JPH03242971A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03242971A JPH03242971A JP2039995A JP3999590A JPH03242971A JP H03242971 A JPH03242971 A JP H03242971A JP 2039995 A JP2039995 A JP 2039995A JP 3999590 A JP3999590 A JP 3999590A JP H03242971 A JPH03242971 A JP H03242971A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- divided region
- solid state
- solid
- color filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000010019 resist printing Methods 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、カラーフィルターを直接ペレット上に形成す
る固体撮像装置の製造方法に関する。
る固体撮像装置の製造方法に関する。
従来の技術
近年、固体撮像装置は小型で軽量であるという特徴を生
かして民生用のビデオカメラに広く使用されるようにな
ってきた。
かして民生用のビデオカメラに広く使用されるようにな
ってきた。
以下に従来の固体撮像装置の製造方法について説明する
。
。
第２図は従来の固体撮像装置の要部断面図であり、図に
おいて、■は半導体基板、２は半導体基板１を酸化して
形成した熱酸化膜、３は酸化シリコン膜または窒化シリ
コン膜等からなる層間絶縁膜、４は酸化シリコン膜や窒
化シリコン膜等からなる保護膜、５は分割領域、６はカ
ラーフィルターを構成する染色膜である。
おいて、■は半導体基板、２は半導体基板１を酸化して
形成した熱酸化膜、３は酸化シリコン膜または窒化シリ
コン膜等からなる層間絶縁膜、４は酸化シリコン膜や窒
化シリコン膜等からなる保護膜、５は分割領域、６はカ
ラーフィルターを構成する染色膜である。
第２図では製造工程の詳細は省略し、分割領域５の近傍
のみを示したが、分割領域５は凹部を形成しており、半
導体基板１の中では最も低くなっている。すなわち、固
体撮像装置の主要部を構成する画素領域および回路領域
には層間絶縁膜３、電極配線（簡略化のために省略した
）および保護膜４等が積層されて厚くなっている。なお
、ｔｌは分割領域から離れた画素領域または回路領域に
おける染色膜６の厚さ、ｔ２は分割領域近傍段差部での
染色膜６の厚さであり、ｔｌ−ｔ２が染色膜６の塗布む
らを表わしている 一方、固体撮像装置をカラー化するためには、その表面
にカラーフィルターを設置する必要である。初期には、
別途ガラス基板上に染色膜を塗布し、カラーフィルター
を構成する主要部を残し、その主要部を染色してカラー
フィルターとし、個々のカラーフィルタに分割して固体
撮像装置の表面に接着固定していたが、最近では技術の
進展により、多数個の固体撮像装置を形成した半導体基
板上に直接カラーフィルターを形成する、いわゆるオン
チップフィルター法が広く行われている。
のみを示したが、分割領域５は凹部を形成しており、半
導体基板１の中では最も低くなっている。すなわち、固
体撮像装置の主要部を構成する画素領域および回路領域
には層間絶縁膜３、電極配線（簡略化のために省略した
）および保護膜４等が積層されて厚くなっている。なお
、ｔｌは分割領域から離れた画素領域または回路領域に
おける染色膜６の厚さ、ｔ２は分割領域近傍段差部での
染色膜６の厚さであり、ｔｌ−ｔ２が染色膜６の塗布む
らを表わしている 一方、固体撮像装置をカラー化するためには、その表面
にカラーフィルターを設置する必要である。初期には、
別途ガラス基板上に染色膜を塗布し、カラーフィルター
を構成する主要部を残し、その主要部を染色してカラー
フィルターとし、個々のカラーフィルタに分割して固体
撮像装置の表面に接着固定していたが、最近では技術の
進展により、多数個の固体撮像装置を形成した半導体基
板上に直接カラーフィルターを形成する、いわゆるオン
チップフィルター法が広く行われている。
従来の製造方法では、分割領域近傍で凹凸の激しい表面
にカラーフィルターを形成していた。
にカラーフィルターを形成していた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構成では、分割領域５とその他
の領域との段差が大きく、オンチップフィルター法で染
色膜６を塗布する際に塗布むら（ｔｌ ｔ２が大きい
）が発生し、カラー特性を損なうという問題があり、そ
れを解決するために平坦化膜を塗布する等種々工夫され
たが、決定的な解決策には至っていない。
の領域との段差が大きく、オンチップフィルター法で染
色膜６を塗布する際に塗布むら（ｔｌ ｔ２が大きい
）が発生し、カラー特性を損なうという問題があり、そ
れを解決するために平坦化膜を塗布する等種々工夫され
たが、決定的な解決策には至っていない。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、分割領域
近傍でも染色膜が比較的平坦に塗布されて均一なカラー
フィルターを形成する固体撮像装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
近傍でも染色膜が比較的平坦に塗布されて均一なカラー
フィルターを形成する固体撮像装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の固体撮像装置の製造
