JPS59143109A - 光集積回路 - Google Patents
光集積回路Info
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- JPS59143109A JPS59143109A JP58017240A JP1724083A JPS59143109A JP S59143109 A JPS59143109 A JP S59143109A JP 58017240 A JP58017240 A JP 58017240A JP 1724083 A JP1724083 A JP 1724083A JP S59143109 A JPS59143109 A JP S59143109A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
-
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- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
- G02F1/3133—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type the optical waveguides being made of semiconducting materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光集積回路に関し、その製造コストが低廉にな
るよう改良したものである。
るよう改良したものである。
従来の導波型光機能素子の代表例を第1図に示す。同図
に示すように、この光機能素子は2つの導波路1.2間
の分布結合現象を利用したもので、基板3の材料として
電気光学効果を有するものを使用すれば導波路1.2に
印加する電圧を変化させ導波路1,2の位相定数を制御
することによりスイッチング素子や変調素子を実現する
ことができる。ところが前記導波路1゜2はシングルモ
ード導波路であり、導波路幅は数〜数10μmnオーダ
であυ、導波路1.2の間隔も同程度のザイズである。
に示すように、この光機能素子は2つの導波路1.2間
の分布結合現象を利用したもので、基板3の材料として
電気光学効果を有するものを使用すれば導波路1.2に
印加する電圧を変化させ導波路1,2の位相定数を制御
することによりスイッチング素子や変調素子を実現する
ことができる。ところが前記導波路1゜2はシングルモ
ード導波路であり、導波路幅は数〜数10μmnオーダ
であυ、導波路1.2の間隔も同程度のザイズである。
一方、前記光機能素子’& 光7アイパ通信システムの
スイッチング素子に使う場合、光ファイ・ぐの外径は1
25μmであるため、一対の光ファイ・ぐを第1図に示
す光機能素子の導波路1.2の端部に直接結合すること
はできない。そこで、第2図に示すように、導波路4.
5のように曲り部分を設けて導波路4.5の端部の間隔
がつ“0フアイ・々6,6a+7.7aの外径程度にな
るまで延長して直接結合を行なっている。
スイッチング素子に使う場合、光ファイ・ぐの外径は1
25μmであるため、一対の光ファイ・ぐを第1図に示
す光機能素子の導波路1.2の端部に直接結合すること
はできない。そこで、第2図に示すように、導波路4.
5のように曲り部分を設けて導波路4.5の端部の間隔
がつ“0フアイ・々6,6a+7.7aの外径程度にな
るまで延長して直接結合を行なっている。
ところがこの場合には次の欠点がある。
1)光機能素子の価格が高価になる。これは次の理由に
よる。即ち、曲9導波路4,5の伝搬損失は曲率半径が
小さい程大きくなる。そこで損失を低く抑えるために曲
率半径を大きくすると必要な導波路4.5の間隔を得る
ための導波路長t(第2図参照)が長くなり、スイッチ
ング素子を実現するために使用される電気光学効果を有
する材料が、InP + GaAs +B i 12
S 1020の単結晶と一般に高価な材料が使用される
ことと相俟ちこの種の光機能素子の価格の高騰を招来し
てしまう。
よる。即ち、曲9導波路4,5の伝搬損失は曲率半径が
小さい程大きくなる。そこで損失を低く抑えるために曲
率半径を大きくすると必要な導波路4.5の間隔を得る
ための導波路長t(第2図参照)が長くなり、スイッチ
ング素子を実現するために使用される電気光学効果を有
する材料が、InP + GaAs +B i 12
S 1020の単結晶と一般に高価な材料が使用される
ことと相俟ちこの種の光機能素子の価格の高騰を招来し
てしまう。
11)結果的に光機能素子のサイズが太きくなυ、例え
ば導波路4.5をエピタキシャル成長により形成する場
合には太面植に亘シ均質なエピタキシャル層を得ること
は困難である等、製作の困州性を伴なう。
ば導波路4.5をエピタキシャル成長により形成する場
合には太面植に亘シ均質なエピタキシャル層を得ること
は困難である等、製作の困州性を伴なう。
本発明は、上記従来技術の欠点に鑑み、容易且つ安価に
調造し得る光集積回路を提供することを目的とする。か
かる目的全達成する本発明は、2種以上の基板を使用す
る混成光集積回路とした点をその技術思想の基礎とする
ものである。
調造し得る光集積回路を提供することを目的とする。か
かる目的全達成する本発明は、2種以上の基板を使用す
る混成光集積回路とした点をその技術思想の基礎とする
ものである。
以下本発明の実施例を図面に基づき詳細に説明する。光
集積回路とは、レーザダイオードLD、フォトダイオー
ドPD、モソユレータ、マルチプレクサ等の光機能素子
を一枚の基板上に集積したものであシ、集積度が向上す
るにしたがい導波路間隔が狭くなる。一方、光ファイバ
の外径は規格で125μmに決められており、したがっ
て間隔が狭い複数の導波路を有する光集積回路に複数の
光ファイバを結合することは物理的に不可能である。第
3図に、この種の光機能素子である光スイツチング素子
を示す。同図に示すように、本例の光機能素子8である
スイッチング素子は、n −IHP基板9上にガイド層
10としてn −11GaAsP 、 クラッド措1
