JPH0324715A - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
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- JPH0324715A JPH0324715A JP1159345A JP15934589A JPH0324715A JP H0324715 A JPH0324715 A JP H0324715A JP 1159345 A JP1159345 A JP 1159345A JP 15934589 A JP15934589 A JP 15934589A JP H0324715 A JPH0324715 A JP H0324715A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｘ線露光方法に関する。本発明は、例えば、
半導体装置の製造工程において、Ｘ線露光することによ
りパターン形或する場合などに利用することができる。
半導体装置の製造工程において、Ｘ線露光することによ
りパターン形或する場合などに利用することができる。
本出願の第１の発明は、ベリリウム窓等のＸ線透過窓を
透過したＸ線をマスクを介して被露光材に照射するＸ線
露光方法において、マスク近傍のＸ線の強度分布を測定
し、該測定に基づいてＸ線一なＸ線が照射されるように
し、これによりＸ線の光強度のバラツキによるムラの発
生を解消したものである． 本出願の第２の発明は、Ｘ線透過窓を透過したＸ線をマ
スクを介して被露光材に照射するＸ線露光方法において
、前記Ｘ線透過窓を複数のｘ！ｌｌＩ透過性材料膜から
構成し、該複数のＸ線透過性材料膜を、Ｘ線の光強度分
布が均一になるｔＳ或で配置したことによって、Ｘ線の
光強度のバラッキによる被露光材におけるパターンムラ
の発生を防止するようにしたものである． 〔従来の技術及びその間Ｂ点〕 従来より、Ｘ＃ｌＩｔ＠光装置においては、一般にＸ線
発生部は１ ０−’〜１ ０−ｌ０Ｔ ｏ ｒ ｒ程度
の超高真空になっている。例えば、第６図に示すのは、
ＳＯＲＸ４１露光装置の略示図であるが、かかるＳＯＲ
Ｘ線装置では、そのＸｖＡ発生部は１０−９〜１ ０−
” Ｔｏ ｒ ｒ程度の超高真空になっている。
透過したＸ線をマスクを介して被露光材に照射するＸ線
露光方法において、マスク近傍のＸ線の強度分布を測定
し、該測定に基づいてＸ線一なＸ線が照射されるように
し、これによりＸ線の光強度のバラツキによるムラの発
生を解消したものである． 本出願の第２の発明は、Ｘ線透過窓を透過したＸ線をマ
スクを介して被露光材に照射するＸ線露光方法において
、前記Ｘ線透過窓を複数のｘ！ｌｌＩ透過性材料膜から
構成し、該複数のＸ線透過性材料膜を、Ｘ線の光強度分
布が均一になるｔＳ或で配置したことによって、Ｘ線の
光強度のバラッキによる被露光材におけるパターンムラ
の発生を防止するようにしたものである． 〔従来の技術及びその間Ｂ点〕 従来より、Ｘ＃ｌＩｔ＠光装置においては、一般にＸ線
発生部は１ ０−’〜１ ０−ｌ０Ｔ ｏ ｒ ｒ程度
の超高真空になっている。例えば、第６図に示すのは、
ＳＯＲＸ４１露光装置の略示図であるが、かかるＳＯＲ
Ｘ線装置では、そのＸｖＡ発生部は１０−９〜１ ０−
” Ｔｏ ｒ ｒ程度の超高真空になっている。
ＥＢ励起方式のＸ線露光装置では、１ ０−’Ｔｏ ｒ
ｒ程度の超高真空となっている。一方、マスク．ウエ
ハ部は、Ｘ線の吸収によるマスクの温度上昇を防ぐため
、一般に、熱伝導の良いヘリウム雰囲気の大気圧となっ
ている。即ち、第６図の略示図で言えば、Ｘ線発生部１
０であるＳＯＲ蓄積リングを備えるＸ４ｌｌＩ発生室１
１は超高真空であり、マスク，ウエハ部である露光室ｌ
２は大気圧である．即ち、Ｘ線発生部１０であるＳＯＲ
蓄積リングのある部分は、１ ０−’〜１ ０−” Ｔ
ｏ ｒ ｒ程度の超高真空であるのに対し、露光室１
２は大気圧になっている。図中、１はＸｖＡを示す．３
はマスク、４はウエハである。上記高真空部と大気部と
を隔て、Ｘ線発生部１０における真空劣化を防ぐために
、例えば２５／４ｍ位の膜厚のＢｅ（ベリリウム）窓２
が設けられる。このＢｅ窓は、露光雰囲気の大気圧（前
記のとおり一般にはＨｅ雰囲気）から真空を保護するた
めのものであり、ｘｉの透過率を確保するとともに、真
空度差を確保するための機械的強度が要求される． よってこのＢｅ窓の膜厚は、上記を満足するため、通常
２０〜３０μｍ位であることが必要となる． しかしながら、このような膜厚の１３ｅ膜を、露光に必
要な面積（通常２５＋ｎＱ位）で、均一な膜厚で形威す
ることは、現状の技術ではたいへん困難である。一般に
