JPH03242652A

JPH03242652A - フェロセンカルバルデヒドヒドラゾン誘導体及びこれを含有する電子写真感光体

Info

Publication number: JPH03242652A
Application number: JP4045090A
Authority: JP
Inventors: Toru Kobayashi; 透小林; Yoshimasa Matsushima; 義正松嶋; Toshimitsu Hagiwara; 利光萩原
Original assignee: Takasago International Corp; Takasago Perfumery Industry Co
Current assignee: Takasago International Corp
Priority date: 1990-02-21
Filing date: 1990-02-21
Publication date: 1991-10-29
Anticipated expiration: 2012-10-08
Also published as: JP2660593B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は電子写真感光体、更に詳細には、導電性支持体
上に、電荷発生物質と特定の電荷輸送物質を含む感光層
を設けた電子写真感光体に関する。

〔従来の技術〕

近年電子写真感光材料として広く用いられるものに、無
機系の光導電性物質としてはα−セレン、硫化カドミウ
ム、酸化亜鉛、α−シリコン等があり、また、有機系の
光導電性物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
、ポリビニルアンスラセンをはじめとする種々の光導電
性ポリマーがあるが、これらはそれぞれ、価格、性能、
毒性など少なからず問題を有している。

これらの欠点を補い、また高感度化を目的として光導電
性物質の２つの機能、即ち、電荷の発生と発生した電荷
の輸送を、それぞれ別個の物質により行わしめようとす
る方式が盛んに提案されている。これらの方式において
は、電荷担体の発生効率の大きい物質（電荷発生物質〉
と電荷輸送能力の大きい物質（電荷輸送物質）とを組合
せることにより、高感度の電子写真感光体が得られる可
能性が予想される。しかし、電子写真感光体に要求され
る緒特性、すなわち、高い表面電位と電荷保持能力を有
し、光感度が高く、残留電位が殆んどない等の特性を同
時に満足するか否かは単にこれらの組合せだけでは予想
できない。

また、低分子の有機光導電性物質を用いた場合、これら
自体はフィルム形成能力を持たないため、高分子結着剤
に溶解または分散させてフィルムを形成させる必要があ
る。しかし、分散させた場合は均一なフィルムを得るこ
とが困難であり、溶解させた場合であっても結着剤に対
する溶解性の低いものは経時的に結晶が析出し、電子写
真性能が著しく低下してしまうという問題を有している
。

このため、有機光導電性物質の結着剤に対する溶解性の
高さが要求される。

また、近年、小型で高出力の半導体レーザーが容易に利
用できるようになり、これを用いた電子写真方式のプリ
ンターが低騒音、高速印字、高分解能という特長を生か
し、従来のインパクト方式のプリンターに代わって大き
な市場を占めつつある。このため、半導体レーザーの安
定な波長域である８００ｎｍ前後の近赤外域に高い感度
を有する感光体が望まれている。

従来、電荷輸送物質として、複素環系、アリールアミン
系、ヒドラゾン系の物質等が提案されている。このうち
、ヒドラゾン化合物としては、Ｎ−アルキルカルバゾー
ル−３−カルバルデヒドジフェニルヒドラゾン（特開昭
５４−１５０１２８号公報）、Ｎ−アルキルフェノチア
ジン−３−カルバルデヒドジフェニルヒドラゾン（特開
昭５７−５８１５７号公報）、ｐ−ジアルキルアミノベ
ンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（特公昭５５−４
２３８Ｑ号公報）、テトラハイドロキノリンやインドリ
ンを含むヒドラゾン化合物（特開昭５９−１００４４４
号公報〉等が知られている。

しかしながら、上記ヒドラゾンを電荷輸送物質とする電
子写真感光体は、光感度において充分とはいえず、また
電子写真プロセスにしたがって反復使用した場合、もと
の帯電特性を回復する能力が低下したり、残留電位が上
昇する等の感光体としての寿命を短くする等の実用上の
問題点を有している。

一゛方本発明関連のフェロセン誘導体の電子写真感光体
への応用例として感光層の保護層としてフェロセン及び
フェロセン誘導体を用いたもの（特開昭５８−８２２５
１号公報、特開昭５９−８２２５２号公報）、導電性基
体と感光層との間の中間層成分としてフェロセンを用い
ｋもの（特開昭６３−２５６６１号公報）などがあるが
、これらは電荷輸送物質としてフェロセン誘導体を使用
したものではない。また、フェロセンポリマー等のメタ
ロセンポリマーを主成分とする光導電性材料（特開昭４
９−１３３４４５号公報、特開昭５０−１２９０３４号
公報）、フェロセンあるいはデカメチルフェロセンを電
荷輸送物質に用いる電子写真感光体などが提案されてい
る（特開昭６０−１９８５４８号公報参照）が、これら
は製膜性、光感度などに少なからず問題を有している。

