JPS6353287A - Ａｇ被覆導体 - Google Patents
Ａｇ被覆導体Info
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- JPS6353287A JPS6353287A JP19638186A JP19638186A JPS6353287A JP S6353287 A JPS6353287 A JP S6353287A JP 19638186 A JP19638186 A JP 19638186A JP 19638186 A JP19638186 A JP 19638186A JP S6353287 A JPS6353287 A JP S6353287A
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- alloy
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- coated
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はダイオード、トランジスタ、ＩＣ，各種センサ
ーなどの電子部品のリード材として使用されるＡｇ被１
導体に関するものである。
ーなどの電子部品のリード材として使用されるＡｇ被１
導体に関するものである。
（従来技術）
一般にトランジスタやＩＣなどの電子部品の実装にはリ
ードフレームやリード線がリード材として使用されてい
る。
ードフレームやリード線がリード材として使用されてい
る。
これらリード材の基体には、従来よりＦａ −Ｎｉ −
導体であるＣｕ又はＣｕ合金が多用されるようになった
。
導体であるＣｕ又はＣｕ合金が多用されるようになった
。
これら基体の表面にはＡｇ又？′ｉＡｇ合金が被覆され
半田付は性、ポンディング性、耐食性、導電性等の改良
が計られているが、Ａｇは貴金属であるため経済的理由
から可及的に薄く被覆することが要求されている。Ａｇ
被覆層が薄くなると半田付けなどでの加熱により基体の
金属元素がＡｇ被覆層へ拡散してＡｇ被覆層の機能が大
巾に低下する場合がある。
半田付は性、ポンディング性、耐食性、導電性等の改良
が計られているが、Ａｇは貴金属であるため経済的理由
から可及的に薄く被覆することが要求されている。Ａｇ
被覆層が薄くなると半田付けなどでの加熱により基体の
金属元素がＡｇ被覆層へ拡散してＡｇ被覆層の機能が大
巾に低下する場合がある。
このため基体とＡｇ被覆層の間にＮ１などの中間層を設
けて拡散を防止する方法が広く利用されている。
けて拡散を防止する方法が広く利用されている。
（発明が解決しようとする問題点）
Ａｇなどが被覆された基体には８１などの素子が半田付
けされるが基体と素子の間に生じる熱歪を半田に吸収さ
せるために、半田は４０〜１００μと厚くつける必要が
ある。
けされるが基体と素子の間に生じる熱歪を半田に吸収さ
せるために、半田は４０〜１００μと厚くつける必要が
ある。
しかるに、Ｎ１などの中間層を設けた従来のＡｇ被覆導
体においては、半田の流動性がよいため、半田を厚くつ
けられないという問題が生じている。
体においては、半田の流動性がよいため、半田を厚くつ
けられないという問題が生じている。
これに対し、基体の素子塔載部分をコイニング加工又は
溝加工して半田の流下を防止する対策がとられているが
、加工が煩わしく、特にダイオードの組立てにおいてリ
ード線のヘッダ一部にこの加工を施すことは極めて困難
で、実用上支障を来たしている。又酸素（０旬はＡｇ中
の透過速度が大きいため、高温工程時又は使用中に高温
にさらされると、０鵞がＡｇ被覆層を透過してＮ１など
の中間層が酸化しＡｇ被覆層が剥離し易くなるという問
題がある。
溝加工して半田の流下を防止する対策がとられているが
