JPH03238708A - 誘電体磁器組成物およびコンデンサ - Google Patents
誘電体磁器組成物およびコンデンサInfo
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- JPH03238708A JPH03238708A JP2035136A JP3513690A JPH03238708A JP H03238708 A JPH03238708 A JP H03238708A JP 2035136 A JP2035136 A JP 2035136A JP 3513690 A JP3513690 A JP 3513690A JP H03238708 A JPH03238708 A JP H03238708A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焼成温度が８００〜１０００℃で、かつ中性雰
囲気中または還元雰囲気中にて短時間で焼成でき、高い
抵抗率を有する誘電体磁器組成物およびコンデンサに関
するものである。
囲気中または還元雰囲気中にて短時間で焼成でき、高い
抵抗率を有する誘電体磁器組成物およびコンデンサに関
するものである。
従来の技術
小型化・大容量化が進むセラミックコンデンサの高誘電
率材料としては、チタン酸バリウムを主成分とする材料
が用いられてきた。しかし、この材料を焼成させるには
大気中で、かつ焼成温度として１３００℃程度の高温が
必要であるため、積層型セラミックコンデンサを作製す
る場合に、電極材料としては高価な白金あるいはパラジ
ウム等の貴金属の使用が不可欠であり、特に大容量化に
伴い内部電極材料が原料費を押し上げる要因となってい
た。
率材料としては、チタン酸バリウムを主成分とする材料
が用いられてきた。しかし、この材料を焼成させるには
大気中で、かつ焼成温度として１３００℃程度の高温が
必要であるため、積層型セラミックコンデンサを作製す
る場合に、電極材料としては高価な白金あるいはパラジ
ウム等の貴金属の使用が不可欠であり、特に大容量化に
伴い内部電極材料が原料費を押し上げる要因となってい
た。
これに対し、近年チタン酸バリウム系材料に耐還元性を
持たせ、電極材料として安価な卑金属を用いて酸素分圧
の低い雰囲気中で焼成する方法や、鉛系誘電体材料と安
価な銀を主体とする銀−パラジウム合金の電極材料とを
用いて、１０００℃前後の低温で焼成する方法により、
積層セラミックコンデンサの低コスト化が図られている
。
持たせ、電極材料として安価な卑金属を用いて酸素分圧
の低い雰囲気中で焼成する方法や、鉛系誘電体材料と安
価な銀を主体とする銀−パラジウム合金の電極材料とを
用いて、１０００℃前後の低温で焼成する方法により、
積層セラミックコンデンサの低コスト化が図られている
。
一方、小型化や高信頼性が望まれる電子機器においては
、実装密度の高いハイブリッドＩＣ化が進められており
、従来のチップコンデンサに代って厚膜コンデンサに対
する要望が高まっている。
、実装密度の高いハイブリッドＩＣ化が進められており
、従来のチップコンデンサに代って厚膜コンデンサに対
する要望が高まっている。
この厚膜コンデンサを作製するには、低温、短時間焼成
が可能な誘電体が必要であり、このための材料としては
主に鉛系誘電体が用いられる。従って、積層セラミック
コンデンサの大容量化あるいはコンデンサの厚膜化のい
ずれにも対応できる低温焼成が可能な材料として、鉛系
誘電体の開発が盛んに進められている。
が可能な誘電体が必要であり、このための材料としては
主に鉛系誘電体が用いられる。従って、積層セラミック
コンデンサの大容量化あるいはコンデンサの厚膜化のい
ずれにも対応できる低温焼成が可能な材料として、鉛系
誘電体の開発が盛んに進められている。
発明が解決しようとする課題
