JPH03243788A - すず―鉛―ビスマス合金めっき浴 - Google Patents
すず―鉛―ビスマス合金めっき浴Info
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- JPH03243788A JPH03243788A JP3979390A JP3979390A JPH03243788A JP H03243788 A JPH03243788 A JP H03243788A JP 3979390 A JP3979390 A JP 3979390A JP 3979390 A JP3979390 A JP 3979390A JP H03243788 A JPH03243788 A JP H03243788A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、アルカンスルホン酸及び／又はアルカノール
スルホン酸のすず塩、鉛塩及びビスマス塩を含有する浴
にある種の錯化剤を添加したことを特徴とするすず一鉛
−ビスマス合金電気めっき浴に関する。
スルホン酸のすず塩、鉛塩及びビスマス塩を含有する浴
にある種の錯化剤を添加したことを特徴とするすず一鉛
−ビスマス合金電気めっき浴に関する。
［従来技術とその問題点］
近年、すずめつきやはんだめっきは、はんだ付は性向上
用皮膜及びエツチングレジスト用皮膜として弱電工業並
びに電子工業用部品等に広く利用されてきたが、未だ改
良すべき点が多い。特に半導体、ハイブリッドＩＣの高
集積化が進んだ結果、多ビンＩＣが登場したこと、さら
に各部品にチップ化が増大したことにより、表面実装技
術が著しく発展しつつある。これらの実装技術に対応し
てはんだ接合材の面からは５ｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系低融点ク
リームはんだが適用せられている。
用皮膜及びエツチングレジスト用皮膜として弱電工業並
びに電子工業用部品等に広く利用されてきたが、未だ改
良すべき点が多い。特に半導体、ハイブリッドＩＣの高
集積化が進んだ結果、多ビンＩＣが登場したこと、さら
に各部品にチップ化が増大したことにより、表面実装技
術が著しく発展しつつある。これらの実装技術に対応し
てはんだ接合材の面からは５ｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系低融点ク
リームはんだが適用せられている。
この様に接合材については解決しても、部品にめっきさ
れている皮膜組成は現状では５ｎ−Ｐｂ共品はんだが主
であり、せっかく接合材の溶融温度を低下させても皮膜
側の溶融温度が高いために接合時の信頼性が乏しくなり
、高品質高機能の要求には充分答えられない欠点がある
。
れている皮膜組成は現状では５ｎ−Ｐｂ共品はんだが主
であり、せっかく接合材の溶融温度を低下させても皮膜
側の溶融温度が高いために接合時の信頼性が乏しくなり
、高品質高機能の要求には充分答えられない欠点がある
。
すず−鉛合金めっき液に可溶性のビスマス化合物を極少
型添加し、電気めっきの低電流密度範囲の外観を改良し
た特許（特開昭６２−１９６３９１号）が開示されてい
るが、この浴は外観を改善するのが目的で、量的にも低
融点合金皮膜にはなり得ない。添加量を増加しても本願
のような錯化剤を含まないため、浴の経時安定性が極め
て悪く、更に得られた合金皮膜組成が浴組成と離れるた
め組成管理が非常に難しい欠点がある。
型添加し、電気めっきの低電流密度範囲の外観を改良し
た特許（特開昭６２−１９６３９１号）が開示されてい
るが、この浴は外観を改善するのが目的で、量的にも低
融点合金皮膜にはなり得ない。添加量を増加しても本願
のような錯化剤を含まないため、浴の経時安定性が極め
て悪く、更に得られた合金皮膜組成が浴組成と離れるた
め組成管理が非常に難しい欠点がある。
また、ビスマス合金めっき浴の特許（特開昭６３−１４
８８７号）が開示されているが、これも同様に本願の錯
化剤を含まないため組成管理が非常に難しい。
８８７号）が開示されているが、これも同様に本願の錯
