JPH03242911A - 軟磁性膜およびそれを用いた磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はＶＴＲ等に利用される窒素を含有する磁気異方
性軟磁性膜およびそれを用いた磁気ヘッドに関するもの
である。

従来の技術 近年、磁気記録等の高密度化に伴い、磁気ヘッド等のコ
ア材料として益々高い飽和磁化が必要とされ、フェライ
トに代わり、非晶質の金属磁性材料が用いられている。

磁気ヘッドを作製する際は、磁気ギャップ部等に接着ガ
ラスによる強固な接着を行っておくことが信頼性等の点
で重要となる。しかし、接着強度の強い接着ガラスは一
般に融点が高いため、高飽和磁化を有する軟磁性合金膜
においても、高い熱処理温度まで軟質磁気特性を損なわ
ないもの、即ち熱的安定性に優れた軟磁性合金膜が必要
となっている。この様な観点より、高飽和磁化を有し、
かつ熱的安定性に優れた軟磁性合金膜として、スパッタ
法による合金膜の形成時に、Ａｒ等の不活性スパッタガ
ス中に連続的にあるいは、周期的に窒素ガスを混合する
ことにより、単層窒化合金膜あるいは膜厚方向に窒素の
含有量が変調されている組成変調窒化合金膜が提案され
ている（たとえば特開昭６１−５４０５４号公報、特開
昭６１１９９６３１号公報、特開昭６２−１１１９４０
２号公報）。

一方磁気ヘッドを考慮した場合磁芯である軟磁性合金膜
の透磁率も問題となり特に近年、磁気記録の高密度化に
伴い、高周波領域（例えば１０ＭＨｚ以上）での透磁率
の値が問題となる。

高透磁率を得る方法として、前記非晶質金属磁性祠料に
おいては第４図に示したように、その磁化を失う温度領
域即ち、キュリー温度Ｔｃ以上結晶化温度Ｔｘ以下で熱
処理すれば、磁性膜中の異方性が取り除かれ等方膜とな
る。又、第３図に示したように、ＴｃがＴｘより高い温
度を有する材料では、そのＴｘ以下で回転磁界中で熱処
理することにより等方膜が得られる事が知られている。

同様に前記温度領域で固定磁界中で熱処理すると膜面内
の一方向に異方性をもった膜が得られる事は公知である
。一方すング形磁気ヘッドにおいて、その磁路を考慮す
ると、磁路面内の一方向に磁化容易軸をもった膜では、
その磁路中に磁化容易軸と、磁化困難軸が共存するため
、結局特性が悪くなり現在は異方性を持たない等方膜が
実用に供されている。しかしながら、もしリング形磁気
ヘッドの膜面に垂直方向に磁化容易軸があれば、その磁
路に対して全て磁化困難軸が使用できるので、その特性
は飛躍的に向上することが期待できる。

前記非晶質合金において、前記温度領域で磁性膜面に垂
直方向に固定磁界中で熱処理しても、その膜が薄いので
反磁界係数が大きくなり膜面に垂直な磁化容易軸を有す
る膜が得られなかった。

発明が解決しようとする課題 前述の非晶質合金膜は磁界中熱処理により磁気異方性の
制御が可能なもののその膜面内の方向にしか異方性が付
かないので、リング型磁気ヘッドの特性が良くないとい
う問題点や飽和磁化の高いものは結晶化温度が低く５０
０°Ｃ近傍でのガラス接着工程が困難であるという問題
があった。

課題を解決するための手段 上記課題を解決すべく本発明磁気異方性軟磁性膜及びそ
れを用いた磁気ヘッドは金属合金膜部に次式でしめされ
た組成を有する合金膜 Ｔ８ＭｂＸｏＮ、　　　　　・・・・・・（１）（ただ
しＴはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉより成る群から選択された少な
くとも１種の金属、ＭはＮｂ、Ｚｒ。

Ｔ　ｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎより成る群
から選択された少なくとも１種の金属、ＸはＢ。