1としてp −InP若しくはp −InGaA、s
P をエピタキシャル成長させて電極層12を形成し
た後、第3図に示す構造にエツチング加工してス) I
Jツブロード型の導波路13.14を作製したものであ
る。この場合、導波路13.14の間隔を狭くすると一
つの導波路13に入射した元が他の導波路14に移行す
る分布結合が現われ、エネルギが100%移行するのに
必要な長さである完全結合長は導波路13.14の間隔
が狭くなれば短かくなる。いま、当該スイッチング素子
の素子長を完全結合長にした状態で一方の導波路13に
のみ電界を印加すると、IIIPの電気光学効果によシ
導波路13の屈折率が変化し両導波路13.14間で位
相笈数差△βが発生すを印加すると、一旦他の導波路1
4に移行した光のエネルギが再ひもとの導波路13に戻
る。
集積回路とは、レーザダイオードLD、フォトダイオー
ドPD、モソユレータ、マルチプレクサ等の光機能素子
を一枚の基板上に集積したものであシ、集積度が向上す
るにしたがい導波路間隔が狭くなる。一方、光ファイバ
の外径は規格で125μmに決められており、したがっ
て間隔が狭い複数の導波路を有する光集積回路に複数の
光ファイバを結合することは物理的に不可能である。第
3図に、この種の光機能素子である光スイツチング素子
を示す。同図に示すように、本例の光機能素子8である
スイッチング素子は、n −IHP基板9上にガイド層
10としてn −11GaAsP 、 クラッド措1
1としてp −InP若しくはp −InGaA、s
P をエピタキシャル成長させて電極層12を形成し
た後、第3図に示す構造にエツチング加工してス) I
Jツブロード型の導波路13.14を作製したものであ
る。この場合、導波路13.14の間隔を狭くすると一
つの導波路13に入射した元が他の導波路14に移行す
る分布結合が現われ、エネルギが100%移行するのに
必要な長さである完全結合長は導波路13.14の間隔
が狭くなれば短かくなる。いま、当該スイッチング素子
の素子長を完全結合長にした状態で一方の導波路13に
のみ電界を印加すると、IIIPの電気光学効果によシ
導波路13の屈折率が変化し両導波路13.14間で位
相笈数差△βが発生すを印加すると、一旦他の導波路1
4に移行した光のエネルギが再ひもとの導波路13に戻
る。
即ち、スイッチングが印加■圧Vを制御することによシ
実現される。
実現される。
コノ場合、導波路13.14はシングルモードガイドで
ある事が必要で、そのために導波路幅及び導波路厚がと
もに数μmのオーダとなる。
ある事が必要で、そのために導波路幅及び導波路厚がと
もに数μmのオーダとなる。
また、完全結合長(素子長)f:数喘のオーダにするた
めには導波路13.14の間隔は数μmのオーダにしな
ければならない。したがって外径125μmの元ファイ
バを夫々の導波路13゜14に直接結合することは物理
的に不可能である。このため従来は第2図に示す曲り導
波路4゜5を形成していたのであるが、この場合の欠点
は既述の通シである。
めには導波路13.14の間隔は数μmのオーダにしな
ければならない。したがって外径125μmの元ファイ
バを夫々の導波路13゜14に直接結合することは物理
的に不可能である。このため従来は第2図に示す曲り導
波路4゜5を形成していたのであるが、この場合の欠点
は既述の通シである。
本笑施例では第2図における導波路4.5の曲シ部分を
安価で導波路作製が芥易な他の基板を使用している。即
ち、第4図に示すように、基板15には、第3図に示す
スイッチング素子である光機能素子8を収納し得るよう
凹部となっている収納部15aがエツチングにより形成
されるとともに、一端が光機能素子8と結合され他端が
光ファイバ6.6a、7.7aと結合される導波路16
.16a 、17.17aが形成されている。この導波
路16.16a 、17+17aは光ファイバl 6
+ 16 a + 17 + 17 a側から光機能素
子8側に向かつて間隔が結くなっている。前記基板15
の材料としてはパイレックスガラスが好適である。また
、エツチングの方法としてはHF(フッ化水素)による
ケミカルエツチングが好適である。更に、導波路16゜
16a、17.17aはこれら以外の部分をマスキンク
した基板15をKNo、 85 ’%、TtN0.15
チの液に400〜500℃で加熱、拡散することにより
容易に作製することができる。また、光機能素子8の基
板9としてはGaAs 、 InP 、 St 。
安価で導波路作製が芥易な他の基板を使用している。即
ち、第4図に示すように、基板15には、第3図に示す
スイッチング素子である光機能素子8を収納し得るよう
凹部となっている収納部15aがエツチングにより形成
されるとともに、一端が光機能素子8と結合され他端が
光ファイバ6.6a、7.7aと結合される導波路16
.16a 、17.17aが形成されている。この導波
路16.16a 、17+17aは光ファイバl 6
+ 16 a + 17 + 17 a側から光機能素
子8側に向かつて間隔が結くなっている。前記基板15
の材料としてはパイレックスガラスが好適である。また
、エツチングの方法としてはHF(フッ化水素)による
ケミカルエツチングが好適である。更に、導波路16゜
16a、17.17aはこれら以外の部分をマスキンク
した基板15をKNo、 85 ’%、TtN0.15
チの液に400〜500℃で加熱、拡散することにより
容易に作製することができる。また、光機能素子8の基
板9としてはGaAs 、 InP 、 St 。
Bi、2Si02+ LiNbO3等の単結晶材が使用
でき、GaAs + InP等の化合物半導体を使用す
ればLED 。
でき、GaAs + InP等の化合物半導体を使用す
ればLED 。
PD等を集積することができる。第5図はLDを集積し
た例である。同図における光機能素子18はLDの出力
を2本の光ファイバからなる導波路19.20にスイッ
チングするトランスミッタである。基板21には前記導
波路19゜20に結合され反光機能素子側端部に向かっ
て間隔が拡がる導波路22.23が形成しである。
た例である。同図における光機能素子18はLDの出力
