JPH03242650A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents

ポジ型フオトレジスト組成物

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JPH03242650A
JPH03242650A JP3929990A JP3929990A JPH03242650A JP H03242650 A JPH03242650 A JP H03242650A JP 3929990 A JP3929990 A JP 3929990A JP 3929990 A JP3929990 A JP 3929990A JP H03242650 A JPH03242650 A JP H03242650A
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JP
Japan
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ethyl
methyl
cresol
photosensitive material
butyl
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Application number
JP3929990A
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English (en)
Inventor
Yasumasa Kawabe
河辺 保雅
Fumiyuki Nishiyama
文之 西山
Shiro Tan
史郎 丹
Reiko Kuboyama
久保山 玲子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は輻射線に感応するボン型7オトレノストに関す
るものであり、特に現像特性に優れ、しかも高い解像力
と感度、更に良好なパターンの断面形状をそなえた微細
加工用7オトレノスト組成物に関するものである。
本発明によるボッ型7オトレノストは半導体ウェハー 
またはガラス、セラミックス、金属等の基板上にスピン
塗布法またはローラー塗布法で0゜5〜3 μ−の厚み
に塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介
して回路パターン等を紫外線照射などにより焼き付け、
現像してポジ画像が得られる。更にこのボッ画像をマス
クとしてエツチングする事により基板にパターン状の加
工を施す事ができる。代表的な応用分野はICなどの半
導体製造工程、液晶、サーマルヘッドなどの回路基板の
製造、更にその他の7オト7アプリケーシヨンエ程であ
る。
く在米技術〉 ポジ型フォトレジスト組成物としては、一般にアルカリ
可溶性樹脂と感光物としてのす7トキノンジアノド化合
物とを含む組成物が用いられている。例えば、「ノボラ
ック型7エ/−ル樹! /す7トキ/ンジ7ジド置換化
合物」としてUSP−3,666,473号、USP−
4,115,128号及びUSP−4,173,470
号等に、また最も典型的な組成物として「クレゾール−
ホルムアルデヒドより成る/ボラック樹脂/トリヒドロ
キシベンゾ7エ/ン−1,2−す7トキ/ンノアノドス
ルホン酸エステル」の例がトンプソン「インドaグクシ
ョン・トウー・マイクロリソグラフィーJ  (L、F
、Tho+*pson  JIntro −ducti
on  to  Microlith。
graphyJ)(AC5出版、No、219号、P1
12〜121)に記載されている。
結合剤としての7ボラツク樹脂は、膨潤することなくア
ルカリ水溶液に溶解可能であり、また生成した画像をエ
ツチングのマスクとして使用する際に特にプラズマエツ
チングに対して高い耐性を与えるが故に本用途に特に有
用である。また、感光物に用いるす7トキ/ンノアノド
化合物は、それ自身ノボラック樹脂のアルカリ溶解性を
低下せしめる溶解阻止剤として作用するが、九誤射を受
けて分解するとアルカリ可溶性物質を生じてむしろノボ
ラック樹脂のアルカリ溶解度を高める働きをする点で特
異であり、この光に対する大きな性質変化の故にボッ型
7オトレノストの感光物として特に有用である。
これまで、かかる観点から7ボラツク村4脂とす7トキ
/ンノアノド系感光物を含有する数多くのボッ型7オト
レノストが開発、実用化され、1゜5 μI11〜2 
μ曽程度までの、is#i加工においては充分な成果を
おさめてきた。
〈本発明が解決しようとする問題点〉 しかし、集積回路はその集積度を益々高めており、超L
SIなどの半導体基板の製造においては1 μ(1)以
下の線幅から成る超微細パターンの加工が必要とされる
様になってきている。かかる用途においては、特に高い
解像力、露光マスクの形状を正確に写しとる高いパター
ン形状再現精度及び高生産性の観点からの高感度を有す
る7オトレノストが要求され、更には現像不良を起こす
ことのないレノストが、近年、特に強く要求されている
。現像不良は、例えば本未現像によって除去されるべき
露光部が、十分に除去されずに僅かに残渣(以下「膜残
渣」と呼ぶ)が生じたり、未露光部の微細なレジストパ
ターンの表層の剥がれ(以下「表層剥離」と呼ぶ)が生
じ、露光部にこの表層が付着する現象に上り生じる。
これらの現像不良を改良するためにレノストの現像液に
界面活性剤、親水性有機溶剤を添加する技術が公知であ
り、例えば特開昭58−57128、同60−1584
42.同6O−22312(’)。
同61−167948.同62−32451.同62−
32453.同49−91177、同59−18244
4、同60−158461.同60−241051、同
61−39041.同61−259523、同61−2
32453.USP4374920等に記載されている
。だが、従米知られている界面活性剤、親水性溶剤を含
有する現像液では、膜残渣、表層剥離の防止に対して十
分な効果を有するものは殆ど無く、たとえ効果を示して
も、未露光部の膜減りが大きくなったり、寸法精度が悪