さて、（Ｐｂ＋ 、ｏｏＳｒａ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／
３）０３＋ａ 。
３）０３＋ａ 。
（Ｐｂ＋ 、ｏｏＳｒａ ）ＴｉＯ：＋＋ａ 、（Ｐｂ
＋ 、ｏｏＳｒａ ）（Ｎｉ ＋／ｚＷ＋ ／２ ）０
３＋ｌｌ系誘電体組成物は、特開昭６２−１２３０６０
号公報で知られているように、１１００℃以下の低酸素
雰囲気中で焼成される誘電率磁器組成物であるが、誘電
率を高め十分緻密な焼成体を得るためには焼成温度にて
数時間保持する必要がある。
＋ 、ｏｏＳｒａ ）（Ｎｉ ＋／ｚＷ＋ ／２ ）０
３＋ｌｌ系誘電体組成物は、特開昭６２−１２３０６０
号公報で知られているように、１１００℃以下の低酸素
雰囲気中で焼成される誘電率磁器組成物であるが、誘電
率を高め十分緻密な焼成体を得るためには焼成温度にて
数時間保持する必要がある。
方、ハイブリッドＩＣ用の厚膜コンデンサを作製する場
合、低温短時間焼成が不可欠となり、このような条件下
では上記誘電体材料は未焼成となるため、所望の特性が
得られないという問題があった。
合、低温短時間焼成が不可欠となり、このような条件下
では上記誘電体材料は未焼成となるため、所望の特性が
得られないという問題があった。
本発明ではかかる問題に鑑み、
（Ｐｂ１．ｏｏＳｒａ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０３
＋ａ ｒ（Ｐｂ１．００Ｓｒ、＞ＴｉＯ３＋ａ、（Ｐｔ
）＋ 、ｏｏＳｒａ）（Ｎｉ＋／２Ｗ＋／２）０３＋ａ
系固容体の持つ高い誘電率を損なわず、中性雰囲気中あ
るいは還元雰囲気中にて８００〜１０００℃で、かつ短
時間焼成が可能な誘電体磁器組成物およびそれを用いた
セラミックコンデンサまたは厚膜コンデンサを提供する
ことを目的とするものである。
＋ａ ｒ（Ｐｂ１．００Ｓｒ、＞ＴｉＯ３＋ａ、（Ｐｔ
）＋ 、ｏｏＳｒａ）（Ｎｉ＋／２Ｗ＋／２）０３＋ａ
系固容体の持つ高い誘電率を損なわず、中性雰囲気中あ
るいは還元雰囲気中にて８００〜１０００℃で、かつ短
時間焼成が可能な誘電体磁器組成物およびそれを用いた
セラミックコンデンサまたは厚膜コンデンサを提供する
ことを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の誘電体磁器組成物
は、 （Ｐｂ ＋ 、 ＱＯＳｒａ ）（Ｍｇ＋ ／３Ｎｂ２
／３）ｘＴ １ｙ（Ｎ ｉ ＋ ／２ＷＩ／２ ）ＺＯ
３＋Ｑで表される磁器組成物（ただし、ｘ＋ｙ＋２１）
において、 ｏ、ｏｏｉ≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（Ｐｂ＋
、ｏｏＳｒａ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０３＋ａ 。
は、 （Ｐｂ ＋ 、 ＱＯＳｒａ ）（Ｍｇ＋ ／３Ｎｂ２
／３）ｘＴ １ｙ（Ｎ ｉ ＋ ／２ＷＩ／２ ）ＺＯ
３＋Ｑで表される磁器組成物（ただし、ｘ＋ｙ＋２１）
において、 ｏ、ｏｏｉ≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（Ｐｂ＋
、ｏｏＳｒａ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０３＋ａ 。
（Ｐｂ ＋ 、 ｏｏＳｒ ａ ）Ｔｉ０３＋３ 、（
Ｐｂ＋ 、 ｏｏＳｒａ ）（Ｎ ｉ Ｉ ／２ＷＩ／
２ ）０３＋ａを頂点とする三角座標で、下記の［１内
の数値で表される組成の範囲にあり、この範囲内のａの
領域内からなる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉に対し
て、ＰｂＯを１．０〜２５，０モル％、およ対して、Ｐ
