JPH03238706A - 誘電体磁器組成物およびコンデンサ - Google Patents
誘電体磁器組成物およびコンデンサInfo
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- JPH03238706A JPH03238706A JP2035127A JP3512790A JPH03238706A JP H03238706 A JPH03238706 A JP H03238706A JP 2035127 A JP2035127 A JP 2035127A JP 3512790 A JP3512790 A JP 3512790A JP H03238706 A JPH03238706 A JP H03238706A
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- dielectric
- mol
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焼成温度が８００〜１０００℃で、かつ中性雰
囲気中または還元雰囲気中にて短時間で焼成でき、高い
抵抗率を有する誘電体磁器組成物およびコンデンサに関
するものである。
囲気中または還元雰囲気中にて短時間で焼成でき、高い
抵抗率を有する誘電体磁器組成物およびコンデンサに関
するものである。
従来の技術
小型化・大容量化が進むセラミックコンデンサの高誘電
率材料としては、チタン酸バリウムを主成分とする材料
が用いられてきた。しかし、この材料を焼成させるには
大気中で、かつ焼成温度として１３００℃程度の高温が
必要であるため、積層型セラミックコンデンサを作製す
る場合に、電極材料としては高価な白金あるいはパラジ
ウム等の貴金属の使用が不可欠であり、特に大容量化に
伴い内部電極材料が原料費を押し上げる要因となってい
た。
率材料としては、チタン酸バリウムを主成分とする材料
が用いられてきた。しかし、この材料を焼成させるには
大気中で、かつ焼成温度として１３００℃程度の高温が
必要であるため、積層型セラミックコンデンサを作製す
る場合に、電極材料としては高価な白金あるいはパラジ
ウム等の貴金属の使用が不可欠であり、特に大容量化に
伴い内部電極材料が原料費を押し上げる要因となってい
た。
これに対し、近年チタン酸バリウム系材料に耐還元性を
持たせ、電極材料として安価な卑金属を用いて酸素分圧
の低い雰囲気中で焼成する方法や、鉛系誘電体材料と安
価な銀を主体とする銀パラジウム合金の電極材料とを用
いて、１０００℃前後の低温で焼成する方法により、積
層セラミックコンデンサの低コスト化が図られている。
持たせ、電極材料として安価な卑金属を用いて酸素分圧
の低い雰囲気中で焼成する方法や、鉛系誘電体材料と安
価な銀を主体とする銀パラジウム合金の電極材料とを用
いて、１０００℃前後の低温で焼成する方法により、積
層セラミックコンデンサの低コスト化が図られている。
一方、小型化や高信頼性が望まれる電子機器においては
、実装密度の高いハイブリッドＩＣ化が進められており
、従来のチップコンデンサに代って厚膜コンデンサに対
する要望が高まっている。
、実装密度の高いハイブリッドＩＣ化が進められており
、従来のチップコンデンサに代って厚膜コンデンサに対
する要望が高まっている。
この厚膜コンデンサを作製するには、低温、短時間焼成
が可能な誘電体が必要であり、このための材料としては
主に鉛系誘電体が用いられる。従って、積層セラミック
コンデンサの大容量化あるいはコンデンサの厚膜化のい
ずれにも対応できる低温焼成が可能な材料として、鉛系
誘電体の開発が盛んに進められている。
が可能な誘電体が必要であり、このための材料としては
主に鉛系誘電体が用いられる。従って、積層セラミック
コンデンサの大容量化あるいはコンデンサの厚膜化のい
ずれにも対応できる低温焼成が可能な材料として、鉛系
誘電体の開発が盛んに進められている。
発明が解決しようとする課題
さて、（Ｐｂ＋ 、ｏｏＣａａ ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２