Ｓｊ、Ｇｅ、Ｃより成る群より選択された少なくとも１
種の半金属、半導体、Ｎは窒素であってａ。

ｂ，ｂ’，ｃ、ｄは原子パーセントを表わし、それぞれ
６５≦ａ≦９３　　　　　　・・・・・・（２）０≦ｂ
≦２０　　　　　　・・・・・・（３）０≦ｃ≦２０　
　　　　　・・・・・・（４）１≦ｄ≦２０　　　　　
　・・・・・・（５）５≦ｂ＋ｃ　　　　　　　　・・
・・・・（６）ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００　−・・・・−
（７）である。） をスパッタ方等により蒸着し、前記合金膜の膜面にほぼ
垂直方向に磁界を印加して熱処理する事により、所望の
磁化容易軸を有する高透磁率磁性合金を得て、これを磁
気へンドに用いるものである。

作用 膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する膜が得られ、膜面
内は高透磁率となる。しかも−度磁気異方性が付くと、
以後無磁界中で再加熱してもほとんど透磁率は劣化しな
い。従ってこの膜を磁化容易軸が磁路面に垂直になるよ
うに磁気ヘッドに使１ 用すると、磁路に対して全て磁化困難軸が使用でき膜面
内は高透磁率となるので、その特性は飛躍的に向上する
。又、（１）式の合金膜は飽和磁化が高いにもかかわら
ず、高温熱処理後も磁気特性の劣化が起こらず、ガラス
接着工程が容易となる。

実施例 （１）式において合金膜が軟磁性を示すにはａ≦９３，
５≦ｂ　＋ｃ　　　　−−（８）であることが必要であ
り、合金膜が高飽和磁化を有するには、 ６５≦ａ、ｂ≦２０、Ｃ≦２０　・・・・・・（９）で
あることが望ましい。又耐蝕性改善等の効果を得るには ｌ≦ｄ　　　　　　　　　　　　　　・・・・・・００
）であることが必要である事がわかった。更に熱処理に
より窒素が膜から解離するのを防くためには４≦ｂ＋ｃ
　　　　　　　　　・・・・・・（１１）であることが
必要であり、合金膜の内部応力を抑えて膜が基板より剥
離しないためには ｄ≦２０　　　　　　　　　・・・・・・０２）２ であることが望ましい。以上（８）　−０２）式より（
２）　−（７）式の条件式が得られた。

この窒化合金膜の軟磁気特性を更に改善するには、少な
くとも作製時において膜厚方向即ち成膜方向に組成変調
された窒化合金膜 Ｔ、’　Ｍ、’　Ｘｏ’　Ｎｄ’　・・・−・・（１’
）を用いることが望ましい。ただしＴ、Ｍ、Ｘ、Ｎは（
１）八記載のものと同しであり、ａｌ、ｌ、ｌ、Ｃ１ｄ
゛は膜厚方向に変動するそれぞれの構成元素の平均組成
で原子パーセントで ６５≦ａ’≦９３　　　　・・・・・・（２゛）０≦ｂ
’≦２０　　　　・・・・・・（３゛）≦ｃ’≦２０　
　　　・・・・・・（４゛）１≦ｄ’≦２０　　　　・
・・・・・（５”）５≦ｂ’　＋ｃ’　　　　　・・・
・・・（６゛）ａ’　＋ｂ’　＋ｃ’　＋ｄ’　＝１０
０　−　（７’）であり、限定理由は（２）　−（７）
の場合と同様である。

このような組成変調膜（広い意味で積層構造膜も含む）
は優れた軟磁性を示し、作製法としては周期的に窒素ガ
スを混合した反応スパッタ法等により窒化層と非窒化層
を積層する事により積層構造のものが、又この膜を熱処
理する事にまり組成変調構造もしくは積層構造のものが
得られる。同時に（１）もしくは（ｌ”〉式においてこ
れらのＭ元素、即ちＮｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ等やＸ元素
、即ちＢ。

Ｓｉ等が窒素との結合力が大であるため、高温の熱処理
においても窒素が膜から解離せず膜質および膜の緒特性
の安定性に寄与している。これら合金膜の膜面にほぼ垂
直方向に磁界を印加して熱処理することにより、従来の
薄膜磁性材料では不可能であったその膜面に垂直な磁化
容易軸を有し、かつ膜面内では高透磁率を示す合金膜を
得ることが可能であることが分かった。