くなったり、レノストの断面形状が台形になりやすいた
め、解像度が低下するものが殆どであった。
また、ボッ型7オトレノストに関し、高い解像力と断面
形状の良好なレノストを得るには、例えば、特開昭60
−42753.同60−158840、同63−110
446.同63−115162、同63−178229
.特開平1−142548、同1−177031.同1
−179147.同1−283556等に記載されてい
る様に感光剤のエステル化率(ポリヒドロキシ化合物の
水酸基が1.2−す7トキ/ンジアジド−5−(及び/
又は−4−)スルホン酸エステルでエステル化されてい
る割合)を高めることが特に有効である。ところが一般
に、エステル化率の高い感光剤を使用すると現像不良を
誘発しやすく、更に、レジストを長期間保存した際に、
感光剤が析出するという問題が生ずる。この感光剤の析
出を防止するための方法が、例えば特開昭62−123
444、同62−178511;2.同62−2843
54、同63−24244.同63−110446゜同
63−113451.同63−236030.同63−
236031.同63−237053.同63−249
143.同64−49038.同6470746、特開
平1−154145.同1−222255、同1−28
3556.同1−293340、同1−293341等
に開示されているが、現像不良を改善するための方法は
これまでのところ殆ど知られていないのが実情である。
更に、断面形状の良好なレノストを得るために、特開昭
63−161449では1分子中に1個の水酸基を有す
る芳香族ヒドロキシ化合物の1,2す7トキ7ンノアノ
ドスルホン酸エステルと1分子中に2個以上の1.2−
す7トキ/ンノアノドスルホニル基を有する化合物を(
1,5/1〜3/1の割合で配合するとフントラストが
高くなり、高反射基板からのハレーションが良く防止さ
れることが記載されている。ところがこの方法では通常
断面形状は良好になるものの、解像力、感度が低下し、
しかも現像不良を十分には改善できない。
従って、本発明の目的とするところは、特に半辱体デバ
イスの製造において、高い解像力と感度、及び断面形状
の良好なレノストパターンを生威し得るボッ型フォトレ
ジスト組成物であり、更には現像不良を起こさず、保存
安定性に優れたボッ型フォトレジスト組成物を提供する
ことにある。
く問題点を解決する為の手段〉 本発明者等は、上記緒特性に留意し鋭意検討した結果、
本発明を充放させるに至った。即ち、本発明の目的は、
 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)1分子中に1個の
水酸基を有する芳香族ヒドロキシ化合物の1,2−す7
トキノンノアシドー5−[1//又は−4−)スルホン
酸エステル、(C)1分子中に4個以上の水酸基を有す
る芳香族ポリヒドロキシ化合物の1.2−す7トキノン
ノ7ジ)’−5−(及び/又は−4−)スルホン酸エス
テル、を含み、 (B)/ (C)=5/95〜357
65であることをW徴とするボッ型フォトレジスト組成
物、により達成された。
以下に、本発明の詳細な説明する。
本発明に用いられる1分子中に1個の水酸基を有する芳
香族ヒドロキシ化合物の1,2−す7トキ/ンジアノド
ー5−(及び/又は−4−)スルホン酸エステルとは、
例えば−数式N)で表される化合物がその代表として挙
げられる。
XニーS−+O←基、−NH−基、 CH=CH−基、 l : 1〜5の1!i数、 p :O〜2の整数、 Rユ二水素原子、ハロゲン原子、シア/基、シクロアル
キル基、ニトロ基、アルキ ル基、アリール基、アラルキル基、ア ルケニル基、アルコキシ基、アルコキ シカルボニル基、アルキロイルオキシ 基、アリ−ロイルオキシ基、アシル基、アロキシル基、
アラルコキシ基、アゾ 結合を持たない有機残基、オルソ縮合 の芳香族環を形威し得る基、オルソ縮 合の脂肪族環を形威し得る基、もしく :1,2−す7トキノンジアンドー5−(及び/又は−
4−〉スルホニル基、 を表す。
数式(1)で表される化合物の具体例としては、7エ/
−ル、醜−クレゾール、p−クレゾール、0−クレゾー
ル等のクレゾールIll、2.5−キシレノール、3,
5−キシレ/−ル、3,4−キシレ/−ル、2.3−キ
シレ/−ル、2,4−キシレ/−ル、2,6−キシレノ
ール等のキシレノール類、1Il−エチル7エ/−ル、
p−エチル7エ/−ル、2−エチル7エ/−ル、3−エ
チル7エ/−ル、4−エチル7エ/−ル、2−イソプロ
ピルフェノール、3−イソプロピル7エ/−ル、4イソ
プロピル7エ/−ル、2−n−プロピルフェノール、3
−n−プロピルフェノール、4−n−プロピルフェノー
ル、2−tert−プチル7工/−ル、3−tert−
ブチルフェノール、4terj−ブチル7エ/−ル、2
 5ee−ブチル7エ/−ル、3−see−ブチル7エ
7−ル、4−see−ブチル7エ/−ル、ptert−
アミルフェノール、p−オクチル7エ/−ル、3−11
−ベンタテシルフェノール、0−クロロフエ/−ル、V
−夕ロロ7工7−ル、p−タロロ7工/−ル、0−ブロ
モ7エ/−ル、(1)−ブロモ7エ7−ル、p−ブロモ
7エ/−ル、2−ヨード7エ/−ル、3−ヨード7エ7
−ル、4−ヨードフェノール、2−フルオロ7エ/−ル
、3−フルオロ7エ/−ル、4−フルオロ7エ/−ル、
0−メトキシ7エ/−ル、信−メトキシフェノール、p
−メトキシフェノール、2,3−ジクロロフェノール、
3,5−ノクロロ7工7−ル、3.4−ノクロロ7工7
−ル、2.4−ノクロロ7工/−ル、2゜6−ジクロロ
フエノール、4−ブロモ−2−クロロ7エ/−ル、2−
クロロ−4−フルオロ7エ/−ル、2−ブロモ−4−ク
ロロ7エ/−ル、2クロo −6−1+−ルフェノール
、2−りロロー3−メチル7エ/−ル、2−クロロ−4
−メチル7エ/−ル、2−クロロ−5−メチル7エ/−
ル、4−クロロ−2−メチル7エ7−ル、4−クロロ−
3−メチル7エ/−ル、2−ブaモー4−メチル−3−
メトキシ−2−メチル7エ/−ル、4エチル−2−メト
キシフェノール、3,5−ジメトキシフェノール、2.