／３）Ｏａ＋ａ 。
／３）Ｏａ＋ａ 。
（Ｐｂ＋ 、 ｏｏｃａａ ）Ｔ ｉ０３＋２ 、 （
Ｐｂ＋ 、ｏｏＣａａ ）（Ｎ ｉ ＋ ７２Ｗ＋ ／
２ ）０３＋ａ系誘電体組成物は、特開昭６２−８７４
５５号公報で知られているように、１１００℃以下の低
酸素雰囲気中で焼成される誘電率磁器組成物であるが、
誘電率を高め十分緻密な焼成体を得るためには焼成温度
にて数時間保持する必要がある。−方、ハイブリッドＩ
Ｃ用の厚膜コンデンサを作製する場合、低温短時間焼成
が不可欠となり、このような条件下では上記誘電体材料
は未焼成となるため、所望の特性が得られないという問
題があった。
Ｐｂ＋ 、ｏｏＣａａ ）（Ｎ ｉ ＋ ７２Ｗ＋ ／
２ ）０３＋ａ系誘電体組成物は、特開昭６２−８７４
５５号公報で知られているように、１１００℃以下の低
酸素雰囲気中で焼成される誘電率磁器組成物であるが、
誘電率を高め十分緻密な焼成体を得るためには焼成温度
にて数時間保持する必要がある。−方、ハイブリッドＩ
Ｃ用の厚膜コンデンサを作製する場合、低温短時間焼成
が不可欠となり、このような条件下では上記誘電体材料
は未焼成となるため、所望の特性が得られないという問
題があった。
本発明ではかかる問題に鑑み、
（Ｐｂ＋ 、ｏｏＣａａ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０
３＋−ａ ＊（Ｐｂ＋ 、 ＨＣａａ ）Ｔ ！０３＋
ａ 、 （Ｐｂ＋ 、 ｏｏｃａ２）（Ｎ ｉ ＋／ｚ
Ｗ＋ ／２ ）０：＋＋ａ系固容体の持つ高い誘電率を
損なわず、中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中にて８０
０〜１０００℃で、かつ短時間焼成が可能な誘電体磁器
組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサまたは
厚膜コンデンサを提供することを目的とするものである
。
３＋−ａ ＊（Ｐｂ＋ 、 ＨＣａａ ）Ｔ ！０３＋
ａ 、 （Ｐｂ＋ 、 ｏｏｃａ２）（Ｎ ｉ ＋／ｚ
Ｗ＋ ／２ ）０：＋＋ａ系固容体の持つ高い誘電率を
損なわず、中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中にて８０
０〜１０００℃で、かつ短時間焼成が可能な誘電体磁器
組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサまたは
厚膜コンデンサを提供することを目的とするものである
。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の誘電体磁器組成物
は、 （Ｐｂ＋ 、 ｏｏＣａａ ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３
）ｘＴｉｙ（Ｎｉ Ｉ／２Ｗ＋／２ ）ｚ０３＋ａで表
される磁器組成物（ただし、Ｘ＋３７＋Ｚ−１）におい
て、 ０．００１≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（Ｐｂ＋
、ｏｏＣａａ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂｚ／ｚ）０３＋ａ 。
は、 （Ｐｂ＋ 、 ｏｏＣａａ ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３
）ｘＴｉｙ（Ｎｉ Ｉ／２Ｗ＋／２ ）ｚ０３＋ａで表
される磁器組成物（ただし、Ｘ＋３７＋Ｚ−１）におい
て、 ０．００１≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（Ｐｂ＋
、ｏｏＣａａ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂｚ／ｚ）０３＋ａ 。
（Ｐｂ＋ 、 ０ＯＣａａ ）Ｔ ｉ０３＋ａ 、 （
Ｐｂ＋ 、ｏｏＣａ、 ）（Ｎｉ ＋７２Ｗ＋ ／２
）０３＋１を頂点とする三角座標で、下記の［］内の数
値で表される組成Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅを頂点とする五角
形の領域内からなる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉に
対して、ＰｂＯを１．０〜２５．０モル％、およびＮｉ
Ｏを１．０−１５．０モル％あるいはＷ Ｏ３を１．０
〜１５．０モル％添加するという作用 すなわち、本発明の特許請求の範囲の組成物においては
、ペロブスカイト構造を有する（Ｐｂ＋ 、ｏｏＣａａ
）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０３＋ａ−（Ｐｂ＋、ｏｏ
Ｃａａ）Ｔｉ０３＋ａ （Ｐｂ＋、ｏｏＣａａ）（Ｎｉ
＋７２Ｗ＋／ｘ）０３＋ａ系の仮焼粉体にＰｂＯ１およ
びＮｉＯあるいはＷ Ｏ３を添加することにより、Ｐｂ
ＯとＮｉＯあるいはＷＯ３の共晶組成を利用し低温で液
相を発生させ、またこれらの添加物がＡ、８両サイトに
同時に固溶することで誘電体への拡散を円滑に行え、添
加物による粒界層の形成が抑制されることによって誘電
率の低下を防ぎ、中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中に
て１０００℃以下という低い焼成温度で短時間に緻密に
焼成し、かつ高い抵抗率を有する大容量のセラミックコ
ンデンサあるいは厚膜コンデンサが得られることとなる
。
Ｐｂ＋ 、ｏｏＣａ、 ）（Ｎｉ ＋７２Ｗ＋ ／２
）０３＋１を頂点とする三角座標で、下記の［］内の数
値で表される組成Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅを頂点とする五角
形の領域内からなる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉に
対して、ＰｂＯを１．０〜２５．０モル％、およびＮｉ
Ｏを１．０−１５．０モル％あるいはＷ Ｏ３を１．０
〜１５．０モル％添加するという作用 すなわち、本発明の特許請求の範囲の組成物においては
、ペロブスカイト構造を有する（Ｐｂ＋ 、ｏｏＣａａ
）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０３＋ａ−（Ｐｂ＋、ｏｏ
Ｃａａ）Ｔｉ０３＋ａ （Ｐｂ＋、ｏｏＣａａ）（Ｎｉ
＋７２Ｗ＋／ｘ）０３＋ａ系の仮焼粉体にＰｂＯ１およ
びＮｉＯあるいはＷ Ｏ３を添加することにより、Ｐｂ
ＯとＮｉＯあるいはＷＯ３の共晶組成を利用し低温で液
相を発生させ、またこれらの添加物がＡ、８両サイトに
同時に固溶することで誘電体への拡散を円滑に行え、添
加物による粒界層の形成が抑制されることによって誘電
率の低下を防ぎ、中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中に
て１０００℃以下という低い焼成温度で短時間に緻密に
焼成し、かつ高い抵抗率を有する大容量のセラミックコ
ンデンサあるいは厚膜コンデンサが得られることとなる
。
実施例
以下、本発明の実施例を示す。
〈実施例１〉
まず、出発原料としては化学的に高純度なＰｂｏ、Ｃａ
ＣＯ３，ＭｇＯ，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔ ｉ ０２゜ＮｉＯ，
ＷＯ３を用いた。これらを純度補正を行った上で所定量
を秤量し、純水を加えメノウ製玉石を用いてボールミル
で１７時間混合した。これを吸引ろ過して水分の大半を
分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した後
、粉砕量の５ｗｔ％の純水を加え、直径６０■、高さ約
５０−の円柱状に成型圧力５００ｋｇ／ｃ−で成型した
。これをアルミナルツボ中に入れ同質の蓋をし、７５０
〜１０００℃で２時間仮焼した。次に、上記仮焼物をア
ルミナ乳鉢で粗砕し、さらにボールミルで１７時間粉砕
し、吸引ろ過した後乾燥した。以上の仮焼・粉砕・乾燥
を数回繰り返した。この粉末をＸ線解析法により解析し
、ペロブスカイト相であることを確認した。
ＣＯ３，ＭｇＯ，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔ ｉ ０２゜ＮｉＯ，
ＷＯ３を用いた。これらを純度補正を行った上で所定量
を秤量し、純水を加えメノウ製玉石を用いてボールミル
で１７時間混合した。これを吸引ろ過して水分の大半を
分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した後
、粉砕量の５ｗｔ％の純水を加え、直径６０■、高さ約
５０−の円柱状に成型圧力５００ｋｇ／ｃ−で成型した
。これをアルミナルツボ中に入れ同質の蓋をし、７５０
〜１０００℃で２時間仮焼した。次に、上記仮焼物をア
ルミナ乳鉢で粗砕し、さらにボールミルで１７時間粉砕
し、吸引ろ過した後乾燥した。以上の仮焼・粉砕・乾燥
を数回繰り返した。この粉末をＸ線解析法により解析し
、ペロブスカイト相であることを確認した。
この誘電体粉末に副成分としてＰｂＯとＮｉＯあるいは
ＷＯ３を添加し、ライカイ機で混合した後、ポリビニル
アルコール６ ｗ ｔ％水溶液を粉体量の６ ｗ ｔ％
加え、３２メツシユふるいを通して造粒し、成型圧力５
００ ｆａｒ ／ ｃｄで直径１３１．高さ約５＋ｍの
円板状に成型した。次いで、この成型物を大気中６００
℃で、１時間保持して脱バインダーした後、マグネシア
磁器容器に入れて同質の蓋をし、雰囲気ベルト炉を用い
て中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中で所定温度まで２
４００℃／ｈｒｓで昇温し、最高温度で１０分間保持後
、２４００℃／ ｈ ｒ ｓで降温した。
ＷＯ３を添加し、ライカイ機で混合した後、ポリビニル
アルコール６ ｗ ｔ％水溶液を粉体量の６ ｗ ｔ％
加え、３２メツシユふるいを通して造粒し、成型圧力５
００ ｆａｒ ／ ｃｄで直径１３１．高さ約５＋ｍの
円板状に成型した。次いで、この成型物を大気中６００
℃で、１時間保持して脱バインダーした後、マグネシア
磁器容器に入れて同質の蓋をし、雰囲気ベルト炉を用い
て中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中で所定温度まで２
４００℃／ｈｒｓで昇温し、最高温度で１０分間保持後
、２４００℃／ ｈ ｒ ｓで降温した。
以上のようにして得られた焼成物を厚さ１■の円板状に
加工し、両面に電極としてＣｒ−Ａｇを蒸着し、誘電率
、ｔａｎδをＩＫＨｚ、ＩＶ／鴎の電界下で測定した。
加工し、両面に電極としてＣｒ−Ａｇを蒸着し、誘電率
、ｔａｎδをＩＫＨｚ、ＩＶ／鴎の電界下で測定した。
また、抵抗率は試料に３０Ｖの電圧を印加後ＩＳの値を
求めた。
求めた。
下記のく表１〉に本発明の材料組成と、焼成雰囲気を中
性雰囲気である窒素中とした焼成物の誘電特性および抵
抗率を示す。また、焼成雰囲気を１０−”ａｔｍ以上の
酸素分圧を有する窒素−水素混合ガス中とした場合の焼
成物の誘電特性および抵抗率を下記のく表２〉に示す。
性雰囲気である窒素中とした焼成物の誘電特性および抵
抗率を示す。また、焼成雰囲気を１０−”ａｔｍ以上の
酸素分圧を有する窒素−水素混合ガス中とした場合の焼
成物の誘電特性および抵抗率を下記のく表２〉に示す。
（以 下 余 白 ）
上記く表１〉、く表２〉に示すように、本発明の材料組
成にかかる焼成物は、８００〜１０００℃短時間焼成に
もかかわらず、また様々な雰囲気焼成においても、高誘
電率の緻密な焼成体が得られ、またカルシウムの添加に
より、中性雰囲気あるいは還元雰囲気焼成においても、
高い抵抗率を有する焼成体が得られた。
成にかかる焼成物は、８００〜１０００℃短時間焼成に
もかかわらず、また様々な雰囲気焼成においても、高誘
電率の緻密な焼成体が得られ、またカルシウムの添加に
より、中性雰囲気あるいは還元雰囲気焼成においても、
高い抵抗率を有する焼成体が得られた。
第１図には本発明の主成分の組成範囲を、（ＰｂＩ 、
ｏｏＣａａ）（Ｍｇ＋／５Ｎｂ２／３）０３＋ａ 。
ｏｏＣａａ）（Ｍｇ＋／５Ｎｂ２／３）０３＋ａ 。
（ＰｂＩ、（ＩｇＣａａ ）ＴｉＯ３＋ａ 、（ＰｂＩ
、０ＯＣａａ ）（Ｎｉ ｌ／２’ｔｈｙ２）Ｏｓ＋
ａを主成分とする三角組成図中に示した。
、０ＯＣａａ ）（Ｎｉ ｌ／２’ｔｈｙ２）Ｏｓ＋
ａを主成分とする三角組成図中に示した。
ここで、本発明において特許請求の範囲を、（ＰｂＩ
、 ０ＯＣａａ ）（Ｍｇ ＋ ／３Ｎｂ２／３）ｘＴ
１ｙ（Ｎ ｉ ｌ ／２’ｔＪ＋ ／２ ）ｚｏ３＋
ａで表される磁器組成物（ただし、ｘ＋ｙ＋−２−１）
において、 ０．００１≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（ＰｂＩ
、ｏｏＣａａ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０３＋ａ 。
、 ０ＯＣａａ ）（Ｍｇ ＋ ／３Ｎｂ２／３）ｘＴ
１ｙ（Ｎ ｉ ｌ ／２’ｔＪ＋ ／２ ）ｚｏ３＋
ａで表される磁器組成物（ただし、ｘ＋ｙ＋−２−１）
において、 ０．００１≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（ＰｂＩ
、ｏｏＣａａ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０３＋ａ 。
（ＰｂＩ 、 ｏｏＣａａ ）Ｔｉ０３＋、 、 （Ｐ
ｂＩ 、ｏｏＣａａ ）（Ｎｉ ｌ／２’ｔＪｌ／２
）０３＋１１を頂点とする三角座標で、下記の［１内の
数値で表される組成Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅを頂点とする五
角形の領域内からなる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉
に対して、ＰｂＯを１．０〜２５．０モル％、およびＮ
ｉＯを１．０〜１５．０モル％あるいはＷＯ３を１．０
−１５．０モル％添加することをと具体的に限定したの
は、く表１〉、く表２〉の比較例に示すように、発明の
範囲外の組成物においては、助剤の添加量が少ない組成
および８００℃より低い焼成温度では焼成が不十分とな
り、緻密な焼成体が得られず、１０００℃より高い焼成
温度では、助剤の誘電体への反応により、誘電率が大幅
に低下するためである。また、ａが０．００１より小さ
いと、焼成体の抵抗率が低（、ａが０．２２５を超える
大きさでは、誘電率の大幅な低下を招き、さらにｘ、ｙ
、ｚが限定の範囲外の組成物では高い誘電率が得られな
い難点を有しているためである。
ｂＩ 、ｏｏＣａａ ）（Ｎｉ ｌ／２’ｔＪｌ／２
）０３＋１１を頂点とする三角座標で、下記の［１内の
数値で表される組成Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅを頂点とする五
角形の領域内からなる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉
に対して、ＰｂＯを１．０〜２５．０モル％、およびＮ
ｉＯを１．０〜１５．０モル％あるいはＷＯ３を１．０
−１５．０モル％添加することをと具体的に限定したの
は、く表１〉、く表２〉の比較例に示すように、発明の
範囲外の組成物においては、助剤の添加量が少ない組成
および８００℃より低い焼成温度では焼成が不十分とな
り、緻密な焼成体が得られず、１０００℃より高い焼成
温度では、助剤の誘電体への反応により、誘電率が大幅
に低下するためである。また、ａが０．００１より小さ
いと、焼成体の抵抗率が低（、ａが０．２２５を超える
大きさでは、誘電率の大幅な低下を招き、さらにｘ、ｙ
、ｚが限定の範囲外の組成物では高い誘電率が得られな
い難点を有しているためである。
そして、限定範囲外の組成では、具体的には本焼成条件
で焼成体の誘電率が３０００以下、あるいは焼成体の抵
抗率が１０ＩＯｃ１１・Ω以下となり、コンデンサとし
ての所望の特性が得られない。
で焼成体の誘電率が３０００以下、あるいは焼成体の抵
抗率が１０ＩＯｃ１１・Ω以下となり、コンデンサとし
