JPH0324634B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0324634B2 JPH0324634B2 JP58154732A JP15473283A JPH0324634B2 JP H0324634 B2 JPH0324634 B2 JP H0324634B2 JP 58154732 A JP58154732 A JP 58154732A JP 15473283 A JP15473283 A JP 15473283A JP H0324634 B2 JPH0324634 B2 JP H0324634B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- tested
- grid
- combustion chamber
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 9
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/07—Non contact-making probes
- G01R1/072—Non contact-making probes containing ionised gas
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Testing Relating To Insulation (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、格子寸法にて配線されたマイクロ配
線、たとえばプリント配線板の電気試験方法およ
び装置に関する。
線、たとえばプリント配線板の電気試験方法およ
び装置に関する。
電子機器の著しい小形化により、特に多層回路
の場合のプリント配線板構造の改良が望まれてい
る。この要望を満たすと、接続点の格子寸法を小
さくすることができる。
の場合のプリント配線板構造の改良が望まれてい
る。この要望を満たすと、接続点の格子寸法を小
さくすることができる。
プリント配線板の電気試験を行なうために、各
走査点において弾力性のある接触ピンが走査器と
しての支持ブロツク内に配設されているような針
形アダプタが使用されている。この公知の接触装
置においては、走査エレメントは個々に圧縮ばね
の作用を受ける上記接触ピンによつて構成されて
いる。走査すべき接触個所に向けられた接触ピン
の端部領域は、良好な接触を保証するために、尖
らされたりあるいはナイフ・エツジに形成された
りする。接触ピンの他の端部領域はフレキシブル
な電気導線に接続され、この電気導線は接触装置
の外部電気端子に導かれている。
走査点において弾力性のある接触ピンが走査器と
しての支持ブロツク内に配設されているような針
形アダプタが使用されている。この公知の接触装
置においては、走査エレメントは個々に圧縮ばね
の作用を受ける上記接触ピンによつて構成されて
いる。走査すべき接触個所に向けられた接触ピン
の端部領域は、良好な接触を保証するために、尖
らされたりあるいはナイフ・エツジに形成された
りする。接触ピンの他の端部領域はフレキシブル
な電気導線に接続され、この電気導線は接触装置
の外部電気端子に導かれている。
この種の接触装置は、個々の接触エレメントの
占有スペースを考慮した場合、格子寸法を増々小
さくしようとすると、著しく精密な製作技術上の
問題が生じるという欠点を有している。それゆえ
に、1ミリメータ以下の格子寸法の場合には、こ
の従来の接触装置の実現性には明らかな限界があ
る。この小さな格子寸法を持つプリント配線板の
電気試験はプリント配線板への接触が困難である
ということに起因してまだ十分に解決し得ない問
題となつている。
占有スペースを考慮した場合、格子寸法を増々小
さくしようとすると、著しく精密な製作技術上の
問題が生じるという欠点を有している。それゆえ
に、1ミリメータ以下の格子寸法の場合には、こ
の従来の接触装置の実現性には明らかな限界があ
る。この小さな格子寸法を持つプリント配線板の
電気試験はプリント配線板への接触が困難である
ということに起因してまだ十分に解決し得ない問
題となつている。
ところで、ガス放電形デイスプレイによつて局
部的な放電をごく小さな空間内で生じさせること
ができることが知られている。このガス放電は希
ガスが充填されているガラス容器内に2個の電極
を有するグローランプと同じ原理に基づいて生じ
る。外部の影響によつて小量のガス原子がイオン
化される。このイオン化は公知の方法で増やされ
る。同じ数の自由イオンと電子とから成り準中性
である高比率のイオン化ガスはプラズマと呼ばれ
る。このガスは電極間の良好な絶縁体となる。電
極間への印加電圧が高まると、グロー区間が点火
される。ガスを通る電流がこのガスをイオン化
し、グロー区間が光を発する。
部的な放電をごく小さな空間内で生じさせること
ができることが知られている。このガス放電は希
ガスが充填されているガラス容器内に2個の電極
を有するグローランプと同じ原理に基づいて生じ
る。外部の影響によつて小量のガス原子がイオン
化される。このイオン化は公知の方法で増やされ
る。同じ数の自由イオンと電子とから成り準中性
である高比率のイオン化ガスはプラズマと呼ばれ
る。このガスは電極間の良好な絶縁体となる。電
極間への印加電圧が高まると、グロー区間が点火
される。ガスを通る電流がこのガスをイオン化
し、グロー区間が光を発する。
本発明は、1ミリメータ以下の格子寸法の場合
のマイクロ配線の電気試験を行なうためにも選択
的接触を可能にする試験方法および装置を簡単な
手段を用いて提供することを目的をする。