、加工が煩わしく、特にダイオードの組立てにおいてリ
ード線のヘッダ一部にこの加工を施すことは極めて困難
で、実用上支障を来たしている。又酸素（０旬はＡｇ中
の透過速度が大きいため、高温工程時又は使用中に高温
にさらされると、０鵞がＡｇ被覆層を透過してＮ１など
の中間層が酸化しＡｇ被覆層が剥離し易くなるという問
題がある。
（問題点を解決するための手段）
本発明はかかる状況に鑑み種々検討の結果、半田厚付は
性ならびにＡｇ又はＡｇ合金被覆層の密着性（以下Ａｇ
密着性と略す）に優れ且つ変色をおこさないＡｇ被覆導
体を開発したもので、基体の少なくとも一部表面にＮｉ
、）又はその合金が被覆され、該被覆層の少なくとも一
部表面にＡｇ又はＡｇ合金が被覆された導体において、
これら被覆層の中間にＣｕ又はＣｕ合金層及びＳｎ又は
Ｓｎ合金層を順次介在させたことを特徴としたものであ
り、父上記において、Ｃｕ又はＣｕ合金層及びＳｎ又は
Ｓｎ合金層の厚さがそれぞれＡｇ又はＡｇ合金層の厚さ
のｍ〜百であり、更に基体がＣｕ又はＣｕ合金からなる
ことを特徴とするものである。
性ならびにＡｇ又はＡｇ合金被覆層の密着性（以下Ａｇ
密着性と略す）に優れ且つ変色をおこさないＡｇ被覆導
体を開発したもので、基体の少なくとも一部表面にＮｉ
、）又はその合金が被覆され、該被覆層の少なくとも一
部表面にＡｇ又はＡｇ合金が被覆された導体において、
これら被覆層の中間にＣｕ又はＣｕ合金層及びＳｎ又は
Ｓｎ合金層を順次介在させたことを特徴としたものであ
り、父上記において、Ｃｕ又はＣｕ合金層及びＳｎ又は
Ｓｎ合金層の厚さがそれぞれＡｇ又はＡｇ合金層の厚さ
のｍ〜百であり、更に基体がＣｕ又はＣｕ合金からなる
ことを特徴とするものである。
本発明において、基体にはＮｉ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ −
Ｎｉ−Ｃｒ Ｆｅ−Ｎ１−Ｇｏ金合金外に放熱性、導
電性の大きいＣｕ又はＣＣｕ−３ｎ１Ｃｕ−Ａ、 Ｃｕ
−Ｔｉ、Ｃｕ −Ｃｒ ％Ｃｕ−Ｚｒ −Ｃｒ％Ｃｕ−
Ｆｅなどの合金が用いられる。
Ｎｉ−Ｃｒ Ｆｅ−Ｎ１−Ｇｏ金合金外に放熱性、導
電性の大きいＣｕ又はＣＣｕ−３ｎ１Ｃｕ−Ａ、 Ｃｕ
−Ｔｉ、Ｃｕ −Ｃｒ ％Ｃｕ−Ｚｒ −Ｃｒ％Ｃｕ−
Ｆｅなどの合金が用いられる。
被覆層のうち基体上に被覆される第−層にはＮｉ、ＣＯ
又はＮｉ −Ｃｏ、Ｎｉ −Ｆｅ、Ｎｉ−８ｎ、 Ｎ
ｉ−Ｂ 、 Ｎｉ −Ｃｒ１Ｇｏ−Ｂ、■−Ｐｄなどの
一合金が用いられその厚さはα１μ以上で、実用上はα
３〜５μが望ましい。
又はＮｉ −Ｃｏ、Ｎｉ −Ｆｅ、Ｎｉ−８ｎ、 Ｎ
ｉ−Ｂ 、 Ｎｉ −Ｃｒ１Ｇｏ−Ｂ、■−Ｐｄなどの
一合金が用いられその厚さはα１μ以上で、実用上はα
３〜５μが望ましい。
最外層となる第四層にはＡｇ又はＡｇ−Ａｕ、 Ａｇ
−Ｐｄ。
−Ｐｄ。
Ａｇ−８ｂ％Ａｇ −ＳｎなどのＡｇ合金が用いられ、
その厚さは０５μ以上で実用上は１〜１０μが望ましい
。
その厚さは０５μ以上で実用上は１〜１０μが望ましい
。
第−層の上に被覆される第二層にはＣｉｕ、又はＣｕ−
Ｚｎ、 Ｃｕ−Ｆｅ１Ｃｕ−Ｔｉ、Ｃｕ−ＺｒなどのＣ
ｕ合金が用いられ、その厚さはＡｇ又はＡｇ合金からな
る第四層の厚さのπ〜５００である。
Ｚｎ、 Ｃｕ−Ｆｅ１Ｃｕ−Ｔｉ、Ｃｕ−ＺｒなどのＣ
ｕ合金が用いられ、その厚さはＡｇ又はＡｇ合金からな
る第四層の厚さのπ〜５００である。
第二層の上に被覆される第三層にはＳｎ、又は５ｎ−Ｚ
ｎ、 ５ｎ−ＰｂなどのＳｎ合金が用いられ、その厚
さはＡｇ又はＡｇ合金からなる第四層の厚さの５〜Ａ面
である。
ｎ、 ５ｎ−ＰｂなどのＳｎ合金が用いられ、その厚
さはＡｇ又はＡｇ合金からなる第四層の厚さの５〜Ａ面
である。
これらの層は電気メッキ、化学メッキ、ＰＶＤ法、クラ
ッド法等の任意の方法で被覆することができる。
ッド法等の任意の方法で被覆することができる。
