JPH03244170A - 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH03244170A JPH03244170A JP2039690A JP3969090A JPH03244170A JP H03244170 A JPH03244170 A JP H03244170A JP 2039690 A JP2039690 A JP 2039690A JP 3969090 A JP3969090 A JP 3969090A JP H03244170 A JPH03244170 A JP H03244170A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気センサー等に使用される磁気抵抗効果素
子、及び、磁気ディスク装置、磁気テプ装置等の磁気記
録装置に使用されるシールド型磁気抵抗効果ヘッドに関
する。
子、及び、磁気ディスク装置、磁気テプ装置等の磁気記
録装置に使用されるシールド型磁気抵抗効果ヘッドに関
する。
〔従来の技術］
磁気抵抗効果を用いたＭＲ素子は高い磁界応答感度を有
しているため、磁気−、ノド、磁気センサーなどで盛ん
に利用されている。ＭＲ素子においてはその原理上、信
号磁界の線形応答を得るためには、磁気抵抗効果ヘッド
（以下ＭＲ材料層と記す）に供給するセンス電流とＭＲ
祠籾層の磁化のなす角度を約４５度に設定するバイアス
手段が必要である。
しているため、磁気−、ノド、磁気センサーなどで盛ん
に利用されている。ＭＲ素子においてはその原理上、信
号磁界の線形応答を得るためには、磁気抵抗効果ヘッド
（以下ＭＲ材料層と記す）に供給するセンス電流とＭＲ
祠籾層の磁化のなす角度を約４５度に設定するバイアス
手段が必要である。
ＭＲ材料層のバイアス方法として、実開昭６０−１５９
５１８号公報には、軟磁性バイアス補助層とＭＲ）Ａ粗
層が非磁性導体層を挟んで積層された構造が開示されて
いる。
５１８号公報には、軟磁性バイアス補助層とＭＲ）Ａ粗
層が非磁性導体層を挟んで積層された構造が開示されて
いる。
第５図はこのＭ Ｒ素子を示す斜視図である。このＭＲ
素子は、ＭＲ材料層９．シャント層１０．軟磁性バイア
ス補助層１１．電極２が順次積層して形成され、ＭＲ検
出部８に相当する部分だけ電極層２が除去されている。
素子は、ＭＲ材料層９．シャント層１０．軟磁性バイア
ス補助層１１．電極２が順次積層して形成され、ＭＲ検
出部８に相当する部分だけ電極層２が除去されている。
この構成では、軟磁性バイアス補助層１１の比抵抗がＭ
Ｒ４４料層９の比抵抗に比１咬して著しく高いので、
センス電流の大部分がＭＲ材料層９を流れ、軟磁性バイ
アス補助層１１を磁化するとともに、軟磁性バイアス補
助層が発生ずる磁界でＭ Ｒ＋Ａ料粗層バイアスがかか
る。
Ｒ４４料層９の比抵抗に比１咬して著しく高いので、
センス電流の大部分がＭＲ材料層９を流れ、軟磁性バイ
アス補助層１１を磁化するとともに、軟磁性バイアス補
助層が発生ずる磁界でＭ Ｒ＋Ａ料粗層バイアスがかか
る。
第６図はこのＭＲ素子の両側に軟磁性体からなる磁気シ
ールド３．４をギャップを設けて配置したシールド型Ｍ
Ｒヘッドを示す斜視図である。図中、５ば下シールド間
ギャップを、６ば上シールド間ギヤツブを示している。
ールド３．４をギャップを設けて配置したシールド型Ｍ
Ｒヘッドを示す斜視図である。図中、５ば下シールド間
ギャップを、６ば上シールド間ギヤツブを示している。
このシールド型ＭＲヘッドにおいては、磁気シールド３
，４が媒体から発する磁束のうち余分な磁束を吸収する
ので、分解能を高めることができる。
，４が媒体から発する磁束のうち余分な磁束を吸収する
ので、分解能を高めることができる。
第７図はＭＲ材料層の内部の磁化状態をＭＲ材料層の幅
方向の位置の関数として表したものである。第７図より
、ＭＲ材料層の端では反磁界のためにバイアス磁化が十
