JPH03244138A - ワイヤボンディング方法及びそれに使用する銅系リードフレーム - Google Patents
ワイヤボンディング方法及びそれに使用する銅系リードフレームInfo
- Publication number
- JPH03244138A JPH03244138A JP2039817A JP3981790A JPH03244138A JP H03244138 A JPH03244138 A JP H03244138A JP 2039817 A JP2039817 A JP 2039817A JP 3981790 A JP3981790 A JP 3981790A JP H03244138 A JPH03244138 A JP H03244138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- wire bonding
- oxide film
- copper
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01571—Cleaning, e.g. oxide removal or de-smearing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07511—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、貴金属メッキを施さない銅系リートフレーム
にＡｕ．Ａｌ，Ｃｕ線等をワイヤボンディングする方法
及びそれに使用する銅系リートフレームに関するもので
ある。
にＡｕ．Ａｌ，Ｃｕ線等をワイヤボンディングする方法
及びそれに使用する銅系リートフレームに関するもので
ある。
［従来の技術コ
従来、ＩＣ等の半導体装置の製造においては、リードフ
レーム材料をスタンピング又はエッチングして所定のり
−トフレーム形状とした後、そのインナーリートのワイ
ヤボンディング部またはそれとチップを搭載するダイボ
ンド部とにＡｕやＡｇ等の貴金属のメッキを施してリー
ドフレームとなし、次いて半導体組立工程にてチップを
ダイホント部上に接合し、チップのパッド部とインナー
リード間に電気的接続のためＡｕ、ＡＩ或いはＣｕワイ
ヤをボンディングしている。
レーム材料をスタンピング又はエッチングして所定のり
−トフレーム形状とした後、そのインナーリートのワイ
ヤボンディング部またはそれとチップを搭載するダイボ
ンド部とにＡｕやＡｇ等の貴金属のメッキを施してリー
ドフレームとなし、次いて半導体組立工程にてチップを
ダイホント部上に接合し、チップのパッド部とインナー
リード間に電気的接続のためＡｕ、ＡＩ或いはＣｕワイ
ヤをボンディングしている。
ワイヤボンディングの後は、リードフレームのアウター
リードを残して樹脂封止した後、アウターリートにＳｎ
又は低Ｐｂ−３ｎのメッキを施し、不要なフレーム部を
除去し、アウターリードを所定の形状に曲げ加工して製
品とする。
リードを残して樹脂封止した後、アウターリートにＳｎ
又は低Ｐｂ−３ｎのメッキを施し、不要なフレーム部を
除去し、アウターリードを所定の形状に曲げ加工して製
品とする。
近年では、省貴金属の観点から、上述したリードフレー
ムの製造時でのＡｕ又はＡｇメッキを省略して、リード
フレームのインナーリード部上に直接ワイヤをボンディ
ングする方法が一部で利用されている。
ムの製造時でのＡｕ又はＡｇメッキを省略して、リード
フレームのインナーリード部上に直接ワイヤをボンディ
ングする方法が一部で利用されている。
［発明が解決しようとする課題］
ワイヤボンディングは一種の圧接てあり、リードフレー
ム及びワイヤ両者か適当に変形して新生面を露出するこ
とにより圧接される。純銅や希薄銅合金で作られたリー
ドフレームは、例えばディスクリートトランジスタ等に
用いられているが、これら従来の銅系リードフレームは
一般に肉厚てあり、軟質に調質して利用てきるけれども
、多ビンで薄肉化したリードフレームを利用する場合に
は合金元素添加によるリードフレーム材料の高強度化が
必須となっており、ワイヤボンダビリティの低下の一因
となっていた。
ム及びワイヤ両者か適当に変形して新生面を露出するこ
とにより圧接される。純銅や希薄銅合金で作られたリー
ドフレームは、例えばディスクリートトランジスタ等に
用いられているが、これら従来の銅系リードフレームは
一般に肉厚てあり、軟質に調質して利用てきるけれども