（作 用）
本発明において、半田厚付は性が優れる理由は、半田接
合時の高温加熱によって第三層のＳｎ又はＳｎ合金及び
第二層のＣｕ又はＣｕ合金がＡｇ又はＡｇ合金層と一緒
に半田中へ溶出して半田の粘性又は表面張力を有利に変
化させ、特にＣｕなどの高融点成分が共存して半田の流
動性を低下させるためと推測される。
合時の高温加熱によって第三層のＳｎ又はＳｎ合金及び
第二層のＣｕ又はＣｕ合金がＡｇ又はＡｇ合金層と一緒
に半田中へ溶出して半田の粘性又は表面張力を有利に変
化させ、特にＣｕなどの高融点成分が共存して半田の流
動性を低下させるためと推測される。
〜密着性が優れる理由としては次の５点が考えられる、
即ち（１）Ａｇ被覆層とＮ１などの中間層とは相互に拡
散又は合金化することはないが、Ｓｎ又はＳｎ合金層及
びＣｕ又はＣｕ合金層が介在すると各層間に容易に合金
層が生成するようになり密着力が向上する、（２） Ａ
ｇ中全全透過たＯｘはＳｎ又はＳｎ合金層及びＣｕ又は
Ｃｕ合金層によってトラップされ、Ｎ１などの中間層の
酸化が抑止される、（３）Ｃｕ又はＣｕ合金層の介在に
よＶ） Ｎｉ −Ｓｎ系の萱丘合物の生成が抑止される
、などである。
即ち（１）Ａｇ被覆層とＮ１などの中間層とは相互に拡
散又は合金化することはないが、Ｓｎ又はＳｎ合金層及
びＣｕ又はＣｕ合金層が介在すると各層間に容易に合金
層が生成するようになり密着力が向上する、（２） Ａ
ｇ中全全透過たＯｘはＳｎ又はＳｎ合金層及びＣｕ又は
Ｃｕ合金層によってトラップされ、Ｎ１などの中間層の
酸化が抑止される、（３）Ｃｕ又はＣｕ合金層の介在に
よＶ） Ｎｉ −Ｓｎ系の萱丘合物の生成が抑止される
、などである。
第二層又は第三層の厚さを第四層のＡｇ被覆厚さの口〜
万に限定した理由は、τを超えると半田濡れ性の低下及
びＡｇの変色がおきるためである、又蘭未満では半田厚
付は性及びＡｇ密着性において所期の効果が得られない
ためである。
万に限定した理由は、τを超えると半田濡れ性の低下及
びＡｇの変色がおきるためである、又蘭未満では半田厚
付は性及びＡｇ密着性において所期の効果が得られない
ためである。
（実施例）
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
α８鑓φのＣｕ−０１％Ｓｎ合金線（０１量１ｏ ｐｐ
ｍ）に、常法により電解脱脂、酸洗いしてから、第１表
に示す各種材質及び厚さのメッキを施した。
ｍ）に、常法により電解脱脂、酸洗いしてから、第１表
に示す各種材質及び厚さのメッキを施した。
本線材を長さ２１Ｉｍに切断し片端をヘッダー加工し、
リードピンとした。次にダイオード製造工程に移り、こ
のリードビン上に厚さ８０μｍのｐｂ−５％Ｓｎのプリ
フォーム箔を介してＳエダイオードチップをおき、これ
全電気炉にて３５０℃４分間Ｎ＊−１０％Ｈｔ気流中で
加熱し半田接合した。半田厚付は性は、上記半田接合に
おいて半田がヘッダー面から側面に流下した量を計測し
百分率であられした。
リードピンとした。次にダイオード製造工程に移り、こ
のリードビン上に厚さ８０μｍのｐｂ−５％Ｓｎのプリ
フォーム箔を介してＳエダイオードチップをおき、これ
全電気炉にて３５０℃４分間Ｎ＊−１０％Ｈｔ気流中で
加熱し半田接合した。半田厚付は性は、上記半田接合に
おいて半田がヘッダー面から側面に流下した量を計測し
百分率であられした。
次に本接合体をシリコンレジンで３００℃１５分間加熱
して封止し、次いでエポキシ樹脂でモールドし、これ１
１５０℃で１４時間二一ジングした。このサンプルにつ
いてリード線部を捻回してＡｇ被覆層の剥離有無を調べ
た。又メッキ上りの線材を７５℃のエアバスに１週間保
持し変色を調べた。
して封止し、次いでエポキシ樹脂でモールドし、これ１
１５０℃で１４時間二一ジングした。このサンプルにつ