化剤を含まないため組成管理が非常に難しい。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は上述の問題点に鑑み発明されたもので、ｐＨ１
〜５の範囲で長期の経時においてもめっき浴が安定であ
るとともに広い電流密度範囲で外観が良好で、しかも浴
組成に近いすず一鉛−ビスマス合金皮膜が得られるすず
一鉛−ビスマス合金めっき浴を提供することを目的とす
る。得られた三元合金皮膜の融点は従来のすず一鉛共晶
皮膜のそれに比べて低くなり、上述した低融点皮膜とし
て充分対応できるものである。
〜５の範囲で長期の経時においてもめっき浴が安定であ
るとともに広い電流密度範囲で外観が良好で、しかも浴
組成に近いすず一鉛−ビスマス合金皮膜が得られるすず
一鉛−ビスマス合金めっき浴を提供することを目的とす
る。得られた三元合金皮膜の融点は従来のすず一鉛共晶
皮膜のそれに比べて低くなり、上述した低融点皮膜とし
て充分対応できるものである。
［課題を解決するための手段］
したがって、本発明に従えばアルカンスルホン酸及び／
又はアルカノールスルホン酸のすず塩、鉛塩及びビスマ
ス塩を含有する主めっき浴に一般式（ａ）及び（ｂ） ［ここで、Ｒｏ：直鎖又は分岐アルキレン（Ｃ＋＝４）
、 Ｘ：Ｈ，アルキル（ＣＩ−、）、 ＣＨ−ＣＯＯＭ、好ましくはＸ の少なくとも１個は ＣＨ−ＣＯＯＭ。
又はアルカノールスルホン酸のすず塩、鉛塩及びビスマ
ス塩を含有する主めっき浴に一般式（ａ）及び（ｂ） ［ここで、Ｒｏ：直鎖又は分岐アルキレン（Ｃ＋＝４）
、 Ｘ：Ｈ，アルキル（ＣＩ−、）、 ＣＨ−ＣＯＯＭ、好ましくはＸ の少なくとも１個は ＣＨ−ＣＯＯＭ。
Ｍ：Ｈ、アルカリ金属、
ｎ：１〜４］
［ここで、Ｒ”：直鎖又は分岐アルキレン（Ｃ，〜４〉
、 ｘ ：Ｈ、アルキル（Ｃ，〜、）、 ＣＨ−ＣＯＯＭ、好ましくハｘ の少なくとも１個は ＣＨ−ＣＯＯＭ。
、 ｘ ：Ｈ、アルキル（Ｃ，〜、）、 ＣＨ−ＣＯＯＭ、好ましくハｘ の少なくとも１個は ＣＨ−ＣＯＯＭ。
Ｒ：Ｈ、アルキル（Ｃ＋〜、）、
Ｍ ：Ｈ，アルカリ金属、
ｍ ：１〜３］
で表される少なくとも１種の錯化剤及びグルコン酸を添
加し、さらに界面活性剤及び／又は光沢剤の１種以上を
添加してなることを特徴とするすず一鉛−ビスマス合金
電気めっき浴が提供される。
加し、さらに界面活性剤及び／又は光沢剤の１種以上を
添加してなることを特徴とするすず一鉛−ビスマス合金
電気めっき浴が提供される。
本発明に従うすず一鉛−ビスマス合金めっき浴において
、すず塩、鉛塩及びビスマス塩を構成する有機スルホン
酸としては、特に下記の一般式％式％ ［ここで、Ｒは０１〜．のアルキル基を表し、Ｒ１は水
酸基、アリール基、アルキルアリール基、カルボキシル
基又はスルホン酸基を表し、そしてアルキル基の任意の
位置にあってよく、ｎはＯ〜３の整数を表す］ で示される有機スルホン酸。
、すず塩、鉛塩及びビスマス塩を構成する有機スルホン
酸としては、特に下記の一般式％式％ ［ここで、Ｒは０１〜．のアルキル基を表し、Ｒ１は水
酸基、アリール基、アルキルアリール基、カルボキシル
基又はスルホン酸基を表し、そしてアルキル基の任意の
位置にあってよく、ｎはＯ〜３の整数を表す］ で示される有機スルホン酸。
本発明のすず一鉛−ビスマス合金めっき浴に用いられる
上記（Ｃ）の有機スルホン酸の中でも特に重要なものは
、２−ヒドロキシェタンスルホン酸、２−ヒドロキシプ
ロパンスルホン酸、メタンスルホン酸、２−カルボキシ
エタンスルホン酸、スルホコハク酸である。
上記（Ｃ）の有機スルホン酸の中でも特に重要なものは
、２−ヒドロキシェタンスルホン酸、２−ヒドロキシプ
ロパンスルホン酸、メタンスルホン酸、２−カルボキシ
エタンスルホン酸、スルホコハク酸である。
有機スルホン酸の金属塩の総濃度は金属に換算して５〜
２００ｇ／β、好ましくはｌＯ〜１ｏ。
２００ｇ／β、好ましくはｌＯ〜１ｏ。
ｇ／４２である。
本発明に従うすず一鉛−ビスマス合金めっき浴に添加さ
れる錯化剤（ａ）及び（ｂ）の例としては、エチレンジ
アミンテトラ酢酸（略名ＥＤＴＡ） 、ジエチレントリ