、多ビンで薄肉化したリードフレームを利用する場合に
は合金元素添加によるリードフレーム材料の高強度化が
必須となっており、ワイヤボンダビリティの低下の一因
となっていた。
本発明は、合金元素を添加した銅系リードフレームを用
いて貴金属メッキを施すことなくワイヤボンディングを
行なう場合に、ボンダリティの低下を抑制出来る改良さ
れたワイヤボンディング方法及びそれに使用する銅系リ
ードフレームを提供することを目的とする。
いて貴金属メッキを施すことなくワイヤボンディングを
行なう場合に、ボンダリティの低下を抑制出来る改良さ
れたワイヤボンディング方法及びそれに使用する銅系リ
ードフレームを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に係るワイヤボンディング方法は、貴金属メッキ
を施さない銅系リードフレームにワイヤボンディングす
る方法てあって、 ワイヤボンディング前に該銅系リードフレームの少なく
ともボンディング位置の表面に酸化膜を形成する工程と
、 該酸化膜を形威したり−トフレームを還元ガス中に保持
して、該酸化膜を還元する工程とを含み、 前記還元工程の後に非酸化性雰囲気中にてワイヤボンデ
ィングを行なうものであり、前記酸化膜は好ましくは
２００〜３０００Åの範囲内の膜厚とする。
を施さない銅系リードフレームにワイヤボンディングす
る方法てあって、 ワイヤボンディング前に該銅系リードフレームの少なく
ともボンディング位置の表面に酸化膜を形成する工程と
、 該酸化膜を形威したり−トフレームを還元ガス中に保持
して、該酸化膜を還元する工程とを含み、 前記還元工程の後に非酸化性雰囲気中にてワイヤボンデ
ィングを行なうものであり、前記酸化膜は好ましくは
２００〜３０００Åの範囲内の膜厚とする。
また、この方法に使用するための本発明に係る銅系リー
ドフレームでは、各々０５％以下のＺ「Ｃｒ Ｔｉ Ｆ
ｅ Ｎｉ、Ｃｏ 、または０．１％以下のＰの１種又は
２種以上を含有し、残部がＣｕからなるものであり、好
ましくは更に０．３％以下のＳｎ。
ドフレームでは、各々０５％以下のＺ「Ｃｒ Ｔｉ Ｆ
ｅ Ｎｉ、Ｃｏ 、または０．１％以下のＰの１種又は
２種以上を含有し、残部がＣｕからなるものであり、好
ましくは更に０．３％以下のＳｎ。
Ｚｎの１ｆ！！又は２種を含有してなるものである。
［作 用コ
本発明は、貴金属メッキを施さない銅系り一トフレーム
にワイヤボンディングするに際して、ワイヤボンディン
グ前の該銅系リードフレーム表面に例えば加熱によりあ
る膜厚の酸化膜（Ｃｕｂ）を積極的に形威し、該酸化膜
を形成したリードフレームを還元ガス中に保持して該酸
化膜を還元した後、非酸化性雰囲気中にてワイヤボンデ
ィングするものであるため、リードフレームの組成か純
銅でない合金組成てあっても、前記酸化膜を還元した後
の銅系リードフレーム表面が純銅に近い軟らかい組成と
なり、ワイヤボンディングの熱圧着て、リードフレーム
及びワイヤ両者が良好に変形して新生面同士で圧接され
ることになる。
にワイヤボンディングするに際して、ワイヤボンディン
グ前の該銅系リードフレーム表面に例えば加熱によりあ
る膜厚の酸化膜（Ｃｕｂ）を積極的に形威し、該酸化膜
を形成したリードフレームを還元ガス中に保持して該酸
化膜を還元した後、非酸化性雰囲気中にてワイヤボンデ
ィングするものであるため、リードフレームの組成か純
銅でない合金組成てあっても、前記酸化膜を還元した後
の銅系リードフレーム表面が純銅に近い軟らかい組成と
なり、ワイヤボンディングの熱圧着て、リードフレーム
及びワイヤ両者が良好に変形して新生面同士で圧接され
ることになる。
更に、本発明において好ましくは、酸化膜の膜厚な ２
００〜３０００大の範囲内とする。即ち、酸化膜の膜厚
が２００Å未満ではボンディングが不充分となることが
あり、また、３０００Åをこえると酸化膜自身が剥離す
ることかあるので望ましくない。また、より効果的には
合金にもよるが３００〜１５００Åであることが確認さ
れている。
００〜３０００大の範囲内とする。即ち、酸化膜の膜厚
が２００Å未満ではボンディングが不充分となることが
あり、また、３０００Åをこえると酸化膜自身が剥離す
ることかあるので望ましくない。また、より効果的には
合金にもよるが３００〜１５００Åであることが確認さ
れている。
本発明のブｊ法に用いるに適した銅系リードフレームは
、各々０５％以下のＺ ｒ、Ｃｒ、Ｔ ｉ、Ｆ ｅ、Ｎ
