JPH03238419A - 強誘電性液晶組成物及び素子 - Google Patents
強誘電性液晶組成物及び素子Info
- Publication number
- JPH03238419A JPH03238419A JP2035236A JP3523690A JPH03238419A JP H03238419 A JPH03238419 A JP H03238419A JP 2035236 A JP2035236 A JP 2035236A JP 3523690 A JP3523690 A JP 3523690A JP H03238419 A JPH03238419 A JP H03238419A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野；
本発明は強誘電性（以下ＦＬＣという）成品組成物並び
に素子に関し、更に詳しくは、液晶層内の電気抵抗値を
低下させるため、特定の添加剤を混合し特性を改善した
ＦＬＣ組戊物並びに素子に関する。
に素子に関し、更に詳しくは、液晶層内の電気抵抗値を
低下させるため、特定の添加剤を混合し特性を改善した
ＦＬＣ組戊物並びに素子に関する。
クラークとラガヴアル等の提案した強誘電性液晶素子の
構成においては、第２図に示されるように液晶層内で各
液晶分子の双極子の方向が揃い、液晶の自発分極が生じ
ている。
構成においては、第２図に示されるように液晶層内で各
液晶分子の双極子の方向が揃い、液晶の自発分極が生じ
ている。
この自発分極の存在は、強誘電性液晶素子のスイッチン
グ特性の条件であるため、この自発分極による電荷の片
寄りは、５ＳＦＬＣＤ （Ｓｕｒｆａｃｅ ５ｔａｂｉ
ｌｉｚｅｄＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｅｖｉｃｅ）においては不可避な
ものである。
グ特性の条件であるため、この自発分極による電荷の片
寄りは、５ＳＦＬＣＤ （Ｓｕｒｆａｃｅ ５ｔａｂｉ
ｌｉｚｅｄＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｅｖｉｃｅ）においては不可避な
ものである。
この自発分極によって誘起される５ＳＦＬＣセル内ての
内部電界の存在については、既に本発明者らによって十
分明らかにされている。
内部電界の存在については、既に本発明者らによって十
分明らかにされている。
例えば、特開昭６３−１３５９２２号公報に於ては、液
晶分子の分極電荷による電界に対して、液晶層内に存在
しているイオン性不純物が泳動し、イオンの不均一な偏
在が生じる事が説明されている。
晶分子の分極電荷による電界に対して、液晶層内に存在
しているイオン性不純物が泳動し、イオンの不均一な偏
在が生じる事が説明されている。
このために５ＳＦＬＣセルのメモリー状態に於ては液晶
分子の作る分極電場に対して、イオンの偏在による抗電
場が形成され、電気的安定状態をなしている訳である。
分子の作る分極電場に対して、イオンの偏在による抗電
場が形成され、電気的安定状態をなしている訳である。
また特開昭６４−７８２３５号公報に於ては、前記の議
論をより進展させて電極上に絶縁体膜を有する５ＳＦＬ
Ｃセルに於て、双安定性を実現させるための一般的手法
を述べている。
論をより進展させて電極上に絶縁体膜を有する５ＳＦＬ
Ｃセルに於て、双安定性を実現させるための一般的手法
を述べている。
即ち絶縁体層を有する５ＳＦＬＣセル内において、前記
イオンの偏在によって自発分極Ｐｓが作る電場に対し、