上記の窒化合金膜は従来の非晶質合金と異なり熱的に安
定なため５００°Ｃ以上での高温熱処理が可能である。

又この窒化合金膜はＦｅ−３ｉＡｆｆｉのような結晶質
合金と異なり前述のように、磁界中熱処理による磁気異
方性の制御が可能で、かつ−度ｊＯｉ温で磁界中熱処理
して異方性をつけておけば無磁界中でもその後の熱処理
ではこの磁気異方性が殆ど消えず、透磁率の劣化が殆ど
ないという特徴を有している。

以下更に具体的一実施例により本発明の詳細な説明を行
う。

実施例１ ターゲットにＦｅ−Ｎｂ−、Ｆｅ−Ｔａ、−Ｂ及びＦｅ
−Ｔｉ−Ｚｒ合金板を用い、スパッタ中のＡｒガス中に
Ｎ２ガスを周期的に混合することにより、Ｆｅ−Ｎｂ−
Ｂ／Ｆｅ−Ｎｂ−Ｂ−Ｎ。

Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ／Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｎ及びＦｅＴｉ−Ｚ
ｒ／Ｆｅ−Ｔｉ−Ｚｒ−Ｎなる非窒化層と、窒化層より
成る総厚約２μｍ、１層の層厚が約１００入の組成変調
膜を非磁性基板上に形成した。

ここで、組成変調膜における組成変調波長とは、−層当
たりの窒化層の厚みと一層当たりの非窒化層の厚みを加
えたものとして与えられ、組成変調周期言い換えること
もできる。

この時Ｎ２ガスの混合分圧比を変えることにより平均膜
組成として ５ ＜　Ｆ　ｅ　７１１Ｎ　ｂ　ＢＢ　１２Ｎ２＞＜Ｆ　ｅ
７４Ｎｂ、Ｂ１１ＮＢ＞ ＜Ｆ　ｅ７ｓＴａ４ＢｅＮ＋ｏ＞ ＜　Ｆ　ｅ　７ＳＴ　ｔ　Ｉｏ　Ｚ　ｒ　ｓＮ　Ｉｏ＞
及び＜Ｆ　ｅ７ｏＮｂｉＢ＋ｏＮ＋４＞ なる組成変調膜を得た。このようにして非磁性基板上に
形成した窒化合金膜を用い、熱処理温度と磁化の関係を
調べた。

第２図に磁化の温度依存性を示す。組成は平均膜組成と
して＜　Ｆ　ｅ　７８Ｎ　ｂ　ａ　８１２Ｎ２　＞のも
のである。

参考に窒素を含まない単層非晶質膜も示す。

第２図のＦｅ−Ｎｂ−Ｂは、非窒化の単層膜であり、Ｆ
ｅ−Ｎｂ−Ｂ−Ｎは、スパッタ時のＡｒガス中にＮ２ガ
スを周期的に混合して作製した窒化組成変調膜を示す。

第２図で示す組成変調膜Ｆｅ−Ｎｂ−Ｂ−Ｎは、１００
人の窒化膜と１００人の非窒化層とを積層した多層膜で
あり、組成変調波長は２００人である。単層非晶質膜で
あるＦｅ−Ｎｂ−Ｂは、６ ２００°Ｃ付近に非晶質相のキュリー点が存在する。

また、４５０°Ｃ付近の磁化の増加は結晶化等の構造変
化が生じていることを示唆しており、この構造変化によ
り５００°Ｃ以上の熱処理で軟質磁気特性が劣化するも
のと考えられる。窒化組成変調膜であるＦｅ−Ｎｂ−Ｂ
−Ｎは、３２０°Ｃ付近にキュリー点、４００°Ｃ付近
で磁化の増加を示している。この磁化の増加は組成変調
膜中の構造変化に起因したものであると考えられる。

この；トユリー点以上の温度で膜の反磁界は零となるの
で、この時膜面に垂直方向に磁界を印加し、膜構造が変
化し再び磁化が現われる温度まで熱処理を行うと、熱処
理を受けた膜は膜面に垂直方向に弱い磁気異方性が付き
、膜面内は高透磁率となる。この構造変化後は、無磁界
中で熱処理しても磁化容易軸が変わることはなく膜は良
好な軟磁気特性を示す。

次に種々の窒化合金膜を５５０°Ｃで膜面に垂直方向に
固定磁界中熱処理（固で表示）、あるいは膜面内で固定
磁界中熱処理（回で表示）をした後トロイダル形状に打
ち抜き透磁率の測定を行った。