3−ジメトキシフェノール、2,4−ノメトキシ7工/
−ル、3,4−ノメトキシ7工/−ル、2,6−ジメト
キシフェノール、3−エトキシ−4−メトキシ7エ/−
ル、3−クロロ−5−/)キシ7エ/−ル、2−クロロ
−5−7トキシ7エ/−ル、2−エトキシ7エ7−ル、
3−エトキシフェノール、4−エトキシフェノール、2
−4ソプロボキシ7工/−ル、4−11−プロポキシ7
エ/−ル、4−11−ブトキシ7エ/−ル、4−ペンチ
ルオキシ7エ/−ル、4−へキシルオキシフェノール、
4−へブチルオキシ7エ/−ル、4−クロロ−2,3−
ツメチル7エ/−ル、4−クロロ−2,6−ツメチルフ
エノール、2−クロロ−4,5−ツメチル7エ/−ル、
4−りo ty −3、5−ツメチル7エ7−ル、4ブ
ロモ−3,5−ツメチル7エ/−ル、2.4−フクロロ
ー6−メチルフェノール、4−クロロ−2゜5−ツメチ
ル7エ/−ル、2,4−フクロロー5−メチルフェノー
ル、4−ブロモー2.6−ツメチルフエノール、4−ブ
ロモ−6−クロロ−0クレゾール、2−ブロモ−4,5
−ツメチル7エ/−ル、2,6−ノプロモー4−メチル
7エ/−ル、a、α、α−トリフルオローp−クレゾー
ル、α、α、α−トリフルオロー1會−クレジ−クレゾ
ール、a−)リフルオロ−〇−クレゾール、2,3゜4
−トリクロロ7エ7−ル、2,3.6−トリクロロフェ
ノール、2,3.5−)リクロロフェノール、4−ブロ
モ−2,6−ジクロロ7エ/−ル、2,4゜6−ドリク
ロロ7エ/−ル、3,4ν5−トリクロロフェノール、
2.4.6−)リョード7二7−ル、2.4.6−)リ
ブロモ7工/−ル、2,4−7クロロー6−ヨードフエ
ノール、2  tert −ブチル−5−メチルフェノ
ール、4  Lert−ブチル−2−メチル7エ/−ル
、2  tert−ブチル−6−/チル7エ/−ル、2
−Lert−ブチル−4−メチル7エ/−ル、3−te
rL−ブチル−5−メチル7エ/−ル、2,4−ノ° 
tert−ブチル7エ/−ル、2,6−ノーtertブ
チル7エ/−ル、2,5−ノーtert−ブチル7エ/
−ル、3,5−ノーtert−ブチル7エ7−ル、2,
6−ノー5ec−ブチル7エ7−ル、2,6−ノインプ
ロビル7エ/−ル、3,5−ノイソブロビルフェノール
、4  tert−ブチル−2−クロロ7エ/−ル、チ
モール、インチモール、2,4−ジイン70ビル7エ/
−ル、2゜5−ジイソプロピル7エ7−ル、2.3.5
−)ツメチルフェノール、2,4.5−)リメチル7工
/−ル、3,4.5−)ツメチルフェノール、3,4゜
5− ト リ メ ト キ シ 7 工 / −ル、 
 2,4.6−)  リ メチル7エ/−ル、2,3.
6−)ツメチル7エ7−ル、4−り117+7−2.3
.6−)ツメチルフェノール、4−クロロ−2,3,5
−)リメチル7工/−ル、2,6−ノーterL−ブチ
ル−4−メチル7エ/−ル、2,6−ノーtert−ブ
チル−4−エチル7工7−ル、2−アリル−6−メチル
7エ/−ル、2.4.6−)リーLert−ブチル7エ
/−ル、5,6−ノメトキシー…−クレゾール、2−ア
リル−4−メチル7エ/−ル、4−アリル2−メトキシ
7エ7−ル、2−アリル7エ/−ル、0−70ベニル7
エ/−ル、4−アリル−2゜6−ノメトキシ7エ/−ル
、2−フェニル7エ/−ル、3−フェニル7エ/−ル、
4−フェニルフェノール、2−クロロ−6−フェニル7
エ/−ル、2−クロロ−4−フェニル7エ/−ル、2−
シクロヘキシル7エ/−ル、3−シクロヘキシル7エ7
−ル、4−シクロヘキシル7エ/−ル、4−シクロペン
チル7エ/−ル、 4−1ンf/−ル、5−イング/−
ル、5,6,7.8−テトラヒドロ−1−す7トール、
5,6,7.8−テトラヒドロ2−す7トール、3,4
−7チレンノオキシフエノール、0−ヒドロキシペンノ
ルアルコール、 Iffヒドロキシベンノルアルコール
、p−ヒドロキシベンノルアルコール、0−ヒドロキシ
7エネチル7 /l/ :7−ル、m−ヒドロキシ7エ
ネチルアルコール、p−ヒドロキシ7エネチルアルコー
ル、ホモハニリルアルコール、サリチル酸メチル、サリ
チル酸エチル、サリチル酸フェニル、サリチル酸ベンゾ
イル、p−ヒドロキシ安−息香酸メチル、pヒドロキシ
安息香酸エチル、p−ヒドロキシ安息香酸プロピル、4
−メトキシサリチル酸メチル、4−ヒドロキシフェニル
酢酸メチル、メチルバニレート、エチルバニレート、エ
チルホモバニレート、3−(p−ヒドロキシフェニル)
−1−プロパ/−ル、2−ヒドロキシジフェニルメタン
、3−ヒドロキシジフェニルメタン、4−ヒドロキシジ
フェニルメタン、4−クミル7エ/−ル、o−(ベンジ
ルオキシ)−7二/−ル1.−(ベンジルオキシ)−7
エ/−ル、p−(ペンノルオキシ)−フェノール、2−
ベンツルー4−クロロフェノール、オキシアセト7エ/
ン、インペオ/−ル、2−ヒドロキシベンゾ7エ/ン、
4−ヒドロキシベンゾ7エ/ン、2−ヒドロキシ−4−
メトキシベンゾ7エ/ン、2−ヒドロキシ−4−プロポ
キシベンゾ7エ/ン、4−ヒドロキシノフェニルスル7
オキシド、4−ヒドロキシジフェニルスルフォン、4−
ヒドロキシジフェニルスルフォン、4−ヒドロキシジフ
ェニルエーテル、2−ヒドロキシノフェニルアミン、4
−ヒドロキシノフェニルアミン、2−ヒドロキシスチル
ベン、エチルアミ/7エ7−ル、p−シア/7エ7−ル
、0−シアノフェノール、謔−シア/フェノール、p−
ニトロ7エ/−ル、1−す7トール、2−す7トール、
2−メチル−1−す7トール、2−クロロ−1−す7ト
ール、7−メチル−2−す7トール、4メチル−2−す
7トール、6−ブロモ−2−す7トール、1−10モー
2−す7トール、4−クロロ−1−す7トール、4−メ
トキシ−1−す7トール、1−ヨード−2−す7トール
、フェニル−3−ヒドロキシ−2−す7トエート、α−
アントロール、β−アントロール、6−ヒドロキシ−1
゜3−ベンゾオキサチオール−2−オン、2−ヒドロキ
シベンゾフラン、4−ヒドロキシ−9−フルオレノン、
2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾキサゾール、ス
フポレチン、エキ/クチン、4−オキシフ、ロン、2,
5−ノヒドロキシフェニル酢酸γラクトン、1−ヒドロ
キシフルオレノン、エストロン、エストラジオール、オ
キシアントラキノン、5−オキシ−7,4゛−ノメトキ
シ7ラボン、2−(o−オキシフェニル)ペンシイミグ
ゾール、2−(o−オキシフェニル)ベンゾオキサゾー
ル、アリザリン−〇−7チルエーテルントラがロールツ
メチルエーテル、アンハラミン、アルピネチン、アルビ
/ン、アンハロニノン、インオイデ/−ル、アルブチン
、2,5−ツメチル−4−(モル7オリ/メチル)フェ
ノール、8−オキシキノリン、等の1,2−す7トキノ
ンノアジドー5−(及び/又は−4−)スルホン酸エス
テル等を挙げることができる。
これらの1分子中に1個の水酸基を有する芳香族ヒドロ
キシ化合物のす7トキノンノアノド感光物(以下「1官
能感光物Jと称する)は、単独でもしくは2種以上を組
み合わせて、1分子中に4個以上の水酸基を有する芳香
族ポリヒドロキシ化合物のす7トキノンジアノド感光物
(以下「4官能以上の感光物」と称する)と特定比率の
範囲内で組み合わせて用いるが、いずれの感光物も、こ
れらに限定されるものではない。
これらの感光物のいくつかは、例えば特公昭45−27
345、同46−21247、同44−24323、同
46−42448、同46−42446、特開昭62−
191848、同62−280844、同62−280
845、同63−161449、特開平1−1 (14
037、米国特許3046113、同2958599、
英国特許1073098、同133551?、独国特F
f2329208、同2208699、等にも記載され
ている。
本発明に用いられる1分子中に4@以上の水酸基を有す
る芳香族ポリヒドロキシ化合物の例としては、2,3.