分かかっていないことかわかる。従って、ＭＲ素子にセ
ンス電流を均一に流した場合、平均として十分なバイア
ス磁化を得るためには、軟磁性バイアス補助層の膜厚を
増やさなｌればならない。しかし、この場合ＭＲ材料層
に流れる電流が減少するので、感度か劣化してしまう。
方向の位置の関数として表したものである。第７図より
、ＭＲ材料層の端では反磁界のためにバイアス磁化が十
分かかっていないことかわかる。従って、ＭＲ素子にセ
ンス電流を均一に流した場合、平均として十分なバイア
ス磁化を得るためには、軟磁性バイアス補助層の膜厚を
増やさなｌればならない。しかし、この場合ＭＲ材料層
に流れる電流が減少するので、感度か劣化してしまう。
本発明の目的は、感度を落とすことなく、十分なバイア
ス磁化を得ることができるＭＲ素子及びＭＲヘッドを提
供することにある。
ス磁化を得ることができるＭＲ素子及びＭＲヘッドを提
供することにある。
本発明は、磁気抵抗効果素子層、電極層か順次積層して
形成され、磁気抵抗効果検出部に相当する部分だけ前記
磁気抵抗効果素子層」二の前記電極層が除去されている
磁気抵抗効果素子において、前記磁気抵抗効果検出部の
幅か前記電極層の幅より大きいことを特徴とする。
形成され、磁気抵抗効果検出部に相当する部分だけ前記
磁気抵抗効果素子層」二の前記電極層が除去されている
磁気抵抗効果素子において、前記磁気抵抗効果検出部の
幅か前記電極層の幅より大きいことを特徴とする。
また本発明は、磁気抵抗効果素子層、電極層が順次積層
して形成され、磁気抵抗効果検出部に相当する部分だけ
前記磁気抵抗効果素子層−にの前記電極層が除去されて
いる磁気抵抗効果素子を軟磁性膜のシールドで挟んだ構
造を持つ磁気抵抗効果ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果検出部が電極層よりも媒体側に突き出
しており、前記磁気抵抗効果検出部の幅と前記電極層の
幅の差が２μｍ以下であることを特徴とする。
して形成され、磁気抵抗効果検出部に相当する部分だけ
前記磁気抵抗効果素子層−にの前記電極層が除去されて
いる磁気抵抗効果素子を軟磁性膜のシールドで挟んだ構
造を持つ磁気抵抗効果ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果検出部が電極層よりも媒体側に突き出
しており、前記磁気抵抗効果検出部の幅と前記電極層の
幅の差が２μｍ以下であることを特徴とする。
本発明においては、ＭＲ検出部と電極の接触部において
、ＭＲ素了幅よりも電極幅を小さくすることによりＭＲ
検出部内でのセンス電流の分布を不均一にし、バイアス
磁化が不足している端の部分にセンス電流を小さく流し
、バイアス磁化がかかっている中央部分に大きく流し、
実効的に大きなバイアス磁化をもつＭＲ素子を得るもの
である。
、ＭＲ素了幅よりも電極幅を小さくすることによりＭＲ
検出部内でのセンス電流の分布を不均一にし、バイアス
磁化が不足している端の部分にセンス電流を小さく流し
、バイアス磁化がかかっている中央部分に大きく流し、
実効的に大きなバイアス磁化をもつＭＲ素子を得るもの
である。
また、シールド型ＭＲヘッドにおいて４；！：、ＭＲ検
出部に入る信号磁界は媒体面からの距離が大きくなるに
つれ急激に小さくなる。従って、ＭＲ検出部の媒体側に
設ける突出部の長さは再生出力により定める必要がある
。
出部に入る信号磁界は媒体面からの距離が大きくなるに
つれ急激に小さくなる。従って、ＭＲ検出部の媒体側に
設ける突出部の長さは再生出力により定める必要がある
。
［実施例］
第１図は本発明の磁気抵抗効果素子の実施例を示す斜視
図である。ＭＲ素子１の層としで、厚さ０．０４７ｚｍ
のパーマ！コイ膜、厚さ０．０２μｍのＴ ｉ膜、及び
厚さ０．０５μｍのＣｏ Ｚ ｒ Ｍ ｏ膜が成膜され
る。
図である。ＭＲ素子１の層としで、厚さ０．０４７ｚｍ
のパーマ！コイ膜、厚さ０．０２μｍのＴ ｉ膜、及び