いてリード線部を捻回してＡｇ被覆層の剥離有無を調べ
た。又メッキ上りの線材を７５℃のエアバスに１週間保
持し変色を調べた。
以上の結果は第１表に示した。
第１表より明らかなように、本発明品（１−５）φ
は従来品ａＯより半田厚付は性及びＡｇ密着性におい優
れている。
れている。
比較品のうち中間層が第三層のみのもの（６）は半田厚
付は性に劣り、第二層のみのもの（７）は半田厚付は性
及びＡｇ密着性に劣る。第二層及び第三層の厚さがそれ
ぞれ第四層の厚さＯ■汀未満のもの（８）は半田厚付は
性及びＡｇ密着性に劣る。第二層及び第三層の厚さがそ
れぞれ第四層の厚さのπを超えるもの（９）はＡｇ被覆
層に斑点状の変色を生じた。
付は性に劣り、第二層のみのもの（７）は半田厚付は性
及びＡｇ密着性に劣る。第二層及び第三層の厚さがそれ
ぞれ第四層の厚さＯ■汀未満のもの（８）は半田厚付は
性及びＡｇ密着性に劣る。第二層及び第三層の厚さがそ
れぞれ第四層の厚さのπを超えるもの（９）はＡｇ被覆
層に斑点状の変色を生じた。
本実施例ではＣｕ −Ｓｎ合金を基体とし、これに電気
メツキ法で各種層を被覆した材料について説明したが、
これに限るものではなく、Ｃｕ又はその他のＣｕ合金又
はＦｅ −Ｎ１−Ｃｏｏ合金等を基体としＰＶＤ法、Ｃ
ＶＤ法、クラッド法などで被覆した材料についても同様
の効果が得られる。又本実施例では半導体リード材につ
いて説明したが、−設電子部品及び機器の導体例えばリ
ード、端子、接点、配線材などにも広く適用できる。
メツキ法で各種層を被覆した材料について説明したが、
これに限るものではなく、Ｃｕ又はその他のＣｕ合金又
はＦｅ −Ｎ１−Ｃｏｏ合金等を基体としＰＶＤ法、Ｃ
ＶＤ法、クラッド法などで被覆した材料についても同様
の効果が得られる。又本実施例では半導体リード材につ
いて説明したが、−設電子部品及び機器の導体例えばリ
ード、端子、接点、配線材などにも広く適用できる。
同、各層の電気メツキ条件は下記の通りである。
（１） Ｎｉメッキ
液組成： Ｎ１５Ｏｉ ２４０ ｇｒ／ ｚ、 Ｎｉ
Ｃ１５′５５ｇｒ／’−Ｈ，ＢＯ８５０ｇｒ／ ｔ、液
温：１１０℃、電流密度＝４．５Ａ／ｄＦＦ／。
Ｃ１５′５５ｇｒ／’−Ｈ，ＢＯ８５０ｇｒ／ ｔ、液
温：１１０℃、電流密度＝４．５Ａ／ｄＦＦ／。
（２） Ｎｉ −１０％Ｃｏメッキ
液組成： ＮｌＳＯ４２４０ｇｒ ／ Ｌ 、 ＣＯ３
Ｏ４１５ｇｒ／１１ＮｉＧ１雪３０ｇｒ ／ ｌ、 Ｈ
ｓＢＯｓ ５０ｇｒ ／ Ｌ１液温：４５℃、電流密度
＝０．５Ａ／ｄ？ＦＩ１０（３） Ｇｏメッキ 液組成： Ｃｏｃｏａ ヰＯＯｇｒ／ Ｌ、 ＮａＣ
ｌ２０ｇｒ／ Ｌ１Ｈ＠ＢＯｓ ｌ＋５ｇｒ／ １１
液温：２５℃、電流密度：５ Ａ ／ ｄｙ？ ０ （１４）Ｃ：ｕ−３０％Ｚｎメッキ 液組成：ＣｕＧＮ５０ｇｒ／Ｌ％Ｚｎ（ＣＮ）宜１０ｇ
ｒ／Ｌ、 ＮａＣＮ３ ｏｇｒ ／ Ｌ、 Ｎ２ＬｔＣ
Ｏｓ ３０ｇｒ／ ｔ、液温：４５℃、電流密度：Ｃ５
Ａ ／ ｄイ。
Ｏ４１５ｇｒ／１１ＮｉＧ１雪３０ｇｒ ／ ｌ、 Ｈ
ｓＢＯｓ ５０ｇｒ ／ Ｌ１液温：４５℃、電流密度
＝０．５Ａ／ｄ？ＦＩ１０（３） Ｇｏメッキ 液組成： Ｃｏｃｏａ ヰＯＯｇｒ／ Ｌ、 ＮａＣ
ｌ２０ｇｒ／ Ｌ１Ｈ＠ＢＯｓ ｌ＋５ｇｒ／ １１
液温：２５℃、電流密度：５ Ａ ／ ｄｙ？ ０ （１４）Ｃ：ｕ−３０％Ｚｎメッキ 液組成：ＣｕＧＮ５０ｇｒ／Ｌ％Ｚｎ（ＣＮ）宜１０ｇ
ｒ／Ｌ、 ＮａＣＮ３ ｏｇｒ ／ Ｌ、 Ｎ２ＬｔＣ
Ｏｓ ３０ｇｒ／ ｔ、液温：４５℃、電流密度：Ｃ５
Ａ ／ ｄイ。
（５） Ｃｕメッキ
液組成： ＣｕＣＮ６０ｇｒ ／ Ｌ、 ＮａＣＮ了Ｏ
ｇｒ ／ ＬｌＮａＯＨｌ ５ｇｒ／１．、 Ｐ Ｈ
： １２．１＋、液温：６５℃、電流密度：Ｌ５Ａ／ｄ
−０ （６） Ｓｎメッキ 液組成： ５ｎＳＯｎ １ｏ ｏｇｒ／ ｔ１ＨＩＳ
○＊５０ｇ；ｒ／１１β−ナフトール： Ｉｇｒ ／
