JPH03241918A - Signal generator - Google Patents

Signal generator

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JPH03241918A
JPH03241918A JP2037367A JP3736790A JPH03241918A JP H03241918 A JPH03241918 A JP H03241918A JP 2037367 A JP2037367 A JP 2037367A JP 3736790 A JP3736790 A JP 3736790A JP H03241918 A JPH03241918 A JP H03241918A
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JP
Japan
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clock
delay
circuit
output
signal
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Pending
Application number
JP2037367A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kanichi Endo
乾一 遠藤
Tsuneo Matsumura
常夫 松村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2037367A priority Critical patent/JPH03241918A/en
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Abstract

PURPOSE:To generate a clock signal with high accuracy at high speed by connecting delay circuits with same performance whose delay extent is adjustable by a feedback level in cascade, taking a logic of each delay circuit output so as to vary the basic clock cycle. CONSTITUTION:An IN(O(o)) is basic clock whose period is T and every time the clock passes one stage of a unit delay circuit 1, and the clock is retarded by each T as O(1), O(2). Then the polarity and the absolute value of a control voltage Vg is adjusted depending on a phase difference TO between an output O(M) of a final M-stage inputted to an input 1 of a delay control circuit 2 and a signal IN inputted to an input 2 of the circuit 2 and the result is fed back to a unit delay circuit D(m):(m=1-M). The adjustment above is repeated to make the TO close to '0' infinitely. Thus, an accurate internal signal is generated by only supplying a simple external signal.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体の大規模集積回路内に搭載して高精度
にクロック波形を生成する信号発生器にかかわり、特に
、メモリの制御信号発生回路、ロジックアナライザ等の
集積回路に搭載する高精度信号発生器に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a signal generator that is installed in a semiconductor large-scale integrated circuit and generates a clock waveform with high precision, and particularly relates to a signal generator that generates a clock waveform with high precision. This invention relates to high-precision signal generators installed in integrated circuits such as circuits and logic analyzers.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来例として、メモリの動作を制御する方法を第13図
により説明する。第13図(a)は、入力クロックとメ
モリ内部で使用するクロックのタイミングチャートを示
している1図中、内部クロックは3種類あり、メモリ選
択クロックC8,センス回路動作クロックSA、プルア
ップ動作クロックPUである。それぞれのクロックの形
状は、入力クロックDINの起点からの遅延ΔtH(i
=3.4.5)、立ち上がりタイミングt、 (j =
31.41゜51)、立ち下がりタイミングtk(k=
32.42.52)で表わせる。メモリ動作を正常に行
うために、これらの時間値が正確である必要がある。例
えば、互いの時間余裕(t4□−t31.1s□−t4
□など)を正確に設定しなくてはならない。しかし、外
部から供給される入力クロックとしては、クロックの種
類や波形のタイミング設定精度に制約が多い。
As a conventional example, a method for controlling the operation of a memory will be explained with reference to FIG. FIG. 13(a) shows a timing chart of input clocks and clocks used inside the memory. In the figure, there are three types of internal clocks: memory selection clock C8, sense circuit operation clock SA, and pull-up operation clock. It is PU. The shape of each clock is determined by the delay ΔtH(i
= 3.4.5), rise timing t, (j =
31.41°51), falling timing tk (k=
32.42.52). These time values must be accurate for successful memory operations. For example, each other's time margin (t4□-t31.1s□-t4
□, etc.) must be set accurately. However, as for the input clock supplied from the outside, there are many restrictions on the type of clock and timing setting accuracy of the waveform.

そこで、′H”レベル期間t工、rt L”レベル期間
t2、アクセス周期T(T=tよ+tz)であるような
典型的な入力クロックDINを用意する。
Therefore, a typical input clock DIN is prepared which has an 'H' level period t, an rt L' level period t2, and an access period T (T=t+tz).

この入力クロックDINを用いて内部クロックであるメ
モリ選択クロックC8、センス回路動作クロックSA、
プルアップ動作クロックPUを得るために、−例として
、第13図(b)のような回路を用いる。これは、それ
ぞれ遅延時間Δt0の遅延回路DH(j、=1〜m)の
m段の直列接続と、電荷蓄積・放出による遅延Δtcの
容量負荷と、nチャネルトランジスタQrlとpチャネ
ルトランジスタQpのチャネル幅比を設定した。遅延時
間Δtkの立ち上がり・立ち下がり調整回路との直列接
続回路として構成する。そこで、任意波形を得るために
入力クロックDINをこの遅延回路に入力した出力り。
Using this input clock DIN, a memory selection clock C8 which is an internal clock, a sense circuit operation clock SA,
In order to obtain the pull-up operation clock PU, for example, a circuit as shown in FIG. 13(b) is used. This is due to the series connection of m stages of delay circuits DH (j, = 1 to m) each having a delay time Δt0, the capacitive load having a delay Δtc due to charge accumulation and release, and the channel resistance of an n-channel transistor Qrl and a p-channel transistor Qp. Set the width ratio. It is configured as a series connection circuit with a rise/fall adjustment circuit for delay time Δtk. Therefore, in order to obtain an arbitrary waveform, the input clock DIN is input to this delay circuit.