更にこのトロイダル形状の試料を４８０°Ｃ無磁界中で
再び１時間熱処理した後、透磁率を測定した。以上の結
果を第１表に示す。

（以　下　余　白） １９ 但し、比較例の従来の非晶質合金材料 Ｃ０６６Ｎｂ＋ｏＺｒ４．Ｆｅ５ｏＮｔｚ＋　Ｂ＋ｚの
熱処理は上記温度では結晶化するので、いずれも４００
°Ｃ以下の温度で熱処理したもので、膜厚はいずれも約
２μｍである。

第１表に示した実験結果より明らかなように従来の非晶
質合金材料ＣＯ８ｂＮ　ｂ　＋ｏＺ　ｒ　４は回転磁界
中で熱処理したものは等法膜となり、高い透磁率が得ら
れるが３０ＭＨｚの透磁率は低い。

これは異方性が付いていないため、スヌークの限界によ
り周波数特性が低下する為である。

又、Ｆｅｅ。Ｎ　ｂ　ｅ　Ｂ　＋□は、固定磁界、回転
磁界中熱処理共ある程度の透磁率は得られるが、いずれ
の材料も無磁界中で再び熱処理すると透磁率は低下する
。

これに対して本願材料は回転磁界中ではあまり高い透磁
率は得られないが固定磁界中で熱処理する事で、測定磁
路面に垂直方向に弱い異方性が付いているので、前記限
界を越える高い透磁率が得られ、かつ、それを無磁界中
で再加熱してもほぼ０ 同し値となっている。この事は本願合金膜の膜面に垂直
方向に磁界を印加した熱処理を一度施しておけば、以後
無磁界中で再加熱してもそのメモリーは失わないという
事実が分かった。又、表には示さなかったが、磁界中熱
処理温度以上で無磁界中で再加熱しても僅かの高周波領
域の透磁率の低下はあるものの、十分実用に供する値を
保持している事が分かった。

実施例２ ターケラトにＦｅ−Ｎｂ、Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ。

Ｆｅ−Ｎｂ−３ｉ、Ｆｅ−Ｎ１−Ｗ−Ｎｂ−Ｇｅ。

Ｇｏ−Ｎｂ−Ｈｆ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｈｆ、Ｃ。

Ｍｏ−Ｚｒ−Ｃｒを用い、実施例１と同様の方法で窒化
層と非窒化層より成る組成変調窒化合金膜を反応スパッ
タ法により非磁性基板上に形成した。総膜厚はすべて１
．５μｍとし、組成変調波長及び窒素含有量はＮ２ガス
の混合周期と分圧比を制御することにより変化させた。

又、Ｆｅ−ＮｂについてはＮ２ガスをＡｒガスに混合し
てスパッタすることにより単層の膜も同時に得た。

これらを用いて実施例１と同様に、種々の窒化合金膜の
スパック後の膜面に垂直方向に固定磁界を印加して熱処
理した後同様の方法で透磁率の評価を行った。

結果を第２表に示す。

（以　下　余　白） ２３ 第２表に示した結果より窒化により又合金膜の窒素含有
量がある程度多いほどこの効果が大である事が分かる。

又、単層膜より組成変調膜の方がより高い特性である事
がわかる。更には組成変調波長があまり長くなると、透
磁率が低下する傾向がある事が分かる。更に第１表、第
２表に示した結果より、傾向としてＦｅを主成分とした
＆ｌ′Ｉ戒の方がその効果がより顕著に得られるもので
ある。

実施例３ ターゲットにＦｅ−Ｔａ−Ｂ、Ｆｅ−Ｎｂ５ｉ−Ｂを用
い、実施例２と同様の方法で窒化層と非窒化層より成る
組成変調波長２００人の組成変調窒化合金膜を反応スパ
ッタ法により１層当り３μｍで、Ｓ　＋　０２を絶縁膜
として介した総膜厚９１１ｍの磁性膜を非磁性基板上に
形成した後、第１図に示す積層タイプの磁気へンドを作
製しそれらの特性を測定した。