抗電場が形成されている。この状態で外部駆動回路から
の電圧によって自発分極の向きが一瞬にして反転すると
、イオンの４動が伴わないため、抗電場はそのまま残り
、セル内に不安定な電界を生じる。本発明者らはこれを
［逆電圧」と呼び、第１３回液晶討論会に於て発表して
いる。（同予稿集ｐ、１４２ （１９８７）） 前者の特開昭６３−１３５９２２号公報てはｓｗｉｔｃ
ｈｉｎｇによって発生した前記逆電圧を液晶の抵抗値を
下げる事で早期に緩和しようとしたものであり、後者の
特開昭６４−７８２３５号公報では自発分極Ｐｓ。
イオンの偏在によって自発分極Ｐｓが作る電場に対し、
抗電場が形成されている。この状態で外部駆動回路から
の電圧によって自発分極の向きが一瞬にして反転すると
、イオンの４動が伴わないため、抗電場はそのまま残り
、セル内に不安定な電界を生じる。本発明者らはこれを
［逆電圧」と呼び、第１３回液晶討論会に於て発表して
いる。（同予稿集ｐ、１４２ （１９８７）） 前者の特開昭６３−１３５９２２号公報てはｓｗｉｔｃ
ｈｉｎｇによって発生した前記逆電圧を液晶の抵抗値を
下げる事で早期に緩和しようとしたものであり、後者の
特開昭６４−７８２３５号公報では自発分極Ｐｓ。
絶縁体膜の容ｉ Ｃｉ 、及び抵抗Ｒ１、液晶層の容量
ＣＬＣによって対処しようとしたものである。
ＣＬＣによって対処しようとしたものである。
本発明は前記特開昭６３−１３５９２２号公報をさらに
押し進めたものであリミ以下に述べる自発分極に起因す
る逆電圧によるデイスプレィ上の障害を軽減するもので
ある。
押し進めたものであリミ以下に述べる自発分極に起因す
る逆電圧によるデイスプレィ上の障害を軽減するもので
ある。
即ち逆電圧の発生は自発分極の値が大きい場合には外部
電界によって有効にスイッチングができなくなり、素子
としての基本特性を満足しない。また自発分極の値が小
さい時は双安定性を満足する事はできるが、上記逆電圧
があたかもＤＣ／＜イアス的に働き、デイスプレィの画
質を劣化させる事につまり、例えばメモリ性を有する双
安定なＦＬＣパネルにとって、ある画素がずっと“黒”
状態に置かれていた時、この状態を安定にする様にイオ
ンが分極し、抗電場が形成される。その後外部駆動回路
より“白”信号が入ると、画素の全領域は一瞬にして白
になる。この過程で前述の逆電圧が発生するために、画
素内の液晶の閾値電圧の小さい部分、例えば画素電極エ
ツジやスペーサーヒーズの周辺領域が元の“黒”にゆっ
くりと戻される。
電界によって有効にスイッチングができなくなり、素子
としての基本特性を満足しない。また自発分極の値が小
さい時は双安定性を満足する事はできるが、上記逆電圧
があたかもＤＣ／＜イアス的に働き、デイスプレィの画
質を劣化させる事につまり、例えばメモリ性を有する双
安定なＦＬＣパネルにとって、ある画素がずっと“黒”
状態に置かれていた時、この状態を安定にする様にイオ
ンが分極し、抗電場が形成される。その後外部駆動回路
より“白”信号が入ると、画素の全領域は一瞬にして白
になる。この過程で前述の逆電圧が発生するために、画
素内の液晶の閾値電圧の小さい部分、例えば画素電極エ
ツジやスペーサーヒーズの周辺領域が元の“黒”にゆっ
くりと戻される。
そして次のフレームでの走査によって再び先述の現象を
呈するが、逆電圧が衰頽するに従って、“黒”に戻され
る領域は徐々に小さくなってゆく。
呈するが、逆電圧が衰頽するに従って、“黒”に戻され
る領域は徐々に小さくなってゆく。
そしてやがて“白“に安定なイオン分極が形成されると
この現象は消失する。これは全説明した場合の逆すなわ