方法は、半導体基板の分割領域に固体撮像装置の一部を
形成する薄膜を残して少なくとも回路素子、電極配線お
よび保護膜を形成した後、カラーフィルターを形成する
構成としたものである。
方法は、半導体基板の分割領域に固体撮像装置の一部を
形成する薄膜を残して少なくとも回路素子、電極配線お
よび保護膜を形成した後、カラーフィルターを形成する
構成としたものである。
作用
この構成によって、染色膜を塗布したときに分割領域で
の染色膜の凹みがほとんど無視でき、均一なカラーフィ
ルターを形成することができる。
の染色膜の凹みがほとんど無視でき、均一なカラーフィ
ルターを形成することができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例による固体撮像装置の要部断
面図であり、同図を参照しながら本発明の一実施例にお
ける製造方法を説明する。なお、第２図に示す従来例と
同一箇所には同一符号を付した。
面図であり、同図を参照しながら本発明の一実施例にお
ける製造方法を説明する。なお、第２図に示す従来例と
同一箇所には同一符号を付した。
第１図において、１は半導体基板、２は半導体基板１を
酸化して形成した厚さ０．５μｍの熱酸化膜、３はＣＶ
Ｄ法で形成した厚さ０．５μｍの酸化シリコン膜等から
なる層間絶縁膜、４はＣＶＤ法で形成した厚さ０．２μ
ｍの酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等からなる保護膜
、５は９０ｕｍ幅の分割領域、６はカラーフィルターを
構成するための染色膜、７は分割領域５を埋めた積層膜
（以下、分割領域内台部と称する）である。なお、ｅは
分割領域５と分割領域内台部７との隙間である。本実施
例における分割領域内台部７は固体撮像装置の主要部で
あるゲート電極や電極配線材料として使用する多結晶シ
リコン膜を残したものである。固体撮像装置では通常二
層ゲートが使用されていており、分割領域内台部７の厚
さは一層目が０．４μｍ、二層目が０．３μｍの多結晶
シリコン膜を積層して厚さ０．７μｍとなっている。
酸化して形成した厚さ０．５μｍの熱酸化膜、３はＣＶ
Ｄ法で形成した厚さ０．５μｍの酸化シリコン膜等から
なる層間絶縁膜、４はＣＶＤ法で形成した厚さ０．２μ
ｍの酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等からなる保護膜
、５は９０ｕｍ幅の分割領域、６はカラーフィルターを
構成するための染色膜、７は分割領域５を埋めた積層膜
（以下、分割領域内台部と称する）である。なお、ｅは
分割領域５と分割領域内台部７との隙間である。本実施
例における分割領域内台部７は固体撮像装置の主要部で
あるゲート電極や電極配線材料として使用する多結晶シ
リコン膜を残したものである。固体撮像装置では通常二
層ゲートが使用されていており、分割領域内台部７の厚
さは一層目が０．４μｍ、二層目が０．３μｍの多結晶
シリコン膜を積層して厚さ０．７μｍとなっている。
このようにして多数個の固体撮像装置が形成された半導
体基板上にゼラチン膜等からなる染色膜６を塗布し、フ
ォトエツチング等により所定領域に残した染色膜６をま
ず第一の色に染色する。その上に防染膜（図中では省略
した）を塗布して、前記工程を繰り返し、必要とする三
原色のカラーフィルターを形成する。
体基板上にゼラチン膜等からなる染色膜６を塗布し、フ
ォトエツチング等により所定領域に残した染色膜６をま
ず第一の色に染色する。その上に防染膜（図中では省略
した）を塗布して、前記工程を繰り返し、必要とする三
原色のカラーフィルターを形成する。
第３図は固体撮像装置の製造工程における染色膜６の塗
布むらｔｌ−ｔ２を示す図である。同図において、縦軸
は塗布むらｔ、−ｔ２を、横軸は分割領域を分割領域内
台部７の隙間ｅとをそれぞれ表わしている。同図から、
隙間ｅを狭くすることにより染色膜６が分割領域近傍で
も均一に塗布されることは明白である。なお、隙間ｅが
ゼロであることが最も望ましいが、多少の隙間を生ずる
ようにマスクを設計しておくことにより分割領域５の段
差部に分割領域内台部７の一部が重なることがなくなる
ため、製造工程における余裕度が大きくなる。また本実
施例では多結晶シリコン膜を残した例について述べたが
、固体撮像装置においては、他にも薄膜が使用されてお
り、設計ないし工程から考えて適切な膜を選択して残し
ても同様の効果が得られる。
布むらｔｌ−ｔ２を示す図である。同図において、縦軸
は塗布むらｔ、−ｔ２を、横軸は分割領域を分割領域内
台部７の隙間ｅとをそれぞれ表わしている。同図から、
隙間ｅを狭くすることにより染色膜６が分割領域近傍で
も均一に塗布されることは明白である。なお、隙間ｅが
ゼロであることが最も望ましいが、多少の隙間を生ずる
ようにマスクを設計しておくことにより分割領域５の段
差部に分割領域内台部７の一部が重なることがなくなる
ため、製造工程における余裕度が大きくなる。また本実
施例では多結晶シリコン膜を残した例について述べたが
、固体撮像装置においては、他にも薄膜が使用されてお
り、設計ないし工程から考えて適切な膜を選択して残し
ても同様の効果が得られる。
発明の効果
以上のように本発明は、分割領域に固体撮像装置の一部
を構成する薄膜を残し、その上にカラーフィルターをオ
ンチップフィルター法で形成することにより、分割領域
の段差部における染色膜の塗布むらをなくし、均一なカ
ラーフィルターを形成できる優れた固体撮像装置の製造
方法を実現できるものである。
を構成する薄膜を残し、その上にカラーフィルターをオ
ンチップフィルター法で形成することにより、分割領域
の段差部における染色膜の塗布むらをなくし、均一なカ
ラーフィルターを形成できる優れた固体撮像装置の製造