ｌ、ニカワ２ ｇｒ ／ｌ、液温：１５℃、電流密度：
Ｉ Ａ ／ ｄぜ。
ｇｒ ／ ＬｌＮａＯＨｌ ５ｇｒ／１．、 Ｐ Ｈ
： １２．１＋、液温：６５℃、電流密度：Ｌ５Ａ／ｄ
−０ （６） Ｓｎメッキ 液組成： ５ｎＳＯｎ １ｏ ｏｇｒ／ ｔ１ＨＩＳ
○＊５０ｇ；ｒ／１１β−ナフトール： Ｉｇｒ ／
ｌ、ニカワ２ ｇｒ ／ｌ、液温：１５℃、電流密度：
Ｉ Ａ ／ ｄぜ。
（７）Ｓｎ−１０％ｐｂメッキ
液組成： Ｓｎ（ＢＦｉ）ｔ ｌ ３５ｇｒ ７１％Ｐ
ｂ（ＢＦＪｔｌｌＬ５ｇｒ／ ｚｌＨＢＦａ １００ｇ
ｒ／ Ｌ％ＨｓＢＯｓ ４５ｇｒ／ ｚ。
ｂ（ＢＦＪｔｌｌＬ５ｇｒ／ ｚｌＨＢＦａ １００ｇ
ｒ／ Ｌ％ＨｓＢＯｓ ４５ｇｒ／ ｚ。
β−ナフトールＬ ５ｇｒ ／ Ｌ、 ＝カワ２ｇ；ｒ
／Ｌ。
／Ｌ。
液温：１０℃、電流密度：Ｉｌ、５Ａ／ｄ−０（８）
Ａｇメッキ （ストライクメッキ）液組成： ＡｇＣＮ ５ｇｒ ／
Ｌ 。
Ａｇメッキ （ストライクメッキ）液組成： ＡｇＣＮ ５ｇｒ ／
Ｌ 。
ＫＣＮ ３０ ｇｒ ／ Ｌ 、液温：１５℃、電流密
度・時間１０ ｋ／ｄｒｄ ｘ ３ｓｅｃ０ （厚付はメッキ）液組成： ＡｇＣＮ ５０ ｇｒ ／
Ｌ。
度・時間１０ ｋ／ｄｒｄ ｘ ３ｓｅｃ０ （厚付はメッキ）液組成： ＡｇＣＮ ５０ ｇｒ ／
Ｌ。
ＫＣＮ ６０ｇｒ ／ Ｌ、液温：２５℃、電流密度：
２（発明の効Ｆ＠） 本発明のＡｇ被覆導体は、半田厚付は性ならびにＡｇ密
着性に優れ、且つ表面変色をおこすことがなく工業上顕
著な効果を奏するものである。
２（発明の効Ｆ＠） 本発明のＡｇ被覆導体は、半田厚付は性ならびにＡｇ密
着性に優れ、且つ表面変色をおこすことがなく工業上顕
著な効果を奏するものである。
Claims (3)
- （１）基体の少なくとも一部表面にＮｉ、Ｃｏ又はその
合金が被覆され、該被覆層の少なくとも一部表面にＡｇ
又はＡｇ合金が被覆された導体において、これら被覆層
の中間にＣｕ又はＣｕ合金層及びＳｎ又はＳｎ合金層を
順次介在させたことを特徴とするＡｇ被覆導体。 - （２）Ｃｕ又はＣｕ合金層及びＳｎ又はＳｎ合金層の厚
さがそれぞれＡｇ又はＡｇ合金層の厚さの１／１０〜１
／５００であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のＡｇ被覆導体。 - （３）基体がＣｕ又はＣｕ合金からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のＡｇ被覆導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19638186A JPS6353287A (ja) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | Ａｇ被覆導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19638186A JPS6353287A (ja) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | Ａｇ被覆導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6353287A true JPS6353287A (ja) | 1988-03-07 |
Family
ID=16356923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19638186A Pending JPS6353287A (ja) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | Ａｇ被覆導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6353287A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610211A (ja) * | 1991-03-29 | 1994-01-18 | Kanebo Ltd | ポリウレタン弾性糸の製造方法 |
