JPH03238409A - 電気光学的な構成部材を集積光導波体に取付ける方法 - Google Patents
電気光学的な構成部材を集積光導波体に取付ける方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明はサブストレートに設けた集積光導波体に電気光
学的な構成部材を取付ける方法に関する。
学的な構成部材を取付ける方法に関する。
［従来の技術］
集積光導波体（以下光導波体という）の製作のご二めに
、一般１こはガラスから戒るサブストレートが金属マス
クによって覆われる。この金属マスクの組織は、製作す
べき光導波体の軌道を残すように写真腐食技術によって
形式される。
、一般１こはガラスから戒るサブストレートが金属マス
クによって覆われる。この金属マスクの組織は、製作す
べき光導波体の軌道を残すように写真腐食技術によって
形式される。
マスクによって残された領域内では、イオン交換によっ
てサブストレートの屈折率が高められる。この光導波体
は電気光学的な構成部材、要するに送光器又は写真電気
的な受信器に光学的に結合されなければならない。この
結合を光ファイバーで行うことは公知である。しかし、
この方法は実際に著しい問題を有している。
てサブストレートの屈折率が高められる。この光導波体
は電気光学的な構成部材、要するに送光器又は写真電気
的な受信器に光学的に結合されなければならない。この
結合を光ファイバーで行うことは公知である。しかし、
この方法は実際に著しい問題を有している。
［発明の課題１
本発明の課題は電気光学的な構成部材、要するに送光器
又は写真電気的な受信器を、技術的に簡便に制御可能な
簡単な手段によって、僅かな光損失しか生じないように
光導波体に取付ける方法を提供することにある。
又は写真電気的な受信器を、技術的に簡便に制御可能な
簡単な手段によって、僅かな光損失しか生じないように
光導波体に取付ける方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決した本発明方法の第１番目の要旨は、ａ
）サブストレートの表面に集積光導波体と交差させて溝
を形成し、ｂ）この溝内で集積光導波体に対して所望の
位置に、取付けるけるべき電気光学的な部材を位置決め
して保持し、Ｃ）電気光学的な部材を溝内で自硬性材料
によって埋込むことにある。
）サブストレートの表面に集積光導波体と交差させて溝
を形成し、ｂ）この溝内で集積光導波体に対して所望の
位置に、取付けるけるべき電気光学的な部材を位置決め
して保持し、Ｃ）電気光学的な部材を溝内で自硬性材料
によって埋込むことにある。
溝の形成のためにサブストレートの表面に腐食剤を塗布
することかできる。腐食剤の塗布は簡単に行われる。溝
の腐食は時間と温度に依存して行われ、水のスプレーに
よって停止されるこの腐食は奇麗な腐食縁を生じる。電
気光学的な構成部材は光導波体の光路内で位置調整され
、その調整された位置に自硬性材料によって正確に固定
される。自硬性材料はその屈折率の選択とあいまって、
光導波体と電気光学的な構成部材との間の損失の少ない
光の通過を保証する。サブストレートの表面上で溝の周
りに、腐食によって侵されない層を塗布する二とができ
かつオーバハングした壁部分を備えた層か前記層の下方
で溝に形成されるようにアンダーカット状に腐食を実施
し、このオーバハングした壁部分内で光導波体を終わら
せることができる。本発明によれはさらに、溝かサブス
トレートの機械的な加工によって形成される。
することかできる。腐食剤の塗布は簡単に行われる。溝
の腐食は時間と温度に依存して行われ、水のスプレーに
よって停止されるこの腐食は奇麗な腐食縁を生じる。電
気光学的な構成部材は光導波体の光路内で位置調整され
、その調整された位置に自硬性材料によって正確に固定
される。自硬性材料はその屈折率の選択とあいまって、
光導波体と電気光学的な構成部材との間の損失の少ない
光の通過を保証する。サブストレートの表面上で溝の周
りに、腐食によって侵されない層を塗布する二とができ
かつオーバハングした壁部分を備えた層か前記層の下方
で溝に形成されるようにアンダーカット状に腐食を実施
し、このオーバハングした壁部分内で光導波体を終わら
せることができる。本発明によれはさらに、溝かサブス
トレートの機械的な加工によって形成される。
溝を穿孔又はフライス加工によって形成することもでき
る。
る。
フライス工具により、サブストレートの表面に対して直
角な平らな端面を備えた部分円筒形の２つの溝を互いに
平行に形成することができる。
角な平らな端面を備えた部分円筒形の２つの溝を互いに
平行に形成することができる。
サブストレートの表面を金属層によって被覆し、この金
属層を、集積光導波体の製作後に腐食して取除く形式で
、イオン交換によって集積光導波体を製作する場合には
、取付けるべき電気光学的な構成部材の位置の近くで金
属層の部を、腐食による金属層の取除き前に被覆し、こ
れにより、残された金属層部分をボンドコンタクトとし
て形成し、このボンドコンタクトに電気光学的な構成部
材のポンド線を結合することかできる。
属層を、集積光導波体の製作後に腐食して取除く形式で
、イオン交換によって集積光導波体を製作する場合には
、取付けるべき電気光学的な構成部材の位置の近くで金
属層の部を、腐食による金属層の取除き前に被覆し、こ
れにより、残された金属層部分をボンドコンタクトとし
て形成し、このボンドコンタクトに電気光学的な構成部
材のポンド線を結合することかできる。
自硬性材料は樹脂であることができる。しかし、自硬性
材料は／リコーンゴムであっテモよし・。多くの使用例
では自硬性材料が屈折率の低い光学的な、ＵＶ−開始性