ち白から黒への変化であっても同様である。そして該現
象は観察者にとって、黒情報から白へ書き換えた時、「
かすれた黒」が残像として視認されてしまう。
この現象は消失する。これは全説明した場合の逆すなわ
ち白から黒への変化であっても同様である。そして該現
象は観察者にとって、黒情報から白へ書き換えた時、「
かすれた黒」が残像として視認されてしまう。
この様にＦＬＣデイスプレィにおける逆電圧は、パネル
の基本特性に係わる他、残像などの画質に関与するなど
重大な影響を与えている訳である。
の基本特性に係わる他、残像などの画質に関与するなど
重大な影響を与えている訳である。
本発明は以上の障害を軽減する事が課題である。
また、もう一つの本発明の課題はテトラブチルアンモニ
ウムブロマイド（ＴＢＡＢ）の様な塩は一般に液晶に対
して溶解性が悪く、特に低温で析出するという問題があ
ったため、溶解性の良い化合物を提供することである。
ウムブロマイド（ＴＢＡＢ）の様な塩は一般に液晶に対
して溶解性が悪く、特に低温で析出するという問題があ
ったため、溶解性の良い化合物を提供することである。
〔課題を解決するための手段（及び作用）〕本発明は前
記の課題に鑑み、液晶層の抵抗ＲＬＣを安定にかつ再現
性良く下げるために、下式で示す化合物を（ａ）グルー
プ、（ｂ）グループより選択したそれぞれ少なくとも１
種以上を同時に添加した事を特徴とするものである。
記の課題に鑑み、液晶層の抵抗ＲＬＣを安定にかつ再現
性良く下げるために、下式で示す化合物を（ａ）グルー
プ、（ｂ）グループより選択したそれぞれ少なくとも１
種以上を同時に添加した事を特徴とするものである。
化合物（ａ）
２
Ｒ，−Ｎ”−Ｒ４Ｘ
３
（ただし、Ｒ，、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４はそれぞれ１１もし
くは炭素数１−１８の置換基を有してもよい直鎖状もし
くは分岐状のアルキル基を示す。また、Ｘ−はＣｆ−も
しくはＢｒ−を示す。）化合物（ｂ） （ただし、Ｒ５，Ｒ６はそれぞれＨまたは炭素数ｌ〜１
８の置換基を有しても良い直鎖状もしくは分岐状のアル
キル基を示す。Ｘｌは単結合もしくは−Ｏ−を示し、ｘ
２は単結合、−Ｏ−−０Ｃ−１ 〇 −Ｃ〇−のいずれかを示す。Ｚ、は−０Ｃ−もしＯＯ くは一０ＣＨ２−を示す。またＡ１は−Ａ２もしくは−
Ａ２−Ａ３−を示し、Ａ２．Ａ３は本発明による好まし
い化合物（ａ）としてはテトラブチルアンモニウムブロ
マイド（ＴＢＡＢ）、テトラエチルアンモニウムブロマ
イド（ＴＥＡＢ）、テトラプロピルアンモニウムブロマ
イド（ＴＰＡＢ）あるいはこれらの塩素化物があるが、
液晶への溶解性の点で更に好ましくは臭化物であるＴＢ
ＡＢ、ＴＰＡＢなどが良い。
くは炭素数１−１８の置換基を有してもよい直鎖状もし
くは分岐状のアルキル基を示す。また、Ｘ−はＣｆ−も
しくはＢｒ−を示す。）化合物（ｂ） （ただし、Ｒ５，Ｒ６はそれぞれＨまたは炭素数ｌ〜１
８の置換基を有しても良い直鎖状もしくは分岐状のアル
キル基を示す。Ｘｌは単結合もしくは−Ｏ−を示し、ｘ
２は単結合、−Ｏ−−０Ｃ−１ 〇 −Ｃ〇−のいずれかを示す。Ｚ、は−０Ｃ−もしＯＯ くは一０ＣＨ２−を示す。またＡ１は−Ａ２もしくは−
Ａ２−Ａ３−を示し、Ａ２．Ａ３は本発明による好まし
い化合物（ａ）としてはテトラブチルアンモニウムブロ
マイド（ＴＢＡＢ）、テトラエチルアンモニウムブロマ
イド（ＴＥＡＢ）、テトラプロピルアンモニウムブロマ
イド（ＴＰＡＢ）あるいはこれらの塩素化物があるが、