ｂＯを１．０〜１５．０モル％あるいはＷＯ２を１．０
〜１５．０モル％添加するという構成を備えたものであ
る。
Ｐｂ＋ 、 ｏｏＳｒａ ）（Ｎ ｉ Ｉ ／２ＷＩ／
２ ）０３＋ａを頂点とする三角座標で、下記の［１内
の数値で表される組成の範囲にあり、この範囲内のａの
領域内からなる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉に対し
て、ＰｂＯを１．０〜２５，０モル％、およ対して、Ｐ
ｂＯを１．０〜１５．０モル％あるいはＷＯ２を１．０
〜１５．０モル％添加するという構成を備えたものであ
る。
作用
すなわち、本発明の特許請求の範囲の組成物においては
、ペロブスカイト構造を有する（Ｐｂ＋ 、ｏｏＳｒａ
）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０３＋ａ−（Ｐｂ ＋ 、
ｏｏＳｒａ ）Ｔｉ０３＋ａ−（Ｐｂ＋ 、ｏｏＳｒ
ａ）（Ｎ ｉ ＋／２Ｗｌ／２ ）Ｏｉ＋自系の仮焼粉
体にＰｂＯ１およ対して、ＰｂＯあるいはＷ Ｏｓを添
加することにより、ＰｂＯとＮｉＯあるいはＷ Ｏ３の
共晶組成を利用し低温で液相を発生させ、またこれらの
添加物がＡ、８両サイトに同時に固溶することで誘電体
への拡散を円滑に行え、添加物による粒界層の形成が抑
制されることによって誘電率の低下を防ぎ、中性雰囲気
中あるいは還元雰囲気中にて１０００℃以下という低い
焼成温度で短時間に緻密に焼成し、かつ高い抵抗率を有
する大容量のセラミックコンデンサあるいは厚膜コンデ
ンサが得られることとなる。
、ペロブスカイト構造を有する（Ｐｂ＋ 、ｏｏＳｒａ
）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０３＋ａ−（Ｐｂ ＋ 、
ｏｏＳｒａ ）Ｔｉ０３＋ａ−（Ｐｂ＋ 、ｏｏＳｒ
ａ）（Ｎ ｉ ＋／２Ｗｌ／２ ）Ｏｉ＋自系の仮焼粉
体にＰｂＯ１およ対して、ＰｂＯあるいはＷ Ｏｓを添
加することにより、ＰｂＯとＮｉＯあるいはＷ Ｏ３の
共晶組成を利用し低温で液相を発生させ、またこれらの
添加物がＡ、８両サイトに同時に固溶することで誘電体
への拡散を円滑に行え、添加物による粒界層の形成が抑
制されることによって誘電率の低下を防ぎ、中性雰囲気
中あるいは還元雰囲気中にて１０００℃以下という低い
焼成温度で短時間に緻密に焼成し、かつ高い抵抗率を有
する大容量のセラミックコンデンサあるいは厚膜コンデ
ンサが得られることとなる。
実施例
以下、本発明の実施例を示す。
〈実施例１〉
まず、出発原料としては化学的に高純度なＰｂｏ、Ｓ
ｒＣＯｓ、ＭｇＯ，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔ ｉ ０２１Ｎｉ
Ｏ，ＷＯ３を用いた。これらを純度補正を行った上で所
定量を秤量し、純水を加えメノウ製玉石を用いてボール
ミルで１７時間混合した。これを吸引ろ過して水分の大
半を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕し
た後、粉砕量の５ｗｔ％の純水を加え、直径６０■、高
さ約５０−の円柱状に成型圧力５００ｋｇ／−で成型し
た。これをアルミナルツボ中に入れ同質の蓋をし、７５
０〜１０００℃で２時間仮焼した。次に、上記仮焼物を
アルミナ乳鉢で粗砕し、さらにボールミルで１７時間粉
砕し、吸引ろ過した後乾燥した。以上の仮焼・粉砕・乾
燥を数回繰り返した。この粉末をＸ線解析法により解析
し、ペロブスカイト相であることを確認した。
ｒＣＯｓ、ＭｇＯ，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔ ｉ ０２１Ｎｉ
Ｏ，ＷＯ３を用いた。これらを純度補正を行った上で所
定量を秤量し、純水を加えメノウ製玉石を用いてボール