の接着剤から成るのか有利である。
材料は／リコーンゴムであっテモよし・。多くの使用例
では自硬性材料が屈折率の低い光学的な、ＵＶ−開始性
の接着剤から成るのか有利である。
電気光学的Ｉこ構成部材がヒートシンクを備えたレーザ
ーチップから成る場合には、このレーザー手ノブかヒー
トランクを上にしてサブストレート上に接着され、これ
により、レーザーチップか光導波体内に入射することか
できる。
ーチップから成る場合には、このレーザー手ノブかヒー
トランクを上にしてサブストレート上に接着され、これ
により、レーザーチップか光導波体内に入射することか
できる。
レーザーの取付けはマイクロマニプレータによってレー
ザーが位置決めされ、この位置決めのさし・にレーザー
の入力結合強度が観察されるようｊこ行われる。この場
合、観察された入力結合強度に依存して最良の入力結合
強度が生じるように調整か行われる。
ザーが位置決めされ、この位置決めのさし・にレーザー
の入力結合強度が観察されるようｊこ行われる。この場
合、観察された入力結合強度に依存して最良の入力結合
強度が生じるように調整か行われる。
レーザーの端面における反射度を不所望に注入剤の屈折
率によって減少させないように、レーザーをヒートシン
クだけに接着して、空気の存在下で封入するのがよい。
率によって減少させないように、レーザーをヒートシン
クだけに接着して、空気の存在下で封入するのがよい。
高い結合効率を得るために、レーザーは５μｍより少な
い間隔で光導波体の端面に対置される外部の共鳴室を備
えたレーザーを有する集積光学機構の製作のために、部
分的に反射性を排除すべく、レーザーの前方の面領域を
、光導波体の屈折率に適合した屈折率を有する注入剤に
よって埋込むことかできる。その場合、背面は付加的に
鏡面化されなければならない。
い間隔で光導波体の端面に対置される外部の共鳴室を備
えたレーザーを有する集積光学機構の製作のために、部
分的に反射性を排除すべく、レーザーの前方の面領域を
、光導波体の屈折率に適合した屈折率を有する注入剤に
よって埋込むことかできる。その場合、背面は付加的に
鏡面化されなければならない。
外部の共鳴室を備えたレーザーを有する集積光学機構の
製作のために、レーザーの背面を鏡面化し、光導波体を
外部の鏡へ案内することもできる。外部の鏡の形成のた
めに、サブストレートの端面を鏡面化し、この端面に光
導波体を案内することができる。
製作のために、レーザーの背面を鏡面化し、光導波体を
外部の鏡へ案内することもできる。外部の鏡の形成のた
めに、サブストレートの端面を鏡面化し、この端面に光
導波体を案内することができる。
電気光学的な構成部材はフォトダイオードを備えること
ができる。しかし、電気光学的な構成部材は発光ダイオ
ードを有することもできるフォトダイオード又は発光ダ
イオードはチップの一部を形成することができる。
ができる。しかし、電気光学的な構成部材は発光ダイオ
ードを有することもできるフォトダイオード又は発光ダ
イオードはチップの一部を形成することができる。
［実施例］
ガラスから成るサブストレートが符号ｌＯで示しである
。サブストレート内には光導波体１２かサブストレート
を金属層で覆うことによって形成されている。金属層は
フォト腐食法によって、光導波体１２の通路が空けられ
たままにされかつサブストレートｉｏの残りの表面が覆
われるように処理される。イオン交換によってガラスの
屈折率が表面の露出部分の範囲で高められ、光導波体Ｉ
２が形成される。イオン交換の後に金属層か腐食して取
り除かれる。このことは周知な方法であって、従１て詳
細な説明は省略する。
。サブストレート内には光導波体１２かサブストレート
を金属層で覆うことによって形成されている。金属層は
フォト腐食法によって、光導波体１２の通路が空けられ
たままにされかつサブストレートｉｏの残りの表面が覆
われるように処理される。イオン交換によってガラスの
屈折率が表面の露出部分の範囲で高められ、光導波体Ｉ
２が形成される。イオン交換の後に金属層か腐食して取
り除かれる。このことは周知な方法であって、従１て詳
細な説明は省略する。
金属層を腐食して取り除く前に、面部分１４１６か覆わ
れる。面部分１４．．１６は電気光学的な構成部分、す
なわち発光器若しくはフォト電気的な受信器を光導波体
１２に接続しようとする箇所の両側に位置している。従
って、面部分１４．１６は金属層を腐食して取り除く際
に一緒に取り除かれるのではなく、残されたままである
。面部分１４．１６の金属層は電気光学的な構成部材の
ポンド接点を形成している。
れる。面部分１４．．１６は電気光学的な構成部分、す
なわち発光器若しくはフォト電気的な受信器を光導波体
１２に接続しようとする箇所の両側に位置している。従
って、面部分１４．１６は金属層を腐食して取り除く際
に一緒に取り除かれるのではなく、残されたままである
。面部分１４．１６の金属層は電気光学的な構成部材の
ポンド接点を形成している。
面部分１４．１６の間には腐食剤の水滴がもたらされる
。ガラスサブストレートにおいては腐食剤は７ノ化水素
酸（ＨＦ）である。このような腐食剤はサブストレート
ｌＯの表面を腐食して溝１８を形成する。溝の深さは時
間と温度によって規定される。溝１８の所望の深さか達
成された後に、腐食過程が中断される。このことは水を
用いた洗い流し４こよって行われる。溝は光導波体１２
を切断している。溝内には電気光学的な構成部材２０が
差し込まれる。この電気光学的な構成部材は例えば光ダ
イオード若しくは７オトダイオードであってよい。電気
光学的な構成部材はポンド線２２．２４を用いて、面部
分１４．１６の金属層のポンド接点にボンディングされ
ている。電気光学的な構成部材の接続は従来の形式で導