厚さ０．０５μｍのＣｏ Ｚ ｒ Ｍ ｏ膜が成膜され
る。
その上に、厚さ０．２μｍのＡ ｕを用いた電極２が華
着法により成膜され、フｎＩ−リソグラフィー技術とイ
オンエンチング技術を用いてＭＲ素子１と電極２が同時
に、長さ１００μｍ、幅５μｍ、ＭＲ検出部８の幅７μ
ｍにパターン化される。次にＭＲ素子の検出部８の電極
の長さ８１１ｍのみが化学エンチングにより除去される
。
着法により成膜され、フｎＩ−リソグラフィー技術とイ
オンエンチング技術を用いてＭＲ素子１と電極２が同時
に、長さ１００μｍ、幅５μｍ、ＭＲ検出部８の幅７μ
ｍにパターン化される。次にＭＲ素子の検出部８の電極
の長さ８１１ｍのみが化学エンチングにより除去される
。
本実施例においては、電極層２の幅は５μｍ、ＭＲ検出
部８の幅は７μｍ、したがってＭＲ検出部８の幅と電極
層２の幅の差は２μｍである。同様にして、この幅の差
が１μｍ、３μｍであるもの、及びＭＲ素子層の幅と電
極層の幅が等しく５μｍであるものを比較例として作成
した。
部８の幅は７μｍ、したがってＭＲ検出部８の幅と電極
層２の幅の差は２μｍである。同様にして、この幅の差
が１μｍ、３μｍであるもの、及びＭＲ素子層の幅と電
極層の幅が等しく５μｍであるものを比較例として作成
した。
これらのＭＲ素子にセンス電流１．０ｍＡを流し、外部
磁界に対する抵抗変化（Ｒ−■１１′ＩＪ′］線）を測
定し、バイアス状態を調へた。バイアス状態の尺度とし
ては最大抵抗変化に対する磁界０での抵抗変化の比とし
て定義されるバイアスポインＩ・を用いた。バイアスポ
イン１−はＯから１の間の値をとり、バイアスがかかっ
た状態はど小さくなる。また、線形応答はバイアスポイ
ントが０．５の付近で得られる。表（は、バイアスポイ
ンｉ−と、ＭＲ素子層と電極層の幅の差との関係を示し
たものである。
磁界に対する抵抗変化（Ｒ−■１１′ＩＪ′］線）を測
定し、バイアス状態を調へた。バイアス状態の尺度とし
ては最大抵抗変化に対する磁界０での抵抗変化の比とし
て定義されるバイアスポインＩ・を用いた。バイアスポ
イン１−はＯから１の間の値をとり、バイアスがかかっ
た状態はど小さくなる。また、線形応答はバイアスポイ
ントが０．５の付近で得られる。表（は、バイアスポイ
ンｉ−と、ＭＲ素子層と電極層の幅の差との関係を示し
たものである。
表１より、本発明の実施例のＭＲ素子においてより大き
なバイアスがかかっている結果が得られている。
なバイアスがかかっている結果が得られている。
表 １
次に実施例４としてシャントバイアス法を用いた例を示
す。本実施例ではＭＲ素子はパーマロイでできたＭＲ膜
とＴｉ膜でできたシャント膜だけからできており、Ｔｉ
膜に流れる電流により生じる磁界がバイアス磁界となる
。形成プロセスはＣｏ Ｚ ｒＭｏの部分が不要である
ことを除き前記実施例と同しであり、長さ１００μｍ１
幅５μｍ、ＭＲ検出部の幅７μｍにパターン化されてい
る。
す。本実施例ではＭＲ素子はパーマロイでできたＭＲ膜
とＴｉ膜でできたシャント膜だけからできており、Ｔｉ
膜に流れる電流により生じる磁界がバイアス磁界となる
。形成プロセスはＣｏ Ｚ ｒＭｏの部分が不要である
ことを除き前記実施例と同しであり、長さ１００μｍ１
幅５μｍ、ＭＲ検出部の幅７μｍにパターン化されてい
る。
本実施例においては、電極層の幅は５１！ｍ、、ＭＲ検
出部の幅と電極層の幅の差は２μｍであり、同様にして
、この幅の差が１μｍ、３μｍであるもの、及びＭＲ素
子層の幅と電極層の幅が等しく５１１ｍであるものを比
較例として作成した。これらのＭＲ素子にセンス電流１
．０ｍＡを流し、外部磁界に対する抵抗変化（Ｒ−Ｉ−
１曲線）を測定し、バイアス状態を調べた。表２はバイ
アスポインＩ・とＭＲ素子層と電極層の幅の差の関係を
示したものである。表２より、シャントバイアス法を用
いたＭＲ素子におしゾでも、本発明の実施例のＭＲ素子
においてより大きなバイアスがかかっている結果が得ら