ｉＣｏ、または０１％以下のＰの１種又は２ｆ！以上
空なる高融点元素を含有し、残部かＣｕからなる合金で
ある。Ｚ ｒ、Ｃｒ、Ｔ ｉ、 Ｆ ｅ、Ｎ ｉ、ＣＯ
の含有率が０．５％、Ｐが０１％より多くなると、酸化
膜を還元した後の表面に存在するＣｕ以外の元素の比率
か多くなり、ワイヤボンディング性を劣化せしめること
があるからである。
、各々０５％以下のＺ ｒ、Ｃｒ、Ｔ ｉ、Ｆ ｅ、Ｎ
ｉＣｏ、または０１％以下のＰの１種又は２ｆ！以上
空なる高融点元素を含有し、残部かＣｕからなる合金で
ある。Ｚ ｒ、Ｃｒ、Ｔ ｉ、 Ｆ ｅ、Ｎ ｉ、ＣＯ
の含有率が０．５％、Ｐが０１％より多くなると、酸化
膜を還元した後の表面に存在するＣｕ以外の元素の比率
か多くなり、ワイヤボンディング性を劣化せしめること
があるからである。
また、本発明の銅系リードフレームでは、前記合金組成
に、更に０３％以下のＳｎ、Ｚｎの１種又は２種を含有
させることもでき、この場合、前記組成範囲内では、Ｚ
ｒ、Ｃｒ、Ｔ ｉ、Ｆ ｅ、Ｎ ｉ、Ｃｏ、Ｐ等の元
素は還元後に表面に殆ど露出残留しないのて、ボンダビ
リティを低下させないが、低融点金属であるＳｎやＺｎ
は、その含有率が多いと前記還元処理の後にも合金表層
にその酸化物を残留して、ボンダビリティを低下せしめ
る恐れがあるので、好ましい含有率を０３％以下に規定
するものである。
に、更に０３％以下のＳｎ、Ｚｎの１種又は２種を含有
させることもでき、この場合、前記組成範囲内では、Ｚ
ｒ、Ｃｒ、Ｔ ｉ、Ｆ ｅ、Ｎ ｉ、Ｃｏ、Ｐ等の元
素は還元後に表面に殆ど露出残留しないのて、ボンダビ
リティを低下させないが、低融点金属であるＳｎやＺｎ
は、その含有率が多いと前記還元処理の後にも合金表層
にその酸化物を残留して、ボンダビリティを低下せしめ
る恐れがあるので、好ましい含有率を０３％以下に規定
するものである。
［実施例］
以下、本発明の実施例について更に詳しく説明する。
第１表に示した本発明の実施例に係る合金組成のリード
フレームと第２表に示した比較例に係る合金組成のリー
ドフレームとを準備し、各々について １８０℃大気雰
囲気中で所定時間加熱して、各表中に示した膜厚の酸化
膜を形成せしめた。
フレームと第２表に示した比較例に係る合金組成のリー
ドフレームとを準備し、各々について １８０℃大気雰
囲気中で所定時間加熱して、各表中に示した膜厚の酸化
膜を形成せしめた。
その後３００℃の１０％Ｈ２−Ｎ２雰囲気中で酸化膜を
完全に還元した後、市販のワイヤボンダーを行い、ボン
ディング性を評価した。
完全に還元した後、市販のワイヤボンダーを行い、ボン
ディング性を評価した。
ワイヤボンダーは、新用製ＦＡ−ＣｕＢ−１０を用い、
１０％Ｈ２−Ｎ ２雰囲気下で直径２５μｍのＡｕ線を
用いて２ｍｍのループ長にて荷重５０ｇ、超音波出力５
０ｄＴＵ 、圧着時間３０ｍ５ｅｃ、圧接温度２７０℃
の条件で行った。
１０％Ｈ２−Ｎ ２雰囲気下で直径２５μｍのＡｕ線を
用いて２ｍｍのループ長にて荷重５０ｇ、超音波出力５
０ｄＴＵ 、圧着時間３０ｍ５ｅｃ、圧接温度２７０℃
の条件で行った。
ボンディング性の評価は、ワイヤループ中央を引張り、
ワイヤ接合部が剥れずにワイヤが破断した割合で示した
。尚、各々のサンプル数は１０００である。
ワイヤ接合部が剥れずにワイヤが破断した割合で示した
。尚、各々のサンプル数は１０００である。
第１表より、本発明に従って適当な酸化膜を形成した後
に還元することにより、ワイヤボンディング性が優れる
ことが判かる。また、第２表に示す通り、リードフレー
ムの合金組成が、各々０５％以上のＺｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏまたは０．１％以上のＰの１種または
２種以上を含有するもの、または０．３％以上のＳｎ、
Ｚｎの１種または２種を含有するものては、 ２００〜
３０００Åの酸化膜厚範囲でもボンディング性は劣り、
また合金組成が本発明の範囲内であっても酸化膜厚が２
００λ未満であるとボンディング性が若干劣り、また３
０００人を越えると酸化膜の剥離が起きてしまうことが
判る。
に還元することにより、ワイヤボンディング性が優れる
ことが判かる。また、第２表に示す通り、リードフレー
ムの合金組成が、各々０５％以上のＺｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏまたは０．１％以上のＰの１種または