を2本の光ファイバからなる導波路19.20にスイッ
チングするトランスミッタである。基板21には前記導
波路19゜20に結合され反光機能素子側端部に向かっ
て間隔が拡がる導波路22.23が形成しである。
基板15.21及び導波路16.16a、17゜17a
、19.20は石英基板上にGeドープのS f o、
をCVDでコーティングした後HFでエツチングするこ
とによっても作製し得る。
、19.20は石英基板上にGeドープのS f o、
をCVDでコーティングした後HFでエツチングするこ
とによっても作製し得る。
以上実施例とともに具体的に説明したように、本発明に
よれは、高機能、高集積度の部分のみをInP r G
aAFl 等の高価令高機能基板材料で構成し、他の比
較的集積度の低い部分を安価な基板で構成したので大き
なサイズのもの、即ち光ファイバに結合される導波路の
間隔を充分数ることができる光集積回路を安価に作製し
得る。
よれは、高機能、高集積度の部分のみをInP r G
aAFl 等の高価令高機能基板材料で構成し、他の比
較的集積度の低い部分を安価な基板で構成したので大き
なサイズのもの、即ち光ファイバに結合される導波路の
間隔を充分数ることができる光集積回路を安価に作製し
得る。
第1図は光機能素子を示す斜視図、第2図は従来技術に
係る曲シ導波路を有する光機能素子を光ファイバととも
に示す平面図、第3図は本発明の実施例に係る光機能素
子を抽出して示す斜視図、第4図は本発明の一実施例を
示す斜視図、第5図は本発明の他の実施例を示す平面図
である。 図面中 6 + 6 a + 7.7 aは元ファイバ、8.1
8は光機能素子、 9.15は基板、 13+14.16,16a、、17+17a。 19.20..22.23は導波路、 15aは収納部である。 第1図 第4図 第3図 第5図
係る曲シ導波路を有する光機能素子を光ファイバととも
に示す平面図、第3図は本発明の実施例に係る光機能素
子を抽出して示す斜視図、第4図は本発明の一実施例を
示す斜視図、第5図は本発明の他の実施例を示す平面図
である。 図面中 6 + 6 a + 7.7 aは元ファイバ、8.1
8は光機能素子、 9.15は基板、 13+14.16,16a、、17+17a。 19.20..22.23は導波路、 15aは収納部である。 第1図 第4図 第3図 第5図
Claims (1)
- 相互の間隔が光ファイバの外径寸法よりも小さい複数の
導波路が形成されて光機能部が集積化されてける基板と
、この基板を嵌入し得る凹部である収納部が形成される
とともに一端が前記導波路に結合され他端が元ファイバ
に結合され得るよう他端側の相互の間隔が光ファイバの
外径寸法よりも大きい複数の導波路が形成されている基
板とを有することを特徴とする光集積回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017240A JPS59143109A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 光集積回路 |
| CA000445339A CA1244273A (en) | 1983-02-04 | 1984-01-16 | Integrated optic circuit |
| EP84300502A EP0118185B1 (en) | 1983-02-04 | 1984-01-26 | Integrated optical circuit device |
| DE8484300502T DE3462630D1 (en) | 1983-02-04 | 1984-01-26 | Integrated optical circuit device |
| US06/576,483 US4729618A (en) | 1983-02-04 | 1984-02-02 | Integrated optic circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017240A JPS59143109A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 光集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143109A true JPS59143109A (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=11938415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58017240A Pending JPS59143109A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 光集積回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4729618A (ja) |
| EP (1) | EP0118185B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59143109A (ja) |
| CA (1) | CA1244273A (ja) |
| DE (1) | DE3462630D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62123605U (ja) * | 1986-01-27 | 1987-08-06 | ||
| JPH02208604A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光集積回路 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2572050B2 (ja) * | 1986-11-05 | 1997-01-16 | シャープ株式会社 | 導波路型光ヘツド |
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