ミルで１７時間混合した。これを吸引ろ過して水分の大
半を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕し
た後、粉砕量の５ｗｔ％の純水を加え、直径６０■、高
さ約５０−の円柱状に成型圧力５００ｋｇ／−で成型し
た。これをアルミナルツボ中に入れ同質の蓋をし、７５
０〜１０００℃で２時間仮焼した。次に、上記仮焼物を
アルミナ乳鉢で粗砕し、さらにボールミルで１７時間粉
砕し、吸引ろ過した後乾燥した。以上の仮焼・粉砕・乾
燥を数回繰り返した。この粉末をＸ線解析法により解析
し、ペロブスカイト相であることを確認した。
この誘電体粉末に副成分としてＰｂＯとＮｉＯあるいは
Ｗ Ｏｓを添加し、ライカイ機で混合した後、ポリビニ
ルアルコール６ ｗ ｔ％水溶液を粉体量の６ ｗ ｔ
％加え、３２メツシユふるいを通して造粒し、成型圧力
５００ｂ／ｃ＋ｊで直径１３ｍ、高さ約５■の円板状に
成型した。次いで、この成型物を大気中６００℃で、１
時間保持して脱バインダーした後、マグネシア磁器容器
に入れて同質の蓋をし、雰囲気ベルト炉を用いて中性雰
囲気中あるいは還元雰囲気中で所定温度まで２４００℃
／ｈｒｓで昇温し、最高温度で１０分間保持後、２４０
０℃／ ｈ ｒ ｓで降温した。
Ｗ Ｏｓを添加し、ライカイ機で混合した後、ポリビニ
ルアルコール６ ｗ ｔ％水溶液を粉体量の６ ｗ ｔ
％加え、３２メツシユふるいを通して造粒し、成型圧力
５００ｂ／ｃ＋ｊで直径１３ｍ、高さ約５■の円板状に
成型した。次いで、この成型物を大気中６００℃で、１
時間保持して脱バインダーした後、マグネシア磁器容器
に入れて同質の蓋をし、雰囲気ベルト炉を用いて中性雰
囲気中あるいは還元雰囲気中で所定温度まで２４００℃
／ｈｒｓで昇温し、最高温度で１０分間保持後、２４０
０℃／ ｈ ｒ ｓで降温した。
以上のようにして得られた焼成物を厚さ１膿の円板状に
加工し、両面に電極としてＣｒ−Ａｇを蒸着し、誘電率
、ｔａｎδをＩ ＫＨｚ、 Ｉ Ｖ／ｍの電界下で測定
した。また、抵抗率は試料に３０Ｖの電圧を印加後ｌｌ
Ａの値を求めた。
加工し、両面に電極としてＣｒ−Ａｇを蒸着し、誘電率
、ｔａｎδをＩ ＫＨｚ、 Ｉ Ｖ／ｍの電界下で測定
した。また、抵抗率は試料に３０Ｖの電圧を印加後ｌｌ
Ａの値を求めた。
下記のく表１〉に本発明の材料組成と、焼成雰囲気を中
性雰囲気である窒素中とした焼成物の誘電特性および抵
抗率を示す。また、焼成雰囲気を１１０−８ａｔ以上の
酸素分圧を有する窒素−水素混合ガス中とした場合の焼
成物の誘電特性および抵抗率を下記のく表２〉に示す。
性雰囲気である窒素中とした焼成物の誘電特性および抵
抗率を示す。また、焼成雰囲気を１１０−８ａｔ以上の
酸素分圧を有する窒素−水素混合ガス中とした場合の焼
成物の誘電特性および抵抗率を下記のく表２〉に示す。
（以 下 余 白 ）
上記く表１〉、く表２〉に示すように、本発明の材料組
成にかかる焼成物は、８００〜１０００℃短時間焼成に
もかかわらず、また様々な雰囲気焼成においても、高誘
電率の緻密な焼成体が得られ、またストロンチウムの添
加により、中性雰囲気あるいは還元雰囲気焼成において
も、高い抵抗率を有する焼成体が得られた。
成にかかる焼成物は、８００〜１０００℃短時間焼成に
もかかわらず、また様々な雰囲気焼成においても、高誘
電率の緻密な焼成体が得られ、またストロンチウムの添
加により、中性雰囲気あるいは還元雰囲気焼成において
も、高い抵抗率を有する焼成体が得られた。
第１図には本発明の主成分の組成範囲を、（Ｐｂ＋ 、
ｏｏＳｒａ ）（Ｍｇｔ ／３Ｎｂ２／３）Ｏｓ＋ａ
。
ｏｏＳｒａ ）（Ｍｇｔ ／３Ｎｂ２／３）Ｏｓ＋ａ
。
（Ｐｂ＋ 、ｏｏＳｒｓ ）Ｔｉ０３＋ｓ ＊（Ｐｂ＋
、ｏｏＳｒａ ）（Ｎ ｉ ＋ｙｔＷ＋／２）０３＋