液晶への溶解性の点で更に好ましくは臭化物であるＴＢ
ＡＢ、ＴＰＡＢなどが良い。
また、化合物（ｂ）において、Ｒ，、Ｒ２は好ましくは
下２（ｉ）、 （ｉｉ）から選ばれる。
下２（ｉ）、 （ｉｉ）から選ばれる。
ｉ）炭素数１−１８のｎ−アルキル基、より好ましくは
炭素数４〜１４のｎ−アルキル基 ｌｌ） Ｈ３ ＋ ＣＨ２升ＣＨＣｎ Ｈ２ｎ＋１ （たたし、ｍはＯ〜７の整数であり、ｎは１〜９の整数
である。また、ｎが２以上の時は光学活性であっても良
い。） Ｚ、は好ましくは一０Ｃ−であり、Ｘ２はＡ１が（ｂ−
５） 具体的な構造式を下記に示す。
炭素数４〜１４のｎ−アルキル基 ｌｌ） Ｈ３ ＋ ＣＨ２升ＣＨＣｎ Ｈ２ｎ＋１ （たたし、ｍはＯ〜７の整数であり、ｎは１〜９の整数
である。また、ｎが２以上の時は光学活性であっても良
い。） Ｚ、は好ましくは一０Ｃ−であり、Ｘ２はＡ１が（ｂ−
５） 具体的な構造式を下記に示す。
（ｂ
１０）
（ｂ−２０）
す
（ｂ
１５）
（ｂ
２５）
○
（ｂ
３０）
（ｂ
４０）
（ｂ
３５）
前述の化合物（ｂ）は、一般的に以下に示す経路により
合成することができる。
合成することができる。
等を示す。）
（ただし、Ｒ５，Ｒ６，Ａ、、Ｘ２は前述の通りである
。） 合成例 ４−ペンチルシクロヘキサンカルホン酸、２．３ジシア
ノ−４−へキシルオキンフェニルの合成２．３−ジシア
ノハイドロキノン２７ｇ （１６８，８ｍｍｏｌ）。
。） 合成例 ４−ペンチルシクロヘキサンカルホン酸、２．３ジシア
ノ−４−へキシルオキンフェニルの合成２．３−ジシア
ノハイドロキノン２７ｇ （１６８，８ｍｍｏｌ）。
８５％５％水酸化カルラム２２． （３３７ｍｍｏｌ）
をメタノール６５ｍＡ、 ジメチルホルムアミド３０
２ｍｊ２に溶かし、５０℃まで昇温した。ヘキシルブロ
マイド３３．４ｇ （２０２，４ｍｍｏｌ）を２５分か
けて滴下した後、１００℃まで昇温し、３時間撹拌した
。冷水に注入し、エーテル洗浄した後、水層に６Ｎ塩酸
を加えｐＨ＝１とした。析出した結晶をエーテルで抽出
し、エーテル層を５％炭酸水素ナトリウム水溶液、水で
洗浄した。溶媒留去後、粗結晶を活性炭処理し、メタノ
ールから再結晶して、２，３−ジシアノ４−へキンルオ
キシフェノール１３．１ｇを得た。
をメタノール６５ｍＡ、 ジメチルホルムアミド３０
２ｍｊ２に溶かし、５０℃まで昇温した。ヘキシルブロ
マイド３３．４ｇ （２０２，４ｍｍｏｌ）を２５分か
けて滴下した後、１００℃まで昇温し、３時間撹拌した
。冷水に注入し、エーテル洗浄した後、水層に６Ｎ塩酸
を加えｐＨ＝１とした。析出した結晶をエーテルで抽出
し、エーテル層を５％炭酸水素ナトリウム水溶液、水で
洗浄した。溶媒留去後、粗結晶を活性炭処理し、メタノ
ールから再結晶して、２，３−ジシアノ４−へキンルオ
キシフェノール１３．１ｇを得た。
次に、この２，３−ジシアノ−４−へキシルオキンフェ
ノール３ｇ （１２，３ｍｍｏｌ）をピリジン３０ｍ（
２に冶かし、これに１０℃以下で４−ペンチルシクロヘ
キサンカルボン酸クロライド２．７ｇ （１２，５ｍｍ
ｏｌ）を滴下した。室温で一晩撹拌した後、５％塩酸に
注入し、エーテルで抽出した。有機層を、水５％水酸化
ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、溶媒留去後、エタ
ノールから再結晶して、標記化合物４．２ｇを得た。
ノール３ｇ （１２，３ｍｍｏｌ）をピリジン３０ｍ（
２に冶かし、これに１０℃以下で４−ペンチルシクロヘ
キサンカルボン酸クロライド２．７ｇ （１２，５ｍｍ