体接着剤２６．２８によって行われる。
。ガラスサブストレートにおいては腐食剤は７ノ化水素
酸（ＨＦ）である。このような腐食剤はサブストレート
ｌＯの表面を腐食して溝１８を形成する。溝の深さは時
間と温度によって規定される。溝１８の所望の深さか達
成された後に、腐食過程が中断される。このことは水を
用いた洗い流し４こよって行われる。溝は光導波体１２
を切断している。溝内には電気光学的な構成部材２０が
差し込まれる。この電気光学的な構成部材は例えば光ダ
イオード若しくは７オトダイオードであってよい。電気
光学的な構成部材はポンド線２２．２４を用いて、面部
分１４．１６の金属層のポンド接点にボンディングされ
ている。電気光学的な構成部材の接続は従来の形式で導
体接着剤２６．２８によって行われる。
電気光学的な構成部材２０は次いで光導波体１２の放射
路に整合させられる。このような整合の後に、構成部材
２０は硬化性の液体の水滴を用し・て注入固定される。
路に整合させられる。このような整合の後に、構成部材
２０は硬化性の液体の水滴を用し・て注入固定される。
硬化性の液体の屈折率は、光４Ｊ！Ｌ体１２と電気光学
的な構成部材２０との間の良好な光学的な結合を維持す
るように選はれる。液体の硬化の後に、電気光学的な構
成部材か光導波体に対する所定の位置に固定さｔｚ、ｈ
部の影響に対して保護され、実質的にサブストレート内
Ｏ内に埋め込まれる。硬化した水滴は構成部材２０上に
隆起部３０を形成する。この隆起部３０はポンド線２２
．２４及びポンド線とポンド接点との接続部を一緒に密
閉している。
的な構成部材２０との間の良好な光学的な結合を維持す
るように選はれる。液体の硬化の後に、電気光学的な構
成部材か光導波体に対する所定の位置に固定さｔｚ、ｈ
部の影響に対して保護され、実質的にサブストレート内
Ｏ内に埋め込まれる。硬化した水滴は構成部材２０上に
隆起部３０を形成する。この隆起部３０はポンド線２２
．２４及びポンド線とポンド接点との接続部を一緒に密
閉している。
電気光学的な構成部材の注入固定のための材料としては
合或樹脂若しくはシリコーンゴムが用（１られてよい。
合或樹脂若しくはシリコーンゴムが用（１られてよい。
第１図及び第２図の実施例でよ、電気光学的な構成部材
２０はフォト電気的な受信器、例えばフォトダイオード
である。この７オト電気的な受信器は、例えば前置増幅
器を備えたチップに組み込まれている。７オト電気的な
受信器の代わりに発光ダイオードが同じ形式で組み込ま
れていてよい。
２０はフォト電気的な受信器、例えばフォトダイオード
である。この７オト電気的な受信器は、例えば前置増幅
器を備えたチップに組み込まれている。７オト電気的な
受信器の代わりに発光ダイオードが同じ形式で組み込ま
れていてよい。
第３図及び第４図はほぼ同じ方法に基つくレザー３２の
装着を示している。第１図及び第２図の構成部材に対応
する構成部材＋、＝は第１図及び第２図の構成部材の符
号と同じ符号が付けである。レーザー３２はヒートシン
ク３４を有している。ヒートシンク３４を備えたレーザ
ー３２は頭を下にして組み込まれており、従ってブロッ
ク状のヒートシンク３４かレーザーを保持する側面でサ
ブストレート１０の表面３６に接触している。レーザー
３２は腐食成形された溝１８内に突入している。レーザ
ーは光導波体１２に対して調節される。次いでヒートシ
ンク３４が表面３６に接着される。最後にポンド線２２
．２４を含むすへての構成部材が硬化性の液体で埋め込
まれる。
装着を示している。第１図及び第２図の構成部材に対応
する構成部材＋、＝は第１図及び第２図の構成部材の符
号と同じ符号が付けである。レーザー３２はヒートシン
ク３４を有している。ヒートシンク３４を備えたレーザ
ー３２は頭を下にして組み込まれており、従ってブロッ
ク状のヒートシンク３４かレーザーを保持する側面でサ
ブストレート１０の表面３６に接触している。レーザー
３２は腐食成形された溝１８内に突入している。レーザ
ーは光導波体１２に対して調節される。次いでヒートシ
ンク３４が表面３６に接着される。最後にポンド線２２
．２４を含むすへての構成部材が硬化性の液体で埋め込
まれる。
第５図の実施例においては、サブストレートｌＯの表面
３６内の溝４０が機械的な処置、すなわちドリル加工に
よって形成されている。溝４０は第１図の実施例と同じ
ように光導波体１２を切断している。溝４０内には７才
トダイオド４２か差し込まれている。フォトダイオード
４２は光導波体１２よりも著しく大きい。従って、光導
波体１２の端面に対する例えば２００の放射角度におい
てもフォトダイオード４２の良好な受信効率が得られる
。低屈折率の接着剤の形の注入剤４４の注入によって放
射角度が付加的に減少せしめられる。フォトダイオード
４２はチップ４６の一部分である。チップ４６はサブス
トレート１０の表面３６及び溝４０に対して傾斜してい
る。電気的な接続のために、チップ前面４８がポンド線
５０にふつうにポンディングされる。チップ背面５２に
はポンド線５４が導体／ルバーで接着される。外部のポ
ンド支持点として、前に述へたようにサブストレートの
被覆の残された部分が用いられる。この目的のために薄
膜電極があとから施されてよい第６図の実施例ではレー
ザー５８及びヒートシンク６０を備えたレーザーチップ
５６が頭を下にしてサブストレート１０の表面の１ｌ１
６２内に配置されている。レーザー５８はマイクロマニ
プレータを用いて光導波体１２の端面に対して調節され
る。調節中に、光導波体１２へのレーザー５８の入力結
合強度がコントロールされる。調節は、入力結合強度が
できるだけ最適Ｉこなるように行われる。１つのレーザ
ーの入力結合に際し溝６２の表面内の障害が１つのフォ
トダイオードの入力結合の際よりも強く作用するので、