ての所望の特性が得られない。
〈実施例２〉
上記実施例１と同様に仮焼・粉砕・乾燥した誘電体粉末
に、副成分としてＰｂＯとＮｉＯあるいはＷ Ｏ３を添
加し、ボールミルにて湿式混合した後乾燥し、エチルセ
ルロースを主成分とする樹脂を溶媒で溶かしたビヒクル
を加え、三段ロールにて混練し誘電体ペーストを作製し
た。一方、純度９６％のアルミナ基板上に２×２−２の
形状を有する厚膜コンデンサを形成するために、下部電
極として銅電極を印刷し乾燥させた。次に、誘電体層と
して上記誘電体ペーストを厚み５０〜６０μｍになるよ
うに二度印刷乾燥を行い、さらに上部電極として下部電
極と同じ銅電極を印刷し乾燥することにより、電極−誘
電体−電極の三層構造の印刷厚膜を形成し、ベルト炉を
用いて最高温度８００〜１０００℃、保持時間１０分間
窒素中で焼成した。このようにして得られた厚膜コンデ
ンサの誘電率ｔａｎδをＩ ＫＨｚ、 Ｉ Ｖ／ｒｖ
ａの電界下で測定した。また、抵抗率は試料に３０Ｖの
電圧を印加後１分の値を求めた。下記のく表３〉に本発
明の材料組成と、窒素中９００℃で焼成した焼成物の誘
電特性を示す。
に、副成分としてＰｂＯとＮｉＯあるいはＷ Ｏ３を添
加し、ボールミルにて湿式混合した後乾燥し、エチルセ
ルロースを主成分とする樹脂を溶媒で溶かしたビヒクル
を加え、三段ロールにて混練し誘電体ペーストを作製し
た。一方、純度９６％のアルミナ基板上に２×２−２の
形状を有する厚膜コンデンサを形成するために、下部電
極として銅電極を印刷し乾燥させた。次に、誘電体層と
して上記誘電体ペーストを厚み５０〜６０μｍになるよ
うに二度印刷乾燥を行い、さらに上部電極として下部電
極と同じ銅電極を印刷し乾燥することにより、電極−誘
電体−電極の三層構造の印刷厚膜を形成し、ベルト炉を
用いて最高温度８００〜１０００℃、保持時間１０分間
窒素中で焼成した。このようにして得られた厚膜コンデ
ンサの誘電率ｔａｎδをＩ ＫＨｚ、 Ｉ Ｖ／ｒｖ
ａの電界下で測定した。また、抵抗率は試料に３０Ｖの
電圧を印加後１分の値を求めた。下記のく表３〉に本発
明の材料組成と、窒素中９００℃で焼成した焼成物の誘
電特性を示す。
（以 下 余 白 ）
上記〈表３〉に示すように、本発明の材料組成にかかる
焼成物は、低温短時間焼成にもかかわらず、緻密な焼成
体からなる高い抵抗率を有する高容量の厚膜コンデンサ
が得られた。
焼成物は、低温短時間焼成にもかかわらず、緻密な焼成
体からなる高い抵抗率を有する高容量の厚膜コンデンサ
が得られた。
特許請求の範囲を限定した理由は、実施例１と同様に、
く表３〉の比較例に示すように、限定範囲外の組成では
、本焼成条件で焼成体の誘電率が２５００以下、あるい
は焼成体の抵抗率が１０ＩＯ惰・Ω以下となり、厚膜コ
ンデンサとしての所望の特性が得られないためである。
く表３〉の比較例に示すように、限定範囲外の組成では
、本焼成条件で焼成体の誘電率が２５００以下、あるい
は焼成体の抵抗率が１０ＩＯ惰・Ω以下となり、厚膜コ
ンデンサとしての所望の特性が得られないためである。
本実施例では窒素中にて焼成が可能であることを示した
が、アルゴン、ヘリウム等の中性雰囲気中でも焼成が可
能であることが容易に推察される。
が、アルゴン、ヘリウム等の中性雰囲気中でも焼成が可
能であることが容易に推察される。
なお、本発明で用いられる電極としては、中性雰囲気中
あるいは還元雰囲気中にて８００〜１０００℃で焼成可
能な電極が適宜選択され、使用されるものである。
あるいは還元雰囲気中にて８００〜１０００℃で焼成可
能な電極が適宜選択され、使用されるものである。
発明の効果
以上述べたように本発明は、
（Ｐｂｔ 、ｏｏＣａａ ）（１１１ｇ ＋ ／３Ｎｂ
２／３ ）ｘＴ １Ｏｙ（Ｎ ｉ Ｉ ／２ＷＩ ／２
）ｚｆｈ＋ｓで表される磁器組成物（ただし、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１）において、 ０．００１≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（Ｐｂｔ
