JPH0415919A - 後処理方法 - Google Patents

後処理方法

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JPH0415919A
JPH0415919A JP11759690A JP11759690A JPH0415919A JP H0415919 A JPH0415919 A JP H0415919A JP 11759690 A JP11759690 A JP 11759690A JP 11759690 A JP11759690 A JP 11759690A JP H0415919 A JPH0415919 A JP H0415919A
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JP
Japan
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post
plasma
gas
treatment
component
Prior art date
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Pending
Application number
JP11759690A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoaki Sato
佐藤　仁昭
Ryoji Fukuyama
良次 福山
Akira Kawaraya
瓦屋　彰
Yoshie Tanaka
田中　佳恵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Priority to EP19900309106 priority patent/EP0416774B1/en
Priority to DE69033663T priority patent/DE69033663T2/de
Priority to EP19970107985 priority patent/EP0809283A3/en
Priority to KR1019900013207A priority patent/KR0155380B1/ko
Publication of JPH0415919A publication Critical patent/JPH0415919A/ja
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Priority to US08/315,260 priority patent/US5556714A/en
Priority to US08/662,142 priority patent/US5770100A/en
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本登明は後処理方法に係り、特にＭ系配線材料における
エツチング処理後の防食処理に好適な後処理方法に関す
るものである。
〔従来の技術〕
従来の後処理方法は、例えば特開昭５８−８７２７６号
公報に記載のように、フルオロカーボッ例えば（Ｃ！Ｆ
、と酸素（０２）との混合ガスのプラズマによりアグン
ノグ処理を施す二とによって、防食処理を行っていた。
〔発明が解決しようとする課顯〕
上記従来技術はエツチング処理後の残留付着物除去の点
ｉこついては配慮がされていない。例えばＭ合金層１Ｍ
合金農＋バリアメタル（ＴｉＷ、ＴｉＮ等２Ｎ８４造）
、キャブメタル（ＴｉＶｉ’、　ＴｉＮ、　Ｍａｘｉ等
）又は反対防止膜十Ｍ合金膜＋バリアメタル膜の材料を
エツチング処Ｍ後、被エイチノグ処Ｊｌ膜に付着した残
留付着物が充分に除去できず、配線膜材料間の局部電流
作用と残留付着物成分中に含まれる塩素成分とによりＭ
子配線膜に腐食が発生しやすいという問題があった。
本発明の目的は５レジスト成分と腐食の原因である側壁
のＭ系残留付着物成分を個々に処理することでＭ子配線
膜に対し高い防食性能を得ることのできる後処理方法を
提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、Ｍ系配線エプチング後の後
処理をレジスト除去工程と残留付着物除去工程とに個々
に分け、レジスト除去を酸素プラズマによって行い、残
留付着物成分を少なくともＨ成分を有するプラズマ、例
えば、少なくともＨ成分と０成分、Ｈ成分と不活性ガス
、Ｈ成分とＮ２０ガスとを有するプラズマによって行う
ようにしたものである。
〔作　　　用〕
Ｍ系配線材料の後処理において、酸素（０２）プラズマ
でレジストを除去したのち、少なくともＨ成分を有する
プラズマで処理することにより、エツチング処理でＭ配
線材料に付着した残管成分、特に塩素成分（０？）がＨ
と反応し、塩化水素（ＨＯｌ）となって有効に除去され
るので８ｅ配線材料の高い防食性能を得ることができる
。
〔実　施　例〕
以下１本発明の一実施例を第１図ないし第３図により説
明する。
第１図は本発明で使用した後処理ＩＩｔ置の一例である
。本装置は、本図を省略しているがエツチング処理装置
と真空下で連結され、ｊ！続して処理可能な構造となっ
ている。マイクロ波発生ｎ１により発信されたマイクロ
波はマイクロ波導波管２により石英窓３を通して処理室
認に導入される。ガス導入口８からガス流量制御弁９に
よって制御された後処理用のガスを処理室臆に導入し排
気口４を介して、図示を省略した真空ポンプおよび圧力
調整弁５によって処理室ｎ内を圧力調整する、この状態
で、マイクロ波の導入により後処理用のガスがプラズマ