ａを主成分とする三角組成図中に示した。
、ｏｏＳｒａ ）（Ｎ ｉ ＋ｙｔＷ＋／２）０３＋
ａを主成分とする三角組成図中に示した。
ここで、本発明において特許請求の範囲を、（Ｐｂ＋
、ｏｏＳｒａ）（Ｍｇ＋／ｘＮｂ＋／ｚ ）ｘＴｉｙ（
Ｎｉ ＋ｉ２Ｗ＋／２）ｚｏ３＋ａで表される磁器組成
物（ただし、Ｘ＋ｙ＋Ｚ＝１）において、 ０．００１≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（Ｐｂ＋
、ｏｏＳｒａ）（Ｍｇｔ／５Ｎｂ２／３）０３＋ａ 。
、ｏｏＳｒａ）（Ｍｇ＋／ｘＮｂ＋／ｚ ）ｘＴｉｙ（
Ｎｉ ＋ｉ２Ｗ＋／２）ｚｏ３＋ａで表される磁器組成
物（ただし、Ｘ＋ｙ＋Ｚ＝１）において、 ０．００１≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（Ｐｂ＋
、ｏｏＳｒａ）（Ｍｇｔ／５Ｎｂ２／３）０３＋ａ 。
（Ｐｂ＋ 、００５ｒａ ）Ｔｉ０３＋ａ ＋ （Ｐｂ
＋ 、ｏｏＳｒ、 ）（Ｎ ｉ ｔ／２Ｗ＋／２）０３
１ｓを頂点とする三角座標で、下記の［Ｊ内の数値で表
される組成の範囲にあり、この範囲内のａの領域内から
なる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉に対して、ＰｂＯ
を１．０〜２５．０モル％、およ対して、ＰｂＯを１．
０〜１５．０モル％あるいはＷ Ｏ３を１．０〜１５．
０モル％添加することを特徴とする誘電体磁器組成物、 と具体的に限定したのは、く表１〉、く表２〉の比較例
に示すように、発明の範囲外の組成物においては、助剤
の添加量が少ない組成および８００℃より低い焼成温度
では焼成が不十分となり、緻密な焼成体が得られず、１
０００℃より高い焼成温度では、助剤の誘電体への反応
により、誘電率が大幅に低下するためである。また、ａ
が０．００１より小さいと、焼成体の抵抗率が低く、ａ
が０．２２５を超える大きさでは、誘電率の大幅な低下
を招き、さらにｘ、ｙ、ｚが限定の範囲外の組成物では
高い誘電率が得られない難点を有しているためである。
＋ 、ｏｏＳｒ、 ）（Ｎ ｉ ｔ／２Ｗ＋／２）０３
１ｓを頂点とする三角座標で、下記の［Ｊ内の数値で表
される組成の範囲にあり、この範囲内のａの領域内から
なる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉に対して、ＰｂＯ
を１．０〜２５．０モル％、およ対して、ＰｂＯを１．
０〜１５．０モル％あるいはＷ Ｏ３を１．０〜１５．
０モル％添加することを特徴とする誘電体磁器組成物、 と具体的に限定したのは、く表１〉、く表２〉の比較例
に示すように、発明の範囲外の組成物においては、助剤
の添加量が少ない組成および８００℃より低い焼成温度
では焼成が不十分となり、緻密な焼成体が得られず、１
０００℃より高い焼成温度では、助剤の誘電体への反応
により、誘電率が大幅に低下するためである。また、ａ
が０．００１より小さいと、焼成体の抵抗率が低く、ａ
が０．２２５を超える大きさでは、誘電率の大幅な低下
を招き、さらにｘ、ｙ、ｚが限定の範囲外の組成物では
高い誘電率が得られない難点を有しているためである。
そして、限定範囲外の組成では、具体的には本焼成条件
で焼成体の誘電率が３０００以下、あるいは焼成体の抵
抗率が１０”ｅｌｌ・Ω以下となり、コンデンサとして
の所望の特性が得られない。
で焼成体の誘電率が３０００以下、あるいは焼成体の抵
抗率が１０”ｅｌｌ・Ω以下となり、コンデンサとして
の所望の特性が得られない。
〈実施例２〉
上記実施例１と同様に仮焼・粉砕・乾燥した誘電体粉末
に、副成分としてＰｂＯとＮｉＯあるいはＷＯ２を添加
し、ボールミルにて湿式混合した後乾燥し、エチルセル
ロースを主成分とする樹脂を溶媒で溶かしたビヒクルを