4.4’ −テトラヒドロキシベンゾ7エ/ン、2,2
“、4,4’ −テトラヒドロキシベンゾ7エ7ン、2
,4.6,3°、4゛−ペンタヒトaキシベンゾ7エ/
ン、2.3,4.2’ 、5’ペンタヒドロキシベンゾ
フエノン、2,4,6,3.4’ 、5’ −へキサヒ
ドロキシベンゾ7エ/ン、2.3,4.3’ 、4°、
5゛−へキサヒドロキシベンゾ7エ/ン等のポリヒトσ
キシベンゾ7エ/ン類、ビス(2,4−ノヒドロキシフ
ェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフ
ェニル)メタン、ビス(2,4−ノヒドロキシフェニル
)プロパン−1、ビス( 2,3,4−)リヒドロキシフェニル)プロパン−1,
1,1−(5,5’−ジアセチル−2,3,4。
2’ 、3’ 、4’−へキサヒドロキシ)ノフェニル
エタン、2.2− (2,3,4,2’ 、3’ 4’
 −へキサヒドロキシ〉ジフェニルプロパン、5.5’
−ジアセチル2.3,4.2°、3’、4’−へキサヒ
ドロキシノフェニルメタン、/ルノヒドログアイアレチ
ン酸等のビス ((ポリ)ヒドロキシフェニル〉アルカ
ン類、2,3.4−ビ7工こルトリオール、3,4.5
−ビフェニルトリオール、3,5゜3°、5゛−ビフェ
ニルテトロール、2,4.2’4°−ビフェニルテトロ
ール、2,4,6.3’ 、5−ビフェニルペントール
、2,4,6,2°、4゛6゛−ビフェニルヘキソール
等のポリヒドロキシビフェニル類、4,4゛−チオビス
(1,3−ジヒドロキシ)ベンゼン等のビス(ポリヒド
ロキシ)スルフィド類、2.2’ 、4.4°−テトラ
ヒドロキシジフェニルエーテル等のビス (ポリヒドロ
キシフェニル)工・−チル類、2,2°、4.4’−テ
トラヒドロキシジフェニルスル7オキシド等のビス(ポ
リヒドロキシフェニル)スル7オキシド類、2.2’ 
、4.4”−ジフェニルスルフォン等のビス(ポリヒド
ロキシフェニル)スルフォン類、4゜4゛、3”、4”
−テトラヒドロキシ−3,5,3’5゛−テトラメチル
トリフェニルメタン、4,4.2″′、3″、4″−ペ
ンタヒドロキシ−3,5゜3°、5゛−テトラメチルト
リフェニルメタン、2.3.4.2°、3’ 、4’−
へキサヒドロキシ595′−ノアセチルトリフェニルメ
タン、2,3゜4.2’ 、3’ 、4’ 、3” 、
4”−オクタヒドロキシ−5,5’−ジアセチルトリフ
ェニルメタン、2.4,6.2’ 、4’ 、6°−へ
キサヒドロキシ−5曾5゛−ジプロピオニルトリフェニ
ルメタン等のポリヒドロキシトリフェニルメタン類、3
,3゜3’、3’ −テトラメチル−1,1°−スビロ
ビイングン−5,6,5’ 、6’−テトロール、3,
3゜3’、3’−テトラメチル−1,1′−スピロビー
インダン−5,6,7,5’ 、6’ 、?’ −へキ
ソオール、3,3.3’ 、3’−テトラメチル−1,
1゜−スピロビーインゲン−4,5,6,4’ 、5’
 、6−へキソオール、3,3,3° 31−テトラメ
チル−1,1゛−スピロビーインダン4,5,6,5.