アミンペンタ酢酸（略名ＤＴＰＡ） 、トリエチレンテ
トラミンヘキサ酢酸（略名ＴＴＨＡ） 、エチレンジオ
キシビス（エチルアミン）−Ｎ％Ｎ１Ｎ’、Ｎ”−テト
ラ酢酸等があげられる。添加濃度は本発明のめっき浴１
βにつき、０．０５〜２モル、好ましくは０．１〜０．
５モルである。またグルコン酸の添加濃度は本発明のめ
っき浴ＩＩ２につき、０．０１〜２モル、好ましくは０
．０３〜０．５モルである。（ａＪ又は（ｂ） とグル
コン酸を併用添加することによって浴の経時安定性が向
上し、電着物組成も安定なものが得られる。
れる錯化剤（ａ）及び（ｂ）の例としては、エチレンジ
アミンテトラ酢酸（略名ＥＤＴＡ） 、ジエチレントリ
アミンペンタ酢酸（略名ＤＴＰＡ） 、トリエチレンテ
トラミンヘキサ酢酸（略名ＴＴＨＡ） 、エチレンジオ
キシビス（エチルアミン）−Ｎ％Ｎ１Ｎ’、Ｎ”−テト
ラ酢酸等があげられる。添加濃度は本発明のめっき浴１
βにつき、０．０５〜２モル、好ましくは０．１〜０．
５モルである。またグルコン酸の添加濃度は本発明のめ
っき浴ＩＩ２につき、０．０１〜２モル、好ましくは０
．０３〜０．５モルである。（ａＪ又は（ｂ） とグル
コン酸を併用添加することによって浴の経時安定性が向
上し、電着物組成も安定なものが得られる。
更に本発明のすず一鉛−ビスマス合金めっき浴にはめっ
き皮膜の粒子を微細化させるために界面活性剤を添加す
ることができる。例えば、ポリエチレングリコールノニ
ルフェニルエーテル、オキシエチレンラウリルアミン、
ポリオキシエチレンラウリルアミン、ポリオキシエチレ
ンアルキルプロピレンジアミン、ニッサンアノンＢＦ（
ジメチルアルキルベタイン） 、Ｔｅｘｎｏｌ−Ｒ２（
ベタイン型）、リボミンＣＨ（イミダシリン系）、ファ
ーミンＲ８６Ｈ（ステアリルアミン塩酸塩）等があげら
れる。これら１種又は２種以上をめっき浴１４について
、０．２〜５０ｇ／β、好ましくは１〜１０ｇ／ｆ２添
加する。
き皮膜の粒子を微細化させるために界面活性剤を添加す
ることができる。例えば、ポリエチレングリコールノニ
ルフェニルエーテル、オキシエチレンラウリルアミン、
ポリオキシエチレンラウリルアミン、ポリオキシエチレ
ンアルキルプロピレンジアミン、ニッサンアノンＢＦ（
ジメチルアルキルベタイン） 、Ｔｅｘｎｏｌ−Ｒ２（
ベタイン型）、リボミンＣＨ（イミダシリン系）、ファ
ーミンＲ８６Ｈ（ステアリルアミン塩酸塩）等があげら
れる。これら１種又は２種以上をめっき浴１４について
、０．２〜５０ｇ／β、好ましくは１〜１０ｇ／ｆ２添
加する。
本発明のめっき浴に用いられる光沢剤はアセトアルデヒ
ドとｏ−トルイジンの反応生成物、アルドール化合物、
１−ナツトアルデヒド、２−メトキシナフトアルデヒド
、２−ヒドロキシナフトアルデヒド、ベンザルアセトン
、ホルマリン、アセトアルデヒド等があげられる。これ
らの１種又は２種以上をめっき浴の液１℃について、０
．０１〜３０ｇ／Ｉ２の範囲で添加する。
ドとｏ−トルイジンの反応生成物、アルドール化合物、
１−ナツトアルデヒド、２−メトキシナフトアルデヒド
、２−ヒドロキシナフトアルデヒド、ベンザルアセトン
、ホルマリン、アセトアルデヒド等があげられる。これ
らの１種又は２種以上をめっき浴の液１℃について、０
．０１〜３０ｇ／Ｉ２の範囲で添加する。
また本発明のめっき浴のｐＨを１〜５の間にもたらすの
に必要なｐＨ調整剤、例えば一般式（ｃ）で示された脂
肪族スルホン酸及びそれらのアンモニウム、モノエタノ
ールアミン、ジェタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエ
チレンペンタミン、ペンタエチレンテトラミン塩などが
あげられる。
に必要なｐＨ調整剤、例えば一般式（ｃ）で示された脂
肪族スルホン酸及びそれらのアンモニウム、モノエタノ
ールアミン、ジェタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエ
チレンペンタミン、ペンタエチレンテトラミン塩などが
あげられる。
更に本発明のめっき浴には必要に応じてカテコールやハ