〔発明が解決しようとする課題〕

従って、本発明は製膜性に問題のない光導電性物質を用
いた、光感度が高く、残留電位が小さく、感光体として
の寿命が長い電子写真感光体を提供することを目的とす
るものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは、かかる実情に鑑み、鋭意研究を重ねた結
果、下記の新規フェロセンカルバルデヒドヒドラゾン誘
導体が、上記課題を解決する優れた電荷輸送物質である
ことを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、次の一般式（Ｉ）〔式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ同−又は異なる低級ア
ルキル、ベンジル、置換基を有していてもよいフェニル
又はナフチル基を示すか、あるいはＲ１とＲ２が結合し
て隣接する窒素原子と共に複素環を形成してもよい〕で表わされるフェロセンカルバルデヒドヒドラゾン誘導
体に係る第一の発明、及び導電性支持体上に、電荷発生
物質と電荷輸送物質とを含む感光層を設けた電子写真感
光体において、電荷輸送物質としてフェロセンカルバル
デヒドヒドラゾン誘導体（Ｉ）を含有する電子写真感光
体に係る第二の発明を提供するものである。

上記−形成（Ｌ）中、Ｒ１又はＲ２で示される低級アル
キル基としては、炭素数１〜４の直鎮又は分枝のアルキ
ル基が挙げられ、置換基を有してもよいフェニル基とし
ては、フェニル基、ｏ−ｌｍ−又はｐ−）リル基、０−
ｌｍ−又はｐ−メトキシフェニル基等が挙げられ、Ｒ１
とＲ２が結合して形成される複素環としては、インドリ
ン環、テトラヒドロキノリン環、ピペリジン環、カルバ
ゾール環等が挙げられる。

本発明において用い得る化合物（Ｉ）の代表的な例とし
て、以下のようなものが挙げられる。

以下余白工これらの化合物（Ｉ）は、例えば次の反応式に従って、
フェロセン（ｎ）をホルミル化してフェロセンカルバル
デヒド（ＩＩＩ）とした後、ヒドラジン類と反応せしめ
ることにより製造される。

（ＩＩ）（ＩＩ［）すなわち、まず、例えばＰ、　Ｊ、　Ｇｒａｈａｍらの
方法［Ｊ、　Ａｍ、　Ｃｈｅｍ、　Ｓｏｃ、、７９．３
４１６（Ｉ９５７）］に準じ、フェロセン（ｎ）に当量
又はやや過剰のヴイールスマイヤー試薬を反応させてイ
ンモニウム塩を生成させた後、加水分解することにより
、フェロセンカルバルデヒド（ＩＩＩ）を得る。本反応
は、無溶媒下又は１．２−ジクロロエタン等を溶媒とし
て行なわれ、加水分解は炭酸ナトリウム水溶液、炭酸水
素す）　ＩＪウム水溶液、酢酸ナトリウム水溶液等を用
いて行なわれる。また、本反応に使用されるヴイールス
マイヤー試薬は、オキシ塩化リンとＮ−メチルホルムア
ニリド等のＮ−置換ホルムアミドとから調魁される。

次いで、得られたフェロセンカルバルデヒド（ＩＩＩ）
に、当量又はやや過剰のヒドラジン類又はその塩（ＩＶ
）を、縮合剤の存在下、溶媒中で、室温から溶媒の還流
温度で、数分から３時間程度反応させることにより、フ
ェロセンカルバルデヒドヒドラゾン誘導体（Ｉ）が得ら
れる。ここで、縮合剤としては例えばピリジン、トリエ
チルアミン等の３級アミン；無機酸；酢酸等の有機酸が
、溶媒としては例えばメタノール、エタノール等のアル
コール類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等の
エーテル類；その他Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、酢
酸等が、単独で、又は２種以上を組合せて使用される。