、ｏｏＣａａ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０３＋ａ ＊
（Ｐｂｔ 、 ｏｏＣａ、 ）Ｔｉ０３＋ａ、（Ｐｂｔ
、 ｏｏｃａ＊ ）（Ｎｉ Ｉ／２ＷＩ／２ ）０３
＋ａを頂点とする三角座標で、下記の［１内の数値で表
される組成Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅを頂点とする五角形の領
域内からなる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉に対して
、ＰｂＯを１．０〜２５．０モル％、およびＮｉＯを１
．０〜１５．０モル％あるいはＷ Ｏ３を１．０〜１５
．０モル％添加することをとすることにより、８００〜
１０００℃の温度にて短時間でかつ中性雰囲気中あるい
は還元雰囲気中においても焼成可能な高誘電率を有し、
かつ抵抗率の高い積層セラミックコンデンサおよび厚膜
コンデンサを提供し得るという優れた効果を発揮するも
のである。
２／３ ）ｘＴ １Ｏｙ（Ｎ ｉ Ｉ ／２ＷＩ ／２
）ｚｆｈ＋ｓで表される磁器組成物（ただし、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１）において、 ０．００１≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（Ｐｂｔ
、ｏｏＣａａ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／３）０３＋ａ ＊
（Ｐｂｔ 、 ｏｏＣａ、 ）Ｔｉ０３＋ａ、（Ｐｂｔ
、 ｏｏｃａ＊ ）（Ｎｉ Ｉ／２ＷＩ／２ ）０３
＋ａを頂点とする三角座標で、下記の［１内の数値で表
される組成Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅを頂点とする五角形の領
域内からなる主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉に対して
、ＰｂＯを１．０〜２５．０モル％、およびＮｉＯを１
．０〜１５．０モル％あるいはＷ Ｏ３を１．０〜１５
．０モル％添加することをとすることにより、８００〜
１０００℃の温度にて短時間でかつ中性雰囲気中あるい
は還元雰囲気中においても焼成可能な高誘電率を有し、
かつ抵抗率の高い積層セラミックコンデンサおよび厚膜
コンデンサを提供し得るという優れた効果を発揮するも
のである。
第１図は本発明の組成範囲を示す
（Ｐｂｔ 、ｏｏＣａｓ ）（Ｍｇ＋／３Ｎｂ２／ｓ
）０３４＋１ ＊（Ｐｂｔ 、ｏｏＣａａ ）Ｔｉ０３
＋ｓ 、（Ｐｂｔ 、ｏｏＣａａ ）（Ｎｉ Ｉ／２Ｗ
＋／２ ）（ｈａｓを主成分とする三角組成図である。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 （Ｐｂｔ、ｏｏ Ｃｏ −）（Ｍｇ ’／３ Ｎｂ ’
／３ ） ０ｓｔＱ（ＰｂｔｏｏＣαｏ ２（Ｎ＋ ’
／ｚ Ｗ ４〕０ｓｔａ（Ｐｂｌｏｏ ＣＱａ）丁ｔＯ
ｓｔａ
）０３４＋１ ＊（Ｐｂｔ 、ｏｏＣａａ ）Ｔｉ０３
＋ｓ 、（Ｐｂｔ 、ｏｏＣａａ ）（Ｎｉ Ｉ／２Ｗ
＋／２ ）（ｈａｓを主成分とする三角組成図である。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 （Ｐｂｔ、ｏｏ Ｃｏ −）（Ｍｇ ’／３ Ｎｂ ’
／３ ） ０ｓｔＱ（ＰｂｔｏｏＣαｏ ２（Ｎ＋ ’
／ｚ Ｗ ４〕０ｓｔａ（Ｐｂｌｏｏ ＣＱａ）丁ｔＯ
ｓｔａ
Claims (4)
- （１）（Ｐｂ＿１＿．＿０＿０Ｃａ＿ａ）（Ｍｇ＿１＿
／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿ｘＴｉ＿ｙ（Ｎｉ＿１＿／
＿２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｚＯ＿３＿＋＿ａで表される磁