ｏｌ）を滴下した。室温で一晩撹拌した後、５％塩酸に
注入し、エーテルで抽出した。有機層を、水５％水酸化
ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、溶媒留去後、エタ
ノールから再結晶して、標記化合物４．２ｇを得た。
本発明の液晶組成物は前式で示される化合物（ａ）の少
なくとも一種と、化合物（ｂ）の少なくとも一種と、他
の強誘電性を示す液晶組成物とを適当な割合で混合する
ことにより得ることができる。しかし本発明による化合
物を多量に添加すると液晶相を示す温度を低下させる他
、低温で析、出する等の欠点も現われてくる。
なくとも一種と、化合物（ｂ）の少なくとも一種と、他
の強誘電性を示す液晶組成物とを適当な割合で混合する
ことにより得ることができる。しかし本発明による化合
物を多量に添加すると液晶相を示す温度を低下させる他
、低温で析、出する等の欠点も現われてくる。
、よって、本発明の化合物（ａ）及び化合物（ｂ）と他
の液晶性化合物あるいは、他の液晶性組成物（以下、こ
れらを液晶材料と略す。）との配合割合は、液晶材料１
００重量部あたり、本発明による化合物（ａ）を０．０
１〜１重量パーセント、化合物（ｂ）を０．５〜２０重
量パーセント、より好ましくは化合物（ａ）を０．０５
〜０．５重量パーセント、化合物（ｂ）を１〜ｌＯ重量
パーセント、とすることが好ましい。
の液晶性化合物あるいは、他の液晶性組成物（以下、こ
れらを液晶材料と略す。）との配合割合は、液晶材料１
００重量部あたり、本発明による化合物（ａ）を０．０
１〜１重量パーセント、化合物（ｂ）を０．５〜２０重
量パーセント、より好ましくは化合物（ａ）を０．０５
〜０．５重量パーセント、化合物（ｂ）を１〜ｌＯ重量
パーセント、とすることが好ましい。
また、本発明の化合物の一方もしくは両方を２種以上用
いる場合も、液晶材料との配合割合は、前述した液晶材
料１００重量部あたり、本発明による化合物（ａ）を０
．０１〜２ｗｔ％、化合物（ｂ）を０．５〜４０ｗｔ％
、より好ましくは化合物（ａ）を０．０５〜１ｗｔ％、
化合物（ｂ）を１〜２０ｗｔ％、とすることが好ましい
。
いる場合も、液晶材料との配合割合は、前述した液晶材
料１００重量部あたり、本発明による化合物（ａ）を０
．０１〜２ｗｔ％、化合物（ｂ）を０．５〜４０ｗｔ％
、より好ましくは化合物（ａ）を０．０５〜１ｗｔ％、
化合物（ｂ）を１〜２０ｗｔ％、とすることが好ましい
。
（ａ）又は（ｂ）の化合物を２種以上用いる事で析出な
しに添加割合を増やす事が可能となる。
しに添加割合を増やす事が可能となる。
例えば（ａ）の化合物１種類のみを３％添加した場合、
液晶層の抵抗は十分に下げられるが、特に組成物が低温
にさらされた場合、溶解度の理由で析出してきてしまう
場合がある。そこで炭素数の異なる同族体を２種用いる
と、個別の添加量は半分の１．５％で済むために、析出
が起きなく、低抵抗が安定に維持できる。
液晶層の抵抗は十分に下げられるが、特に組成物が低温
にさらされた場合、溶解度の理由で析出してきてしまう
場合がある。そこで炭素数の異なる同族体を２種用いる
と、個別の添加量は半分の１．５％で済むために、析出
が起きなく、低抵抗が安定に維持できる。
本発明の強誘電性液晶素子の好ましい１例の断面図を第
１図に図解的に示す。図中１１はガラス板等の基板であ
り、１２は該基板１１上に形成されたＩＴＯ等からなる
透明電極層であり、１３は透明電極上に形成された絶縁
層および配向膜層てあり、１４はプラスイオン、１５は
マイナスイオンである。１８は液晶層を示し、１６およ