イドロキノンなどの酸化防止剤を本発明の効果を損なわ
ない範囲で添加することができる。
イドロキノンなどの酸化防止剤を本発明の効果を損なわ
ない範囲で添加することができる。
［実施例］
次に本発明の実施例によるめっき浴の組成及びめっき条
件を示すが、本発明はこれら数例に限定されるものでは
なく、前述した目的に沿ってめっき浴組成及びめっき条
件は任意に変更することができる。
件を示すが、本発明はこれら数例に限定されるものでは
なく、前述した目的に沿ってめっき浴組成及びめっき条
件は任意に変更することができる。
夾１１丑１
下記組成を有するすず一鉛−ビスマス合金めっき浴を調
製した。
製した。
すず（２−ヒドロキシプロバンス ３．１ｇ／Ｒルホ
ン酸第−すずの水溶液と として添加） 鉛（２−ヒドロキシプロパンスル ６．４ｇ／にン酸
鉛の水溶液として添加） ビスマス（２−ヒドロキシプロパ ＩＯ，５ｇ／ｊン
スルホン酸ビスマスの水溶 液として添加〉 ２−ヒドロキシプロパンスルホン １．５ ｍｏｌ／
ｊ酸のジエチレントリアミン塩 Ｄ Ｔ Ｐ Ａ ０．２
ｍｏｌ／１２グルコン酸
０．０５ｍｏｌ／Ｒポリオキシエチレンラウリルアミ
５．０ｇ／ｊンのエチレンオキサイド２モ ル付加物 ハイドロキノン ０．Ｉｇ／１２
ｐＨ２，０ 得られためっき浴を用いてハルセル試験を行った。ハル
セル試験条件は総電流ＩＡ、時間５分、温度２５℃で行
った。アノードにはビスマス板、カソードには０．３Ｘ
７０Ｘ１００ｍｍの銅板を用い、以下各実施例浴からの
外観について評価した。
ン酸第−すずの水溶液と として添加） 鉛（２−ヒドロキシプロパンスル ６．４ｇ／にン酸
鉛の水溶液として添加） ビスマス（２−ヒドロキシプロパ ＩＯ，５ｇ／ｊン
スルホン酸ビスマスの水溶 液として添加〉 ２−ヒドロキシプロパンスルホン １．５ ｍｏｌ／
ｊ酸のジエチレントリアミン塩 Ｄ Ｔ Ｐ Ａ ０．２
ｍｏｌ／１２グルコン酸
０．０５ｍｏｌ／Ｒポリオキシエチレンラウリルアミ
５．０ｇ／ｊンのエチレンオキサイド２モ ル付加物 ハイドロキノン ０．Ｉｇ／１２
ｐＨ２，０ 得られためっき浴を用いてハルセル試験を行った。ハル
セル試験条件は総電流ＩＡ、時間５分、温度２５℃で行
った。アノードにはビスマス板、カソードには０．３Ｘ
７０Ｘ１００ｍｍの銅板を用い、以下各実施例浴からの
外観について評価した。
実１０艷旦
下記組成を有するすず一鉛−ビスマス合金めっき浴を調
製した。
製した。
すず（メタンスルホン酸第−すず ９．Ｏｇ／ｇの水
溶液として添加） 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液 ９．０ｇ／Ｒとし
て添加） ビスマス（メタンスルホン酸ビス ２．０ｇ／ｊマス
の水溶液として添加） メタンスルホン酸のアンモニウム塩 １．０ ｍｏｌ／
４１Ｄ Ｔ Ｐ Ａ ０
．３ ｍｏｌ／Ｒグルコン酸
０．３ ｍｏｌ／ｊニッサンアノンＢＦ
５．０ｇ／Ｉｆカテコール
０．３ｇ／ＲｐＨ２，２ 実ｌｕ生旦 下記組成を有するすず一鉛−ビスマス合金めっき浴を調
製した。
溶液として添加） 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液 ９．０ｇ／Ｒとし
て添加） ビスマス（メタンスルホン酸ビス ２．０ｇ／ｊマス
の水溶液として添加） メタンスルホン酸のアンモニウム塩 １．０ ｍｏｌ／
４１Ｄ Ｔ Ｐ Ａ ０
．３ ｍｏｌ／Ｒグルコン酸
０．３ ｍｏｌ／ｊニッサンアノンＢＦ
５．０ｇ／Ｉｆカテコール
０．３ｇ／ＲｐＨ２，２ 実ｌｕ生旦 下記組成を有するすず一鉛−ビスマス合金めっき浴を調
製した。
すず（メタンスルホン酸第−すず ８．Ｏｇ／Ｉｌの
水溶液として添加） 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液 ８、Ｏｇ／１２と
して添加） ビスマス（メタンスルホン酸鉛と ４．０ｇ／Ｒし
て添加） メタンスルホン酸のエチレンシア ２．Ｏｍｏｌ／１
ミン塩 ＴＴＨＡ ０．３ｍｏｌ
／１グルコン酸 ０．３ ｍｏ