U、の波形で、起点からの遅延Δt1は Δ1.=Δt、Xm+Δtc+Δtk で表わせる。In the waveform of U, the delay Δt1 from the starting point is Δ1. =Δt, Xm+Δtc+Δtk It can be expressed as

また、内部クロックの1.やtkは、立ち上がり・立ち
下がり調整回路のトランジスタのしきい値の変化などで
微調する。これらの調整により、上記した内部クロック
SA、PU、C8の波形を得る。
Also, the internal clock 1. and tk are finely adjusted by changing the threshold value of the transistor in the rise/fall adjustment circuit. Through these adjustments, the waveforms of the internal clocks SA, PU, and C8 described above are obtained.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記従来技術では、遅延回路の構成が固定的であるため
、■外部入力クロックを変化させても。
In the above conventional technology, since the configuration of the delay circuit is fixed, (1) even if the external input clock is changed;

立ち上がり・立ち下がりタイミングを制御できないこと
、■温度などの周囲環境条件や、しきい値ばらつきなど
の製作技術などによる変動を考慮して5過剰な動作余裕
を設けなくてはならないこと、等の問題があり、全体@
路の高速動作制御は困難であり、汎用性にも乏しかった
Problems include the inability to control the rise and fall timing, and the need to provide excessive operating margin to account for fluctuations due to ambient environmental conditions such as temperature and manufacturing technology such as threshold variations. There is, the whole @
It was difficult to control the high-speed movement of roads and lacked versatility.

本発明の目的は、上記の問題点を解決すべく、過剰な動
作余裕を設けることなく、内部回路を正確かつ高速に動
作させることを可能にする信号発生器を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a signal generator that allows internal circuits to operate accurately and at high speed without providing excessive operating margin.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達成するため1本発明は、■外部から遅延量
を制御しうる単位遅延回路を任意個数縦列に接続したこ
と、■内部回路動作中に自動的に遅延量を制御し、遅延
量を固定できるようにしたこと、■各単位遅延回路の出
力に任意の論理回路を付加したことを主要な特徴とする
In order to achieve the above object, the present invention consists of: (1) connecting an arbitrary number of unit delay circuits in series whose delay amount can be externally controlled; (2) automatically controlling the delay amount during internal circuit operation; The main features are that it can be fixed, and (2) an arbitrary logic circuit is added to the output of each unit delay circuit.

〔作用〕[Effect]

上記構成により、帰還電位によって遅延量が調節可能な
同一性能をもつ遅延回路を縦列接続し、各遅延回路出力
の論理をとることで、外部から低速な単一の基本クロッ
クを与えるだけで、多数の高周波クロックを発生しうる
ようになる。また、基本クロックサイクルを変化させる
ことで2発生クロック全体の立ち上がり・立ち下がり時
間をも自在に設定できる。
With the above configuration, delay circuits with the same performance whose delay amount can be adjusted by the feedback potential are connected in series, and by taking the logic of the output of each delay circuit, a large number of It becomes possible to generate high-frequency clocks. Furthermore, by changing the basic clock cycle, the rise and fall times of the entire two generated clocks can be freely set.

以上の作用により、高精度・高速なりロックをLSI内
部で発生することができる。
Through the above-described operation, a high-precision and high-speed lock can be generated inside the LSI.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

実施例↓: 第1図は本発明の第1の実施例を示す図である。Example ↓: FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.

本実施例は、単相クロックを系統の入力から、同期RA
Mを動作させる内部クロックを発生させる構成例を示し
ている。
In this embodiment, the single-phase clock is input from the system input to the synchronous RA
An example of a configuration for generating an internal clock for operating M is shown.

