JPH0323633A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH0323633A JPH0323633A JP1158667A JP15866789A JPH0323633A JP H0323633 A JPH0323633 A JP H0323633A JP 1158667 A JP1158667 A JP 1158667A JP 15866789 A JP15866789 A JP 15866789A JP H0323633 A JPH0323633 A JP H0323633A
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- JP
- Japan
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- film
- mixed gas
- chloride
- wiring
- etched
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上や利用分野
本発明は、半導体集積回路や薄膜デバイス等の製造プロ
セスに使用されるアルζニウム（以後Ａｌと記す。）も
しくはＡｌ合金のドライエッチング方法に関するもので
ある。
セスに使用されるアルζニウム（以後Ａｌと記す。）も
しくはＡｌ合金のドライエッチング方法に関するもので
ある。
従来の技術
近年、半導体集積回路や薄膜デバイスは高集積化が進み
、そのため高精度の微細加工が要求されている。第２図
は従来から使用されている反応性イオンエッチングで用
いる装置である。反応室７の内部に反応ガスをガス供給
口６から導入しながら、排気手段（図示せず〉に接続し
た排・気口９から排気して約ＩＸ１０ Ｔｏｒｒ付近
の減圧状態とし、下部電極１１に高周波電源１３から高
周波電圧を印加し、前記下部電極１１と上部電極８との
間にプラズマを発生させて、被エッチング物１２をエッ
チングする。この時被エッチング物１２の均一性向上を
図るためにリング１０を配置している。この時反応ガス
としては、塩素，三塩化ホウ素を含む塩化物系混合ガス
を使用している。しかしながら、塩化物系混合ガスを使
用すると基板表面全体に残留塩素が付着し、その結果、
残留塩素がＡｌ腐食を起こす。従ってその腐食を防止す
るための後処理として、フッ素系あるいは酸素系プラズ
マによる置換を後なった後、加熱処理などを行なってい
る。一方プラズマを用いたＡｌ ドライエッチングの別
の方法として、励起された水素原子１たはメチル・ラジ
カルのうち少なくとも何れか一方を解離する物質を用い
る方法がある（Ｉ＃公昭５６−４３１ １３）。
、そのため高精度の微細加工が要求されている。第２図
は従来から使用されている反応性イオンエッチングで用
いる装置である。反応室７の内部に反応ガスをガス供給
口６から導入しながら、排気手段（図示せず〉に接続し
た排・気口９から排気して約ＩＸ１０ Ｔｏｒｒ付近
の減圧状態とし、下部電極１１に高周波電源１３から高
周波電圧を印加し、前記下部電極１１と上部電極８との
間にプラズマを発生させて、被エッチング物１２をエッ
チングする。この時被エッチング物１２の均一性向上を
図るためにリング１０を配置している。この時反応ガス
としては、塩素，三塩化ホウ素を含む塩化物系混合ガス
を使用している。しかしながら、塩化物系混合ガスを使
用すると基板表面全体に残留塩素が付着し、その結果、
残留塩素がＡｌ腐食を起こす。従ってその腐食を防止す
るための後処理として、フッ素系あるいは酸素系プラズ
マによる置換を後なった後、加熱処理などを行なってい
る。一方プラズマを用いたＡｌ ドライエッチングの別
の方法として、励起された水素原子１たはメチル・ラジ
カルのうち少なくとも何れか一方を解離する物質を用い
る方法がある（Ｉ＃公昭５６−４３１ １３）。
発明が解決しようとする課題
上記の従来の方法において、すべて塩化物系反応ガスを
用いるＡｌ ドライエッチングに関しては、残留塩素
を取シ除〈後処理を行ななっても筐だ不充分であシ、そ
の結果Ａｌ腐食がしばしば起こる問題点を生じている。
用いるＡｌ ドライエッチングに関しては、残留塩素
を取シ除〈後処理を行ななっても筐だ不充分であシ、そ
の結果Ａｌ腐食がしばしば起こる問題点を生じている。
一方、励起された水素掠子筐たはメチル●ラジカルのう
ち少なくとも何れか一方を解離する物質を用いる方法に
おいては、希ガスのアルゴンを加えてもＡｌエッチング
速度が７ ０ Ｏ Ａ／分と低く、生産性において大き
な問題点を有している。
ち少なくとも何れか一方を解離する物質を用いる方法に
おいては、希ガスのアルゴンを加えてもＡｌエッチング
速度が７ ０ Ｏ Ａ／分と低く、生産性において大き