6’ 、?’ −へキソオール等のポリヒドロキシスピ
ロビーインダン類、3g3−ビス(3,4−7ヒドaキ
シフエニル)7タリド、3,3−ビス(2,3,4−)
リヒドロキシフェニル)7タリド、3.4’ 、5’ 
、6°−テトラヒドロキシスピロ、[7タリドー3,9
゛−キサンチン]等のポリヒドロキシ7タリド類、2−
 (3,4−7ヒドaキシ7エ二ル)3,5.7−)リ
ヒドロキシベンゾビフン、2− (3,4,5−)リヒ
ドロキシフェニル)−3゜5.7−)リヒドロキシベン
ゾビラン、2− (3゜4−ノヒドaキシフェニル)−
3−(3,4,5−トリヒドロキシベンゾイルオキシ)
−5,7−シヒドロキシベンゾビラン、2− (3,4
,5−)ジヒドロキシフェニル)−3−(3,4,5−
)リヒドロキシベンゾイルオキシ) −5,7−ノヒl
″aキシベンゾビラン等のポリヒドロキシベンゾビラン
類、2− (2,3,4−)リヒドロキシベンゾイル)
−6−トリヒドロキシビリジン、2− (2゜3.4−
)リヒドロキシベンゾイル)−5−ヒドロキシビリノン
、2− (2,3,4−)リヒドロキシベンゾイル)−
4−ヒドロキシビリノン、2−(2,3,4−)リヒド
ロキシベンゾイル)−3ヒドロキシビリノン、3−(2
,3,4−トリヒドロキシベンゾイル)−6−ヒドロキ
シビリクン、3− (2,3,4−)リヒドロキシベン
ゾイル)5−ヒドロキシピリジン、3− (2,3,4
−1リヒドロキシベンゾイル)−4−ヒドロキシピリジ
ン、3− (2,3,41リヒドロキシベンゾイル)−
2−ヒドロキシピリジン、4−(2,3,4−)リヒド
ロキシベンゾイル)−2−ヒドロキシビリノン、4− 
(2,3,4−)リヒドロキシベンゾイル)−3−ヒド
ロキシピリジン、2−(2,4,5−トリヒドロキシベ
ンゾイル)−6−ヒドロキシピリジン、2− (2,4
,5−トリヒドロキシベンゾイル)−5−ヒドロキシビ
リノン、2− (2゜4.5−)リヒドロキシベンゾイ
ル)−4−ヒドロキシピリジン、2− (2,4,5−
)リヒドロキシベンゾイル)−3−ヒドロキシピリジン
、3−(2,4,5−)リヒドロキシベンゾイル)−6
−ヒドロキシピリジン、3− (2,4,5−)リヒド
ロキシベンゾイル)−5−ヒドロキシピリジン、3− 
(2,4,5−1リヒドロキシベンゾイル)−4−ヒド
ロキシピリジン、3− (2,4,5−)リヒドロキシ
ベンゾイル)−2−ヒドロキシピリジン、4− (2,
4,5−)リヒドロキシベンゾイル)−2−ヒドロキシ
ピリジン、4− (2,4,5−)リヒドロキシベンゾ
イル)−3−ヒドロキシピリジン、2− (2,4,6
−)リヒドロキシベンゾイル)−6−ヒドロキシピリジ
ン、2− (2,4,6−トリヒドロキシベンゾイル)
−5−ヒドロキシビリクン、2− (2,4,6−)リ
ヒドロキシベンゾイル)−4−ヒドロキシビリクン、2
−(2゜4.6−)リヒドロキシベンゾイル)−3−ヒ
ドロキシピリジン、3− (2,4,6−)リヒドロキ
シベンゾイル)−6−ヒドロキシピリジン、3−(2,
4,6−トリヒドロキシベンゾイル)−5−ヒドロキシ
ピリジン、3− (2,4,6−)リヒドロキシベンゾ
イル)−4−ヒドロキシピリジン、3− (2,4,6
−)リヒドロキシベンゾイル)−2−ヒドロキシピリジ
ン、4− (2,4,6−)リヒドロキシベンゾイル)
−2−ヒドロキシピリジン、4− (2,4,6−)リ
ヒドロキシベンゾイル)−3−ヒドロキシピリジン、4
−(2,4−ノヒドロキシベンゾイル)−2,6−シヒ
ドロキシビリジン、4− (3,5−ノヒドロキシベン
ゾイル)−2,6−シヒドロキシビリジン、4− (2
,3゜4−トリヒドロキシベンゾイル)−2,6−ノヒ
ドロキシビリノン、4− (2,3,4−)リヒl′σ
キシベンゾイル)−2,6−シヒドロキシビリジン、4
−(2,4,5−1リヒドロキシベンゾイル)−296
−シヒドロキシビリジン、4− (2,4゜6−トリヒ
ドロキシベンゾイル)−2,6−シヒドロキシビリジン
等の〈ポリヒドロキシ)ベンゾイルピリジン類、1− 
(3,4−ジヒドロキシフェニル)−1,3,3−)ツ
メチlレー5,6−7ヒドロキシインダン、1− (2
,3−ジヒドロキシフェニル)−1,3,3−)ツメチ
ル−4,5−ノヒドロキシインダン、1−(2,3−ジ
ヒドロキシフェニル)−1,3,3−)す/チル−6,
7−シヒドロキシイングン、1−(2,4−ジヒドロキ
シフェニル)−1,3,3−)ツメチル−4,6−シヒ
ドロキシイングン、1−(2,4−ジヒドロキシフェニ
ル)−1,3,3−)ツメチル−5゜7−シヒドロキシ
イングン、1−(3,5−ジヒドロキシフェニル)−1
,3,3−)ツメチル−4゜6−シヒドロキシイングン
、1− (1,3,3−トリメチル−5,7−ノヒドロ
キシイングン、1−(2,3,4−)リヒl′aキシフ
ェニル)−1,3゜3−トリメチル−4,5,6−ドリ
ヒドロキシイングン、1− (2,3,4−)ジヒドロ
キシフェニル)−1,3,3−)ツメチル−5,6,7
−)リヒドロキシインゲン、1− (2,4,5−)リ
ヒドロキシフェニル)−1,3,3−トリメチル−4,
6,7−トリヒドロキシインゲン、1−(2,4,5−
トリヒドロキシフェニル)−1,3,3−)ツメチル4
.5.7−)リヒドロキシイングン、1−(2゜4.6
−トリヒドロキシフェニル)−1,3,3−トリメチル
−4,5,6−)リヒドロキシインダン、1、− (2
,3,4−)リヒドロキシフェニル)−1゜3.3−ト
リエチル−4,5,6−)リヒドロキシイングン、1−
 (2,3,4−)リヒドロキシフェニル)−1,3,
3−トリエチル−5,6,7−)リヒドロキシイングン
、1−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−1,
3,3−トリメチル−5゜6.7−)リヒドロキシイン
グン、1− (2,4ノヒドロキシフエニル)−1,3
,3−)すメチル−4,6−ノヒドロキシイングン、1
−(2,4−ノヒドロキシフェニル)−1,3,3−)
ジメチル−5,フーノヒドロキシイングン等の(ポリヒ
ドロキシ)インゲン類、あるいはモリン、ケルセチン、
ルチン等の7ラボ7色素類の1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−(及び/又は−4−)スルホン酸エステルを
挙げることができる。
これらの4官能以上の感光物は、単独で、もしくは2種
以上の組み合わせで用いることができるが、これらに限
定されるものではない。ただし、1官能感光物と4官能
以上の感光物の割合が5/95〜35/65の範囲にあ
ることが好ましく、10/90〜30/70″cあるこ
とがより好まし1官能感光物の使用比率が5重量%未病
では、現像不良及び保存安定性に対する効果が少なく、
一方35重量%を越えると解像力及び感度が低下する。
本発明の1官能感光物及び4官能以上め感光物は、例え
ば、前記(ポリ)ヒドロキシ化合物の水酸基の一部、も
しくは全部を、塩基性触媒の存在下で、1,2−す7ト
キ/ンノアノド−5−(及(、’/又は−4−)スルホ
ニルクロリドト通常のエステル化反応を行わせることに
より得られる。即ち、所定量の(ポリ)ヒドロキシ化合
物と1.2−す7トキ/ンジアジドー5−(及び/又は
−4−)スルホニルクロリド及びジオキサン、アセトン
、メチルエチルケトン、N−メチルピロリドン等の溶剤
をフラスコ中に仕込み、塩基性触媒、例えば水酸化ナト
リウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエ
チルアミン等を滴下して縮合させる。得られた生成物は
、水洗後精製し乾燥する。
4官能以上の感光物のエステル化反応においては、エス
テル化数及びエステル化位置が種々異なる混合物が得ら
れる。従って、本発明で言うエステル化率は、この混合
物の平均値として定義される。
このように定義されたエステル化率は、原料であるポリ
ヒドロキシ化合物と1.2−す7トキノンノアノドー5
−(及び/又は−4−)スルホニルクロリドとの混合比
により制御できる。即ち、添加された1、2−す7トキ
ノンノ7ノドー5−(及び/又は−4−)スルホニルク
ロリドは、実質上輪てエステル化反応を起こすので、所
望のエステル化率の混合物を得るためには、原料のモル
比を調整すれば良い。
必要に応にて、1.2−す7トキノンノアノド5−スル
ホン酸エステルと1.2−す7トキ/ンノアノドー4−
スルホン酸エステルを併用することもできる。
また、前記方法における反応温度は、通常−20〜60
℃、好ましくは0〜40℃である。
このような方法で合1′&される本発明の感光物は、樹
脂組成物として使用する際に、1官能感光物と4官能感
光物とを2種以上部合してアルカリ可溶性樹脂に配合し
て使用されるが、その配合量は、アルカリ可溶性樹脂1
00重量部に対して感光物5〜100重量部、好ましく
は10〜50重量部である。この使用比率が5重量部未
満では残膜率が者しく低下し、また100重量部を越え
ると感度及び溶剤への溶解性が低下する。
本発明に用いるアルカリ可溶性FA脂としては、/ボラ
ック樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂、ポリヒドロキ
シスチレン及びそれらの誘導体を挙げることができる。
これらの中で、特に/ボラック樹脂が好ましく、所定の
モノマーを主rR分として、酸性触媒の存在下、アルデ
ヒド類と付加縮合させることにより得られる。
所定のモノマーとしては、7エ/−ル、m−クレゾール
、p−クレゾール、0−クレゾール等のクレゾール類、
2,5−キシレ7−ル、3,5−キシレノール、3.4
−キシレ/−ル、2,3−キシレ7−ル等のキシレ/−
ル類、In−エチル7エ/−ル、p−エチル7エ/−ル
、0−エチル7エ7−ル、p−t−ブチル7エ/−ル等
のアルキル7エ/−ル類、p−7トキシフエノール、m
−/トキシフェノール、3,5−ノメトキシフェノール
、2−メトキシ−4−メチルフェノール、−一エトキシ
7工/−ル、p−エトキシ7エ/−ル、mプロポキシ7
エ/−ル、p−プロポキシ7エ/−ル、哨−ブトキシ7
エ/−ル、p−ブトキシ7エ/−ル等のフルコキシ7工
/−ル類、2−メチル−4−イソプロピルフェノール等
のビスアルキル7 x /−ル類、噛−クロロフェノー
ル、l)−クロロ7エ7−ル、o  90口7工7−ル
、ノヒトロキシビフェニル、ビス7エ/−ルA、フェニ
ル7エ/−ル、レゾルシ/−ル、ナフトール等のヒドロ
キシ芳香族化合物を単独もしくは2種以上混合して使用
することができるが、これらに限定されるものではない
アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パラ
ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロビルアルテ
゛ヒト、ペンズアルテ゛ヒト、7エ二ルアセトアルデヒ
ド、 α−フェニルプロピルアルデヒド、 β−フェニ
ルプロピルアルデヒド、0−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、−一ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシ
ベンズアルデヒド、0−クロロベンズアルデヒド、m−
クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド
、0−ニトロベンズアルデヒド、−m;トロベンズアル
デヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、0−メチルベン
ズアルデヒド、−一メチlレベンズアルデヒド、p−メ
チルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、
p n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、クロ
ロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例えば
クロロアセトアルデヒドノエチルアセタール等を使用す
ることができるが、これらの中で、ホルムアルデヒドを
使用するのが好ましい。
これらのアルデヒド類は、単独でもしくは2種以上組み
合わせて用いられる。
酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシェフ酸
等を使用することができる。
こうして得られた/ボラック樹脂の重量平均分子量は、
2000〜300 (10の範囲であることが好ましい
。2000未病では未露光部の現像後のg減りが大きく
、30000を越えると現像速度が小さくなってしまう
、特に好適なのは6000〜20000の範囲である。
ここで、重量平均分子量はデルパーミェーションクロマ
トグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される
本発明の岨或物には、更に現像液への溶解促進のために
、ポリヒドロキシ化合物を含有させることができる。好
ましいポリヒドロキシ化合物としては、フェノール類、
レゾルシン、70ログルシン、2,3.4−トリヒドロ
キシベンゾ7エ/ン、2.3.4.4’−テトラヒドロ
キシベンゾ7エ/ン、2.3,4.3’、4’、5’−
へキサヒドロキシベンゾ7エ/ン、アセトン−ピロガロ
ール縮合mBW、70ログルシド等を挙げることができ
る。
ポリヒドロキシ化合物の配合量は、キノンノアシト化合
物100重量部に対して、通常100重量部以下、好ま
しくは、5〜50重量部である。
本発明の感光物及びアルカリ可溶性/ボラック樹脂を溶
解させる溶剤としては、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類、4−エトキイー2−ブタノン、
4−メトキシ−4−メチル−2−ペンタ7ン等のケトエ
ーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル等のアルコールエ
ーテル類、ノオキサン、エチレングリコールツメチルエ
ーテル等のエーテル類、メチルセロソルブアセテ−ト、
エチルセロソルブアセテート等のセロソルブエステル類
、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル等の脂肪酸エス
テル類、1.1.2−トリクロロエチレン等のハロゲン
化jR北本i U、ノ/チルアセトアミド、N−/チル
ピロリドン、ツメチルホルムアミド、ツメチルスルホキ
シド等の高滝性溶剤を例示することができる。これら溶
剤は単独で、もしくは複数の溶剤を混合して使用するこ
ともできる。
本発明のポジ型7オトレノスト用組戒物には、ストリエ
ーション等の塗布性を更に向上させるために、界面活性
剤を配合する事かて゛きる。