のマイクロ配線の電気試験を行なうためにも選択
的接触を可能にする試験方法および装置を簡単な
手段を用いて提供することを目的をする。
このため本発明においては、ガス放電形デイス
プレイに関する知識が利用される。
プレイに関する知識が利用される。
しかして本発明による試験方法は、試験すべき
マイクロ配線の導体層によつて接続されている2
つの格子点の間で2つの電極に十分高い電圧を印
加することによつてガス放電を生じさせ、このガ
ス放電が試験対象のために評価することのできる
電流輸送を可能にすることを特徴とする。その場
合、たとえば電圧が変調され、電流が測定され
る。本発明の大きな利点は、本発明による試験方
法がアダプタを用いたのではもはや試験すること
ができないような小さな格子間隔に対しても使用
することができるという点にある。さらに、本発
明による試験方法の実現のために技術的な困難が
惹起されないということも重要である。
マイクロ配線の導体層によつて接続されている2
つの格子点の間で2つの電極に十分高い電圧を印
加することによつてガス放電を生じさせ、このガ
ス放電が試験対象のために評価することのできる
電流輸送を可能にすることを特徴とする。その場
合、たとえば電圧が変調され、電流が測定され
る。本発明の大きな利点は、本発明による試験方
法がアダプタを用いたのではもはや試験すること
ができないような小さな格子間隔に対しても使用
することができるという点にある。さらに、本発
明による試験方法の実現のために技術的な困難が
惹起されないということも重要である。
本発明の一つの実施態様によれば、導体層が部
分的にだけ中断している欠陥をも検知できるよう
にするために、導体層抵抗を定性的に測定するた
め補助的に交流電圧が試験電極に印加され、その
結果生じた電流が印加された交流電圧に対する位
相変化を測定される。このようにして、部分的に
だけ中断された導体層も、あるいは、エツチング
プロセスにより明らかに抵抗値が高められている
導体層をも検知することができる。
分的にだけ中断している欠陥をも検知できるよう
にするために、導体層抵抗を定性的に測定するた
め補助的に交流電圧が試験電極に印加され、その
結果生じた電流が印加された交流電圧に対する位
相変化を測定される。このようにして、部分的に
だけ中断された導体層も、あるいは、エツチング
プロセスにより明らかに抵抗値が高められている
導体層をも検知することができる。
本発明による試験方法を実施するための試験装
置は、試験すべきマイクロ配線の走査点に対応し
た並列な孔を備えた絶縁体の接触板の形で設けら
れ、その孔内には電極が配設され、基板に向けら
れた孔の下部はガス放電のための燃焼室として残
され、この燃焼室内には所定の圧力下にあるガス
が充填され、前記絶縁体は低い圧力のガス雰囲気
内にて試験すべきマイクロ配線上に固定して置か
れ、その場合に前記燃焼室は前記マイクロ配線の
格子点の上に直接配置されることを特徴とする。
この種の試験装置はリングラフイで公知である技
術ならびに半導体テクノロジーの物理的・化学的
プロセスを用いて簡単に製作することができ、付
加的な開発努力を必要としない。
置は、試験すべきマイクロ配線の走査点に対応し
た並列な孔を備えた絶縁体の接触板の形で設けら
れ、その孔内には電極が配設され、基板に向けら
れた孔の下部はガス放電のための燃焼室として残
され、この燃焼室内には所定の圧力下にあるガス
が充填され、前記絶縁体は低い圧力のガス雰囲気
内にて試験すべきマイクロ配線上に固定して置か
れ、その場合に前記燃焼室は前記マイクロ配線の
格子点の上に直接配置されることを特徴とする。
この種の試験装置はリングラフイで公知である技
術ならびに半導体テクノロジーの物理的・化学的
プロセスを用いて簡単に製作することができ、付
加的な開発努力を必要としない。
ガス放電区間の電気的制御のために、プラズマ
デイスプレイに関する市販の電子機器を広く使用
することができる。
デイスプレイに関する市販の電子機器を広く使用
することができる。
次に本発明をプリント配線板の電気試験を行な
うための実施例が示されている概略図に基づいて
説明する。
うための実施例が示されている概略図に基づいて
説明する。
プリント配線板1はランド3を備えた導体層2
を表面に有している。試験すべきプリント配線板
1上に平らに載置される絶縁体4には、格子状に
多数の孔が設けられている。なお図面には断面図
で2個の孔しか示されていない。これらの孔内に
は孔の一部分に電極5が挿入され、それゆえプリ
ント配線板の表面と電極の端部との間には空所6
が形成される。装置全体は低い圧力(たとえば数
トル)下に置かれている。
を表面に有している。試験すべきプリント配線板
1上に平らに載置される絶縁体4には、格子状に
多数の孔が設けられている。なお図面には断面図
で2個の孔しか示されていない。これらの孔内に
は孔の一部分に電極5が挿入され、それゆえプリ
ント配線板の表面と電極の端部との間には空所6
が形成される。装置全体は低い圧力(たとえば数
トル)下に置かれている。
試験すべきプリント配線板に特に適合しかつ試
験すべき格子点と同じ個数の孔を有するような絶
縁体を使用することができる。しかしながら、各
格子点に1つの孔を有しかつ必要な孔のみに電極
が挿入されているような絶縁体を使用することも
できる。
験すべき格子点と同じ個数の孔を有するような絶
縁体を使用することができる。しかしながら、各
格子点に1つの孔を有しかつ必要な孔のみに電極
が挿入されているような絶縁体を使用することも
できる。
試験装置は外気に対して密閉され、ガスが充填
される。このガスは空気であつてもよい。その
後、真空システムによつて基準圧力よりも低い所