レーザー５８と光導波体１２の端面との間の間隔はでき
るだけ小さく維持されねばならない。穿孔若しくは腐食
によって形成されたほぼ０．３．ｍｓの溝においては、
５μｍの間隔か得られる。
３６内の溝４０が機械的な処置、すなわちドリル加工に
よって形成されている。溝４０は第１図の実施例と同じ
ように光導波体１２を切断している。溝４０内には７才
トダイオド４２か差し込まれている。フォトダイオード
４２は光導波体１２よりも著しく大きい。従って、光導
波体１２の端面に対する例えば２００の放射角度におい
てもフォトダイオード４２の良好な受信効率が得られる
。低屈折率の接着剤の形の注入剤４４の注入によって放
射角度が付加的に減少せしめられる。フォトダイオード
４２はチップ４６の一部分である。チップ４６はサブス
トレート１０の表面３６及び溝４０に対して傾斜してい
る。電気的な接続のために、チップ前面４８がポンド線
５０にふつうにポンディングされる。チップ背面５２に
はポンド線５４が導体／ルバーで接着される。外部のポ
ンド支持点として、前に述へたようにサブストレートの
被覆の残された部分が用いられる。この目的のために薄
膜電極があとから施されてよい第６図の実施例ではレー
ザー５８及びヒートシンク６０を備えたレーザーチップ
５６が頭を下にしてサブストレート１０の表面の１ｌ１
６２内に配置されている。レーザー５８はマイクロマニ
プレータを用いて光導波体１２の端面に対して調節され
る。調節中に、光導波体１２へのレーザー５８の入力結
合強度がコントロールされる。調節は、入力結合強度が
できるだけ最適Ｉこなるように行われる。１つのレーザ
ーの入力結合に際し溝６２の表面内の障害が１つのフォ
トダイオードの入力結合の際よりも強く作用するので、
レーザー５８と光導波体１２の端面との間の間隔はでき
るだけ小さく維持されねばならない。穿孔若しくは腐食
によって形成されたほぼ０．３．ｍｓの溝においては、
５μｍの間隔か得られる。
このようにして規定された位置でレーザー５８が固定さ
れねばならない。この場合レーザーチップが損傷されて
はならない。屈折率、ひいてはレーザー５８の端面の反
射能力も変えられてはならない。このような理由から第
６図の実施例においてレーザー５８は注入剤６４を用い
てヒートシンク６０にのみ接着される。レーザ５８自体
は空気を封入した状態で溝６２内に閉し込められている
。
れねばならない。この場合レーザーチップが損傷されて
はならない。屈折率、ひいてはレーザー５８の端面の反
射能力も変えられてはならない。このような理由から第
６図の実施例においてレーザー５８は注入剤６４を用い
てヒートシンク６０にのみ接着される。レーザ５８自体
は空気を封入した状態で溝６２内に閉し込められている
。
圧入剤としては光学的な低屈折率のＵｖ・開始した接着
剤か用いられる。
剤か用いられる。
第７図の実施例は第６図の実施例と類似のものである。
対応する構成部材には第６図の実施例の構成部材の符号
と同じ符号を付けられている。
と同じ符号を付けられている。
第７図においては、溝６６が横フライス削りによって形
成されている。第８図及び第９図から明らかであるよう
に、横フライス削りによる溝６６は円筒区分の形状であ
る。小さな側フライスを光導波体の方向に対して横方向
に運動させて形成された断面方形溝６６はサブストレー
ト１０の表面に対しかつ光導波体１２の方向に対して直
角にかつ互いに平行な平らな２つの端面６８，７０を有
している。端面６８．７０間を第８図から明らかなよう
に、溝６６の円筒形の底部壁面７２が延びている。
成されている。第８図及び第９図から明らかであるよう
に、横フライス削りによる溝６６は円筒区分の形状であ
る。小さな側フライスを光導波体の方向に対して横方向
に運動させて形成された断面方形溝６６はサブストレー
ト１０の表面に対しかつ光導波体１２の方向に対して直
角にかつ互いに平行な平らな２つの端面６８，７０を有
している。端面６８．７０間を第８図から明らかなよう
に、溝６６の円筒形の底部壁面７２が延びている。
このような溝においてはレーザー５８と光導波体との間
隔かほぼ２μｍに減少できる。光学機構内に組み込まれ
外部の共鳴室を備えたレーザーを有するレーザー装置を
形成するために、レーザー３２が第１Ｏ図に示すように
溝１８内に完全に埋め込まれている。これによってレー
ザー３２の前の斜面が、光導波体屈折率に適合された屈
折率の注入剤を介して結合されている。
隔かほぼ２μｍに減少できる。光学機構内に組み込まれ
外部の共鳴室を備えたレーザーを有するレーザー装置を
形成するために、レーザー３２が第１Ｏ図に示すように
溝１８内に完全に埋め込まれている。これによってレー
ザー３２の前の斜面が、光導波体屈折率に適合された屈
折率の注入剤を介して結合されている。
レーザー３２の後ろの面７４が鏡面化されねばならない
。このような配置は、Ｅ Ｐ −Ａ’ ｌ −０２０９
７２３号明細書に記載しであるような回転センサの構成
のために用いられる。光導波体１２は第１０図に概略的
に描いた外部の鏡７６に導かれている。
。このような配置は、Ｅ Ｐ −Ａ’ ｌ −０２０９
７２３号明細書に記載しであるような回転センサの構成
のために用いられる。光導波体１２は第１０図に概略的
に描いた外部の鏡７６に導かれている。
第１０図に示す実施例においては、溝１８が腐食によっ
て形成されている。このためにサブストレート１０の表
面３６が溝１８の設けられた箇所の周囲で耐腐食剤性の
層７８によって覆われている。層７８は腐食防止塗料に
よって形成されている。腐食過程はアンダカット状の腐
食が生じるように制御される。腐食剤が層７８の下側の
範囲へ浸透する。これによってＮ１８の壁の上縁部にＮ