加え、三段ロールにて混練し誘電体ペーストを作製した
。一方、純度９６％のアルミナ基板上に２×２■２の形
状を有する厚膜コンデンサを形成するために、下部電極
として銅電極を印刷し乾燥させた。次に、誘電体層とし
て上記誘電体ペーストを厚み５０〜６０μｍになるよう
に二度印刷乾燥を行い、さらに上部電極として下部電極
と同じ銅電極を印刷し乾燥することにより、電極−誘電
体−電極の三層構造の印刷厚膜を形成し、ベルト炉を用
いて最高温度８００〜１０００℃、保持時間１０分間窒
素中で焼成した。このようにして得られた厚膜コンデン
サの誘電率、ｔａｎδをＩＫＨｚ、ＩＶ／＋ｓ＋の電界
下で測定した。また、抵抗率は試料に３０Ｖの電圧を印
加後１分の値を求めた。下記のく表３〉に本発明の材料
組成と、窒素中９００℃で焼成した焼成物の誘電特性を
示す。
に、副成分としてＰｂＯとＮｉＯあるいはＷＯ２を添加
し、ボールミルにて湿式混合した後乾燥し、エチルセル
ロースを主成分とする樹脂を溶媒で溶かしたビヒクルを
加え、三段ロールにて混練し誘電体ペーストを作製した
。一方、純度９６％のアルミナ基板上に２×２■２の形
状を有する厚膜コンデンサを形成するために、下部電極
として銅電極を印刷し乾燥させた。次に、誘電体層とし
て上記誘電体ペーストを厚み５０〜６０μｍになるよう
に二度印刷乾燥を行い、さらに上部電極として下部電極
と同じ銅電極を印刷し乾燥することにより、電極−誘電
体−電極の三層構造の印刷厚膜を形成し、ベルト炉を用
いて最高温度８００〜１０００℃、保持時間１０分間窒
素中で焼成した。このようにして得られた厚膜コンデン
サの誘電率、ｔａｎδをＩＫＨｚ、ＩＶ／＋ｓ＋の電界
下で測定した。また、抵抗率は試料に３０Ｖの電圧を印
加後１分の値を求めた。下記のく表３〉に本発明の材料
組成と、窒素中９００℃で焼成した焼成物の誘電特性を
示す。
（以 下 余 白 ）
上記く表３〉に示すように、本発明の材料組成にかかる
焼成物は、低温短時間焼成にもかかわらず、緻密な焼成
体からなる高い抵抗率を有する高容量の厚膜コンデンサ
が得られた。
焼成物は、低温短時間焼成にもかかわらず、緻密な焼成
体からなる高い抵抗率を有する高容量の厚膜コンデンサ
が得られた。
特許請求の範囲を限定した理由は、実施例１と同様に、
〈表３〉の比較例に示すように、限定範囲外の組成では
、本焼成条件で焼成体の誘電率が２５００以下、あるい
は焼成体の抵抗率が１０１０備・Ω以下となり、厚膜コ
ンデンサとしての所望の特性が得られないためである。
〈表３〉の比較例に示すように、限定範囲外の組成では
、本焼成条件で焼成体の誘電率が２５００以下、あるい
は焼成体の抵抗率が１０１０備・Ω以下となり、厚膜コ
ンデンサとしての所望の特性が得られないためである。
本実施例では窒素中にて焼成が可能であることを示した
が、アルゴン、ヘリウム等の中性雰囲気中でも焼成が可
能であることが容易に推察される。
が、アルゴン、ヘリウム等の中性雰囲気中でも焼成が可
能であることが容易に推察される。
なお、本発明で用いられる電極としては、中性雰囲気中
あるいは還元雰囲気中にて８００〜１０００℃で焼成可
能な電極が適宜選択され、使用されるものである。
あるいは還元雰囲気中にて８００〜１０００℃で焼成可
能な電極が適宜選択され、使用されるものである。
発明の効果
以上述べたように本発明は、
（Ｐｂ＋ 、 ｏｏＳｒａ ）（Ｍｇ＋ ／３Ｎｂｔ／
３）ｘＴ １ｃｙ（Ｎ ｉ Ｉ／２Ｗ＋ ／２ ）ｚ（
ｈ＋ｓで表される磁器組成物（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
）において、 ０．００１≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（Ｐｂ＋