| DE10355665B4 (de) * | 2002-11-29 | 2005-12-15 | Hyosung Corp. | Verfahren zur Herstellung einer elastischen Polyurethanfaser und die so hergestellte elastische Polyurethanfaser |
| JP2007520053A (ja) * | 2003-10-14 | 2007-07-19 | オリン コーポレイション | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置及び方法 |
| KR20130012944A (ko) * | 2011-07-26 | 2013-02-05 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 고온 내성의 은 코팅된 기판 |
-
1986
- 1986-08-21 JP JP19638186A patent/JPS6353287A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610211A (ja) * | 1991-03-29 | 1994-01-18 | Kanebo Ltd | ポリウレタン弾性糸の製造方法 |
| DE10355665B4 (de) * | 2002-11-29 | 2005-12-15 | Hyosung Corp. | Verfahren zur Herstellung einer elastischen Polyurethanfaser und die so hergestellte elastische Polyurethanfaser |
| US7255820B2 (en) | 2002-11-29 | 2007-08-14 | Hyosung Corporation | Process for the manufacture of elastic polyurethane fiber and the elastic polyurethane fiber made thereby |
| JP2007520053A (ja) * | 2003-10-14 | 2007-07-19 | オリン コーポレイション | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置及び方法 |
| JP2014040675A (ja) * | 2003-10-14 | 2014-03-06 | Olin Corp | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置及び方法 |
| KR20130012944A (ko) * | 2011-07-26 | 2013-02-05 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 고온 내성의 은 코팅된 기판 |
| JP2013032588A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-14 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 高温耐性銀コート基体 |
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