本発明における電荷発生物質とは、一般に光を吸収して
電荷を発生させるものである。無機材料としては、例え
ばアモルファスセレン、セレン化砒素、硫化カドミウム
、アモルファスシリコンなどが挙げられ；有機材料とし
ては、例えばアゾ系顔料、フタロシアニン系顔料、イン
ジゴ系顔料、ペリレン系顔料、スクアリウム系顔料、多
環牛ノン系顔料、ビリリウム系染料などが挙げられる。

導電性支持体としてはアルミニウムなどの金属板、金属
箔又は金属管、アルミニウムなどの金属を蒸着したプラ
スチックフィルム、導電処理を施した紙などが用いられ
る。

また、結着剤としては、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビ
ニル樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、ポリカーボネート樹脂などが用いられるが、な
かでもポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂が好適
である。

次に、本発明に係る電子写真感光体について代表的な例
を挙げて説明する。

第１図は、本発明に係る電子写真感光体の−例を示すも
のである。導電性支持体１の上に、電荷発生物質２を主
体とする電荷発生層３と、化合物（Ｉ）を均一に含有す
る電荷輸送層４とからなる感光層５を設けてなるもので
ある。

すなわち、第１図に示す感光体においては、電荷輸送層
を透過した光が、電荷発生層中に分散された電荷発生物
質に到達して電荷を発生させ、電荷輸送層は、この電荷
の注入を受けてその輸送を行なうものである。

第１図の感光体を作製するには、まず導電性支持体上に
■電荷発生物質を真空蒸着する、■電荷発生物質の微粒
子を必要に応じて結着剤と混合分散して得られる分散液
を塗布し、乾燥する、■電荷発生物質を適当な溶剤に溶
解した溶液を塗布し、乾燥する、などの手段により電荷
発生層を形成する。次にこの電荷発生層の上に、化合物
（Ｉ）と結着剤とを均一に溶解した溶液を、塗布乾燥し
て電荷輸送層を形威させることによって感光体が得られ
る。塗布は通常の手段、例えばドクターブレード、ワイ
ヤーバーなどを用いて行なわれる。

電荷発生層の厚さは５μｍ以下、好ましくは２μｍ以下
である。電荷輸送層の厚さは３〜５０μｍ１好ましくは
５〜２０μｍである。また、電荷輸送層中への化合物（
Ｉ）の配合割合はｌ０〜９０重量％（以下単に「％」で
示す）、好ましくは３０〜７０％である。

第２図及び第３図に本発明に係る写真感光体の他の例を
示す。すなわち第２図は、導電性支持体ｌの上に、電荷
発生物質の微粒子を結着剤と共に混合分散して得られる
分散液に、化合物（Ｉ）を含む電荷輸送物質を均一に溶
解させた塗液を塗布、乾燥して作られた感光層５を設け
てなるものである。この場合の感光層の厚さは５〜５０
μｍ１好ましくは１０〜２５μｍである。また第３図は
導電性支持体１の上に、第１図の構成とは逆に化合物（
Ｉ）を含有する電荷輸送層を形威し、その上に電荷発生
層を形成したものである。

また、必要に応じて導電性支持体１と感光層５の間に下
引き層を設けてもよい。下引き層としては、ポリアミド
、ポリウレタン、ポリビニルアルコール、カゼイン、ニ
トロセルロース、ゼラチンなどが用いられる。下引き層
の膜厚は０．１−１μｍが好適である。

〔実施例〕

次に合成例、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。

合ａ　例（Ｉ）　　フェロセンカルバルデヒド（ＩＩＩ
）の合Ｆ＆：フェロセン（ナカライテスク株式会社製〉２５ｇ（０，
１３４モル）及び乾燥１．２−ジクロロエタン７〇−を
室温で攪拌し、オキシ塩化リン２４．１ｇ　（０，１５
７モル）を加えた。液温を５０℃に温めてＮ−メチルホ
ルムアニリド１８．１ｇ　（０，１３４モル）を徐々に
加工た後、５０〜７０℃で１日反応させた。反応液を水
中へ注ぎ、重曹１００ｇを徐々に注意深く加えて中和し
た。溶液を５０℃で１時間攪拌後、室温に冷却し、ジク
ロロエタン層を分離し、２回水洗した。ジクロロエタン
溶液を硫酸マグネシウム上で乾燥し、減圧で濃縮した。