界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、
ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレ
ンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエ
ーテル類、ポリオキシエチレンオクチル7エ7−ルエー
テル、ポリオキシエチレン/ニル7エ/−ルエーテル等
のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリ
オキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリ
マー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパ
ルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタン
モノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタ
ントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、
ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオ
キシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチ
レンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソ
ルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソル
ビタン脂肪酸エステル類等の/ニオン系界面活性剤、工
7ト°/プEF301.EF303.EF352  (
新秋田化r&(株)製)、メ〃ファックF171.F1
73  (大日本インキ(株)M)、70ラードFC4
30,FC431(住友スリーエム(株)製)、アサヒ
〃−ドAG710゜サーフ0ンS−382,5CIOI
、5C102゜5C103,5C104,5C105,
5C106(旭硝子(株)製〉等のフッ素系界面活性剤
、オルガ/シロキサンポリマーKP341  (信越化
学工業(株)製〉やアクリル酸系もしくはメタクリル酸
系(共)重合ボリア0−No、75.No、95(共栄
社油脂化学工業(株)製)等を挙げることができる。こ
れらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中のアル
カリ可溶性樹脂及びキノンノアノド化合物100重量部
当たり、通常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下
である。
これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、
いくつかの組み合わせで添加することもできる。
本発明のポジ型フォトレジスト用組成物の現像液として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモ
ニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピ
ルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−
ブチルアミン等の第三アミン類、トリエチルアミン、メ
チルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミ
ン類、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウ
ム塩、ビロール、ピペリノン等の環状アミン類、等のア
ルカリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記
アルカリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当
量添加して使用することもできる。
本発明のポジ型7オトレノスト用組戒物には、必要に応
じ、染料、可塑剤、接着助剤を配合することができる。
その具体例としでは、メチルバイオレット、クリスタル
バイオレット、マラカイトグリーン等の染料、ステアリ
ン酸、アセタール樹脂、7エ/キシ樹脂、アルキッド樹
脂等の可塑剤、ヘキサメチルノシラザン、クロロメチル
シラン等の接着助剤がある。
上記ポジ型7オトレノスF用組成物を精密集積回路素子
の製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化
シリコン被覆)上にスピナー、ツーター等の適当な塗布
方法により塗布後、所定のマスクを通して露光し、現像
することにより良好なレノストを得ることができる。
〈発明の効果〉 本発明のボッ型7オトレノストは解像力、レノスト像の
断面形状、感度に優れ、膜残渣、表層剥離等の現像不良
を生じることがなく、しかも通常用いられる溶剤に溶解
した本発明のボッ型7オトレジスト溶液は長期の保存安
定性にも優れている。
〈実施例〉 以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
なお、%は、他に指定の熊い限り重量%を示す。
合戒例 (1)感光物(a )の合成 7エ7−ル14.1g、1,2−す7トキ/ンノアノド
ー5−スルホニルクロリド40.3g及びアセトン30
0輸l を3つ口7ラスフに仕込h、均一に溶解した。
次いでトリエチルアミン/7セトンー15.9g 15
0m lの混合液を徐々に滴下し、25℃で3時間反応
させた0反応混合液を1%塩酸水溶液1500+sl中
に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水洗・乾燥(40℃)
を行い、フェノールの1.2−す7トキノンノアジドー
5−スルホン酸エステル42.4gを得た。
(2)感光物(b )の合成 曽−クレゾール16.2g、1,2−す7トキ/ンジア
ノドー5−スルホニルクロIJ)’40.3g及びアセ
トン300m1 を3つロフラスコに仕込み、均一に溶
解した0次いでトリエチルアミン/アセトン”15.9
g 150m lの混合液を徐々に滴下し、25℃で3
時間反応させた。反応混合液を1%塩酸水溶液1500
al中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水洗・乾燥(4
0°C)を行い、鴫−クレゾールの1,2−す7トキ/
ンノアノドー5−スルホン酸エステル3L4gを得た。
(3〉感光物(c )〜 (u )の合成感光物(a 
)の合成方法に従って、表−1に示す1官能感光物を合
成した。
(4)感光物(A)の合成 2.3.4,4°−テトラヒドロキシベンゾ7エ/ン1
2.3g、1.2−す7トキ/ンノアノド5−スルホニ
ルクロリド40.3g及びアセトン300ω1を3つロ
フラスコに仕込み、均一に溶解した。次いでトリエチル
アミン/アセトン=15.2g 150m lの混合液
を徐々に滴下し、25°Cで3時間反応させた。反応混
合液を1%塩酸水溶液1500ml中に注ぎ、生じた沈
澱物を濾別し、水洗・乾燥(40℃)を行い、2,3,
4゜4゛−テトラヒドロキシベンゾフェノンの1,2−
ナ7トキ7ンジアノド−5−スルホン酸エステル39.