第工図において、1は単位遅延回路D(m):(m=1
〜M)で、入力信号I(m)を受け、アナログ信号G(
m)の入力レベルによって、出力信号0(m)の出力タ
イミングを調節できる素子である。2は遅延制御回路で
、比較信号入力端1nput 1 、1nput 2の
位相ずれを検出し、この位相差ΔTの進み・遅れを出力
電圧V、!、の上昇・低下に変換する回路である。3は
入力ivの否定をOvに出力する否定素子、4は入力i
rl、ir2の論理和をorlに出力する論理和素子、
5は入力ial。
In the second construction diagram, 1 is a unit delay circuit D(m): (m=1
~M) receives the input signal I(m) and outputs the analog signal G(
This is an element that can adjust the output timing of the output signal 0(m) depending on the input level of the output signal 0(m). 2 is a delay control circuit that detects the phase shift between the comparison signal input terminals 1nput 1 and 1nput 2, and calculates the lead/lag of this phase difference ΔT as the output voltage V,! This is a circuit that converts the increase or decrease of . 3 is a negation element that outputs the negation of input iv to Ov, 4 is input i
a logical sum element that outputs the logical sum of rl and ir2 to orl;
5 is input ial.

ia2の論理積をoalに出力する論理積素子、6 i
!入力ia3、ia4の論理積をoa2に出力する論理
積素子である。
AND element that outputs the AND of ia2 to oal, 6 i
! This is an AND element that outputs the AND of inputs ia3 and ia4 to oa2.

符号1の単位遅延回路D(m)をm=1からMまで順に
縦列接続し、外部入力端子IN(または0(o))を、
縦列接続の単位遅延回路の始点にあたるD(1)の入力
端チエ(1)ならびに遅延制御回路2の1nput 2
に接続し、○(k)をI(k+1)(k=1〜M−1)
に接続し、最終段のD(m)の出力0(M)を遅延制御
回路2の1nput 1に接続する。
The unit delay circuits D(m) with code 1 are connected in series from m=1 to M, and the external input terminal IN (or 0(o)) is connected as follows.
Input end chain (1) of D (1), which is the starting point of the cascade-connected unit delay circuit, and 1nput 2 of delay control circuit 2
Connect ○(k) to I(k+1) (k=1~M-1)
The output 0(M) of the final stage D(m) is connected to 1nput 1 of the delay control circuit 2.

また、O(o )を論理和素子4の入力irlと否定素
子3の入力ivと論理積素子5の入力ialに接続し、
0(1)を論理和素子4の入力ir2に接続し、0(5
)を論理積素子5の入力ia2と論理積素子6の入力i
a4に接続し、否定素子3の出力ovを論理積素子6の
入力ia3に接続する0便宜上、論理和素子4の出力o
rlをメモリ選択クロックC8、論理積素子5の出力o
alをセンス回路動作クロックSA、論理積素子6の出
力oa2をプルアップ動作クロックPUとする。
Also, connect O(o) to the input irl of the logical sum element 4, the input iv of the negative element 3, and the input ial of the logical product element 5,
0(1) is connected to the input ir2 of OR element 4, and 0(5
) as input ia2 of AND element 5 and input i of AND element 6
a4, and the output ov of the NOT element 3 is connected to the input ia3 of the AND element 6. For convenience, the output o of the OR element 4 is
rl is the memory selection clock C8, and the output o of the AND element 5
Let al be the sense circuit operation clock SA, and the output oa2 of the AND element 6 be the pull-up operation clock PU.

ここで、第1図における単位遅延回路D(m)の具体的
な構成例を第2図に示す1図において、Ml、M2はn
チャネルトランジスタであり。
Here, in FIG. 2 which shows a specific configuration example of the unit delay circuit D(m) in FIG. 1, Ml and M2 are n
It is a channel transistor.

M3〜M5はpチャネルトランジスタである。M3 to M5 are p-channel transistors.

Ml、M3、M5の接続で遅延制御否定素子を、M2、
M4の接続で否定素子をそれぞれ形成する。
By connecting Ml, M3, and M5, the delay control negation element is connected to M2,
Negation elements are formed by connecting M4.

これらを縦列に接続し、信号I(m)を入力すると、遅
延を伴って○(m)に出力する。このとき、M5のゲー
トに印加する信号G(m)の電圧を変化させると、Ml
、M3、M5の否定素子出力の論理しきい値が変化し、
出力○(m、)の立ち下がりタイミングがずれ、D(m
)1素子当たりの遅延も制御できる。
When these are connected in series and a signal I(m) is input, the signal I(m) is outputted with a delay. At this time, if the voltage of the signal G(m) applied to the gate of M5 is changed, Ml
, M3, M5, the logic thresholds of the negative element outputs change,
The falling timing of output ○(m,) is shifted, and D(m,)
) The delay per element can also be controlled.