得られた残渣をクロマト用シリカゲル（７５〜２３０メ
ツシユ）を充填したカラム（直径５ｃｍ、長さ６０ｃｍ
）で溶媒としてベンゼン：酢酸エチル＝２０：１（容積
比）５１を用いたカラムクロマトグラフィーにより精製
すると、２３ｇ（収率８０％）のフェロセンカルバルデ
ヒド（ＩＩＩ）が得られた。

合成例（２）　フエロセンカルバルデヒ）’−Ｎ、Ｎ−
ジフェニルヒドラゾン〔例示化合物（Ｉ）。

式（Ｉ）中Ｒ’　＝　Ｒ２＝　Ｃ，ｌＩＳ］の合ＦｆＬ
：合ａ　例（ｔ）で得たフェロセンカルバルデヒド５．
０ｇ　（０，０２３モル）を、１．１−ジフェニルヒド
ラジン塩酸塩５．３ｇ　（０，０２４モル〉及びピリジ
ン（Ｉ，９ｍ１）と共に３０−のエタノール中で室温に
て１時間反応せしめた。ＴＬＣにて反応の完結を確認し
た後、反応液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（カラム；直径３　ｃｍ　Ｘ長さ７０ｃｍ
、　　クロマト用シリカゲル（ナカライテスク株式会社
製）　１５０ｇ、溶媒；ベンゼン５００ｍ１！　）に付
し、精製した。次いで、メタノール３〇−及び酢酸エチ
ル１５ｒｒＬｌよりなる混合溶媒にて再結晶して、融点
１０５〜１０６℃の例示化合物（Ｉ）４．９８ｇ　（収
率５７％）を得た。このものの核磁気共鳴スペクトル及
び質量分析測定の結果は以下のとおりである。

ＩＲ（ＫＢｒ）　ｃｍ−’　：　３０８０．１５８５（
ＣｍＮ）、　１４９０．１２９０゜２１０ ’　Ｈ−ＮＭＲ（４００Ｍｔｌｚ、溶媒ＣＤＣβ３）；
δ４．１５（ｓ、５Ｈ）、　４ＪＯ（ｓ、２Ｈ）、　４
．５８（ｓ、−２）１）、　７．００（ｓ。

１Ｈ）、　７．１０〜７．２０（ｍ、６Ｈ）、　７．３
５〜７．４８（ｍ、４Ｈ）ＭＳ；　３８０（Ｍ”）、　
２８９，２１２（−ＮＰｈ２）、　１８５．１６７゜１
２９、１２１．９０．５６合成例（３）　　フェロセンカルバルデヒド−Ｎ−メチ
ル−Ｎ−フェニルヒドラゾン〔例示化合物（２）１式（Ｉ）中Ｒ’＝Ｃ，Ｈ５，Ｒ２＝ＣＨ３
〕の合成：合成例（Ｉ）で得たフェロセンカルバルデヒド３ｇ（０
，０１４モル）を、１−メチル−１−フェニルヒドラジ
ン（東京化或工業株式会社製）１．８ｇ（０，０１４７
モル）及び酢酸（２滴）と共に２０−のエタノール中で
室温にて１５分間反応せしめた。その後、反応液を濃縮
し、残渣を合成例（Ｉ）と同様のシリカゲルクロマトグ
ラフィーに付し、精製した。

次いでメタノール２０−及び酢酸エチル５−よりなる混
合溶媒にて再結晶して、融点１１８〜１１９℃の結晶を
２．６ｇ（収率５８％）を得た。このものの核磁気共鳴
スペクトル及び質量分析測定結果は次のとおりである。

ＩＲ（ＫＢｒ）　Ｃｍ−’　：　３１００．　１５９０
（ＣｍＮ）、　　１５００．　１１２０’　Ｈ−ＮＭＲ
（４００ＭＨｚ、　ＣＤＣＩｌ　３）　；δ３．３５（
ｓ、３Ｈ）、　　４．１８（ｓ、５Ｈ）、　　４ＪＯ（
ｓ、２Ｈ）、　４．６２（ｓ。

２Ｈ）、　　６．８５〜６．９５（ｍ、　ＩＨ）、　？
、２８〜７．３５　（ｍ、　５Ｈ）ＭＳ　；　３１８（
Ｍ”）、　　２１２（−Ｎ（Ｍｅ）Ｐｈ）、　　１８５
．　１２９２９合成４）　　Ｎ−フェロセニルメチレン
−１−アミノ−１，２，３，４−テトラヒドロキノリン〔例示化合物（５）１式（Ｉ）中Ｒ１（Ｉ）で得
たフェロセンカルバルデヒド２．１ｇと１−アミノ−１
，２，３，４−テトラヒドロキノリン１．５ｇを合成例
（３）と同様に処理して、融点１５５〜１５６℃の結晶
を１．６ｇ　（収率４６．５％）得た。このものの核磁
気共鳴スペクトル及び質量分析の結果は以下のとおりで
ある。