７８のすぐ下側にオーバーハング８０か生じる。光導波
体１２がオーバーハング８０の範囲内を案内されている
。これによって、レーザー３２を光導波体１２の端部の
直前に配置することが容易である。
て形成されている。このためにサブストレート１０の表
面３６が溝１８の設けられた箇所の周囲で耐腐食剤性の
層７８によって覆われている。層７８は腐食防止塗料に
よって形成されている。腐食過程はアンダカット状の腐
食が生じるように制御される。腐食剤が層７８の下側の
範囲へ浸透する。これによってＮ１８の壁の上縁部にＮ
７８のすぐ下側にオーバーハング８０か生じる。光導波
体１２がオーバーハング８０の範囲内を案内されている
。これによって、レーザー３２を光導波体１２の端部の
直前に配置することが容易である。
類似の形式で、電気光学的な別の構成部材のための溝が
構成されかつ形成されてよい。
構成されかつ形成されてよい。
第１１図及び第１２図は光学機構内へのレーザー５８の
配置を示しており、レーザーは外部の共鳴室を有してい
る。
配置を示しており、レーザーは外部の共鳴室を有してい
る。
レーザー５８は頭を下にして溝内に取り付けられている
。ヒートンン々６０がサブストレート１０の表面３６に
取り付けられている。溝は第７図から第９図の実施例に
類似して横フライス削り成形部によって形成されている
。第７図から第９図の実施例と異なって、第１１図及び
第１２図の実施例においてはレーザー５８か硬化性の液
体８２で埋め込まれている。レーザー５８の、光導波体
１２と逆の後ろの面が鏡面８４を備えている。さらに、
共鳴室が鏡面８６によって制限されており、鏡面はガラ
スから成るサブストレート１０の端面に形成されている
。
。ヒートンン々６０がサブストレート１０の表面３６に
取り付けられている。溝は第７図から第９図の実施例に
類似して横フライス削り成形部によって形成されている
。第７図から第９図の実施例と異なって、第１１図及び
第１２図の実施例においてはレーザー５８か硬化性の液
体８２で埋め込まれている。レーザー５８の、光導波体
１２と逆の後ろの面が鏡面８４を備えている。さらに、
共鳴室が鏡面８６によって制限されており、鏡面はガラ
スから成るサブストレート１０の端面に形成されている
。
光導波体１２は鏡面化された端面に導かれている。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図は光
導波体に入力結合された電気光学的な構成部材の概略的
な側面図、第２図は光導波体及び電気光学的な構成部材
を備えたサブストレートの部分平面図、第３図はヒート
／アクを備えたレーザーを光導波体に入力結合した装置
の概略的な側面図、第４図は第３図の装置の部分平面図
、第５図はフォトダイオードを光導波＼ 体に光学的に結合した装置の概略的な側面図、第６図は
ヒートシンクを備えた半導体レーザーを穿孔によって形
成されｔ；溝内に配置して光導波体に結合した装置の概
略的な側面図、第７図は第６図の実施例１；類似の半導
体レーザーを横フライス削りによって形成された溝内に
配置した装置の概略的な側面図、第８図は第７図の装置
の右側から見た断面図、第９図は第７図の装置の平面図
、第１０図はレーザーを備えた光学機構の概略的な側面
図、第１１図はレーザー及び外部の共鳴室を備えた別の
装置の概略的な側面図、及び第１２図は第１１図の装置
の平面図である。 １０・・・サブストレート、１２・・・光導波体、１４
及び１６・・・面部分、１８・・・溝、２０・・・構成
部材、２２及び２４・・・ボンド線、３０・・・隆起部
、３２・・・レーザー ３４・・・ヒートシンク、３６
・・・表面、４０・・・溝、４２・・・フォトダイオー
ド、４４・・・注入剤、４６・・・チップ、４８・・・
チップ前面５０・・・ボンド線、５２・・・チップ背面
、５４・・・ボンド線、５８・・・レーザー ６０・・
・ヒートシンク、６２・・・溝、６４・・・注入剤、６
６・・・溝、６８及び７０・・・端面、７２・・・底部
壁面、７４・・・面、７６・・・鏡、７８・・・層、８
０・・・オーバーハング、手続補正書（ｊ５え、 平成 ２年１２月２ら日 許 庁 長 官 殿 １．１Ｇ件の表示 平成 ２年 特許願 第２２８５０９号２、発明の名称 電気光テ／、的な構成部材を集積先導波体に取付ける方
法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 ボーデンゼーヴエルク・ゲレーテテヒニーク・
ゲゼルシャフト・ミツト・ベシュレンクテル・ハフラン
グ ４、代理人 ６゜ ７゜ 補正の対象 （１）願書の特許出願人の代表音欄 （２）委任状 （３）図面 補正の内容 （１）（２）（３）共に別紙の通り
導波体に入力結合された電気光学的な構成部材の概略的
な側面図、第２図は光導波体及び電気光学的な構成部材
を備えたサブストレートの部分平面図、第３図はヒート
／アクを備えたレーザーを光導波体に入力結合した装置
の概略的な側面図、第４図は第３図の装置の部分平面図
、第５図はフォトダイオードを光導波＼ 体に光学的に結合した装置の概略的な側面図、第６図は
ヒートシンクを備えた半導体レーザーを穿孔によって形
成されｔ；溝内に配置して光導波体に結合した装置の概
略的な側面図、第７図は第６図の実施例１；類似の半導
体レーザーを横フライス削りによって形成された溝内に
配置した装置の概略的な側面図、第８図は第７図の装置
の右側から見た断面図、第９図は第７図の装置の平面図
、第１０図はレーザーを備えた光学機構の概略的な側面
図、第１１図はレーザー及び外部の共鳴室を備えた別の
装置の概略的な側面図、及び第１２図は第１１図の装置
の平面図である。 １０・・・サブストレート、１２・・・光導波体、１４
及び１６・・・面部分、１８・・・溝、２０・・・構成