、ｏｏＳｒａ）（Ｍｇ＋／Ｊｂ２／３）Ｏｓ＋急。
３）ｘＴ １ｃｙ（Ｎ ｉ Ｉ／２Ｗ＋ ／２ ）ｚ（
ｈ＋ｓで表される磁器組成物（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
）において、 ０．００１≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（Ｐｂ＋
、ｏｏＳｒａ）（Ｍｇ＋／Ｊｂ２／３）Ｏｓ＋急。
（Ｐｂ＋ 、 ０Ｏ５ｒａ ）Ｔｉ０３＋ａ 、（Ｐｂ
＋ 、 ｏｏｓｒ、 ）（Ｎ ｉ ｌ／２’ｄｌ／２
）Ｏｓ＋ａを頂点とする三角座標で、下記の［Ｊ内の数
値で表される組成の範囲にあり、この範囲内のａの領域
内からなる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉に対して、
ＰｂＯを１．０〜２５．０モル％、およ対して、ＰｂＯ
を１．０〜１５．０モル％あるいはＷ Ｏ３を１．０〜
１５．０モル％添加することを特徴とする誘電体磁器組
成物、 とすることにより、８００〜１０００℃の温度にて短時
間でかつ中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中においても
焼成可能な高誘電率を有し、かつ抵抗率の高い積層セラ
ミックコンデンサおよび厚膜コンデンサを提供し得ると
いう優れた効果を発揮するものである。
＋ 、 ｏｏｓｒ、 ）（Ｎ ｉ ｌ／２’ｄｌ／２
）Ｏｓ＋ａを頂点とする三角座標で、下記の［Ｊ内の数
値で表される組成の範囲にあり、この範囲内のａの領域
内からなる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉に対して、
ＰｂＯを１．０〜２５．０モル％、およ対して、ＰｂＯ
を１．０〜１５．０モル％あるいはＷ Ｏ３を１．０〜
１５．０モル％添加することを特徴とする誘電体磁器組
成物、 とすることにより、８００〜１０００℃の温度にて短時
間でかつ中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中においても
焼成可能な高誘電率を有し、かつ抵抗率の高い積層セラ
ミックコンデンサおよび厚膜コンデンサを提供し得ると
いう優れた効果を発揮するものである。
第１図は本発明の組成範囲を示す
（Ｐｂ＋ 、ｏｏＳｒａ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０
３＋ａ＋（Ｐｂ＋ 、 ００５ｒａ ）Ｔｉ０３＋ａ
ｒ （Ｐｂ＋ 、 ００Ｓｒａ ）（Ｎｉ ｗｔＷＩ／
２）０３＋ｓを主成分とする三角組成図である。
３＋ａ＋（Ｐｂ＋ 、 ００５ｒａ ）Ｔｉ０３＋ａ
ｒ （Ｐｂ＋ 、 ００Ｓｒａ ）（Ｎｉ ｗｔＷＩ／
２）０３＋ｓを主成分とする三角組成図である。
Claims (4)
- （１）（Ｐｂ＿１＿．＿０＿０Ｓｒ＿ａ）（Ｍｇ＿１＿
／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿ｘＴｉ＿ｙ（Ｎｉ＿１＿／
＿２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｚＯ＿３＿＋＿ａで表される磁
器組成物（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）において、 ０．００１≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（Ｐｂ＿１
＿．＿０＿０Ｓｒ＿ａ）（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿
／＿３）Ｏ＿３＿＋＿ａ，（Ｐｂ＿１＿．＿０＿０Ｓｒ
＿ａ）ＴｉＯ＿３＿＋ａ，（Ｐｂ＿１＿．＿０＿０Ｓｒ