ＩＲ（ＫＢｒ）　ｃｍ−’　；　３１００．２９２０．
２８３０．１６００（ＣｍＮ）。

１５７０、１４８０．１３８５．　１２７５’　ＬＮＭ
Ｒ（４００ＭＨｚ、　ＣＤＣＩｔ　３）　；δ２．１〜
２．２（ｍ、２Ｈ）、　２．７７（ｔ、、ｂ６Ｈｚ、２
ｔｌ）、　３．６〜３、７５　（ｂｒｓ、　２Ｈ）　、
　４．１５　（ｓ、　５Ｈ）、　４．３２　（ｓ、　２
Ｈ）　、　４．６５（ｓ、２Ｈ）、　６．７４（ｔ、Ｊ
＝６．５Ｈｚ、ＩＨ）、　７．００（ｄ、Ｊ＝６．８Ｈ
ｚ。

ＬＨ）、　７．１８（ｔ、Ｊ＝６．５Ｈｚ、ＬＨ）、　
７．３５（ｓ、ＩＨ）、　７．６５（ｄ、　Ｊ＝７．６
Ｈｚ、　ＩＨ）アミノインドリン塩酸塩１．７ｇを合成例（２）と同様
に処理して、融点１６６〜１６７℃の結晶を１．７ｇ（
収率５１％）得た。このものの核磁気共鳴スペクトル及
び質量分析結果は次のとおりである。

ＩＲ（ＫＢｒ）　Ｃｍ−’　；　３１００．３０７０．
１６００（ＣｍＮ）、　１４８０゜１３９０、１２６５ ’Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、　Ｃ５Ｄｓ）　；δ２．
６５　（ｔ、　Ｊ＝８．５）１ｚ、　２ｔｌ）、　３．
１２　（ｔ、　Ｊ＝８．５Ｈｚ、　２Ｈ）。

４．０５（ｓ、５Ｈ）、　４．１５（ｓ、２Ｈ）、　４
．６５（ｓ、２Ｈ）、　６．８０（ｔ。

Ｊ＝６．３Ｈｚ、ＬＨ）、　６．９！ｌ＋−７，００（
ｍ、２）（）、　７．１０〜７．２０（ｍ、　ＬＨ）、
　７．５０　（ｄ、　Ｊ＝７．８Ｈｚ、　ＬＨ）合ｔ　
例（５）　　Ｎ−フェロセニルメチレン−１−アミノイ
ンドリン〔例示化合物（６）９式（Ｉ）テ得タフェロセン力ルバルデヒド２．１ｇと１１
７合成例（６）フェロセンカルバルデヒド−Ｎ−ベンジル−Ｎ−フェニルヒドラゾン〔例示化合物（９）１式（Ｉ）中Ｒ’＝Ｃ，Ｈ，，Ｒ２＝ＣＬ
ＣｓＨ−］の合ｔＬ：フエロセンカルバルデヒド３．０ｇと１−ペンジルー１
−フェニルヒドラジン塩酸塩（東洋化或工業株式会社製
）３．３ｇを合成例（２）と同様に処理して、融点１２
８〜１２９℃の結晶を２．８ｇ（収率５１％）得た。こ
のものの核磁気共鳴スペクトル及び質量分析の結晶は以
下のとおりである。

ＩＲ（ＫＢｒ）　ｃｍ−’　；３１００．３０５０．３
０００．１５９０（Ｃ＝Ｎ）。

１５００、１４５０．１４００．１１４０’　ＨＮＭＲ
（４００ＭＨｚ、　［：Ｄ［：　Ｉ！　３）　；δ４．
００（ｓ、５Ｈ）、　４．２７（ｓ、２Ｈ）、　４．５
５（ｓ、２Ｈ）、　５．１２（ｓ。

２）１）、　６．８７〜６．９４（ｍ、１）１）、　７
．１５〜７．４０（ｍ、ＩＯＨ）ＭＳ；３９４（Ｍ＋）
、　３０３．２７６、２３７．２１１（−Ｎ（Ｂｚ）Ｐ
ｈ）。