化される。
なお、多孔板■はプラズマ発生部からラジカルのみを試
料側へ出すためのものである。また、試料台７は試料台
加熱装置Ｉ６によりプラズマ処理中の試料を加熱できる
機構となっている。
上記装置を用い、後処理を行う場合の工程の一実施例を
１８２図により説明する。
エツチング処理されたウェハは、図示を省略した搬送装
置によって、第１図の＊ｔの後処理室に搬送される。そ
の後、まず、０２プラズマのみによりレジスト成分（０
，Ｈ等）が除去される。その後、０２ｐ　０３＋　不活
性ガス（例えば、Ｈｅ、人ｒ等）またはＮ２０ガスとＨ
基を有する、例えば、メタノール（ＯＨ３０Ｈ）とを混
合しプラズマ処理を行う。
これにより、Ｍ配線側壁部に付着している塩素成分（Ｏ
Ｊ）はＨ成分と反応しＨＯ／を生成し除去される。また
、Ｈ２０生成し塩素成分を溶解し脱離させるためＭ子配
線膜の腐食を防止できる。
次に、後処理を行う場合の工程の他の実施例を第３図に
より説明する。
第３図では、まず、エツチング処理後のウェハを０２ガ
スを含ない不活性ガスとＨ基を有するガスとの混合ガス
のプラズマで、Ｍ配線側壁部の塩素成分（０／）を除去
する。このとき、レジストは除去されない。その後、０
２プラズマによりレジストを除去する。効果は、第２図
に示した前記一実施例と同様である。
以上、本実施例Ｉこよれば、Ｍ子配線膜のエツチング処
理後のレジスト除去およびエツチング面に残留する塩分
を含む側壁付着物を有効に除去できるので、Ｍ合金膜、
Ｍ合金とバリアメタル等の積層Ｍ配線層に対して高い防
食性能が得られる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、レジスト成分と腐食の原因である側壁
の残留付着物成分を個々に処理でき、Ｍ子配線膜に対し
て高い防食性能を得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の後処理方法を実施するだめの後処理！
Ａ厘の一例を示す縦断面図、耶２図は零発明の後処理方
法の一実施例を示す図、第３図は本発明の後処理方法の
他の実施例を示す図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、Ａｌ系配線材料の後処理方法において、第１ステツ
    プで酸素プラズマでレジストを除去し、第２ステツプで
    Ｈ基を有するプラズマで処理する工程を有することを特
    徴とする後処理方法。 ２、請求項１記載のＨ基を有するプラズヤとして不活性
    ガス（ＡｒＨｅ等）、Ｎ＿２Ｏ、Ｏ＿２またはＯ＿３と
    ＯＨ基とを有するプラズマとする後処理方法。 ３、Ａｌ系配線材料の後処理方法において、第１ステツ
    プで不活性ガスとＨ成分を有するガスとを混合し、Ｈ成
    分を有するガスの成分比または流量比を１０％〜９０％
    とし、レジスト成分を削ることなくプラズマ処理し、第
    ２ステツプで酸素プラズマでレジストを灰化することを
    特徴とする後処理方法。 ４、請求項１ないし３の後処理方法において、プラズマ
    発光用のマイクロ波パワーを２００Ｗ〜４ＫＷとし、処
    理圧力を０．４〜２Ｔｏｒｒ、ウエハ温度を１００℃〜
    ３００℃として後処理を行う後処理方法。
JP11759690A 1989-08-28 1990-05-09 後処理方法 Pending JPH0415919A (ja)

Priority Applications (9)

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JP11759690A JPH0415919A (ja) 1990-05-09 1990-05-09 後処理方法
EP19900309106 EP0416774B1 (en) 1989-08-28 1990-08-20 A method of treating a sample of aluminium-containing material
DE69033663T DE69033663T2 (de) 1989-08-28 1990-08-20 Verfahren zur Behandlung eines Aluminium enthaltenden Musters
EP19970107985 EP0809283A3 (en) 1989-08-28 1990-08-20 Method of treating wafers
KR1019900013207A KR0155380B1 (ko) 1989-08-28 1990-08-27 시료처리방법
US07/966,849 US5380397A (en) 1989-08-28 1992-10-27 Method of treating samples
US08/315,260 US5556714A (en) 1989-08-28 1994-09-29 Method of treating samples
US08/662,142 US5770100A (en) 1989-08-28 1996-06-12 Method of treating samples
US08/986,643 US6329298B1 (en) 1989-08-28 1997-12-08 Apparatus for treating samples

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ID=14715726

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