び１７はその中でとり得る二つの液晶状態を示す。
１図に図解的に示す。図中１１はガラス板等の基板であ
り、１２は該基板１１上に形成されたＩＴＯ等からなる
透明電極層であり、１３は透明電極上に形成された絶縁
層および配向膜層てあり、１４はプラスイオン、１５は
マイナスイオンである。１８は液晶層を示し、１６およ
び１７はその中でとり得る二つの液晶状態を示す。
以下実施例により詳しく説明する。
〔実施例１〕
チッソ（模型Ｃ５−１０１４をｂａｓｅ液晶にして本発
明に係わる化合物を添加し、ρ＋、ｃを測定した結果を
表１に示す。
明に係わる化合物を添加し、ρ＋、ｃを測定した結果を
表１に示す。
表 Ｉ Ｃ５−１０１４における添加効果この様に
本発明に於ける２種の化合物の添加又は共存は液晶層の
抵抗を下げるのに十分の効果があることがわかった。
本発明に於ける２種の化合物の添加又は共存は液晶層の
抵抗を下げるのに十分の効果があることがわかった。
液晶層の抵抗ＲＬＣは第３図（ａ）の方法で測定した。
セル３１はＩＴＯ電極上にポリイミド超薄膜（〈５０久
）による配向膜を施したものである。このセルの外側に
容量Ｃｉのマイラーコンデンサ３２を付け、ファンクシ
ョンジェネレーター３３から矩形波を印加する。この時
バッファーアンプ３４を介して測定したセル３１の電圧
波形の模式図を第３図（ｂ）に示すが、矩形波の極性反
転に伴い、最大電圧Ｖ。
）による配向膜を施したものである。このセルの外側に
容量Ｃｉのマイラーコンデンサ３２を付け、ファンクシ
ョンジェネレーター３３から矩形波を印加する。この時
バッファーアンプ３４を介して測定したセル３１の電圧
波形の模式図を第３図（ｂ）に示すが、矩形波の極性反
転に伴い、最大電圧Ｖ。
から時間τ（ｓｅｃ）後にＶ （、／ ｅに減衰してい
る。
る。
この時Ｒ１，Ｃは次式で与えられる。
この値を更に次式で体積抵抗値ρＬＣに変換している。
ここて ｄ Ｉｃ・液晶層の厚み
Ｓ・電極面積
：実施例２〜５）
透明電極（ＩＴＯ）上（１１）に、上下電極防止のため
にＴａ２０５ １００ＯＡをスパッタ法で膜付（１２）
した。この上に液晶の配向膜（１３）としてポリイミド
（例えば日産化学（模型５Ｅ−１００）をｔｏｏＡ膜付
し、該基板を対向させ１．５μｍ厚の液晶セルを作成し
た。
にＴａ２０５ １００ＯＡをスパッタ法で膜付（１２）
した。この上に液晶の配向膜（１３）としてポリイミド
（例えば日産化学（模型５Ｅ−１００）をｔｏｏＡ膜付
し、該基板を対向させ１．５μｍ厚の液晶セルを作成し
た。
このセルに本発明による化合物、濃度を変えた液晶組代
物を注入し、次に方法でセル特性を評価した。用いたベ
ース液晶（以下、該組成物の構成を示す。）はＰ ｓ
＝ １０ （ｎ Ｃ／ ｃ ｒｔ？ ）のものであり、
閾値電圧以上のパルス電圧印加によって完全に双安定な
スイッチングを示していた。
物を注入し、次に方法でセル特性を評価した。用いたベ
ース液晶（以下、該組成物の構成を示す。）はＰ ｓ
＝ １０ （ｎ Ｃ／ ｃ ｒｔ？ ）のものであり、
閾値電圧以上のパルス電圧印加によって完全に双安定な
スイッチングを示していた。
先ず直交した偏光板の間において、黒状態を示すこのセ
ルに、白方向のパルス電圧を印加した時、白レベルの輝
度変化の様子をホトマル出力によって第４図（ａ）に示
す。最初の数秒間は所定の白レベルよりも低いことがわ
かるが、この現象を我々ま 沈み込みｆと呼んている。
ルに、白方向のパルス電圧を印加した時、白レベルの輝
度変化の様子をホトマル出力によって第４図（ａ）に示