１８５、１５６．．１２１．９１．７７合底側（７）　
　Ｎ−フェロセニルメチレン−９Ｈ−カルバゾール−９
−アミン〔例示化合物酸：（Ｉ）で得たフェロセンカルバルデヒド２．１ｇト９−
アミノカルバゾール１．９ｇを合成例（３）と同様に処
理して、融点１１５〜１１６℃の結晶を１．３ｇ（収率
３４％）得た。この化合物の核磁気共鳴スペクトル及び
質量分析の結果は以下のとおりである。

ＩＲ（ＫＢｒ）　ｃｍ−’　；　３０７０．３０５０．
１６１０．１５９０（Ｃ＝Ｎ）。

１４９０、１４４０．１３２０．１２９０’Ｈ−ＮＭＲ
（４００ＭＨｚ、　ＣＤＣＪ！　３）　；δ４、３０　
（ｓ、　５Ｈ）　、　４．５５　（ｓ、　２）１）　、
　４．８５　（ｓ、　２Ｈ）　、　７．２６　（ｔ。

Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ）、　７．５０（ｔ、Ｊ＝６Ｈｚ、２
Ｈ）、　７．７５（ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ。

２Ｈ）、　８．１０　（ｄ、　Ｊ＝ＴＨｚ、　２Ｈ）、
　８．９０　（ｓ、　ＬＨ）２１実施例１（ｉ）ポリエステルフィルム上に蒸着したアルミニウム
薄膜上に、チタニウムフタロシアニンを１Ｏ−６Ｔｏｒ
ｒで約０．８μｍの厚さに真空蒸着し、電荷発生層を形
成した。１０％ポリカーボネート樹脂を含有するジクロ
ロエタン溶液２ｇに、例示化合物（Ｉ）０．２ｇを溶解
させてなる電荷輸送層形成液を、電荷発生層の上にドク
ターブレードを用いて乾燥時膜厚２０μｍになるように
塗布し、８０℃、３時間乾燥して感光体を作製した。

（ｉｌ）この感光体について静電複写試験装置ｒ　５Ｐ
−４２８型」　（川口電機製作新製）を用いてスタティ
ック方式により電子写真特性を測定した。すなわち、前
記感光体を、−６にＶのコロナ放電を５秒間行なって帯
電させ、表面電位Ｖ。（−ボルト）を測定し、これを暗
所で５秒間保持した後、タングステンランプにより照度
５ルツクスの光を照射し、表面電位を１／２及びｌ／６
に減衰させるに必要な露光量Ｂ、／２　（ルックス・秒
）及びＢ１／６　（ルックス・秒）、更に照度５ルツク
スの光を１０秒間照射した後の表面電位Ｌｔ　（−ボル
ト）を測定した。その結果を第１表に示す。

実施例２及び３例示化合物（２）及び（９）を用いて実施例１と同様に
感光体を作製し、感光体としての性能を調べた。

その結果を第１表に示す。

比較例１下記の比較化合物（Ｉ）（特公昭５４−５９１４３号公
報に開示）０．２ｇを、１０％ポリカーボネート樹脂を
含有するジクロロエタン溶液２ｇに溶解させて電荷輸送
層形成液をつくり、これを実施例１において作製した電
荷発生層上にドクターブレードを用いて、乾燥時膜厚綿
２０μｍとなるように塗布、乾燥して比較感光体を作製
した。この感光体について実施例１の（ｉｉ　）と同様
にして電子写真特性を測定した。結果を第１表に示す。

以下余白第１表から、本発明感光体は比較例１の感光体に比較し
て高感度（Ｅｌ／ｌが小さい）であって、残留電位（Ｖ
、）も小さいことが分かる。

比較例２下記の比較化合物（２）（フェロセン、特開昭６０−１
９８５４８号公報に開示）０．２ｇを１０％ポリカーボ
ネート樹脂を含有するジクロロエタン溶液２ｇに溶解さ
せて電荷輸送層形成液をつくり、これを実施例１におい
て作製した電荷発生層上にドクターブレードを用いて塗
布し、８０℃、３時間乾燥させたところフェロセンの結
晶が析出し、電子写真特性測定が不可能であった。