ｌ／ＲＴｅｘｎｏｌ−Ｒ２５，Ｏｇ／１９ カテコール ０．２ｇＩＱｐ
Ｈ２，５ Ｘ急盟１ 下記組成を有するすず一鉛−ビスマス合金めっき浴を調
製した。
水溶液として添加） 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液 ８、Ｏｇ／１２と
して添加） ビスマス（メタンスルホン酸鉛と ４．０ｇ／Ｒし
て添加） メタンスルホン酸のエチレンシア ２．Ｏｍｏｌ／１
ミン塩 ＴＴＨＡ ０．３ｍｏｌ
／１グルコン酸 ０．３ ｍｏ
ｌ／ＲＴｅｘｎｏｌ−Ｒ２５，Ｏｇ／１９ カテコール ０．２ｇＩＱｐ
Ｈ２，５ Ｘ急盟１ 下記組成を有するすず一鉛−ビスマス合金めっき浴を調
製した。
すず（スルホコハク酸第−すずの ７．０ｇ／ｇ水溶
液として添加） 鉛（スルホコハク酸鉛の水溶液と ７．０ｇ／βして
添加） ビスマス（スルホコハク酸ビスマ ６．Ｏｇ／Ｉｔス
の水溶液として添加） スルホコハク酸のジエタノールア １．５ ｍｏｌ
／ｊミン Ｄ Ｔ Ｐ Ａ ０．２
ｍｏｌ／１グルコン酸 ０．
２ｍｏｌ／オポリオキシエチレンアルキルブロ ５
．Ｏｇ／ｌピレンジアミン ハイドロキノン ０．５ｇ／ｊｐ）
（２，０ Ｘ血盟亙 下記組成を有するすず一鉛−ビスマス合金めっき浴を調
製した。
液として添加） 鉛（スルホコハク酸鉛の水溶液と ７．０ｇ／βして
添加） ビスマス（スルホコハク酸ビスマ ６．Ｏｇ／Ｉｔス
の水溶液として添加） スルホコハク酸のジエタノールア １．５ ｍｏｌ
／ｊミン Ｄ Ｔ Ｐ Ａ ０．２
ｍｏｌ／１グルコン酸 ０．
２ｍｏｌ／オポリオキシエチレンアルキルブロ ５
．Ｏｇ／ｌピレンジアミン ハイドロキノン ０．５ｇ／ｊｐ）
（２，０ Ｘ血盟亙 下記組成を有するすず一鉛−ビスマス合金めっき浴を調
製した。
すず（２−カルボキシエタンスル ９．８ｇ／ｌホン
酸第−すずの水溶液と して添加） 鉛（２−カルボキシエタンスルホ ４．２ｇ／ｇン酸
鉛の水溶液として添加） ビスマス（２−カルボキシエタン ６．０ｇ／ｌスル
ホン酸ビスマスの水溶 液として添加） ２−カルボキシエタンスルホン酸の １．５ ｍｏｌ＃
ジエチレントリアミン塩 Ｅ Ｄ Ｔ Ａ Ｏ，２
ｍｏｌ／Ｑグルコン酸 ０．
３ ｍｏｌ＃リボミンＣＨ５，Ｏｇ／ｌ カテコール ０．３ｇ／ｌｐ８
３．０え校皿ユ 下記組成を有するすず一鉛−ビスマス合金めっき浴を調
製した。
酸第−すずの水溶液と して添加） 鉛（２−カルボキシエタンスルホ ４．２ｇ／ｇン酸
鉛の水溶液として添加） ビスマス（２−カルボキシエタン ６．０ｇ／ｌスル
ホン酸ビスマスの水溶 液として添加） ２−カルボキシエタンスルホン酸の １．５ ｍｏｌ＃
ジエチレントリアミン塩 Ｅ Ｄ Ｔ Ａ Ｏ，２
ｍｏｌ／Ｑグルコン酸 ０．
３ ｍｏｌ＃リボミンＣＨ５，Ｏｇ／ｌ カテコール ０．３ｇ／ｌｐ８
３．０え校皿ユ 下記組成を有するすず一鉛−ビスマス合金めっき浴を調
製した。
すず（メタンスルホン酸第−すず ３．Ｉｇ／ｌの水
溶液として添加） 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液 ６．４ｇ／Ｒとし
て添加） ビスマス（メタンスルホン酸ビス １０．５ｇ／ｊマ
スとして添加） メタンスルホン酸のジエチレント １．５ ｍｏｌ
／１リアミン塩 グルコン酸 ０．０５ｍｏｌ
／ＩＩポリオキシエチレンラウリルアミ ５．０ｇ
／ｊンのエチレンオキサイド２モ ル付加物 ハイドロキノン ０．１ｇ／Ｊｉｐ
Ｈ２，０ 各めっき浴から得られた試験片のハルセル試験結果を表
１にまとめた。
溶液として添加） 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液 ６．４ｇ／Ｒとし
て添加） ビスマス（メタンスルホン酸ビス １０．５ｇ／ｊマ
スとして添加） メタンスルホン酸のジエチレント １．５ ｍｏｌ
／１リアミン塩 グルコン酸 ０．０５ｍｏｌ
／ＩＩポリオキシエチレンラウリルアミ ５．０ｇ
／ｊンのエチレンオキサイド２モ ル付加物 ハイドロキノン ０．１ｇ／Ｊｉｐ
Ｈ２，０ 各めっき浴から得られた試験片のハルセル試験結果を表
１にまとめた。
ハルセル外観は高電流部（３Ａ／ｄｍ” ） 、中電流
部ＣＩ Ａ／ｄｍ” ） 、低電流部（０，５Ａ／ｄｍ
” ）に分けて灰白色系で微細な結晶な０、やや微細な
ものを○、暗色系微細なものをΔ、暗色系粗大なものを
×として肉眼で評価した。
部ＣＩ Ａ／ｄｍ” ） 、低電流部（０，５Ａ／ｄｍ
” ）に分けて灰白色系で微細な結晶な０、やや微細な
ものを○、暗色系微細なものをΔ、暗色系粗大なものを
×として肉眼で評価した。
Ｘ凰■１
下記組成を有するすず一鉛−ビスマス合金めっき浴を調
製した。
製した。
すず（メタンスルホン酸第−すず １６．２ ｇ／１
１の水溶液として添加） 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液 １．８ｇ／ｊとし
て添加） ビスマス（メタンスルホン酸ビス ２．０ｇ７ｇマ
スの水溶液として添加） メタンスルホン酸 １９２．０ ｇ／
ＩＩＤ Ｔ Ｐ Ａ ０
．２ ｍｏｌ／ｊグルコン酸
０． Ｑ５ｍｏｌ／１ポリエチレングリコールノニル
５．０ｇ／ｇフェニルエーテル アセトアルデヒドと０−トルイジ １０．Ｏｍｌｆ／
１１ンの反応生成物 ホルマリン ８．０ ｍＱ７
Ｂハイドロキノン ０．５ｇ／１
１Ｘ息盟ユ 下記組成を有するすず一鉛−ビスマス合金めっき浴を調
製した。
１の水溶液として添加） 鉛（メタンスルホン酸鉛の水溶液 １．８ｇ／ｊとし
て添加） ビスマス（メタンスルホン酸ビス ２．０ｇ７ｇマ
スの水溶液として添加） メタンスルホン酸 １９２．０ ｇ／
ＩＩＤ Ｔ Ｐ Ａ ０
．２ ｍｏｌ／ｊグルコン酸
０． Ｑ５ｍｏｌ／１ポリエチレングリコールノニル
５．０ｇ／ｇフェニルエーテル アセトアルデヒドと０−トルイジ １０．Ｏｍｌｆ／
１１ンの反応生成物 ホルマリン ８．０ ｍＱ７
Ｂハイドロキノン ０．５ｇ／１
１Ｘ息盟ユ 下記組成を有するすず一鉛−ビスマス合金めっき浴を調
製した。
すず（２−ヒドロキシプロパンス １４．４ｇ／１２
ルホン酸第−すずの水溶液と として添加） 鉛（２−ヒドロキシプロパンスル １．６ｇ／Ｒン酸
鉛の水溶液として添加） ビスマス（２−ヒドロキシプロパ ４．０ｇ／Ｑンス
ルホン酸ビスマスの水溶 液として添加） ２−ヒドロキシプロパンスルホ ２８０．Ｏｇ／Ｒン酸 Ｄ Ｔ Ｐ Ａ ０．
２ ｍｏｌ／ｉｔグルコン酸
０．０５ｍｏｌ／Ｒポリオキシエチレンラウリルアミ
５．０ｇ／ｌンのエチレンオキサイド７モ ル付加物 ｌ−ナフトアルデヒド ０．１ｇ／ｊカ
テコール ０．２ｇ／Ｉｔ実施
例１と同様にハルセル試験を行った結果、実施例６．７
ともにハルセル全面で鏡面光沢に近い良好な外観を有す
るめっき皮膜が得られた。
ルホン酸第−すずの水溶液と として添加） 鉛（２−ヒドロキシプロパンスル １．６ｇ／Ｒン酸
鉛の水溶液として添加） ビスマス（２−ヒドロキシプロパ ４．０ｇ／Ｑンス
ルホン酸ビスマスの水溶 液として添加） ２−ヒドロキシプロパンスルホ ２８０．Ｏｇ／Ｒン酸 Ｄ Ｔ Ｐ Ａ ０．
２ ｍｏｌ／ｉｔグルコン酸
０．０５ｍｏｌ／Ｒポリオキシエチレンラウリルアミ
５．０ｇ／ｌンのエチレンオキサイド７モ ル付加物 ｌ−ナフトアルデヒド ０．１ｇ／ｊカ
テコール ０．２ｇ／Ｉｔ実施
例１と同様にハルセル試験を行った結果、実施例６．７
ともにハルセル全面で鏡面光沢に近い良好な外観を有す
るめっき皮膜が得られた。
Ｘ血狙旦
実施例１及び２の浴をそれぞれ１℃建浴し、試料にφ２
Ｘ２００ｍｍの銅棒を用いて２５℃、２ ｍ／ｍｉｎの
カソードロッカーを行い、電流密度を変化させて膜厚的
１０μｍの５ｎ−Ｐｂ−Ｂｉ金合金っきを施し、電着物
組成はＰｂ、Ｂｉは電子吸光光度計により分析して求め
、電流効率はめっき前後の重量差から算出した。結果を
表２に示す。
Ｘ２００ｍｍの銅棒を用いて２５℃、２ ｍ／ｍｉｎの
カソードロッカーを行い、電流密度を変化させて膜厚的
１０μｍの５ｎ−Ｐｂ−Ｂｉ金合金っきを施し、電着物
組成はＰｂ、Ｂｉは電子吸光光度計により分析して求め
、電流効率はめっき前後の重量差から算出した。結果を
表２に示す。