定圧力に調整される。この圧力は電極への印加電
圧および使用されるガスの種類ならびに燃焼室の
寸法に応じて決められる。圧力が調整されると、
絶縁体は試験すべきマイクロ配線を備えたプリン
ト配線板上に載置される。その後電気試験が行な
われる。
される。このガスは空気であつてもよい。その
後、真空システムによつて基準圧力よりも低い所
定圧力に調整される。この圧力は電極への印加電
圧および使用されるガスの種類ならびに燃焼室の
寸法に応じて決められる。圧力が調整されると、
絶縁体は試験すべきマイクロ配線を備えたプリン
ト配線板上に載置される。その後電気試験が行な
われる。
図示されているように、2個の格子点が1つの
導体層によつて接続されており、電極への印加電
圧がガスの放電開始電圧を越えると、2回のガス
放電が生じ、それにより通常の方法で検出するこ
とのできる電流が流れる。電流の流れが生じるこ
とは試験すべきマイクロ配線に欠陥がないことを
判定するための基準となる。導体層の電気抵抗を
測定するために、補助的に位相変調方法を使用す
ることができる。
導体層によつて接続されており、電極への印加電
圧がガスの放電開始電圧を越えると、2回のガス
放電が生じ、それにより通常の方法で検出するこ
とのできる電流が流れる。電流の流れが生じるこ
とは試験すべきマイクロ配線に欠陥がないことを
判定するための基準となる。導体層の電気抵抗を
測定するために、補助的に位相変調方法を使用す
ることができる。
本発明による試験方法および試験装置は、1ミ
リメータ以下の格子寸法での使用に限定されるの
ではなく、たとえば上述したアダプタをなおも使
用することのできるような限界領域においても使
用可能である。
リメータ以下の格子寸法での使用に限定されるの
ではなく、たとえば上述したアダプタをなおも使
用することのできるような限界領域においても使
用可能である。
図は本発明の一実施例の概略断面図である。
1…プリント配線板、2…導体層、3…ラン
ド、4…絶縁体、5,5…電極、6,6…空所。
ド、4…絶縁体、5,5…電極、6,6…空所。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 試験すべきマイクロ配線の導体層によつて接
続されている2つの格子点の間で2つの電極に十
分高い電圧を印加することによつてガス放電を生
じさせ、このガス放電が試験対象のために評価す
ることのできる電流輸送を可能にすることを特徴
とする格子寸法にて配線されたマイクロ配線の電
気試験方法。 2 導体層抵抗を定性的に測定するために補助的
に交流電圧が試験電極に印加され、その結果生じ
た電流が印加された交流電圧に対する位相変化を
測定されることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の方法。 3 試験すべきマイクロ配線の格子点に対応した
並列な孔を備えた絶縁体が接触板の形で設けら
れ、その孔内には電極が配設され、基板に向けら
れた孔の下部はガス放電のための燃焼室として形
成され、この燃焼室内には所定の圧力下のガスが
充填され、前記絶縁体は低い圧力のガス雰囲気内
にて試験すべきマイクロ配線上に固定して置か
れ、その場合に前記燃焼室は前記マイクロ配線の
ランド又は格子点の上に直接配置されることを特
徴とするマイクロ配線の電気試験装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3231598.8 | 1982-08-25 | ||
| DE19823231598 DE3231598A1 (de) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | Verfahren und vorrichtung zur elektrischen pruefung von mikroverdrahtungen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965268A JPS5965268A (ja) | 1984-04-13 |
| JPH0324634B2 true JPH0324634B2 (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=6171672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154732A Granted JPS5965268A (ja) | 1982-08-25 | 1983-08-24 | マイクロ配線の電気試験方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4600878A (ja) |
| EP (1) | EP0102565B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5965268A (ja) |
| DE (2) | DE3231598A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3671110D1 (de) * | 1985-09-04 | 1990-06-13 | Siemens Ag | Vorrichtung fuer die elektrische funktionspruefung von verdrahtungsfeldern, insbesondere von leiterplatten. |