２種以上を含有するもの、または０．３％以上のＳｎ、
Ｚｎの１種または２種を含有するものては、 ２００〜
３０００Åの酸化膜厚範囲でもボンディング性は劣り、
また合金組成が本発明の範囲内であっても酸化膜厚が２
００λ未満であるとボンディング性が若干劣り、また３
０００人を越えると酸化膜の剥離が起きてしまうことが
判る。
（以下、余白）
第１表
［発明の効果コ
以上説明した通り、本発明では、貴金属メッキを施さな
い銅系リードフレームにワイヤボンディングするに際し
て、ワイヤボンディング前の該銅系リードフレーム表面
に酸化膜を形成した後、該酸化膜を形成したリードフレ
ームを還元ガス中に保持して該酸化膜を還元した後、非
酸化性雰囲気中にてワイヤボンディングを行なうもので
、酸化膜を還元した銅系リードフレーム表面が純銅に近
い軟らかい組成となり、ワイヤボンディングの熱圧着で
、リードフレーム及びワイヤ両者か良好に変形して新生
面同士で圧接される。このように、薄肉化のための合金
組成を有する銅系リードフレームの場合であっても貴金
属を使用せずにワイヤボンディングを良好な状態で行な
うことが可能となり、その工業的価値は極めて大きい。
い銅系リードフレームにワイヤボンディングするに際し
て、ワイヤボンディング前の該銅系リードフレーム表面
に酸化膜を形成した後、該酸化膜を形成したリードフレ
ームを還元ガス中に保持して該酸化膜を還元した後、非
酸化性雰囲気中にてワイヤボンディングを行なうもので
、酸化膜を還元した銅系リードフレーム表面が純銅に近
い軟らかい組成となり、ワイヤボンディングの熱圧着で
、リードフレーム及びワイヤ両者か良好に変形して新生
面同士で圧接される。このように、薄肉化のための合金
組成を有する銅系リードフレームの場合であっても貴金
属を使用せずにワイヤボンディングを良好な状態で行な
うことが可能となり、その工業的価値は極めて大きい。
Claims (4)
- （１）貴金属メッキを施さない銅系リードフレームにワ
イヤボンディングする方法であって、 ワイヤボンディング前に該銅系リードフレームの少なく
ともボンディング位置の表面に酸化膜を形成する工程と
、 該酸化膜を形成したリードフレームを還元ガス中に保持
して、該酸化膜を還元する工程とを含み、 前記還元工程の後に非酸化性雰囲気中にてワイヤボンデ
ィングを行なうことを特徴とするワイヤボンディング方
法。 - （２）前記酸化膜の膜厚を２００〜３０００Åとするこ
とを特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディング方
法。 - （３）各々０．５％以下のＺｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、または０．１％以下のＰの１種又は２種以上
を含有し、残部がＣｕからなることを特徴とする前記請
求項１に記載のワイヤボンディング方法に使用する銅系
リードフレーム。 - （４）前記請求項３に記載のリードフレームにおいて、
更に０．３％以下のＳｎ、Ｚｎの１種又は２種を含有し
てなることを特徴とする銅系リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2039817A JP2721259B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | ワイヤボンディング方法及びそれに使用する銅系リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2039817A JP2721259B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | ワイヤボンディング方法及びそれに使用する銅系リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03244138A true JPH03244138A (ja) | 1991-10-30 |