この結果より、めっき浴組成に近い電着物組成が得られ
たのでめっき浴の管理が非常に容易である。
たのでめっき浴の管理が非常に容易である。
実太ｌ生旦
実施例１の浴を用いて、試料に０．３ Ｘ ２０ Ｘ３
０ｍｍの銅板に約５μｍのめっきを行い、オイルフュー
ジング試験を行った。オイルにシリコーンＫＦ−５４（
信越化手製）を、フラックスにスパークルフラックスＷ
Ｆ−２２を用いた。温度を１１０−１２０℃に変えて試
料を浸漬した結果、１１５℃で合金皮膜の融解が認めら
れ、良好な外観を呈した。
０ｍｍの銅板に約５μｍのめっきを行い、オイルフュー
ジング試験を行った。オイルにシリコーンＫＦ−５４（
信越化手製）を、フラックスにスパークルフラックスＷ
Ｆ−２２を用いた。温度を１１０−１２０℃に変えて試
料を浸漬した結果、１１５℃で合金皮膜の融解が認めら
れ、良好な外観を呈した。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明によれば、特定の錯化剤
とグルコン酸とを併用添加することにより浴の経時安定
性が向上し、また組成が安定したすず一鉛−ビスマス合
金皮膜が得られ、外観が良好な三元合金めっきを品物に
めっきすることが出来、しかも融点が従来のはんだ皮膜
に比べて低いので実装技術に対応して信頼性の高いはん
だ付けができる効果がある。
とグルコン酸とを併用添加することにより浴の経時安定
性が向上し、また組成が安定したすず一鉛−ビスマス合
金皮膜が得られ、外観が良好な三元合金めっきを品物に
めっきすることが出来、しかも融点が従来のはんだ皮膜
に比べて低いので実装技術に対応して信頼性の高いはん
だ付けができる効果がある。
手続補正書
補正の対象
平成２年４月３日
Claims (3)
- （１）アルカンスルホン酸及び／又はアルカノールスル
ホン酸のすず塩、鉛塩及びビスマス塩を含有する主めっ
き浴に一般式（ａ）及び（ｂ） （ａ）▲数式、化学式、表等があります▼ ［ここで、Ｒ′：直鎖又は分岐アルキレン （Ｃ＿１＿〜＿４）、 Ｘ：Ｈ、アルキル（Ｃ＿１＿〜＿３）、 ▲数式、化学式、表等があります▼ Ｒ：Ｈ、アルキル（Ｃ＿１＿〜＿３）、 Ｍ：Ｈ、アルカリ金属、 ｎ：１〜４］ （ｂ）▲数式、化学式、表等があります▼ ［ここで、Ｒ″：直鎖又は分岐アルキレン （Ｃ＿１＿〜＿４）、 Ｘ：Ｈ、アルキル（Ｃ＿１＿〜＿３）、 ▲数式、化学式、表等があります▼ Ｒ：Ｈ、アルキル（Ｃ＿１＿〜＿３）、 Ｍ：Ｈ、アルカリ金属、 ｍ：１〜３］ で表される少なくとも１種の錯化剤及びグルコン酸を添
加し、さらに界面活性剤及び／又は光沢剤の１種以上を
添加してなることを特徴とするすず−鉛−ビスマス合金
電気めっき浴。 - （２）ｐＨ調整剤をさらに含有することを特徴とする請
求項１記載のすず−鉛−ビスマス合金電気めっき浴。 - （３）酸化防止剤をさらに含有することを特徴とする請
求項１記載のすず−鉛−ビスマス合金電気めっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2039793A JP2819180B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | すず―鉛―ビスマス合金めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2039793A JP2819180B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | すず―鉛―ビスマス合金めっき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03243788A true JPH03243788A (ja) | 1991-10-30 |