れていることがわかる。
出部の幅と電極層の幅の差は２μｍであり、同様にして
、この幅の差が１μｍ、３μｍであるもの、及びＭＲ素
子層の幅と電極層の幅が等しく５１１ｍであるものを比
較例として作成した。これらのＭＲ素子にセンス電流１
．０ｍＡを流し、外部磁界に対する抵抗変化（Ｒ−Ｉ−
１曲線）を測定し、バイアス状態を調べた。表２はバイ
アスポインＩ・とＭＲ素子層と電極層の幅の差の関係を
示したものである。表２より、シャントバイアス法を用
いたＭＲ素子におしゾでも、本発明の実施例のＭＲ素子
においてより大きなバイアスがかかっている結果が得ら
れていることがわかる。
表２
第２図は本発明の磁気抵抗効果ヘッドの第１の実施例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
ます、セラミックの非磁性基板上に厚さ１μｍのパーマ
ロイを用いた下シールド３が、メツキ法により成膜され
、イオンミリングにより幅３０μｍにパターン化される
。その上に、厚さ０．４μｍの５ｉ（）ｚを用いた下シ
ールド間ギャップ５がスパッタリング法により成膜され
る。さらに、厚さ０．０４／ｌ／ｍのパーマロイ膜、厚
さ０．０２μｍのＴｉ膜、及び厚さ０．０５μｍのＣｏ
ＺｒＭｏ膜が積層されたＭＲ素子１がスパッタリング法
により成膜される。
ロイを用いた下シールド３が、メツキ法により成膜され
、イオンミリングにより幅３０μｍにパターン化される
。その上に、厚さ０．４μｍの５ｉ（）ｚを用いた下シ
ールド間ギャップ５がスパッタリング法により成膜され
る。さらに、厚さ０．０４／ｌ／ｍのパーマロイ膜、厚
さ０．０２μｍのＴｉ膜、及び厚さ０．０５μｍのＣｏ
ＺｒＭｏ膜が積層されたＭＲ素子１がスパッタリング法
により成膜される。
ＣｏＺｒＭｏ膜は、パーマロイ膜と磁気的に結合してバ
イアスを与え、パーマロイ膜の磁気抵抗効果が検出され
る。Ｔｉ膜は、パーマロイ膜とＣ０ＺｒＭｏ膜を磁気的
に分離する。その」二に、厚さ０．２μｍのＡｕを用い
た電極２か華着法により成膜され、フォトリソグラフィ
ー技術とイオンエツチング技術を用いてＭＲ素子１と電
極２が同時に、ＭＲ検出部８となる部分は幅１０μｍに
、それ以外の部分は幅５μｍにパターン化される。次に
、ＭＲ素子１の検出部分の長さ８ｉ１ｍのみ、電極２が
化学エツチングにより除去される。さらに、厚さ０．３
μｍのＳｉＯ２膜を用いた上シールド間ギャップ６がス
パックリング法により成膜され、その上に厚さ１ｉ１ｍ
のパーマロイを用いた上シールド４がメツキ法により成
膜され、フォトリソグラフィー技術とイオンエツチング
技術を用いて幅３０μｍのパターンに形成される。その
後研磨プロセスによりＭＲ検出部８の幅が６μｍになる
ように研磨していく。
イアスを与え、パーマロイ膜の磁気抵抗効果が検出され
る。Ｔｉ膜は、パーマロイ膜とＣ０ＺｒＭｏ膜を磁気的
に分離する。その」二に、厚さ０．２μｍのＡｕを用い
た電極２か華着法により成膜され、フォトリソグラフィ
ー技術とイオンエツチング技術を用いてＭＲ素子１と電
極２が同時に、ＭＲ検出部８となる部分は幅１０μｍに
、それ以外の部分は幅５μｍにパターン化される。次に
、ＭＲ素子１の検出部分の長さ８ｉ１ｍのみ、電極２が
化学エツチングにより除去される。さらに、厚さ０．３
μｍのＳｉＯ２膜を用いた上シールド間ギャップ６がス
パックリング法により成膜され、その上に厚さ１ｉ１ｍ
のパーマロイを用いた上シールド４がメツキ法により成
膜され、フォトリソグラフィー技術とイオンエツチング
技術を用いて幅３０μｍのパターンに形成される。その
後研磨プロセスによりＭＲ検出部８の幅が６μｍになる
ように研磨していく。
本実施例においてはＭＲ検出部８の電極幅に対して突き
出した部分７の長さは１μｍである。研磨量を加減する
ことにより、突き出し量０μｌＴｌ２μｍ、３μｍのヘ
ッドを作成した。
出した部分７の長さは１μｍである。研磨量を加減する