次に、第1図における遅延制御回路2の具体的な構成例
を第3図に示す。図において、D(m)は、第1図に示
した遅延素子と同等なものであり、M段全体で基準信号
発生回路DGを形成する。
Next, a specific configuration example of the delay control circuit 2 shown in FIG. 1 is shown in FIG. 3. In the figure, D(m) is equivalent to the delay element shown in FIG. 1, and the entire M stages form the reference signal generation circuit DG.

SRI、SR2はS/Rラッチであり、S端子への信号
の立ち下がりタイミングでl(H”を記憶し出力し、R
端子への信号の立ち下がりタイミングで“L”を記憶し
出力する素子である。M1〜M7はnチャネルトランジ
スタ、A1−A4は定電流源、C1−C5は容量、SA
は差動増幅器である。これらをシーケンサSで制御する
。シーケンサSはカウンタで形成され、第4図に示すよ
うに1周期Tの基準信号Tinから1位相がTずれた周
期4Tの4種類の信号elk 1〜elk 4を発生す
る。
SRI and SR2 are S/R latches, which store and output "1(H") at the falling timing of the signal to the S terminal, and
This is an element that stores and outputs "L" at the falling timing of a signal to a terminal. M1 to M7 are n-channel transistors, A1 to A4 are constant current sources, C1 to C5 are capacitors, and SA
is a differential amplifier. These are controlled by a sequencer S. The sequencer S is formed of a counter, and generates four types of signals elk 1 to elk 4 having a period of 4T and having a phase shift of 1 T from a reference signal Tin of 1 period T, as shown in FIG.

以下に、第3図に示した回路系の動作を簡単に説明する
。すなわち、■信号elk lによって容量C1,C2
を放電し、■信号clk 2によって、基準信号発生回
路DG内をelk 2の遅延信号が伝達を開始し、同時
にSRI、SR2の出力が1(L 7+からrtH”と
なり、容量C1、C2の充電を開始し、■信号elk 
3によって、SR2の出力が“H”から“L”となり、
SR2による充電を停止し。
The operation of the circuit system shown in FIG. 3 will be briefly explained below. That is, the capacitances C1 and C2 are increased by the signal elk l.
The delayed signal of elk 2 starts to be transmitted in the reference signal generation circuit DG by the signal clk 2, and at the same time, the outputs of SRI and SR2 become 1 (from L 7+ to rtH), and the capacitors C1 and C2 are charged. Start ■signal elk
3, the output of SR2 changes from “H” to “L”,
Stop charging by SR2.

■基準信号発生回路DGの出力によって、SRIの出力
がrtH”からjlL”になり、SRIによる充電を停
止し、■容量C1,C2の充電量に比例した電圧差を差
動増幅器SAで増幅し、■差動増幅器SAの出力レベル
により、nチャネルトランジスタM6、M7の抵抗値が
設定され、■信号elk 4でnチャネルトランジスタ
M3を介して容量C3の充電または放電を行い、制御電
圧■5を発生する。上記■〜■を常時繰り返すことによ
り制御電圧V9を制御する。
■The output of the SRI changes from rtH" to jlL" by the output of the reference signal generation circuit DG, charging by the SRI is stopped, and the voltage difference proportional to the amount of charge in the capacitors C1 and C2 is amplified by the differential amplifier SA. , ■ The resistance values of n-channel transistors M6 and M7 are set according to the output level of differential amplifier SA, ■ signal elk 4 charges or discharges capacitor C3 via n-channel transistor M3, and control voltage ■ 5 is set. Occur. The control voltage V9 is controlled by constantly repeating the above steps (1) to (2).

第1図における動作波形例を第5図に示す。ここで、基
本動作は以下の通りである。すなわち、■IN(0(o
))は1周期Tの基本クロックである。このクロックが
単位遅延回路lを1段通過するごとに、0(1)、o(
2)のようにΔTずつ遅延して伝播する。
FIG. 5 shows an example of the operating waveforms in FIG. 1. Here, the basic operation is as follows. That is, ■IN(0(o
)) is a basic clock with one period T. Every time this clock passes one stage of unit delay circuit l, 0(1), o(
2), it propagates with a delay of ΔT.

■第1図中の遅延制御回路2の1nput 1に入力す
る最終M段目の出力0(M)と1nput 2に入力す
るINとの位相差ΔT○の大きさにより、制御電圧v、
Jの加減と絶対量を調節して、単位遅延回路D(m):
(m=1〜M)に帰還する。
■The control voltage v,
By adjusting the amount and absolute amount of J, unit delay circuit D(m):
(m=1 to M).

