JPH03236271A - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JPH03236271A JPH03236271A JP3146190A JP3146190A JPH03236271A JP H03236271 A JPH03236271 A JP H03236271A JP 3146190 A JP3146190 A JP 3146190A JP 3146190 A JP3146190 A JP 3146190A JP H03236271 A JPH03236271 A JP H03236271A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- internal
- bonding
- lead frame
- insulating tape
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体装置用リードフレームの製造方法に関
し、特に半導体装置用リードフレームの各内部リードを
互いに絶縁テープで連結する製造方法に関する。
し、特に半導体装置用リードフレームの各内部リードを
互いに絶縁テープで連結する製造方法に関する。
第４図は、従来の半導体装置用リードフレームの製造工
程にあるリードフレーム１０の一部、すなわち各内部リ
ード１２（図では２本のみ参照番号を付す）と素子搭載
部１４の一部を平面図で示している。 従来の半導体装置用リードフレームの製造方法にあって
は、第４図に示すように、エツチング加工又はプレス加
工により、各内部リード１２を分離した状態に加工し、
次に所定のホンディング位置（例えば先端部）にめっき
加工を施した後、第５図に示すように、各内部リード１
２間の位置を固定しておくために、絶縁チーブ１６を内
部り一部１２に圧着していた。具体的には、図示の場合
、内部リードの幅が０．３ｍｍ位であるか、この内部リ
ードを絶縁テープが跨ぐように、内部リードの先端から
全体の１／４位（５〜１０ｍｍ位）のところに、３〜５
ｍｍの絶縁テープを圧着する。 また、特開平１−２４８６５５に示されるように、内部
リードを素子搭載部等で連結した状態に加工した後、め
っき加工を施し、前記内部リードを連結した部分以外の
ところで内部リード間を絶縁テープの圧着で連結し、し
かる後に内部リードを素子搭載部等から切り離すリード
フレームの製造方法か提案された。
程にあるリードフレーム１０の一部、すなわち各内部リ
ード１２（図では２本のみ参照番号を付す）と素子搭載
部１４の一部を平面図で示している。 従来の半導体装置用リードフレームの製造方法にあって
は、第４図に示すように、エツチング加工又はプレス加
工により、各内部リード１２を分離した状態に加工し、
次に所定のホンディング位置（例えば先端部）にめっき
加工を施した後、第５図に示すように、各内部リード１
２間の位置を固定しておくために、絶縁チーブ１６を内
部り一部１２に圧着していた。具体的には、図示の場合
、内部リードの幅が０．３ｍｍ位であるか、この内部リ
ードを絶縁テープが跨ぐように、内部リードの先端から
全体の１／４位（５〜１０ｍｍ位）のところに、３〜５
ｍｍの絶縁テープを圧着する。 また、特開平１−２４８６５５に示されるように、内部
リードを素子搭載部等で連結した状態に加工した後、め
っき加工を施し、前記内部リードを連結した部分以外の
ところで内部リード間を絶縁テープの圧着で連結し、し
かる後に内部リードを素子搭載部等から切り離すリード
フレームの製造方法か提案された。
しかし、前記従来の半導体装置用リードフレームの製造
方法にあっては、プレス加工またはエツチング加工後の
整列、めっき加工前後の整列、及びめっき加工、テープ
圧着加工前の整列、及びテープ圧着加工などの作業時に
、内部リードか曲かってしまう等の内部リード変形とい
う問題点かあった。これは、絶縁テープの圧着だけでは
、圧着作業を含めて種々の作業に対し内部リードの位置
関係を十分に保持できないことを意味している。 また、特開平１−２４８６５５の方法では、プレス加工
により内部リードと素子搭載部等の連結部を切断する際
に、ホンディング位置であるめっき面を傷付けやすいと
共に、わずかながらも内部リードに変形を生じるという
問題点があった。これは、内部リードを連結する素子搭
載部等がボンディング位置に近いのと、内部リードを連
結する部分がテープを圧着する部分から離れているから
であると考えられる。 本発明は、エツチング加工、プレス加工、めっき加工、
および絶縁テープ圧着などの作業時に発生しやすい内部
リードの位置ずれを防止した半導体装置用リードフレー
ムの製造方法を提供することを目的としている。 また、内部リードの位置ずれを防止するために内部リー
ドを連結部で互いに連結した場合に、内部リードの連結
部を除去して各内部リードを分離させる際、内部リード
のボンディング位置付近を再度加工することなく、それ
ぞれ独立のリードとして分離することを可能にし、ボン
ディング作業などの工程における作業の信頼性が低下す
るのを防止した半導体装置用リードフレームの製造方法
を提供することを目的としている。
方法にあっては、プレス加工またはエツチング加工後の
整列、めっき加工前後の整列、及びめっき加工、テープ
圧着加工前の整列、及びテープ圧着加工などの作業時に
、内部リードか曲かってしまう等の内部リード変形とい
う問題点かあった。これは、絶縁テープの圧着だけでは
、圧着作業を含めて種々の作業に対し内部リードの位置
関係を十分に保持できないことを意味している。 また、特開平１−２４８６５５の方法では、プレス加工
により内部リードと素子搭載部等の連結部を切断する際
に、ホンディング位置であるめっき面を傷付けやすいと
共に、わずかながらも内部リードに変形を生じるという
問題点があった。これは、内部リードを連結する素子搭
載部等がボンディング位置に近いのと、内部リードを連
結する部分がテープを圧着する部分から離れているから
であると考えられる。 本発明は、エツチング加工、プレス加工、めっき加工、
および絶縁テープ圧着などの作業時に発生しやすい内部
リードの位置ずれを防止した半導体装置用リードフレー
ムの製造方法を提供することを目的としている。 また、内部リードの位置ずれを防止するために内部リー
ドを連結部で互いに連結した場合に、内部リードの連結
部を除去して各内部リードを分離させる際、内部リード
のボンディング位置付近を再度加工することなく、それ
ぞれ独立のリードとして分離することを可能にし、ボン
ディング作業などの工程における作業の信頼性が低下す
るのを防止した半導体装置用リードフレームの製造方法
を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置用リー
ドフレームの製造方法においては、先端にボンディング
部を有すると共に該ボンディング部より外側の位置で連
結部により連結された内部リードを有するリードフレー
ムを形成する工程と、前記内部リードのホンディング部
にめっきを施す工程と、前記連結部を十分に覆う絶縁テ
ープを前記連結部及び内部リードに圧着する工程と、該
連結部に圧着された絶縁テープと共に前記連結部を除去
して、各内部リードを分離する工程を含む。
ドフレームの製造方法においては、先端にボンディング
部を有すると共に該ボンディング部より外側の位置で連
結部により連結された内部リードを有するリードフレー
ムを形成する工程と、前記内部リードのホンディング部
にめっきを施す工程と、前記連結部を十分に覆う絶縁テ
ープを前記連結部及び内部リードに圧着する工程と、該
連結部に圧着された絶縁テープと共に前記連結部を除去
して、各内部リードを分離する工程を含む。
上記のように構成された製造方法で半導体装置用リード
フレームを製造すると、連結部を覆うように絶縁テープ
を圧着し、連結部をその部分の絶縁テープと共にプレス
加工等により除去するため、ホンディング位置であるめ
っき面を傷付けないし、また内部リードの変形を生じる
こともない。 すなわち、本発明の半導体装置用リードフレームの製造
方法では、内部リードの先端のボンディング部より外側
の位置で連結部で互いに連結された内部リードを形成す
るので、全ての作業か終わるまで、複数の内部リードの
一体性が保持されると共に連結部を除去して内部リード
を分離する際にボンディング部を傷付けることがない、
そして、この連結部は内部リードと同時に形成されるの
で作業工程を増加することにはならない、また、内部リ
ードの先端のボンディング部は最初にリードフレームを
形成したときの形を維持でき、再加工することが無いの
で、変形するおそれか極めて小さい。 さらに、内部リードを連結部で連結したうえに絶縁テー
プを内部リードに圧着するから、圧着に際しても内部リ
ードの一体性を崩すことがないし、ずれによる内部リー
ドの変形もない。 また、連結部を十分に被覆する絶縁テープを内部リード
に圧着するから、めっき作業等に際して内部リードの十
分な支持が得られる。 さらに、連結部をその部分の絶縁テープと共に除去して
各内部リードを分離するのであるから、連結部の周辺の
内部リードはそこに付着した絶縁テープで変形等から保
護される。 なお、内部リードの先端のボンディング部にめっきを施
すのは、ワイヤーホンディング用下地として導電性、接
合性を確保するなめであることはいうまでもない。
フレームを製造すると、連結部を覆うように絶縁テープ
を圧着し、連結部をその部分の絶縁テープと共にプレス
加工等により除去するため、ホンディング位置であるめ
っき面を傷付けないし、また内部リードの変形を生じる
こともない。 すなわち、本発明の半導体装置用リードフレームの製造
方法では、内部リードの先端のボンディング部より外側
の位置で連結部で互いに連結された内部リードを形成す
るので、全ての作業か終わるまで、複数の内部リードの
一体性が保持されると共に連結部を除去して内部リード
を分離する際にボンディング部を傷付けることがない、
そして、この連結部は内部リードと同時に形成されるの
で作業工程を増加することにはならない、また、内部リ
ードの先端のボンディング部は最初にリードフレームを
形成したときの形を維持でき、再加工することが無いの
で、変形するおそれか極めて小さい。 さらに、内部リードを連結部で連結したうえに絶縁テー
プを内部リードに圧着するから、圧着に際しても内部リ
ードの一体性を崩すことがないし、ずれによる内部リー
ドの変形もない。 また、連結部を十分に被覆する絶縁テープを内部リード
に圧着するから、めっき作業等に際して内部リードの十
分な支持が得られる。 さらに、連結部をその部分の絶縁テープと共に除去して
各内部リードを分離するのであるから、連結部の周辺の
内部リードはそこに付着した絶縁テープで変形等から保
護される。 なお、内部リードの先端のボンディング部にめっきを施
すのは、ワイヤーホンディング用下地として導電性、接
合性を確保するなめであることはいうまでもない。
実施例について図面を参照して説明すると、第１図は、
第４図と同様に本発明の半導体装置用リードフレームの
製造工程にあるリードフレーム１０の一部、すなわち各
内部リード１２（図では２本のみ参照番号を付す）と素
子搭載部１４の一部を平面図で示している。 第２図、第３図は本発明の詳細な説明するなめに第１図
に対し製造工程順に示した半導体装置用リードフレーム
の部分的平面図である。 第１図では、リードフレーム１０の内部リード１２か、
その先端のボンディング部１２ａより外側すなわちタム
バー（図示せず）ｆｌｉｔの位置で互いに連結部１８で
連結されている。すなわち、本発明では、エツチング加
工、又はプレス加工によりリードフレーム１０を形成す
る際に、内部リード１２をその先端のボンディング位置
より外側の位置で互いに連結部１８で連結した形でリー
ドフレーム１０を形成する。 次に、ボンディング部１２ａにめっきを施した後、第２
図に示すように連結部１８を十分に覆う絶縁テープ１６
を内部リード１２に圧着する。このときフレーム幅０．
３〜０．５ｍｍに対して、テープｌ１１ｉ３〜５ｍｍと
する。 なお、第２図では絶縁テープ１６に被覆された内部リー
ド１２の部分および連結部１８は点線で示しである。 そして、第３図に示すように、プレス加工などにより内
部リード１２の連結部分１８をその部分に付着した絶縁
テープ１６とともに除去する。すなわち、絶縁テープ１
６は連結部分１８のところで穴２０が開いた形になる。 こうして、絶縁テープ１６を付着した半導体装置用リー
ドフレーム１０か完成する。
第４図と同様に本発明の半導体装置用リードフレームの
製造工程にあるリードフレーム１０の一部、すなわち各
内部リード１２（図では２本のみ参照番号を付す）と素
子搭載部１４の一部を平面図で示している。 第２図、第３図は本発明の詳細な説明するなめに第１図
に対し製造工程順に示した半導体装置用リードフレーム
の部分的平面図である。 第１図では、リードフレーム１０の内部リード１２か、
その先端のボンディング部１２ａより外側すなわちタム
バー（図示せず）ｆｌｉｔの位置で互いに連結部１８で
連結されている。すなわち、本発明では、エツチング加
工、又はプレス加工によりリードフレーム１０を形成す
る際に、内部リード１２をその先端のボンディング位置
より外側の位置で互いに連結部１８で連結した形でリー
ドフレーム１０を形成する。 次に、ボンディング部１２ａにめっきを施した後、第２
図に示すように連結部１８を十分に覆う絶縁テープ１６
を内部リード１２に圧着する。このときフレーム幅０．
３〜０．５ｍｍに対して、テープｌ１１ｉ３〜５ｍｍと
する。 なお、第２図では絶縁テープ１６に被覆された内部リー
ド１２の部分および連結部１８は点線で示しである。 そして、第３図に示すように、プレス加工などにより内
部リード１２の連結部分１８をその部分に付着した絶縁
テープ１６とともに除去する。すなわち、絶縁テープ１
６は連結部分１８のところで穴２０が開いた形になる。 こうして、絶縁テープ１６を付着した半導体装置用リー
ドフレーム１０か完成する。
本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載されるような効果を奏する。 各内部リードが互いに連結されている状態で、めっき加
工、絶縁テープ圧着加工を行うので、各内部リードの位
置ずれを防止できる。 また、プレス加工等により、内部リードを連結する連結
部をその部分の絶縁テープと共に除去して各内部リード
を分離させるから、ボンディング加工をする際に、リー
ド先端部位置付近を再度加工しなくてすむので、ボンデ
ィングなどの信頼性の低下を防止する。 内部リード先端のボンディング位置より外側の位置で互
いに連結された内部リードを有するリドフレームを形成
し、所定の位置にめっきを施し、内部リードの連結され
た部分を十分に覆う絶縁テープを除去する方法をとるこ
とにより、内部リードの位置ずれを防止でき、またポン
デイグ位置付近を再度加工する必要かないので、ポンデ
イグなどの信頼性を防止する効果かある。
下に記載されるような効果を奏する。 各内部リードが互いに連結されている状態で、めっき加
工、絶縁テープ圧着加工を行うので、各内部リードの位
置ずれを防止できる。 また、プレス加工等により、内部リードを連結する連結
部をその部分の絶縁テープと共に除去して各内部リード
を分離させるから、ボンディング加工をする際に、リー
ド先端部位置付近を再度加工しなくてすむので、ボンデ
ィングなどの信頼性の低下を防止する。 内部リード先端のボンディング位置より外側の位置で互
いに連結された内部リードを有するリドフレームを形成
し、所定の位置にめっきを施し、内部リードの連結され
た部分を十分に覆う絶縁テープを除去する方法をとるこ