す。最初の数秒間は所定の白レベルよりも低いことがわ
かるが、この現象を我々ま 沈み込みｆと呼んている。
二の理由は黒から白へスイッチングした時、前述の逆電
圧は液晶分子を黒に戻そうとする方向に働くため、白レ
ベルの透過光量は逆電圧が存在している間減少している
訳である。この「沈み込み」がデイスプレィパネルとし
て“残像”に関係する。
圧は液晶分子を黒に戻そうとする方向に働くため、白レ
ベルの透過光量は逆電圧が存在している間減少している
訳である。この「沈み込み」がデイスプレィパネルとし
て“残像”に関係する。
この「沈み込み」時間を前記液晶について添加量。
を変えて測定した。
液晶組成物の構成成分
表 ２
全て２５℃で測定
上記４つの例で示す如く本発明の化合物を２種類共存さ
せる事によって、安定に抵抗値を下げられ、かつ−沈み
込み」時間が大幅に短縮できるために、パネルの残像時
間が短くなるという利点がある。
せる事によって、安定に抵抗値を下げられ、かつ−沈み
込み」時間が大幅に短縮できるために、パネルの残像時
間が短くなるという利点がある。
以上実施例で述べた様に本発明に依る（ａ）式及び（ｂ
）式の化合物を添加することで、１）絶縁体層を有する
セルに於て、双安定性を改善することができる。
）式の化合物を添加することで、１）絶縁体層を有する
セルに於て、双安定性を改善することができる。
２ ）ＦＬＣ層が低抵抗になると、逆電圧のｄｅｃａｙ
が早まるために、ＦＬＣパネルに於て、黒情報から白へ
書き換えた時、”かすれた黒”が残像として視認される
時間が短くなる。よって、情報の切換りがスムーズに行
なわれる様にみえる。
が早まるために、ＦＬＣパネルに於て、黒情報から白へ
書き換えた時、”かすれた黒”が残像として視認される
時間が短くなる。よって、情報の切換りがスムーズに行
なわれる様にみえる。
等々ＦＬＣパネルの画質を大幅に向上できた。
第１図は本発明の好ましいＦＬＣ素子の例、第２図は一
般的５ＳＦＬＣ素子の図、イオンの偏在が顕著な図、 第３図（ａ）はＲＬＣ測定回路図、 第３図（ｂ）はセル電圧のｄｅｃａｙを示す図、第４図
はパルス電圧印加によってＢ（黒）からＷ（白）へスイ
ッチングした時の光学応答を示す図である。 １１・・・基板 １２・・・透明電極層 １３・・・配向膜層 １４・・・プラスイオン １５・・・マイナスイオン １６．１７・・・液晶分子 １８・・・液晶層 ２１・・・セルガラス及び配向膜 ２２・・・ＦＬＣ分子と自発分極ダイポール２３・・・
プラスイオン ２４・・・マイナスイオン ３ ｌ ・・・ セ ル ３２・・・マイラーコンデンサ ３３・・・ファンクションジェネレーター３４・・・バ
ツファーアンプ 囁べ□□□ 窒２−図 乳雇翫 す耘態
般的５ＳＦＬＣ素子の図、イオンの偏在が顕著な図、 第３図（ａ）はＲＬＣ測定回路図、 第３図（ｂ）はセル電圧のｄｅｃａｙを示す図、第４図
はパルス電圧印加によってＢ（黒）からＷ（白）へスイ
ッチングした時の光学応答を示す図である。 １１・・・基板 １２・・・透明電極層 １３・・・配向膜層 １４・・・プラスイオン １５・・・マイナスイオン １６．１７・・・液晶分子 １８・・・液晶層 ２１・・・セルガラス及び配向膜 ２２・・・ＦＬＣ分子と自発分極ダイポール２３・・・
プラスイオン ２４・・・マイナスイオン ３ ｌ ・・・ セ ル ３２・・・マイラーコンデンサ ３３・・・ファンクションジェネレーター３４・・・バ
ツファーアンプ 囁べ□□□ 窒２−図 乳雇翫 す耘態
Claims (4)
- （１）強誘電性液晶組成物中に次式で示される化合物（