上記のと■とを繰り返して、ΔToを限りなくOに近づ
ける。このとき、ΔTの値は、任意のm段目出力とm+
1段目との出力差として ΔT=T/M        ・・・・・・(1)で表
わさせる。
Repeat the above steps and (2) to bring ΔTo as close to O as possible. At this time, the value of ΔT is the arbitrary m-th stage output and m+
The output difference with the first stage is expressed as ΔT=T/M (1).

そこで、第工図の回路によって生成した波形は。Therefore, the waveform generated by the circuit shown in the engineering drawing is as follows.

第5図のC5,SA、PUの波形のようになる。The waveforms are as shown in C5, SA, and PU in FIG.

メモリ側のクロックマージンとしては、10. 11、
L2、t、といった値を保証しなくてはならないが、第
1図に示す本実施例の回路を用いることによって、1.
は5×ΔT、 t、はT/2−6XΔT、t2はΔT、
  t、はOと規定でき、環境やトランジスタ性能、経
年変化によらず一定に保ことかできる。
The clock margin on the memory side is 10. 11,
Although values such as L2 and t must be guaranteed, by using the circuit of this embodiment shown in FIG.
is 5×ΔT, t is T/2-6XΔT, t2 is ΔT,
t can be defined as O and can be kept constant regardless of the environment, transistor performance, or changes over time.

実施例2: 第6図は本発明の第2の実施例を示す図である。Example 2: FIG. 6 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

本実施例は、第1の実施例に示した遅延回路と遅延制御
回路とを用いて、非同期メモリのクロックを発生させる
構成例を示している。
This embodiment shows an example of a configuration in which a clock for an asynchronous memory is generated using the delay circuit and delay control circuit shown in the first embodiment.

実施例上において説明した通り、単位遅延回路1、D 
(m) : (m = l 〜M)、遅延制御回路2.
信号INによって、D(m)−段当たりの遅延量ΔTが
T/Mになるような出力電圧V、が発生する。一方、D
(m)と同等の素子である単位遅延回路7、D’(n)
 : (n = 1〜N)を縦列接続し、D’(n)の
G’(n)にVgを印加する。D’(n)の出力をそれ
ぞれO(n )とし、任意の論理回路を接続する。本実
施例では、−例として、実施例1と同様に、否定素子3
、論理和素子4.論理積素子5および6を接続する。
As explained above in the embodiment, the unit delay circuits 1 and D
(m): (m = l to M), delay control circuit 2.
The signal IN generates an output voltage V such that D(m) - the delay amount ΔT per stage becomes T/M. On the other hand, D
Unit delay circuit 7, which is an element equivalent to (m), D'(n)
: (n = 1 to N) are connected in cascade and Vg is applied to G'(n) of D'(n). The outputs of D'(n) are each set to O(n), and an arbitrary logic circuit is connected. In this embodiment, as an example, similarly to the first embodiment, the negative element 3
, logical OR element 4. AND elements 5 and 6 are connected.

この回路の動作波形例を第7図に示す。ここで、INは
周期Tの同期信号、CLKはINの周期と任意の値ΔT
1だけずれた単発信号である。第6図におけるD’(n
)の出力0(n )は、D’(n −工)の出力0(n
−1)に対しΔTだけ遅延し、信号CLKに対してΔT
Xnだけ遅延した信号となる。従って、CS、SA、P
Uは、任意に入力する単発信号CLKに対してエサイク
ル分の動作を行う。これらの信号は、非同期メモリの制
御クロックに理想的である。
An example of the operating waveforms of this circuit is shown in FIG. Here, IN is a synchronization signal with period T, and CLK is the period of IN and an arbitrary value ΔT.
This is a single signal shifted by 1. D'(n
) output 0(n ) is the output 0(n ) of D'(n - engineering)
-1) and delayed by ΔT with respect to signal CLK.
The signal is delayed by Xn. Therefore, CS, SA, P
U performs an cycle operation for a single signal CLK that is arbitrarily input. These signals are ideal as control clocks for asynchronous memories.

実施例3: 第8図は本発明の第3の実施例を示す図である。Example 3: FIG. 8 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.

本実施例は、第1の実施例に示した遅延回路と遅延制御
回路とを用いて、ワードジェネレータとして動作させる
構成例を示している。
This embodiment shows an example of a configuration in which the delay circuit and delay control circuit shown in the first embodiment are used to operate as a word generator.