＿ａ）（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３＿＋
＿ａを頂点とする三角座標で、下記の［ ］内の数値で
表される組成Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを頂点とする五角形の
領域内からなる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉に対し
て、ＰｂＯを１．０〜２５．０モル％、およびＮｉＯを
１．０〜１５．０モル％添加することを特徴とする誘電
体磁器組成物。 Ａはｘ＝０．９５０，ｙ＝０．０４９，ｚ＝０．００１
、Ｂはｘ＝０．４００，ｙ＝０．５９９，ｚ＝０．００
１、Ｃはｘ＝０．００１，ｙ＝０．９００，ｚ＝０．０
９９、Ｄはｘ＝０．００１，ｙ＝０．６００，ｚ＝０．
３９９、Ｅはｘ＝０．７００，ｙ＝０．１００，ｚ＝０
．２０００ - （２）請求項１記載の主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉
に対して、ＰｂＯを１．０〜２５．０モル％、およびＷ
Ｏ＿３を１．０〜１５．０モル％添加することを特徴と
する誘電体磁器組成物。 - （３）請求項１または２記載の誘電体磁器組成物を用い
、中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中にて８００〜１０
００℃で焼成可能な電極とで構成されたことを特徴とす
るセラミックコンデンサ。 - （４）セラミック基板上に、請求項１または２記載の誘
電体磁器組成物からなる誘電体層と８００〜１０００℃
で焼成可能な電極とを設けて構成されたことを特徴とす
る厚膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035136A JP2906531B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 誘電体磁器組成物およびコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035136A JP2906531B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 誘電体磁器組成物およびコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238708A true JPH03238708A (ja) | 1991-10-24 |
| JP2906531B2 JP2906531B2 (ja) | 1999-06-21 |
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ID=12433505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2035136A Expired - Fee Related JP2906531B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 誘電体磁器組成物およびコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2906531B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP2035136A patent/JP2906531B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2906531B2 (ja) | 1999-06-21 |
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