7gを得た。
(5)感光物(B)の合成 ピロがロール42g1アセトン33g、酢酸80ω1、
及び濃塩酸64m1を3つロフラスコに仕込み、攪拌下
物−に溶解した。水浴中で加熱し、244時間7ラツク
スさせた後、室温まで冷却した。冷却後、反応液を20
00m1の蒸留水中に滴下し、生成物を沈澱濾別し減圧
下、乾燥した。
得られた3、3.3’ 、3’−テトラメチル−1゜1
°−スピロビーインゲン−5,6,7。
5’ 、6’ 、7’−へキンオール4g、1.2−す
7トキ/ンノアンドー5−スルホニルクロリド13g及
びアセトン300m1 を3つ口7ラスフに仕込み、攪
拌下、均一に溶解した。次いでトリエチルアミン/アセ
トン=4.9g /301# lのン昆合液を徐々に滴
下し、室温下3時間反応させた。
反応終了後、内容物を1%塩酸水溶液中に滴下し、生じ
た沈澱物を濾別し、減圧下乾燥して感光物(B)を得た
(6)感光物(C)の合成 2.4,6.3’ 、5’ −ビフェニルベントール(
Phloroglucide)IOE、1.2−す7ト
キ/ンノアノドー5−スルホニルクロリド40.2g及
びアセトン500+al を3つロフラスコに仕込み、
均一に溶解した0次いでトリエチルアミン/アセトン=
15.2g150+III F+混合液を徐々に滴下し
、25°Cで3時間反応させた。
反応混合液を1%塩酸水溶?l!250 tlm l中
に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水洗・乾燥(40°C
)を行い、2,4,6.3’ 、5’ −ビフェニルベ
ントール(Phloroglucide)の1,2す7
トキ/ンジアノドー5−スルホン酸エステル38、マg
を得た。
(7)感光物(D)〜(P)の合成 感光物(A)〜 (C)の合成方法に従って、表−2に
示す4官能以上の感光物を合成した。
(8〉ノボラック樹脂(&)の合成 m−クレゾール45g5p−クレゾール55g137%
ホルマリン水溶液54.Og及びシュウ酸0.05gを
3つ口7ラスフに仕込み、攪拌しながら100℃まで昇
点し7時間反応させた。反応後、室温まで冷却し30L
III#Hgまで減圧した。
次いで徐々に150℃まで昇温し、水及び未反応モノマ
ーを除去した。得られたノボラック樹脂(a)は平均分
子量8300  (ポリスチレン換算)であった。
(9)ノボラック樹脂(b )の合成 −−クレゾール40g、p−クレゾール60g。
37%ホルマリン水溶液49g及びシュウ酸0゜13g
を3つロフラスコに仕込み、攪拌しながら100℃まで
昇温し15時間反応させた。
その後温度を200℃まて゛上げ、徐々に5n+mHg
まで減圧して、水、未反応のモ/マー、ホルムアルデヒ
ド、シュウ酸等を除去した。次り)で熔融したアルカリ
可溶性/ボラック樹脂を室Tgに戻して回収した。得ら
れた/ボラック樹脂は重量平均分子量7100  (ポ
リスチレン換W)であった。
(10)ボッ型7オトレノスト組r&物の調製と評価 上記(1)〜(3)及V(4)〜(7)で得られた感光
物a”’−u及び感光物A−Pを1.25゜(感光物の
総重量)と上記(8)、 (9)で得られたクレゾール
/ボラック樹脂5.Ogを表−3に示す組r&でエチル
セロソルブに溶解し、0.2μmのミクロフィルターを
用いて濾過し、7オトレノスト組成物をスピナーを用い
てシリコンウェハーに塗布し、窒素雰囲只の対流オーブ
ンで90℃、3()分間乾燥して、膜厚1,2μII+
のレノスト膜を得た。次に、キャノン社製縮小投影露光
装置1fFPA−1550を用いてテストチャートマス
クを介して露光し、2.38%のテトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液で1分間現像し、30秒間水洗
して乾燥した。
このようにして得られたシリコンウェハーのレノストパ
ターンを走査型顕微鏡で観察し、レノストを評価した。
その結果を表−3に示す。
感度は0.70μ−のマスクパターンを再現する露光量
の逆数をもって定義し、比較例1の感度の相対値で示し
た。
残膜率は未露光部の現像前後の比の100分率t′表し
た。
解像力は0.70μωのマスクパターンを再現する露光
量における限界解像力を表す。
レノストの形状は、0.70μmのレノストパターン断
面におけるレノスト壁面とシリコンウェハーの平面のな
す角(e)で表した。
表層剥離及び膜残渣について、○は観察されず良好な場
合、×は多く観察された場合、△は少し観察させた場合
を表す。
比較例1〜15 (1)感光物q−vの合成 実施例に示す感光物(A)〜(C)の合成方法に従って
、表−4に示す感光物を合成した。
(2)ボッ型7オトレノスト組成物の調製と評価上記(
1)で得られた感光物q−v及び実施例で用いた感光物
11 +b rc Hf tg +Aを1.25g(感
光物の總重量)と実施例(8)、 (9)で得られたク
レゾール/ボラック樹脂5.0gを衰−5に示す組成で
エチルセロソルブアセテート15gに溶解し、0.2μ
−のミクロフィルターヲ用いて濾過し、7オトレジスト
M放物をスピナーを用いてシリコンウェハーに塗布し、
窒素雰囲式下の対流オーブンで90℃、30分間乾燥し
て、膜厚1.2μ輸のレノスト膜を得た。次にキャノン
社製縮小投影露光装置FPA−1550を用いてテスト
チャートマスクを介して露光し、2.38%のテトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液で1分間現像し、
30秒問水洗して乾燥した。
このようにして得られたシリコンウェハーのレノストパ
ターンを実施例(10)と同様にして評価した。結果を
表−5に示す。
これらの結果から明らかな様に、本発明のボッ型7オト
レゾス)#lF&物は特に膜残渣、表層剥離、等の現像
不良を生じることがなく、解像力、レジスト像の断面形
状、感度に優れていた。
また、本発明のレノスト組威物の溶液は、保存安定性に
も優れており、40℃、30日間放置しても沈澱物の析
出はなかったが、比較例1,2,3゜5.7.11,1
4.15では沈澱物の析出が見られた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (A)アルカリ可溶性樹脂、 (B)1分子中に1個の水酸基を有する芳香族ヒドロキ
    シ化合物の1、2−ナフトキノンジアジド−5−(及び
    /又は−4−)スルホン酸エステル、(C)1分子中に
    4個以上の水酸基を有する芳香族ポリヒドロキシ化合物
    の1、2−ナフトキノンジアジド−5−(及び/又は−
    4−)スルホン酸エステル、 を含み、(B)/(C)=5/95〜35/65である
    ことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
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