部材、２２及び２４・・・ボンド線、３０・・・隆起部
、３２・・・レーザー ３４・・・ヒートシンク、３６
・・・表面、４０・・・溝、４２・・・フォトダイオー
ド、４４・・・注入剤、４６・・・チップ、４８・・・
チップ前面５０・・・ボンド線、５２・・・チップ背面
、５４・・・ボンド線、５８・・・レーザー ６０・・
・ヒートシンク、６２・・・溝、６４・・・注入剤、６
６・・・溝、６８及び７０・・・端面、７２・・・底部
壁面、７４・・・面、７６・・・鏡、７８・・・層、８
０・・・オーバーハング、手続補正書（ｊ５え、 平成 ２年１２月２ら日 許 庁 長 官 殿 １．１Ｇ件の表示 平成 ２年 特許願 第２２８５０９号２、発明の名称 電気光テ／、的な構成部材を集積先導波体に取付ける方
法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 ボーデンゼーヴエルク・ゲレーテテヒニーク・
ゲゼルシャフト・ミツト・ベシュレンクテル・ハフラン
グ ４、代理人 ６゜ ７゜ 補正の対象 （１）願書の特許出願人の代表音欄 （２）委任状 （３）図面 補正の内容 （１）（２）（３）共に別紙の通り
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、サブストレートに設けられた集積光導波体に電気光
学的な構成部材を取付ける方法において、 ａ）サブストレートの表面に集積光導波体と交差させて
溝を形成し、 ｂ）この溝内で集積光導波体に対して所望の位置に、取
付けるけるべき電気光学的な部材を位置決めして保持し
、 ｃ）電気光学的な部材を溝内で自硬性材料によって埋込
むこと を特徴とする電気光学的な部材を集積光導波体に取付け
る方法。 ２、溝の形成のためにサブストレートの表面に腐食剤を
塗布する請求項１記載の方法。 ３、サブストレート（１０）がガラスから成り、腐食剤
がフッ化水素酸である請求項２記載の方法。 ４、ａ）サブストレートの表面上で溝の周りに、腐食剤
によって侵されない層を設け、 ｂ）前記層の下方にオーバハングした壁部分が溝に形成
されるようにアンダーカット状に腐食を実施し、 ｃ）集積光導波体をこのオーバハングした 壁部分内で終わらせる２項又は３項記載の方法。 ５、溝をサブストレートの機械的な加工によって形成す
る請求項１記載の方法。 ６、溝を穿孔によって形成する請求項５記載の方法。 ７、溝をフライス加工によって形成する請求項５記載の
方法。 ８、フライス工具によって、サブストレートの表面に対
して直角な平らな端面を備えた部分円筒形の２つの溝を
互いに平行に形成する請求項７記載の方法。 ９、自硬性材料として樹脂を使用する請求項１から８ま
でのいずれか１項記載の方法。 １０、自硬性材料としてシリコーンゴムを使用する請求
項１から８までのいずれか１項記載の方法。 １１、自硬性材料として、屈折率の低い光学的なＵＶ−
開始性の接着剤を使用する請求項１ から８までのいずれか１項記載の方法。 １２、サブストレートの表面（３６）を金属層によって
被覆し、この金属層を、集積光導波体（１２）の製作後
に腐食して取除く形式で、イオン交換によって集積光導
波体（１２）を製作する場合に、取付けるべき電気光学
的な構成部材（２０）の位置の近くで金属層の一部を、
腐食による金属層の取除き前に被覆し、これにより、残
された金属層部分をボンドコンタクトとして形成し、こ
のボンドコンタクトに電気光学的な構成部材（２０）の
ボンド線（２２、２４）を結合する請求項１から１１ま
でのいずれか１項記載の方法。 １３、ａ）電気光学的な構成部材がヒートシンク（３４
）を備えたレーザーチップであり、 ｂ）このレーザーチップ（３２）がヒートシンクを上に
してサブストレート（１０）に接着されており、 これにより、レーザーチップが集積光導波体（１２）内
に光を入射する請求項１から１２までのいずれか１項記
載の方法。 １４、ａ）レーザーをマイクロマニプレータによって位
置決めし、 ｂ）その位置決め時にレーザーの入力結合 強度を観察する請求項１３記載の方法。 １５、レーザーをヒートシンクだけに接着し、空気の存
在下で封入する請求項１３又は１４記載の方法。 １６、外部の共鳴室を備えたレーザーを有する集積光学
機構の製作のために、部分的に反射性を排除すべくレー
ザーの前面領域を、集積光導波体の屈折率に適合した屈
折率を有する注入剤によって埋込む請求項１１又は１２
記載の方法。 １７、外部の共鳴室を備えたレーザーを有する集積光学
機構の製作のために、レーザーの背面を鏡面化し、集積
光導波体を外部の鏡へ案内する請求項１５記載の方法。 １８、外部の鏡の形成のために、サブストレートの端面
を鏡面化し、これに集積光導波体を案内する請求項１７
記載の方法。 １９、電気光学的な構成部材がフォトダイオードを備え
ている請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法
。 ２０、電気光学的な構成部材が発光ダイオードを備えて
いる請求項１から１２項記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3928894.3 | 1989-08-31 | ||
| DE19893928894 DE3928894A1 (de) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Verfahren zum anbringen von elektrooptischen bauteilen an integriert-optischen wellenleitern |