| JP2819180B2 JP2819180B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=12562833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2039793A Expired - Lifetime JP2819180B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | すず―鉛―ビスマス合金めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819180B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2346620A (en) * | 1999-02-12 | 2000-08-16 | Murata Manufacturing Co | Sn-Bi alloy plating bath |
| US6280591B1 (en) | 1997-10-01 | 2001-08-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image forming method and image forming material |
| JP2006052421A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Ishihara Chem Co Ltd | 鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴 |
| JP2006117980A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Ishihara Chem Co Ltd | 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴 |
| US20140054788A1 (en) * | 2011-03-08 | 2014-02-27 | Japan Science And Technology Agency | Method for fabricating nanogap electrodes, nanogap electrodes array, and nanodevice with the same |
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| JPS59500475A (ja) * | 1982-03-15 | 1984-03-22 | ジ−・エス・ピ−・メタルズ・アンド・ケミカルズ・コ−ポレイシヨン | キレ−ト化金属 |
| JPS6314887A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-22 | Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk | 有機スルホン酸塩からのビスマス合金めっき浴 |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP2039793A patent/JP2819180B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| GB2346620B (en) * | 1999-02-12 | 2001-05-23 | Murata Manufacturing Co | Sn-Bi alloy plating bath and method of plating using the same |
| US6500327B1 (en) | 1999-02-12 | 2002-12-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sn-Bi alloy plating bath and method of plating using the same |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2819180B2 (ja) | 1998-10-30 |
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