ことにより、突き出し量０μｌＴｌ２μｍ、３μｍのヘ
ッドを作成した。
これらのシールド型ＭＲヘッドを用いて、１９７９幅８
μｍ、記録密度５ｋＰＣＩのトラックに対して、センス
電流密度２ｍＡ／μｍで測定を行った。第３図はシール
ド型ＭＲヘッドの再生波形の非対称性及び再生出力の相
対値と突き出し量の関係を示している。ここで非対称性
は再生波形の下側のピーク値を全ピーク値で割ったもの
で定義しており、０．５が対称な波形を示している。
μｍ、記録密度５ｋＰＣＩのトラックに対して、センス
電流密度２ｍＡ／μｍで測定を行った。第３図はシール
ド型ＭＲヘッドの再生波形の非対称性及び再生出力の相
対値と突き出し量の関係を示している。ここで非対称性
は再生波形の下側のピーク値を全ピーク値で割ったもの
で定義しており、０．５が対称な波形を示している。
第３図より、本発明によるシールド型ＭＲヘッドは良好
なバイアス状態と再生出力を兼ね備えていることがわか
る。一方、突き出し量０μｍのシールド型ＭＲヘッドに
おいては再生出力は良好であるものの、バイアス磁化が
不足しているため再生波形が非対称になっている。また
、突き出し量３μｍのシールド型ＭＲヘッドにおいては
、バイアス磁化は十分であるものの、再生出力が劣って
いる。
なバイアス状態と再生出力を兼ね備えていることがわか
る。一方、突き出し量０μｍのシールド型ＭＲヘッドに
おいては再生出力は良好であるものの、バイアス磁化が
不足しているため再生波形が非対称になっている。また
、突き出し量３μｍのシールド型ＭＲヘッドにおいては
、バイアス磁化は十分であるものの、再生出力が劣って
いる。
次に磁気抵抗効果ヘッドの第２の実施例とじてシャント
バイアス法を用いた例を示す。本実施例ではＭＲ素子は
パーマロイでできたＭＲ膜とＴ１膜でできたシャンｌ−
膜だけからできており、Ｔｉ膜に流れる電流により生し
る磁界がバイアス磁界となる。形成プロセスはＣｏ Ｚ
ｒＭｏの部分が不要であることを除き第１の実施例と
同しであり、ＭＲ素子検出部となる部分は幅１０μｍに
、それ以外の部分は幅５μｍにパターン化される。その
後研磨プロセスによりＭＲ素子検出部８の幅が６μｍに
なるように研磨していく。
バイアス法を用いた例を示す。本実施例ではＭＲ素子は
パーマロイでできたＭＲ膜とＴ１膜でできたシャンｌ−
膜だけからできており、Ｔｉ膜に流れる電流により生し
る磁界がバイアス磁界となる。形成プロセスはＣｏ Ｚ
ｒＭｏの部分が不要であることを除き第１の実施例と
同しであり、ＭＲ素子検出部となる部分は幅１０μｍに
、それ以外の部分は幅５μｍにパターン化される。その
後研磨プロセスによりＭＲ素子検出部８の幅が６μｍに
なるように研磨していく。
本実施例においてはＭＲ検出部の電極幅に対する突き出
した長さはｌ／７ｍである。研Ｉｎを加減することによ
り、突き出しｉｏｌｌｍ、２μｍ、 ３μｍのヘッド
を作成した。
した長さはｌ／７ｍである。研Ｉｎを加減することによ
り、突き出しｉｏｌｌｍ、２μｍ、 ３μｍのヘッド
を作成した。
これらのシールＦ型ＭＲヘッドを用いて、トラック幅８
μｍ、記録密度５ｋＰＣＩのトラックに対して、センス
電流密度２ｍＡ／μｍで測定を行った。第４図はシール
ド型ＭＲヘッドの再生波形の非対称性及び再生出力の相
対値と突き出し量の関係を示している。
μｍ、記録密度５ｋＰＣＩのトラックに対して、センス
電流密度２ｍＡ／μｍで測定を行った。第４図はシール
ド型ＭＲヘッドの再生波形の非対称性及び再生出力の相
対値と突き出し量の関係を示している。
１
２
第４図より、本発明によるシールド型ＭＲヘッドは良好
なバイアス状態と再生出力を兼ね備えていることがわか
る。一方、突き出しｔｔｏｐｍのシールド型ＭＲヘッド
においては再生出力は良好であるものの、バイアス磁化
が不足しているため再生波形が非対称になっている。ま
た、突き出し量３μｍのシールド型ＭＲヘッドにおいて
は、バイアス磁化は十分であるものの、再生出力が劣っ
ている。