但しこのヘッド作製の前に１度前述の様に、窒化合金膜
の膜面に垂直方向に磁界を印加した状態で熱処理を施し
てあり以後は従来のヘッド作製プ４ ０セスに従った。

比較のため膜面に平行方向に回転磁界を印加して熱処理
したもの、及び無磁界中で熱処理したものより、作製し
たヘッドに付いてもあわせて測定した。

結果を第３表に示す。

（以　下　余　白） なお、表中のヘッド出力は、トランク幅９μｍ、ギャッ
プ長０．２μｍ、ギヤツブ深さ２５μｍで統一してあり
、相対速度２１ｍ／ｓ、使用テープはメクルテーブを用
い２０ＭＨｚのヘッド出力を、膜面に平行方向に回転磁
界を印加して熱処理したものより作製したヘットをＯｄ
Ｂとして表示しである。

第３表に示した結果より、膜面に平行方向に回転磁界を
印加した状態で熱処理したものより作製したヘットに比
べ、無界中で熱処理したものより作製したヘッドは約−
６〜−８ｄＢであり最も悪く、本願の窒化合金膜の膜面
に垂直方向に固定磁界を印加した状態で熱処理して作製
したヘットは約＋２ｄＢ〜３ｄＢあった。

なお、本実施例では１層当り３μｍで、ＳｉＯ２を絶縁
膜として介した総膜厚９μｍの磁性膜のヘッドに付いて
述べたが、使用するトラック幅、周波数帯に応して１層
当たりの厚みを適宜選択すれば良く場合によっては単層
であっても良い。

又、本実施例ではヘッド作製の前に１度窒化合７ 金膜の膜面に垂直方向に磁界を印加した状態で熱処理を
施した例について述べたが、ヘッド作製プロセスの最初
の熱処理時に本方法を導入できれば従来と全く同一のヘ
ッド作製プロセスでヘッド作製が可能となる。

発明の効果 以上実施例等により述べたように本発明は金属合金膜部
に次式でしめされた組成を有する合金膜ＴａＭ、ＸｏＮ
、　　　　　・・・・・・（１）（ただしＴはＦｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉより成る群から選択された少なくとも１種の金
属、ＭはＮｂ、ＺｒＴｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ
、Ｍｎより成る群から選択された少なくとも１種の金属
、ＸばＢ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃより成る群より選択された少
なくとも１種の半金属、半導体、Ｎは窒素であってａ、
ｂ，ｂ’，ｃ、ｄは原子パーセントを表わし、それぞれ ６５≦ａ≦９３　　　　　　　　・・・・・・（２）０
≦ｂ≦２０　　　　　　　　　・・・・・・（３）０≦
ｃ≦２０　　　　　　　　・・・・・・（４）８ １≦ｄ≦２０　　　　　　　　　・・・・・・（５）５
≦ｂ＋ｃ　　　　　　　　　　　・・・・・・（６）ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００　　−−（７）である。） をスパッタ法等により蒸着し、前記合金膜の膜面にほぼ
垂直となる方向に磁界を印加し、熱処理する事で膜厚に
ほとんど依存しないで合金膜面に垂直方向に異方性が付
き、しかも−度磁気異方性が付くと、以後無磁界中で再
加熱してもほとんど異方性がなくならないのでこの膜の
面内の透磁率の周波数特性は非常に良く、従ってこの膜
を磁気ヘッドに使用すると、工法が殆ど従来と同しであ
り、かつ磁路に対して全て磁化困難軸が使用できるので
、その特性は飛躍的に向上するものである。