| EP0218058B1 (de) * | 1985-09-04 | 1990-05-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Vorrichtung für die elektrische Funktionsprüfung von Verdrahtungsfeldern, insbesondere von Leiterplatten |
| US4771230A (en) * | 1986-10-02 | 1988-09-13 | Testamatic Corporation | Electro-luminescent method and testing system for unpopulated printed circuit boards, ceramic substrates, and the like having both electrical and electro-optical read-out |
| EP0285798A3 (de) * | 1987-03-31 | 1990-03-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Vorrichtung für die elektrische Funktionsprüfung von Verdrahtungsfeldern, insbesondere von Leiterplatten |
| EP0286814A3 (de) * | 1987-03-31 | 1990-03-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Ansteuereinrichtung |
| DE3882563D1 (de) * | 1987-03-31 | 1993-09-02 | Siemens Ag | Vorrichtung fuer die elektrische funktionspruefung von verdrahtungsfeldern, insbesondere von leiterplatten. |
| DE3888946D1 (de) * | 1987-12-21 | 1994-05-11 | Siemens Ag | Ansteuereinrichtung für die Vorrichtung zur elektrischen Funktionsprüfung von Verdrahtungsfeldern. |
| DE3927842A1 (de) * | 1989-08-23 | 1991-02-28 | Siemens Ag | Vorrichtung fuer die elektrische funktionspruefung von verdrahtungsfeldern, insbesondere von leiterplatten |
| EP0498007A1 (en) * | 1991-02-06 | 1992-08-12 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for contactless testing |
| DE4310573A1 (de) * | 1993-03-31 | 1994-10-06 | Siemens Ag | Plasmaadapter mit Matrixadressierung für die elektrische Funktionsprüfung von Verdrahtungsfeldern, insbesondere von Leiterplatten |
| JPH07140209A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-06-02 | Fujitsu Ltd | 回路配線基板の検査装置およびその検査方法 |
| US5587664A (en) * | 1995-07-12 | 1996-12-24 | Exsight Ltd. | Laser-induced metallic plasma for non-contact inspection |
| US5818239A (en) * | 1997-03-05 | 1998-10-06 | International Business Machines Corporation | Simplified contactless test of MCM thin film I/O nets using a plasma |
| US6118285A (en) * | 1998-01-28 | 2000-09-12 | Probot, Inc | Non-contact plasma probe for testing electrical continuity of printed wire boards |
| AT507322B1 (de) * | 2008-10-07 | 2011-07-15 | Nanoident Technologies Ag | Schaltvorrichtung zur elektrischen kontaktprüfung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3096478A (en) * | 1959-08-18 | 1963-07-02 | Okonite Co | Apparatus with conductive gas electrodes for detecting non-uniformity in electrically insulating and electrically semi-conducting materials |