な問題点を有している。
本発明は上記の問題点を解決するもので、Ａｄ腐食が起
こらないでかつ生産性も高いＡｌ ドライエッチング方
法を提供するものである。
こらないでかつ生産性も高いＡｌ ドライエッチング方
法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のドライエッチング
方法は、塩化物系混合ガスを用いてプラズマエッチング
特に反応性イオンエッチングを行ない、その後に水素原
子またはメチル・ラジカルの少なくとも一方を解離する
物質と不活性ガスを含む混合ガスによりアルミニウム薄
膜の厚み方向の残シの膜をプラズマエッチングをするも
のである。
方法は、塩化物系混合ガスを用いてプラズマエッチング
特に反応性イオンエッチングを行ない、その後に水素原
子またはメチル・ラジカルの少なくとも一方を解離する
物質と不活性ガスを含む混合ガスによりアルミニウム薄
膜の厚み方向の残シの膜をプラズマエッチングをするも
のである。
作 用
本発明は上記に示した方法によシ、塩化物系混合ガスＫ
よる残留塩素をメチル●ラジカルや不活性ガスを含む混
合ガスによるプラズマエッチングによシ、残留塩素の置
換や気化を促進でき、Ａｌ腐食を防ぐことが可能となる
。１たＡｌのエッチング速度に関しては、大部分を塩化
物系混合ガスによって行なうので生産性も維持できる。
よる残留塩素をメチル●ラジカルや不活性ガスを含む混
合ガスによるプラズマエッチングによシ、残留塩素の置
換や気化を促進でき、Ａｌ腐食を防ぐことが可能となる
。１たＡｌのエッチング速度に関しては、大部分を塩化
物系混合ガスによって行なうので生産性も維持できる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例のＡｌ ドライエッチング方
法によるＡｌ，Ａｌ合金膜のドライエッチングを行なっ
たものである。第１図において、ａはエッチング前の状
態である。８１基板４上に熱酸化膜３を形成した後，
Ａｄ膜２を約１μｍスパフター蒸着させ、ボジレジスト
膜１を約１．６μｍ形成させている。この試料を前記に
示した第２図の平行平板を用いた反応性イオンエッチン
グ装置を用い、ｂに示すようにＢＣＩ３を含む塩化物系
混合ガスでＡｌ配線膜約１μｍの％〜Ｘまでエッチング
加工した。この時のエッチング条件としては、ＲＦパ’
７−４００Ｗ，圧力ａ ｏ ｍ Ｔｏｒｒ ，下部電極
の温度を６０’Ｃとした。このエッチングによシ、残シ
のＡｌ配線２上には、塩化物系残留物６が付着されてい
る。次に残りのＡｄ配線膜のエッチングをメタンとアル
ゴンの混合ガスを用いて行なった。Ｃは、このエッチン
グ後の状態を示したものである。エッチング条件は，Ｒ
Ｆパワー４ｏｏＷ，圧力８ ０ｍＴｏｒｒ ，下部電極
の温度を６０’Ｃとした。このエッチングによりＡｌ配
線上に塩化物系残留物も気化され易くなると同時に、Ａ
ｌ側壁面にも保護膜が形成され易くなるためＡｌ配線膜
の腐食を防ぐことができる。
法によるＡｌ，Ａｌ合金膜のドライエッチングを行なっ
たものである。第１図において、ａはエッチング前の状
態である。８１基板４上に熱酸化膜３を形成した後，
Ａｄ膜２を約１μｍスパフター蒸着させ、ボジレジスト
膜１を約１．６μｍ形成させている。この試料を前記に
示した第２図の平行平板を用いた反応性イオンエッチン
グ装置を用い、ｂに示すようにＢＣＩ３を含む塩化物系
混合ガスでＡｌ配線膜約１μｍの％〜Ｘまでエッチング
加工した。この時のエッチング条件としては、ＲＦパ’
７−４００Ｗ，圧力ａ ｏ ｍ Ｔｏｒｒ ，下部電極
の温度を６０’Ｃとした。このエッチングによシ、残シ
のＡｌ配線２上には、塩化物系残留物６が付着されてい
る。次に残りのＡｄ配線膜のエッチングをメタンとアル
ゴンの混合ガスを用いて行なった。Ｃは、このエッチン
グ後の状態を示したものである。エッチング条件は，Ｒ
Ｆパワー４ｏｏＷ，圧力８ ０ｍＴｏｒｒ ，下部電極
の温度を６０’Ｃとした。このエッチングによりＡｌ配
線上に塩化物系残留物も気化され易くなると同時に、Ａ
ｌ側壁面にも保護膜が形成され易くなるためＡｌ配線膜
の腐食を防ぐことができる。
発明の効果
以上のように， Ａｌ ，もしくはＡｌ合金膜のドライ
エッチングにおいて、塩化物系混合ガスを所定の厚み筐
でドライエッチングを行なった後に水素原子またはメチ
ル・ラジカルの少なくとも一方を解離する物質と不活性
ガスを含む混合ガスによるドライエッチングを行なう本
発明の方法により、ＡＩ，もしくはＡｄ合金膜上を含む
被エッチング物上のドライエッチング残留塩化物を取シ
除くとともにエッチング速度の低下を防ぐことができる
ため、信頼性の向上と量産性に貢献できる。
エッチングにおいて、塩化物系混合ガスを所定の厚み筐