又、（１）式の合金膜は飽和磁化が高いにもかかわらず
、高温熱処理後も磁気特性の劣化が起こらず、ガラス接
着工程が容易となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は本発明の
一実施例の磁化の温度依存性を示す特性図、第３図、第
４図は従来の非晶質合金の磁化の温度依存性を示す特性
図である。 １　ａ　、　　１　ｂ−非磁性基板、２ａ、２ｂ、２ｃ
・・・・・・窒化合金のスパッタ層、３ａ、３ｂ・・・
・・・層間絶縁層、４・・・・・・ギャップ、５・・・
・・・巻線溝。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）次式で示された組成の磁性合金膜 Ｔ＿ａＭ＿ｂＸ＿ｃＮ＿ｄ （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
   ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃより
   成る群より選択された少なくとも１種の半金属，半導体
   、Ｎは窒素であってａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを
   わ表し、それぞれ ６５≦ａ≦９３ ０≦ｂ≦２０ ０≦ｃ≦２０ １≦ｄ≦２０ ５≦ｂ＋ｃ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ である。） より成り、その膜面に垂直な磁化容易軸成分を有するこ
   とを特徴とする軟磁性膜。
2. （２）磁性合金膜が成膜方向に組成変調されており次式
   で示された平均組成 Ｔ＿ａ’Ｍ＿ｂ’Ｘ＿ｃ’Ｎ＿ｄ’ （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
   ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃより
   成る群から選択された少なくとも１種の半金属、半導体
   、Ｎは窒素であって、膜全体の平均組成としてａ’，ｂ
   ’，ｃ’，ｄ’は原子パーセントでそれぞれ６５≦ａ’
   ≦９３ ０≦ｂ’≦２０ ０≦ｃ’≦２０ １≦ｄ’≦２０ ５≦ｂ’＋ｃ’ ａ’＋ｂ’＋ｃ’＋ｄ’＝１００ である。） より成り、その膜面に垂直な磁化容易軸成分を有するこ
   とを特徴とする軟磁性膜。
3. （３）非磁性基板上に次式で示される組成の磁性合金膜 Ｔ＿ａＭ＿ｂＸ＿ｃＮ＿ｄ （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
   ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃより
   成る群より選択された少なくとも１種の半金属，半導体
   、Ｎは窒素であってａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを
   表わし、それぞれ ６５≦ａ≦９３ ０≦ｂ≦２０ ０≦ｃ≦２０ １≦ｄ≦２０ ５≦ｂ＋ｃ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ である。） または、成膜方向に組成変調されており次式で示される
   平均組成 Ｔ＿ａ’Ｍ＿ｂ’Ｘ＿ｃ’Ｎ＿ｄ’ （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
   ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃより
   成る群から選択された少なくとも１種の半金属，半導体
   、Ｎは窒素であって膜全体の平均組成としてａ’，ｂ’
   ，ｃ’，ｄ’は原子パーセントを表わし、それぞれ ６５≦ａ’≦９３ ０≦ｂ’≦２０ ０≦ｃ’≦２０ １≦ｄ’≦２０ ５≦ｂ’＋ｃ’ ａ’＋ｂ’＋ｃ’＋ｄ’＝１００ である。） より成る磁性の合金膜をスパッタ法等により蒸着し、前
   記磁性合金膜の膜面にほぼ垂直方向に磁界を印加し、そ
   の膜面に垂直な磁化容易軸成分を生ぜしめることを特徴
   とする軟磁性膜の製造方法。
4. （４）少なくとも磁路を構成する磁気ヘッドの一部に次
   式で示された組成の磁性合金膜 Ｔ＿ａＭ＿ｂＸ＿ｃＮ＿ｄ （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
   ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃより
   成る群より選択された少なくとも１種の半金属，半導体
   、Ｎは窒素であってａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを
   表わし、それぞれ ６５≦ａ≦９３ ０≦ｂ≦２０ ０≦ｃ≦２０ １≦ｄ≦２０ ５≦ｂ＋ｃ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ である。） または、磁性合金膜が成膜方向に組成変調されており次
   式で示された平均組成 Ｔ＿ａ’Ｍ＿ｂ’Ｘ＿ｃ’Ｎ＿ｄ’ （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
   ．Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎより成る群から選択され
   た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃより
   成る群から選択された少なくとも１種の半金属，半導体
   、Ｎは窒素であって膜全体の平均組成としてａ’，ｂ’
   ，ｃ’，ｄ’は原子パーセントを表わし、それぞれ ６５≦ａ’≦９３ ０≦ｂ’≦２０ ０≦ｃ’≦２０ １≦ｄ’≦２０ ５≦ｂ’＋ｃ’ ａ’＋ｂ’＋ｃ’＋ｄ’＝１００ である。） を用いることを特徴とする磁気ヘッド。
5. （５）磁気ヘッドコアを構成する磁路面に垂直方向に磁
   化容易軸成分を有し、磁路面内の透磁率を高くしたこと
   を特徴とする請求項（４）記載の磁気ヘッド。
6. （６）磁性膜と絶縁膜とを積層した構成の磁気ヘッドコ
   アを有することを特徴とする請求項（５）記載の磁気ヘ
   ッド。