| GB1316108A (en) * | 1969-08-27 | 1973-05-09 | British Aircraft Corp Ltd | Apparatus for testing printed circuit boards |
| US4186338A (en) * | 1976-12-16 | 1980-01-29 | Genrad, Inc. | Phase change detection method of and apparatus for current-tracing the location of faults on printed circuit boards and similar systems |
-
1982
- 1982-08-25 DE DE19823231598 patent/DE3231598A1/de not_active Withdrawn
-
1983
- 1983-07-06 US US06/511,233 patent/US4600878A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-08-16 DE DE8383108084T patent/DE3375046D1/de not_active Expired
- 1983-08-16 EP EP83108084A patent/EP0102565B1/de not_active Expired
- 1983-08-24 JP JP58154732A patent/JPS5965268A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0102565B1 (de) | 1987-12-23 |
| JPS5965268A (ja) | 1984-04-13 |
| US4600878A (en) | 1986-07-15 |
| EP0102565A3 (en) | 1984-05-02 |
| EP0102565A2 (de) | 1984-03-14 |
| DE3231598A1 (de) | 1984-03-01 |
| DE3375046D1 (en) | 1988-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0324634B2 (ja) | ||
| US4184188A (en) | Substrate clamping technique in IC fabrication processes | |
| KR970063504A (ko) | 반도체 장치 제조 방법 및 제조 장치 | |
| US4980019A (en) | Etch-back process for failure analysis of integrated circuits | |
| US7309997B1 (en) | Monitor system and method for semiconductor processes | |
| US4581536A (en) | Radiation detection tube having spurious radiation shield | |
| US3796955A (en) | Gate oxide early fail screening test utilizing a low pressure plasma | |
| US4990218A (en) | Method of testing conductor film quality | |
| JPH1164287A (ja) | レジストの損傷状態検知方法 | |
| US6202589B1 (en) | Grounding mechanism which maintains a low resistance electrical ground path between a plate electrode and an etch chamber | |
| JPH1164386A (ja) | プローブカード装置 | |
| EP0498007A1 (en) | Method and apparatus for contactless testing | |
| JP2797351B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| GB2115938A (en) | Method of testing printed circuits | |
| KR950004550Y1 (ko) | 형광 표시관 | |
| JP2002202335A (ja) | 回路基板検査装置 | |
| JP2001035690A (ja) | プラズマ特性測定装置、プラズマ特性測定装置の較正方法、及びプラズマ処理装置の検査方法 | |
| KR100390183B1 (ko) | Fpd 검사장치의 티칭방법 | |
| KR20060119189A (ko) | 반도체 소자의 검사 방법 | |
| KR19980055933A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성방법 | |
| CA1061397A (en) | Electrical indicia display device and method for making same | |
| JPH09181135A (ja) | 半導体装置の試験装置及びその試験方法 | |
| JPH04290242A (ja) | 半導体素子の検査方法 | |
| JPH09139388A (ja) | 金属微細パターンの製造方法 | |
| KR19990053756A (ko) | 유전률 측정용 패턴의 형성방법 |