でドライエッチングを行なった後に水素原子またはメチ
ル・ラジカルの少なくとも一方を解離する物質と不活性
ガスを含む混合ガスによるドライエッチングを行なう本
発明の方法により、ＡＩ，もしくはＡｄ合金膜上を含む
被エッチング物上のドライエッチング残留塩化物を取シ
除くとともにエッチング速度の低下を防ぐことができる
ため、信頼性の向上と量産性に貢献できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のＡｌ合金のドライエッチン
グ方法のエッチング過程を示す図、第２図は同実施例に
おける装置の概略断面である。 ６・・・・・・ガス供給口、７・・・・・・反応室，８
・・・・・・上部電極、９・・・・・・排気口、１０・
・・・・・リング、１１・・・・・・下部電極、１２・
・・・・・被エッチング物，１３・・・・・・高周波電
源。 寓 １ 口 第 ２ 図 ６
グ方法のエッチング過程を示す図、第２図は同実施例に
おける装置の概略断面である。 ６・・・・・・ガス供給口、７・・・・・・反応室，８
・・・・・・上部電極、９・・・・・・排気口、１０・
・・・・・リング、１１・・・・・・下部電極、１２・
・・・・・被エッチング物，１３・・・・・・高周波電
源。 寓 １ 口 第 ２ 図 ６
Claims (1)
- アルミニウム被膜と同被膜を選択的に覆うマスクパター
ンの形成された半導体基板を、塩化物系混合ガスを用い
高周波グロー放電プラズマにより所定の厚みまでアルミ
ニウムもしくはアルミニウム合金をエッチングし、その
後水素原子またはメチル・ラジカルのうち少なくとも一
方を解離する物質と不活性ガスを含む混合ガスにより、
アルミニウム薄膜の厚み方向の全域にわたってエッチン
グすることを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158667A JPH0323633A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158667A JPH0323633A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323633A true JPH0323633A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15676723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1158667A Pending JPH0323633A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0323633A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383337A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Hitachi Ltd | 後処理方法 |
| JPH0415919A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Hitachi Ltd | 後処理方法 |
| US5578163A (en) * | 1991-10-21 | 1996-11-26 | Seiko Epson Corporation | Method of making an aluminum containing interconnect without hardening of a sidewall protection layer |
-
1989
- 1989-06-21 JP JP1158667A patent/JPH0323633A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383337A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Hitachi Ltd | 後処理方法 |
| JPH0415919A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Hitachi Ltd | 後処理方法 |
| US5578163A (en) * | 1991-10-21 | 1996-11-26 | Seiko Epson Corporation | Method of making an aluminum containing interconnect without hardening of a sidewall protection layer |
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