実施例1および実施例2と同様に、単位遅延回路1、D
(m): (m=l 〜M)、遅延制御回路2、信号I
Nによって、D(m)−段当たりの遅延量ΔTfJ<T
/Mになるような出力電圧V8が発生する。以下に説明
では、便宜上、M=8とするが、これは任意の個数でよ
い。8はlピット分のデータを蓄える記憶素子、M(m
):(m=1〜8)であり、ROM、RAM、レジスタ
などで構成される。M (m )内の記憶データは、D
(m)の出力0(m)により、O’(m): (m =
i 〜8)に出力する。従って、M (m )からなる
回路Mは、一般の記憶回路でよい。符号9で示すD’ 
(m ) : (m =1〜8〉は、D(m)と同等の
遅延制御性をもち、出力が反転する遅延素子である。D
’(m)の遅延量制御端子G’ (m )には、D(m
)に印加するものと等しいVgを印加し、遅延量ΔTの
同時制御と信号の同期を行う。符号lOで示すA (m
 )は、2入力値の論理積を出力する論理積素子である
Similar to the first and second embodiments, the unit delay circuits 1 and D
(m): (m=l ~M), delay control circuit 2, signal I
By N, D(m) - delay amount per stage ΔTfJ<T
An output voltage V8 of /M is generated. In the following description, for convenience, it is assumed that M=8, but this may be any number. 8 is a memory element that stores data for l pits, M (m
): (m=1 to 8), and is composed of ROM, RAM, registers, etc. The stored data in M (m) is D
Due to the output 0(m) of (m), O'(m): (m =
i to 8). Therefore, the circuit M consisting of M(m) may be a general memory circuit. D' denoted by 9
(m): (m = 1 to 8> is a delay element that has delay controllability equivalent to D(m) and whose output is inverted.D
'(m) delay amount control terminal G' (m) has D(m
), and simultaneously controls the delay amount ΔT and synchronizes the signals. A (m
) is an AND element that outputs the AND of two input values.

符号11で示すR1は、A(m)からの出力信号0’(
m)を入力とする論理和素子である。
R1, denoted by reference numeral 11, is the output signal 0'(
m) is an OR element that receives as input.

これらの回路の動作を以下に説明する。D(m)の出力
0 (m )によって、M(m)に記憶していたデータ
が0 ’ (m )に出力する。○′(m)はD’(m
)の入力端子とA(m)の入方端チエに、またD’(m
)の出力がA(m)の入力端子2にそれぞれ接続するに
のとき、O’(m)に記憶値1/ H11が出力すると
、D’(m)の遅延時間ΔTの間だけ。
The operation of these circuits will be explained below. Due to the output 0 (m) of D(m), the data stored in M(m) is output to 0' (m). ○'(m) is D'(m
) to the input terminal of A(m), and D'(m) to the input terminal of A(m).
) are respectively connected to input terminal 2 of A(m), and when the stored value 1/H11 is output to O'(m), only during the delay time ΔT of D'(m).

○′(m)にu Hreが出方する。これに対し、0 
’ (m )の記憶値が“L”の場合は、O’(m)は
t(L“に固定する。R1はA(m)の出力の論理和を
とってCLKOUTに出力する。
u Hre appears in ○'(m). On the other hand, 0
When the stored value of '(m) is "L", O'(m) is fixed to t(L"). R1 takes the logical sum of the output of A(m) and outputs it to CLKOUT.

第9図に第8図の回路の動作波形例を示す1周期Tの同
期クロックINによって、M(m)の記憶データが、Δ
Tの時間幅でO’(m)に出力する。○#(m)の出力
は、D(m)の信号の伝達順番、すなわち時系列的にR
1に伝えられるので、CLKOUTには記憶情報に従っ
た波形が現れる。
FIG. 9 shows an example of the operating waveform of the circuit in FIG.
Output to O'(m) with a time width of T. ○The output of #(m) is the transmission order of the signal of D(m), that is, the chronological order of R
1, a waveform according to the stored information appears at CLKOUT.

このようにして、オンチップ可能なワードジェネレータ
が構成できる。
In this way, an on-chip possible word generator can be constructed.

実施例4: 第10図は5前記実施例3と同等の機能を別回路で構成
した本発明の第4の実施例を示す図である。
Embodiment 4: FIG. 10 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention, in which the same functions as those of the third embodiment are provided in a separate circuit.