トラハイドロフラン溶液１４．６ｇに混ぜ、ガラスピー
ズと共に振動ミルを用いて平均粒径１μｍ以下に粉砕し
て電荷発生顔料の分散液を作り、これをアルミニウムを
蒸着したポリエステルフィルム上にワイヤーバーを用い
て塗布し、４５℃で乾燥して、約０．５ミクロン厚さに
電荷発生層を作った。以下は実施例１と同様にして例示
化合物（Ｉ）、（９）及び０、比較化合物（Ｉ）並びに
下記比較化合物（３）（特開昭５９−１００４４４号公
報に開示〉を用いて感光体を作製し、感光体としての特
性を調べた。その結果を第２表に示す。

実施例４．５及び６並びに比較例３及び４τ型−無金属
フタロシアニン（東洋インキ製造株式会社製）０．４ｇ
を、ブチラール樹脂（積水化学工業株式会社製ｒＢＬ−
１，、＋　）を２．４％含有するテ以下余白第２表から、本発明感光体は比較例３．４の感光体に比
較して高感度（（ｉｌｚｚが小さい）であることが分か
る。

実施例７及び８並びに比較例５実施例４においてτ型−無金属フタロシアニンに代えて
Ｘ型−無金属フタロシアニン（山陽色素株式会社！１り
を用いた以外は、実施例４と同様に電荷発生層を作った
。以下は実施例１と同様にして例示化合物（Ｉ）及び（
９）並びに比較化合物（Ｉ）を用いて感光体を作製し、
感光体としての特性を調べた。

その結果を第３表に示す。

以下余白第３表より、本発明化合物は比較例５の感光体に比較し
て高感度（８１／２が小さい〉であって、残留電位（Ｖ
、）も小さいことが分かる。

実施例９〜１２実施例４においてτ型−無金属フタロシアニンに代えて
チタニウムフタロシアニン（結晶）を用いた以外は、実
施例４と同様に電荷発生層を作った。以下は実施例１と
同様にして例示化合物（Ｉ）、（２）、（９）及び０を
用いて感光体を作製し、感光体としての特性を調べた。

その結果を第４表に示す。

以下余白実施例１３〜１５電荷発生物質にτ型−無金属フタロシアニン、電荷輸送
物質に例示化合物（Ｉ）、（２）及び（９）を用いて実
施例４と同様にして感光体を作製し、波長８００ｎｍ光
パワー１μ―の単色光を照射してεＩ７．（μＪ／　ｃ
ｄ）を求めた。その結果を第５表に示す。

第５表実施例１６実施例１で得られた感光体について、更に１万ルツクス
・秒の光を３秒間照射して残留電荷を除電し、このもの
を再び一６ＫＶのコロナ放電を５秒間行なって帯電せし
め、表面電位ｖ０を測定し、これを暗所で５秒間保持し
た後、タングステンランプにより照度５ルツクスの光を
照射し、半減露のサイクルを繰り返した結果の成績を第
４図に示す。

〔発明の効果〕

本発明は、新規なフェロセンカルバルデヒドヒドラゾン
誘導体（Ｉ）を電荷輸送物質として含有する電子写真感
光体を提供するものである。当該化合物（Ｉ）は、高分
子結着剤との相溶性が良好であり、これを電荷輸送物質
として含有する電子写真感光体は高感度にして残留電位
が少なく、繰り返し使用しても光疲労が少なく、耐久性
に優れている等、電子写真プロセスの分野で最も要求さ
れている特性を具備し、工業的に有利なものである。

【図面の簡単な説明】

第１〜３図は、本発明に係る電子写真感光体の一例を示
す断面説明図である。１　　・導電性支持体、　　２・・・電荷発生物質。３・　・電荷発生層、　　　４・・・電荷輸送層。５・　・感光層第４図は、本発明の電子写真感光体の耐久性試験結果を
示す図面である。

Claims

【特許請求の範囲】１、次の一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）〔式中、Ｒ＾１及びＲ＾２はそれぞれ同一又は異なる低
級アルキル、ベンジル、置換基を有していてもよいフェ
ニル又はナフチル基を示すか、あるいはＲ＾１とＲ＾２
が結合して隣接する窒素原子と共に複素環を形成しても
よい〕で表わされるフェロセンカルバルデヒドヒドラゾン誘導
体。２、導電性支持体上に、電荷発生物質と電荷輸送物質と
を含む感光層を設けた電子写真感光体において、電荷輸
送物質として請求項１記載のフェロセンカルバルデヒド
ヒドラゾン誘導体を含有することを特徴とする電子写真
感光体。