方法を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例における固体撮像装置の製造
方法を説明するための固体撮像装置の要部断面図、第２
図は従来の固体撮像装置の製造方法を説明するための固
体撮像装置の要部断面図、第３図は固体撮像装置の製造
方法における塗布むらｔｌ−１２を示す図である。 １・・・・・・半導体基板、５・・・・・・分割領域、
６・・・・・・染色膜（カラーフィルター）、７・・・
・・・分割領域内台部（分割領域内に残された薄膜）。
方法を説明するための固体撮像装置の要部断面図、第２
図は従来の固体撮像装置の製造方法を説明するための固
体撮像装置の要部断面図、第３図は固体撮像装置の製造
方法における塗布むらｔｌ−１２を示す図である。 １・・・・・・半導体基板、５・・・・・・分割領域、
６・・・・・・染色膜（カラーフィルター）、７・・・
・・・分割領域内台部（分割領域内に残された薄膜）。
Claims (1)
- 半導体基板の分割領域に固体撮像装置の一部を構成する
薄膜を残して少なくとも回路素子、電極配線および保護
膜を形成した後、カラーフィルターを形成する固体撮像
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2039995A JPH03242971A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2039995A JPH03242971A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03242971A true JPH03242971A (ja) | 1991-10-29 |
Family
ID=12568511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2039995A Pending JPH03242971A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03242971A (ja) |
-
1990
- 1990-02-21 JP JP2039995A patent/JPH03242971A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7163832B2 (en) | Method for manufacturing CMOS image sensor | |
| JPH03181904A (ja) | カラーフィルター及びその製造方法 | |
| US5970317A (en) | Method of forming a filter for a solid-state image sensing device | |
| US6429038B2 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same | |
| JPH0250441B2 (ja) | ||
| JPS63155002A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2951942B1 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH0132677B2 (ja) | ||
| JP2663475B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS58154808A (ja) | 色フイルタ− | |
| US6956194B2 (en) | Systems and methods for fabricating an electro-optical device used for image sensing | |
| JP2556856B2 (ja) | カラ−固体撮像素子 | |
| JP2943283B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| KR100291412B1 (ko) | 포토레지스트도포방법 | |
| JPS63151903A (ja) | カラーフイルタ | |
| JPS62145770A (ja) | カラ−固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JPS63276002A (ja) | カラ−固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH03104165A (ja) | カラー固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH10209420A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH02264468A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2870076B2 (ja) | カラー液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2751375B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH01130562A (ja) | 電荷結合素子 | |
| JPS631061A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| TW451488B (en) | Method of manufacturing submicron color filter |