図において、D(m):(m=1〜8)で、入力信号I
(m)を受け、アナログ信号G (m )とG’(m)
:(m=1〜8)の入力レベルによって、各々出力信号
0(m)の立ち下がりと立ち上がりタイミングを調節で
きる素子である。12は立ち上がり遅延制御回路であり
、遅延制御回路2と同等の入力端子1nput 1 ’
 、 1nput 2 ’ をもち、立ち上がりタイミ
ングの差を検出し、出力電圧v、′の上昇・低下に変換
する回路である。遅延制御回路2.記憶素子8および論
理和素子11は実施例3と同一回路である。
In the figure, D(m): (m=1 to 8) is the input signal I
(m) and analog signals G (m) and G'(m)
: (m=1 to 8) is an element that can adjust the falling and rising timings of the output signal 0(m) depending on the input level. 12 is a rise delay control circuit, and has an input terminal 1nput 1' equivalent to the delay control circuit 2.
, 1nput 2', and is a circuit that detects the difference in rise timing and converts it into an increase/decrease in the output voltage v,'. Delay control circuit 2. The memory element 8 and the OR element 11 are the same circuits as in the third embodiment.

第10図における。D(m)の具体的な構成例を第11
図に示す、Ml、M2.M6はnチャネルトランジスタ
、M3〜M5はpチャネルトランジスタである。Ml、
M3.M5.M6の接続で遅延制御否定素子、M2.M
4の接続で否定素子を形成する。これらを縦列に接続し
、信号I(m)を入力すると、遅延を伴ってO(m)に
出力する。
In FIG. A specific example of the configuration of D(m) is shown in the 11th
As shown in the figure, Ml, M2. M6 is an n-channel transistor, and M3 to M5 are p-channel transistors. Ml,
M3. M5. M6 is connected to a delay control negation element, M2. M
A negative element is formed by connecting 4. When these are connected in series and a signal I(m) is input, it is output to O(m) with a delay.

このとき、M5のゲートに印加する信号G(m)の電圧
を変化させると、Ml、M3、M5.M6の否定素子出
力の論理しきい値が変化し、出力○(m)の立ち上がり
タイミングがずれ、D(m)1素子当たりの立ち下がり
遅延が制御できる。また、M6のゲートに印加する信号
G’(m)の電圧を変化させると、’M1.M3.M5
− M6の否定素子出力の論理しきい値が変化し、出力
0(m)の立ち下がりタイミングがずれ、D(m)1素
子当たりの立ち上がり遅延が制御できる。
At this time, if the voltage of the signal G(m) applied to the gate of M5 is changed, Ml, M3, M5. The logic threshold of the negative element output of M6 changes, the rise timing of the output ○(m) is shifted, and the fall delay per element of D(m) can be controlled. Furthermore, when the voltage of the signal G'(m) applied to the gate of M6 is changed, 'M1. M3. M5
- The logic threshold of the negative element output of M6 changes, the fall timing of output 0(m) is shifted, and the rise delay per element of D(m) can be controlled.

第10図における立ち上がり遅延制御回路12の具体的
な構成例を第12図に示す。これが遅延制御回路2と相
違する点は、 1nput↓’ 、 1nput2’の
入力回路であるSRIとSR2の入力極性である。
A specific example of the configuration of the rise delay control circuit 12 in FIG. 10 is shown in FIG. 12. The difference between this and the delay control circuit 2 is the input polarity of SRI and SR2, which are the input circuits of 1nput↓' and 1nput2'.

すなわち、遅延制御回路2のSRIとSR2は。That is, SRI and SR2 of the delay control circuit 2 are as follows.

DGの出力、elk2、elk 3の立ち下がりタイミ
ングで、D(m)の立ち下がり遅延時間を制御するが、
立ち上がり遅延制御回路12では、DGの出力。
The fall delay time of D(m) is controlled by the fall timing of DG output, elk2, and elk3.
In the rise delay control circuit 12, the output of DG.

elk 2、elk 3の立ち上がりタイミングで、D
(m)の立ち上がり遅延時間を制御する。
At the rising timing of elk 2 and elk 3, D
(m) The rise delay time is controlled.