| DE4002490A DE4002490A1 (de) | 1989-08-31 | 1990-01-29 | Verfahren zum anbringen von elektrooptischen bauteilen an integriert-optischen wellenleitern |
| DE4002490.3 | 1990-01-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238409A true JPH03238409A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=25884630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2228509A Pending JPH03238409A (ja) | 1989-08-31 | 1990-08-31 | 電気光学的な構成部材を集積光導波体に取付ける方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5091045A (ja) |
| EP (1) | EP0415382A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03238409A (ja) |
| DE (1) | DE4002490A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5253319A (en) * | 1992-02-24 | 1993-10-12 | Corning Incorporated | Planar optical waveguides with planar optical elements |
| DE4220135A1 (de) * | 1992-06-15 | 1993-12-16 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Ankoppeln von Photoelementen an integriert-optische Schaltungen in Polymertechnologie |
| EP0617303A1 (en) * | 1993-03-19 | 1994-09-28 | Akzo Nobel N.V. | A method of integrating a semiconductor component with a polymeric optical waveguide component, and an electro-optical device comprising an integrated structure so attainable |
| US5824186A (en) * | 1993-12-17 | 1998-10-20 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
| US6864570B2 (en) * | 1993-12-17 | 2005-03-08 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
| US5514627A (en) * | 1994-01-24 | 1996-05-07 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for improving the performance of light emitting diodes |
| SE503905C2 (sv) * | 1994-03-16 | 1996-09-30 | Ericsson Telefon Ab L M | Förfarande för framställning av en optokomponent samt optokomponent |
| SE513183C2 (sv) * | 1994-03-18 | 2000-07-24 | Ericsson Telefon Ab L M | Förfarande för framställning av en optokomponent samt kapslad optokomponent |
| WO1998042628A1 (de) | 1997-03-26 | 1998-10-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen eines glaskörpers mit mindestens einer ausnehmung |
| US6118915A (en) * | 1997-06-30 | 2000-09-12 | Kyocera Corporation | Hybrid assembly of bulk optical elements and method of making the same |
| US6393183B1 (en) * | 1998-08-13 | 2002-05-21 | Eugene Robert Worley | Opto-coupler device for packaging optically coupled integrated circuits |
| US6684007B2 (en) * | 1998-10-09 | 2004-01-27 | Fujitsu Limited | Optical coupling structures and the fabrication processes |
| WO2002057823A2 (en) * | 2001-01-22 | 2002-07-25 | Civcom Devices & Systems Ltd. | Fast all-optical switches and attenuators |