ａ）及び化合物（ｂ）の中からそれぞれ少なくとも１種
以上添加することを特徴とする強誘電性液晶組成物。 化合物（ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４はそれぞれ
Ｈもしくは炭素数１〜１８の置換基を有してもよい直鎖
状もしくは分岐状のアルキル基を示す。また、Ｘ＾−は
Ｃｌ＾−もしくはＢｒ＾−を示す。）化合物（ｂ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｒ＿５、Ｒ＿６はそれぞれＨまたは炭素数１
〜１８の置換基を有しても良い直鎖状もしくは分岐状の
アルキル基を示す。Ｘ＿１は単結合もしくは−Ｏ−を示
し、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等が
あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼のいず
れかを示す。Ｚ＿１は▲数式、化学式、表等があります
▼もしくは−ＯＣＨ＿２−を示す。またＡ＿１は−Ａ＿
２−もしくは−Ａ＿２−Ａ＿３−を示し、Ａ＿２、Ａ＿
３はそれぞれ▲数式、化学式、表等があります▼もしく
は▲数式、化学式、表等があります▼を示す。） - （２）前記（ａ）式の化合物の添加量が強誘電性液晶に
対し、０．０１〜１重量％、（ｂ）式化合物の添加量が
０．５〜２０重量％である事を特徴とする第１項記載の
強誘電性液晶組成物。 - （３）前記（ａ）式の化合物の添加量が強誘電性液晶に
対し、０．０５〜０．５重量％、（ｂ）式の化合物の添
加量が１〜１０重量％である事を特徴とする第１項記載
の強誘電性液晶組成物。 - （４）第１項記載の強誘電性液晶組成物を一対の電極基
板間に配置した強誘電性液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035236A JPH03238419A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 強誘電性液晶組成物及び素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035236A JPH03238419A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 強誘電性液晶組成物及び素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238419A true JPH03238419A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=12436209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2035236A Pending JPH03238419A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 強誘電性液晶組成物及び素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03238419A (ja) |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP2035236A patent/JPH03238419A/ja active Pending
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