なバイアス状態と再生出力を兼ね備えていることがわか
る。一方、突き出しｔｔｏｐｍのシールド型ＭＲヘッド
においては再生出力は良好であるものの、バイアス磁化
が不足しているため再生波形が非対称になっている。ま
た、突き出し量３μｍのシールド型ＭＲヘッドにおいて
は、バイアス磁化は十分であるものの、再生出力が劣っ
ている。
本実施例より、シャント膜バイアス法によるシールド型
ＭＲヘッドにおいても本発明が適用されることがわかる
。
ＭＲヘッドにおいても本発明が適用されることがわかる
。
以上のように、本発明においては、より大きなバイアス
磁化を得ることができる磁気抵抗効果素子、及び、バイ
アス状態、再生出力共に良好な磁気抵抗効果ヘッドを得
ることができる。
磁化を得ることができる磁気抵抗効果素子、及び、バイ
アス状態、再生出力共に良好な磁気抵抗効果ヘッドを得
ることができる。
第１図は本発明の磁気抵抗効果素子の実施例を示す斜視
図、 第２図は本発明の磁気抵抗効果ヘッドの実施例を示す斜
視図、 第３図は磁気抵抗効果ヘッドの再生波形の非対称性及び
再生出力の相対値と突き出し量の関係を示す特性図、 第４図は磁気抵抗効果ヘッドの再生波形の非対称性及び
再生出力の相対値と突き出し量の関係を示す特性図、 第５図は従来の磁気抵抗効果素子の一例を示す斜視図、 第６図は従来の磁気抵抗効果ヘッドの一例を示す斜視図
、 第７図は磁気抵抗効果材料層の内部の磁化状態を示す特
性図である。 １・・・・・ＭＲ素子 ２・・・・・電極 ３・・・・・下シールド ４・・・・・上シールド ５・・・・・下シールド間ギャップ ６・・・・・」＝シールド間ギャソプ ・突き出した部分 ・ＭＲ検出部 ・ＭＲ材料層 ・シャント層 ・軟磁性バイアス補助層
図、 第２図は本発明の磁気抵抗効果ヘッドの実施例を示す斜
視図、 第３図は磁気抵抗効果ヘッドの再生波形の非対称性及び
再生出力の相対値と突き出し量の関係を示す特性図、 第４図は磁気抵抗効果ヘッドの再生波形の非対称性及び
再生出力の相対値と突き出し量の関係を示す特性図、 第５図は従来の磁気抵抗効果素子の一例を示す斜視図、 第６図は従来の磁気抵抗効果ヘッドの一例を示す斜視図
、 第７図は磁気抵抗効果材料層の内部の磁化状態を示す特
性図である。 １・・・・・ＭＲ素子 ２・・・・・電極 ３・・・・・下シールド ４・・・・・上シールド ５・・・・・下シールド間ギャップ ６・・・・・」＝シールド間ギャソプ ・突き出した部分 ・ＭＲ検出部 ・ＭＲ材料層 ・シャント層 ・軟磁性バイアス補助層
Claims (2)
- （１）磁気抵抗効果素子層、電極層が順次積層して形成
され、磁気抵抗効果検出部に相当する部分だけ前記磁気
抵抗効果素子層上の前記電極層が除去されている磁気抵
抗効果素子において、 前記磁気抵抗効果検出部の幅が前記電極層の幅より大き
いことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - （２）磁気抵抗効果素子層、電極層が順次積層して形成
され、磁気抵抗効果検出部に相当する部分だけ前記磁気
抵抗効果素子層上の前記電極層が除去されている磁気抵
抗効果素子を軟磁性膜のシールドで挟んだ構造を持つ磁
気抵抗効果ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果検出部が電極層よりも媒体側に突き出
しており、前記磁気抵抗効果検出部の幅と前記電極層の
幅の差が２μｍ以下であることを特徴とする磁気抵抗効
果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2039690A JPH03244170A (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2039690A JPH03244170A (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03244170A true JPH03244170A (ja) | 1991-10-30 |
Family
ID=12560047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2039690A Pending JPH03244170A (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03244170A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7136264B2 (en) | 2003-04-10 | 2006-11-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Use of gold leads in lead overlaid type of GMR sensor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60133517A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-16 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JPS62194690A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-27 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPS638532A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Kawasaki Steel Corp | 破壊靭性試験片への疲労予亀裂形成装置 |
| JPH02198016A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-06 | Nec Corp | 磁気ヘッド |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP2039690A patent/JPH03244170A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60133517A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-16 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JPS62194690A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-27 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPS638532A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Kawasaki Steel Corp | 破壊靭性試験片への疲労予亀裂形成装置 |
| JPH02198016A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-06 | Nec Corp | 磁気ヘッド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7136264B2 (en) | 2003-04-10 | 2006-11-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Use of gold leads in lead overlaid type of GMR sensor |
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