０合わせマーク４の中心
点９は同一点になっており、合わせマーク４は第１露光
マスク６０合わせマーク５より、はみ出し部１０がはみ
出し、これ以外は小さくなっている。このはみ出し部１
０は、半導体基板上の的マークとの差の寸法を高精度に
定めておくことにより、このはみ出し部１Ｑによって、
その的マークに対して高精度に重ね合わせることが可能
となる。
一方、第５図（ａ）は第４図（ｂ）Ｋ示しだ第２露光マ
スクと同一のマスクであり、これを用いて、半導体基板
上に、この合わせマーク４と同形の的マークを写真蝕刻
法によって形成する。ついで、第５図（ｂ）において、
第４図（２Ｌ）に示しだ第１露光マスク６と同一のマス
クを使用し、重ね合わせを行なう。
スクと同一のマスクであり、これを用いて、半導体基板
上に、この合わせマーク４と同形の的マークを写真蝕刻
法によって形成する。ついで、第５図（ｂ）において、
第４図（２Ｌ）に示しだ第１露光マスク６と同一のマス
クを使用し、重ね合わせを行なう。
このとき、第４図と同様に各マスク合わせマークの中心
点９，８は同一点になっている。この第５図（ｂ）にお
いては合わせマークのはみ出し部分が１１となり、この
はみ出し部１１によって半導体基板上の的マークに高精
度に重ね合わせることが可能となる。
点９，８は同一点になっている。この第５図（ｂ）にお
いては合わせマークのはみ出し部分が１１となり、この
はみ出し部１１によって半導体基板上の的マークに高精
度に重ね合わせることが可能となる。
なお、この実施例において、重ね合わせに使用するフォ
トレジストの型は何ら問題とはならない。
トレジストの型は何ら問題とはならない。
発明の効果
以上のように本発明は、第１露光マスクと第２露光マス
クの重ね合わせ順序を逆にすることができるとともに高
精度に重ね合わせを行なうことが可能となり、すぐれた
実用的効果を有するものである。
クの重ね合わせ順序を逆にすることができるとともに高
精度に重ね合わせを行なうことが可能となり、すぐれた
実用的効果を有するものである。
第１図および第２図は従来の露光マスクと的マークを重
ね合わせた平面図、第３図は本発明を実施例に適した第
１．第２露光マスクの合ぜマーク同士を重ね合わせた平
面図、第４図（ａ）（ｂ）および第６図（ａ）（ｂ）は
本発明の詳細な説明するだめの平面工程図である。 ４．６・・・・・・露光マスクの合わせマーク、４ａ・
・・・・・比例縮少要部、４ｂ・・・・・・はみ出し部
、６・・・・・・第１露光マスク、７・・・・・・第２
露光マスク、８，９・・・・・・合わせマークの中心点
、１０，１１・・・・・・合せマークのはみ出し部分。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 第５図
ね合わせた平面図、第３図は本発明を実施例に適した第
１．第２露光マスクの合ぜマーク同士を重ね合わせた平
面図、第４図（ａ）（ｂ）および第６図（ａ）（ｂ）は
本発明の詳細な説明するだめの平面工程図である。 ４．６・・・・・・露光マスクの合わせマーク、４ａ・
・・・・・比例縮少要部、４ｂ・・・・・・はみ出し部
、６・・・・・・第１露光マスク、７・・・・・・第２
露光マスク、８，９・・・・・・合わせマークの中心点
、１０，１１・・・・・・合せマークのはみ出し部分。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 第１の露光マスクに付した合せマークに対して、前記第
１の露光マスクの合せマークを比例縮少させた要部とこ
の要部から前記第１の露光マスクの合せマークを越える
寸度の突出部とを有する構成の第２の露光マスクを用い
てマスク用合せすることを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175036A JPS5963728A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175036A JPS5963728A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963728A true JPS5963728A (ja) | 1984-04-11 |
Family
ID=15989091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57175036A Pending JPS5963728A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963728A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS616824A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-13 | Nec Corp | 半導体基板目合せ法 |
| JPS61100817A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-19 | Canon Inc | 位置合わせ方法 |
| JPH0323618A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-01-31 | Matsushita Electron Corp | 基板と露光用マスクとの位置合わせ方法 |
| KR100801665B1 (ko) | 2006-12-24 | 2008-02-11 | 한국생산기술연구원 | 얼라인 마크 인식 머신 비전 시스템 및 얼라인 마크 인식방법 |
-
1982
- 1982-10-04 JP JP57175036A patent/JPS5963728A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS616824A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-13 | Nec Corp | 半導体基板目合せ法 |
| JPS61100817A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-19 | Canon Inc | 位置合わせ方法 |
| JPH0323618A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-01-31 | Matsushita Electron Corp | 基板と露光用マスクとの位置合わせ方法 |
| KR100801665B1 (ko) | 2006-12-24 | 2008-02-11 | 한국생산기술연구원 | 얼라인 마크 인식 머신 비전 시스템 및 얼라인 마크 인식방법 |
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