| US20050174639A1 (en) * | 2001-01-22 | 2005-08-11 | Zeev Zalevsky | Fast all-optical switches and attenuators |
| DE10314494B3 (de) * | 2003-03-27 | 2004-11-18 | Infineon Technologies Ag | Elektrooptisches Modul |
| US8444328B2 (en) | 2009-12-11 | 2013-05-21 | International Business Machines Corporation | Electro-optical assembly fabrication |
| US10197732B2 (en) | 2016-08-26 | 2019-02-05 | Corning Optical Communications LLC | Methods for forming ion-exchanged waveguides in glass substrates |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2426347A1 (fr) * | 1978-05-18 | 1979-12-14 | Thomson Csf | Source laser a semi-conducteur et son procede de fabrication |
| FR2466866A1 (fr) * | 1979-10-05 | 1981-04-10 | Thomson Csf | Procede de couplage entre une fibre optique et une diode opto-electronique, et tete d'emission ou de reception realisee par ce procede |
| US4666236A (en) * | 1982-08-10 | 1987-05-19 | Omron Tateisi Electronics Co. | Optical coupling device and method of producing same |
| JPS59143109A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光集積回路 |
| US4767430A (en) * | 1985-08-15 | 1988-08-30 | Corning Glass Works | Optical fiber-device interconnection and method |
| ATE50864T1 (de) * | 1985-10-16 | 1990-03-15 | British Telecomm | Fabry-perot-interferometer. |
| US4812002A (en) * | 1986-10-24 | 1989-03-14 | Hitachi, Ltd. | Optical coupling device and method of making the same |
| DE3712815A1 (de) * | 1987-04-15 | 1988-11-10 | Bodenseewerk Geraetetech | Messvorrichtung mit einem laser und einem ringresonator |
| EP0331332A3 (en) * | 1988-03-03 | 1991-01-16 | AT&T Corp. | Device including a component in alignment with a substrate-supported waveguide |
| US5008213A (en) * | 1988-12-09 | 1991-04-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Hybrid wafer scale microcircuit integration |
| DE3904172A1 (de) * | 1989-02-11 | 1990-08-16 | Wabco Westinghouse Fahrzeug | Ventillamelle |
-
1990
- 1990-01-29 DE DE4002490A patent/DE4002490A1/de not_active Withdrawn
- 1990-08-29 EP EP19900116563 patent/EP0415382A3/de not_active Withdrawn
- 1990-08-31 US US07/575,977 patent/US5091045A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-31 JP JP2228509A patent/JPH03238409A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4002490A1 (de) | 1991-08-01 |
| EP0415382A3 (en) | 1992-06-10 |
| EP0415382A2 (de) | 1991-03-06 |
| US5091045A (en) | 1992-02-25 |
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