| JP2721259B2 JP2721259B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=12563523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2039817A Expired - Lifetime JP2721259B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | ワイヤボンディング方法及びそれに使用する銅系リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2721259B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8179548B2 (en) | 2006-06-06 | 2012-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus and method for data processing |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP2039817A patent/JP2721259B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8179548B2 (en) | 2006-06-06 | 2012-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus and method for data processing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2721259B2 (ja) | 1998-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1991019320A1 (fr) | Cadre de montage et boitier a semiconducteurs utilisant ce cadre | |
| JP2714560B2 (ja) | ダイレクトボンディング性の良好な銅合金 | |
| JPS60124960A (ja) | 半導体素子結線用線 | |
| JP2701419B2 (ja) | 半導体素子用金合金細線及びその接合方法 | |
| JPH03244138A (ja) | ワイヤボンディング方法及びそれに使用する銅系リードフレーム | |
| JPH01257356A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
| JP2771145B2 (ja) | 耐腐食性リードフレーム | |
| JP3313006B2 (ja) | ベアボンド用銅合金リードフレーム | |
| JP2797846B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置のＣｕ合金製リードフレーム材 | |
| JP2714561B2 (ja) | ダイレクトボンディング性の良好な銅合金 | |
| JPH02170934A (ja) | ダイレクトボンディング性の良好な銅合金 | |
| JPH0717982B2 (ja) | リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料 | |
| JPS6123861B2 (ja) | ||
| JP3444981B2 (ja) | リードフレーム及びリードフレーム用素材 | |
| JPS6353287A (ja) | Ａｇ被覆導体 | |
| JPH061798B2 (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH02170935A (ja) | ダイレクトボンディング性の良好な銅合金 | |
| JPS6218614B2 (ja) | ||
| JP3280686B2 (ja) | 民生用素子およびその製造方法 | |
| JPH02251155A (ja) | 半導体素子用金合金細線及びその接合方法 | |
| JPS62130249A (ja) | ボンデイング用銅細線 | |
| JPH01135057A (ja) | リードフレーム材料の製造方法 | |
| JPH03199354A (ja) | ダイレクトボンドの可能なリードフレーム用銅合金 | |
| JPS6240753A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム | |
| JPS62141747A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム |