JPH0745711B2 - 高指向性蒸着装置 - Google Patents

高指向性蒸着装置

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JPH0745711B2
JPH0745711B2 JP62310822A JP31082287A JPH0745711B2 JP H0745711 B2 JPH0745711 B2 JP H0745711B2 JP 62310822 A JP62310822 A JP 62310822A JP 31082287 A JP31082287 A JP 31082287A JP H0745711 B2 JPH0745711 B2 JP H0745711B2
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vapor deposition
vapor
vaporized substance
substrate
highly directional
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JP62310822A
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彰夫 藤原
昭一 岩永
聡子 小野寺
常彰 亀井
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は蒸発物質蒸気の被蒸着基板への入射角がほぼ
一定である高指向性蒸着装置に関するものである。
〔従来の技術〕
最近、リフトオフ法によって多層配線基板の配線層を形
成することが考えられており、リフトオフ法によって配
線層を形成するためには、高指向性蒸着装置を用いる必
要がある。
従来の高指向性蒸着装置（特公昭39−4785号公報）にお
いては、蒸発物質蒸気の被蒸着基板への入射角をほぼ一
定にするため、蒸着源と被蒸着基板との間にコメリータ
を設けている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、このような高指向性蒸着装置においては、蒸発
物質のコリメータからの噴出速度が小さいから、成膜速
度を大きくすることができない。
この発明は上述の課題を解決するためになされたもの
で、蒸着物質の指向性が高くしかも成膜速度が大きい高
指向性蒸着装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この目的を達成するため、この発明においては、蒸発物
質蒸気の被蒸着基板への入射角がほぼ一定である高指向
性蒸着装置において、密閉型のセル内に蒸発物質を入
れ、上記セルの上記被蒸着基板に対向する面に複数個の
噴出穴を設け、上記噴出穴のアスペクト比を４以上にす
る。
〔作用〕
この高指向性蒸着装置においては、蒸発物質を加熱する
と、蒸発物質が蒸発し、その蒸発物質蒸気が噴出穴から
噴出する。
〔実施例〕
第１図はこの発明に係る高指向性蒸着装置を示す断面図
である。図において、６は真空チャンバで、真空チャン
バ６は真空ポンプ（図示せず）に接続されている。５は
真空チャンバ６内に設けられた被蒸着基板、１は密閉型
のセル、２はセル１内に入れられた蒸発物質、７はセル
１の被蒸着基板５に対向する面に設けられた複数個の噴
出穴で、噴出穴７のアスペクト比は４（≒1/tan15゜）
以上である。３は蒸発物質蒸気、４は噴出蒸気である。
この高指向性蒸着装置においては、真空ポンプにより真
空チャンバ６内を10-3Pa以下に排気したのち、蒸発物質
２を加熱すると、蒸発物質２が溶融、蒸発し、蒸発物質
蒸気３となる。この結果、セル１内の圧力は真空状態に
ある真空チャンバ６内の圧力に比べて極めて高くなり、
蒸発物質蒸気３は噴出穴７から噴出して噴出蒸気４にな
る。そして、噴出穴７のアスペクト比を４以上にしてい
るから、蒸発物質蒸気３の被蒸着基板５への入射角を15
゜以下にすることができ、蒸着物質の指向性が高い。ま
た、蒸発物質蒸気３が噴出穴７から噴出するから、蒸発
物質蒸気３の噴出速度が大きく、しかもセル１に複数個
の噴出穴７が設けられているから、蒸発物質蒸気３の噴
出量が多いので、成膜速度が大きい。
なお、被蒸着基板５を振動または移動すれば、被蒸着基
板５に付着する蒸着物質の膜厚をより均一にすることが
できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明に係る高指向性蒸着装置
においては、噴出穴のアスペクト比を４以上にしている
から、蒸着物質の指向性が高い。また、蒸発物質蒸気が
噴出穴から噴出するから、蒸発物質蒸気の噴出速度が大
きく、しかもセルに複数個の噴出穴が設けられているか
ら、蒸発物質蒸気の噴出量が多いので、成膜速度が大き
い。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に係る高指向性蒸着装置を示す断面図
である。 １……セル、２……蒸発物質、３……蒸発物質蒸気、４
……噴出蒸気、５……被蒸着基板、７……噴出穴
フロントページの続き (72)発明者 亀井 常彰 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−279668（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−211067（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】蒸発物質蒸気の被蒸着基板への入射角がほ
    ぼ一定である高指向性蒸着装置において、密閉型のセル
    内に蒸発物質を入れ、上記セルの上記被蒸着基板に対向
    する面に複数個の噴出穴を設け、上記噴出穴のアスペク
    ト比を４以上にしたことを特徴とする高指向性蒸着装
    置。
JP62310822A 1987-12-10 1987-12-10 高指向性蒸着装置 Expired - Lifetime JPH0745711B2 (ja)

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JPH01152265A JPH01152265A (ja) 1989-06-14
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CN103741097B (zh) * 2013-12-30 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 真空蒸镀装置

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JPS61279668A (ja) * 1985-06-05 1986-12-10 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置

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