とにより、内部リードの位置ずれを防止でき、またポン
デイグ位置付近を再度加工する必要かないので、ポンデ
イグなどの信頼性を防止する効果かある。
第１図は、本発明の実施例を示す製造工程の第１部にあ
る半導体装置用リードフレームの部分的平面図である。 第２図は、本発明の実施例を示す製造工程の第２部にあ
る半導体装置用リードフレームの部分的平面図である。 第３図は、本発明の実施例を示す製造工程の第３部にあ
る半導体装置用リードフレームの部分的平面図である。 第４図は、従来の半導体装置用リードフレームの製造方
法の工程の一部にあるリードフレームを示す部分平面図
である。 第５図は、第４図の工程の次の工程にあるリードフレー
ムを示す部分平面図である。 （この頁以下余白） 図中、 １ｏ・・ １２・・ １２ａ・ １４・ １６・・ １８・・ ２０・・ 参照数字は次のものを表す。 ・リードフレーム ・内部リード ・ボンディング部 ・素子搭載部 ・絶縁テープ ・連結部 ・連結部が除去された後の穴
る半導体装置用リードフレームの部分的平面図である。 第２図は、本発明の実施例を示す製造工程の第２部にあ
る半導体装置用リードフレームの部分的平面図である。 第３図は、本発明の実施例を示す製造工程の第３部にあ
る半導体装置用リードフレームの部分的平面図である。 第４図は、従来の半導体装置用リードフレームの製造方
法の工程の一部にあるリードフレームを示す部分平面図
である。 第５図は、第４図の工程の次の工程にあるリードフレー
ムを示す部分平面図である。 （この頁以下余白） 図中、 １ｏ・・ １２・・ １２ａ・ １４・ １６・・ １８・・ ２０・・ 参照数字は次のものを表す。 ・リードフレーム ・内部リード ・ボンディング部 ・素子搭載部 ・絶縁テープ ・連結部 ・連結部が除去された後の穴
Claims (1)
- 先端にボンディング部を有すると共に該ボンディング部
より外側の位置で連結部により連結された内部リードを
有するリードフレームを形成する工程と、前記内部リー
ドのボンディング部にめつきを施す工程と、前記連結部
を十分に覆う絶縁テープを前記連結部及び内部リードに
圧着する工程と、該連結部に圧着された絶縁テープと共
に前記連結部を除去して、各内部リードを分離する工程
を含むことを特徴とする半導体装置用リードフレームの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146190A JP2751104B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146190A JP2751104B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03236271A true JPH03236271A (ja) | 1991-10-22 |
| JP2751104B2 JP2751104B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=12331905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3146190A Expired - Lifetime JP2751104B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751104B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6037652A (en) * | 1997-05-29 | 2000-03-14 | Nec Corporation | Lead frame with each lead having a peel generation preventing means and a semiconductor device using same |
| KR100493038B1 (ko) * | 2002-12-04 | 2005-06-07 | 삼성전자주식회사 | 내부리드 끝단의 성능을 개선한 리드프레임 및 그 제조방법 |
-
1990
- 1990-02-14 JP JP3146190A patent/JP2751104B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6037652A (en) * | 1997-05-29 | 2000-03-14 | Nec Corporation | Lead frame with each lead having a peel generation preventing means and a semiconductor device using same |
| KR100493038B1 (ko) * | 2002-12-04 | 2005-06-07 | 삼성전자주식회사 | 내부리드 끝단의 성능을 개선한 리드프레임 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2751104B2 (ja) | 1998-05-18 |
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