器組成物（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）において、 ０．００１≦ａ≦０．２２５ の範囲にあり、この範囲内のａの値に対し、（Ｐｂ＿１
＿ ．＿０＿０Ｃａ＿ａ）（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２
＿／＿３）Ｏ＿３＿＋＿ａ）， （Ｐｂ＿１＿．＿０＿０Ｃａ＿ａ）ＴｉＯ＿３＿＋＿ａ
，（Ｐｂ＿１＿．＿０＿０Ｃａ＿ａ）（Ｎｉ＿１＿／＿
２＿Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３＿＋＿ａを頂点とする三角
座標で、下記の［ ］内の数値で表される組成Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄ，Ｅを頂点とする五角形の領域内からなる主成分
誘電体磁器組成物の仮焼粉に対して、ＰｂＯを１．０〜
２５．０モル％、およびＮｉＯを１．０〜１５．０モル
％添加することを特徴とする誘電体磁器組成物。 Ａはｘ＝０．９５０，ｙ＝０．０４９，ｚ＝０．００１
、Ｂはｘ＝０．７５０，ｙ＝０．２４９ｚ＝０．００１
、Ｃはｘ＝０．００１，ｙ＝０．８００，ｚ＝０．１９
９、Ｄはｘ＝０．００１ｙ＝０．４５０，ｚ＝０．５４
９、Ｅはｘ＝０．７００，ｙ＝０．１００．ｚ＝０．２
００。 - （２）請求項１記載の主成分誘電体磁器組成物の仮焼粉
に対して、ＰｂＯを１．０〜２５．０モル％、およびＷ
Ｏ＿３を１．０〜１５．０モル％添加することを特徴と
する誘電体磁器組成物。 - （３）請求項１または２記載の誘電体磁器組成物用い、
中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中に８００〜１０００
℃で焼成可能な電極とで構されたことを特徴とするセラ
ミックコンデ サ。 - （４）セラミック基板上に、請求項１または２記載の誘
電体磁器組成物からなる誘電体層と８００〜１０００℃
で焼成可能な電極とを設けて構成されたことを特徴とす
る厚膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035127A JP2906529B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 誘電体磁器組成物およびコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035127A JP2906529B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 誘電体磁器組成物およびコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238706A true JPH03238706A (ja) | 1991-10-24 |
| JP2906529B2 JP2906529B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=12433270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2035127A Expired - Fee Related JP2906529B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 誘電体磁器組成物およびコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2906529B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP2035127A patent/JP2906529B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2906529B2 (ja) | 1999-06-21 |
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