本実施例では、D(m)の出力0(m)の立ち上がり・
立ち下がりタイミングを遅延制御回路2およびI2で制
御する結果、実施例3で用いた立ち下がりタイミングを
、!ll11するD ’ (m ) 、 A (m )
の素子が不用になる。
In this example, the rising edge of the output 0(m) of D(m)
As a result of controlling the falling timing by the delay control circuit 2 and I2, the falling timing used in the third embodiment is ! ll11 D' (m), A (m)
elements become unnecessary.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、LSIチップ上に自己制御可能な制御
回路と、従来の論理素子とを組み合わせて、単純な外部
信号を与えるのみで正確な内部信号を発生できる。これ
により (i)基板温度や経年変化の影響を被制御素子と同様に
受けるので、長期にわたって安定に制御できる。
According to the present invention, by combining a self-controllable control circuit and conventional logic elements on an LSI chip, accurate internal signals can be generated by simply applying external signals. As a result, (i) it is affected by substrate temperature and aging in the same way as controlled elements, so it can be stably controlled over a long period of time.

(n)外部から信号を与えるのに比べ、負荷やバッファ
による波形の変形を生じないので。
(n) Compared to applying signals from outside, waveforms are not distorted by loads or buffers.

特別な使用条件を必要としない。No special conditions of use required.

(iii)素子性能の限界まで高速な信号を供給しうる
(iii) A high-speed signal can be supplied to the limit of device performance.

等の利点がある。There are advantages such as

本発明の信号発生器は、並列処理プロセッサ、キャッシ
ュ・メモリ等の高速メモリなど高速LS■の制御信号発
生回路に使用すると効果が大きい。
The signal generator of the present invention is highly effective when used in control signal generation circuits for high-speed LS such as parallel processing processors and high-speed memories such as cache memories.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例の回路図、第2図および
第3図は該実施例を実現する回路の一例を示す図、第4
図はその制御波形図、第5図は該実施例での動作波形図
である。第6図は本発明の第2の実施例の回路図、第7
図は該実施例での動作波形図である。第8図は本発明の
第3の実施例の回路図、第9図は該実施例での動作波形
図である。第1O図は本発明の第4の実施例の回路図、
第11図および第12図は該第4の実施例を実現する回
路の一例を示す図である。第13図は従来例の説明図で
ある。 符号の説明 1・・・単位遅延回路   2・・・遅延制御回路3・
・・否定素子     4・・・論理和素子5.6・・
・論理積素子  7・・・単位遅延回路8・・・記憶素
子     9゛°遅延素子10・・・論理積素子  
  11・・・論理和素子12・・・立ち上がり遅延制
御回路 t51t52 (0) 第13 図
FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are diagrams showing an example of a circuit for realizing the embodiment, and FIG.
The figure is a control waveform diagram, and FIG. 5 is an operation waveform diagram in this embodiment. FIG. 6 is a circuit diagram of the second embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is an operational waveform diagram in this embodiment. FIG. 8 is a circuit diagram of a third embodiment of the present invention, and FIG. 9 is an operational waveform diagram in this embodiment. FIG. 1O is a circuit diagram of a fourth embodiment of the present invention,
FIGS. 11 and 12 are diagrams showing an example of a circuit for realizing the fourth embodiment. FIG. 13 is an explanatory diagram of a conventional example. Explanation of symbols 1... Unit delay circuit 2... Delay control circuit 3.
...Negation element 4...Order element 5.6...
・Logic product element 7...Unit delay circuit 8...Storage element 9゛°delay element 10...Logic product element
11...OR element 12...rise delay control circuit t51t52 (0) Fig. 13

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、外部からの制御信号により遅延量を制御しうる遅延
素子と、均一な特性をもつ該遅延素子をn段縦列接続し
た各段から出力を取り出せるクロック転送器と、周期T
の任意外部入力クロックと該外部入力クロックを入力と
して前記クロック転送器を経過したクロック出力とを比
較し、該クロック転送器全体の遅延量が1周期となる制
御信号を発生して前記遅延素子n段各々に供給しうる制
御回路と、該遅延素子のn個のクロック出力のうち任意
の複数個のクロック出力を用いT/nの時間精度で立ち
上がり・立ち下がりタイミングが規定される任意クロッ
クを発生する回路とを有することを特徴とする信号発生
器。
1. A delay element whose delay amount can be controlled by an external control signal, a clock transfer device which can take out an output from each stage in which n stages of delay elements with uniform characteristics are connected in series, and a period T.
Compares an arbitrary external input clock with a clock output that has passed through the clock transfer device using the external input clock as input, generates a control signal such that the total delay amount of the clock transfer device is one cycle, and controls the delay element n. Generates an arbitrary clock whose rise and fall timings are defined with a time accuracy of T/n using a control circuit that can be supplied to each stage and any plurality of clock outputs among the n clock outputs of the delay element. A signal generator characterized in that it has a circuit.
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