上記ｆ３ｅ膜はスパッタ法等によって形威されるが、均
一な膜厚を得るのは難しく、通常５μｍ位の膜厚のバラ
ッキが生じている．このような膜厚のバラッキがあれば
、結果として、膜厚の差により生じる透過率の差に基づ
き、Ｘ％ｍ光強度分布のバラツキが生じ、得られるレジ
ストパターンについても、光強度差のバラッキによるパ
ターンムラが生じる。
ｒ程度の超高真空となっている。一方、マスク．ウエ
ハ部は、Ｘ線の吸収によるマスクの温度上昇を防ぐため
、一般に、熱伝導の良いヘリウム雰囲気の大気圧となっ
ている。即ち、第６図の略示図で言えば、Ｘ線発生部１
０であるＳＯＲ蓄積リングを備えるＸ４ｌｌＩ発生室１
１は超高真空であり、マスク，ウエハ部である露光室ｌ
２は大気圧である．即ち、Ｘ線発生部１０であるＳＯＲ
蓄積リングのある部分は、１ ０−’〜１ ０−” Ｔ
ｏ ｒ ｒ程度の超高真空であるのに対し、露光室１
２は大気圧になっている。図中、１はＸｖＡを示す．３
はマスク、４はウエハである。上記高真空部と大気部と
を隔て、Ｘ線発生部１０における真空劣化を防ぐために
、例えば２５／４ｍ位の膜厚のＢｅ（ベリリウム）窓２
が設けられる。このＢｅ窓は、露光雰囲気の大気圧（前
記のとおり一般にはＨｅ雰囲気）から真空を保護するた
めのものであり、ｘｉの透過率を確保するとともに、真
空度差を確保するための機械的強度が要求される． よってこのＢｅ窓の膜厚は、上記を満足するため、通常
２０〜３０μｍ位であることが必要となる． しかしながら、このような膜厚の１３ｅ膜を、露光に必
要な面積（通常２５＋ｎＱ位）で、均一な膜厚で形威す
ることは、現状の技術ではたいへん困難である。一般に
上記ｆ３ｅ膜はスパッタ法等によって形威されるが、均
一な膜厚を得るのは難しく、通常５μｍ位の膜厚のバラ
ッキが生じている．このような膜厚のバラッキがあれば
、結果として、膜厚の差により生じる透過率の差に基づ
き、Ｘ％ｍ光強度分布のバラツキが生じ、得られるレジ
ストパターンについても、光強度差のバラッキによるパ
ターンムラが生じる。
Ｘ＆１露光のターゲットが、０．２０μｍクラスである
ことを考えると、この光強度ムラによるパターンムラは
、大きな支障となる。
ことを考えると、この光強度ムラによるパターンムラは
、大きな支障となる。
布を測定し、該測定に基づいてＸｗａ強度平均値而５を
求め、該平均値面に沿ってマスク及び被露光材を配設す
るＸ線露光方法である。
求め、該平均値面に沿ってマスク及び被露光材を配設す
るＸ線露光方法である。
本出願に係る第２の発明は、Ｘ線透過窓を透過したＸｖ
Ａをマスクを介して被露光材に照射するＸ線露光方法に
おいて、前記Ｘ線透過窓を複数のＸ＃Ｓ透過性材料膜か
ら構成し、該複数のＸ線透過性材料膜は、Ｘ線の光強度
分布が均一になる構成で配置するＸ線露光方法である。
Ａをマスクを介して被露光材に照射するＸ線露光方法に
おいて、前記Ｘ線透過窓を複数のＸ＃Ｓ透過性材料膜か
ら構成し、該複数のＸ線透過性材料膜は、Ｘ線の光強度
分布が均一になる構成で配置するＸ線露光方法である。
本発明の目的は、上記問題点を解決して、Ｂｅ窓等のＸ
線透過窓におけるＸ線透過性材料（Ｂｅ膜等）の膜厚ム
ラに起因するＸ線の強度分布のムラを解消する手段を提
供することにある．〔問題点を解決するための手段〕 本出願に係る第１の発明は、ＸｖＡｉ！ｉｉ過窓を透過
したＸ＆Ｉをマスクを介して被露光材に照射するＸ線露
光方法において、マスク近傍のＸＮｆＡの強度分〔作
用〕 本出願の第１の発明においては、ベリリウム窓等のＸ線
透過窓を通ったＸ線の光強度分布を測定し、これにより
得られるＸ線強度平均値面に沿って被露光材を配設する
ので、被露光面には均一なＸ線が照射されることになり
、よってＸｇの光強度のバラツキによるムラの発生は解
消される。
線透過窓におけるＸ線透過性材料（Ｂｅ膜等）の膜厚ム
ラに起因するＸ線の強度分布のムラを解消する手段を提
供することにある．〔問題点を解決するための手段〕 本出願に係る第１の発明は、ＸｖＡｉ！ｉｉ過窓を透過
したＸ＆Ｉをマスクを介して被露光材に照射するＸ線露
光方法において、マスク近傍のＸＮｆＡの強度分〔作
用〕 本出願の第１の発明においては、ベリリウム窓等のＸ線
透過窓を通ったＸ線の光強度分布を測定し、これにより
得られるＸ線強度平均値面に沿って被露光材を配設する
ので、被露光面には均一なＸ線が照射されることになり
、よってＸｇの光強度のバラツキによるムラの発生は解
消される。
本出願の第２の発明においては、ベリリウム窓等のＸ線
透過窓を複数のＸ線透過性材料膜〈ベリリウム膜等）か
ら構成し、該複数のＸ線透過性材料膜は、Ｘ線の光強度
分布が均一になる構成で配置したものであるので、Ｘ線
の光強度のバラツキによる被露光材におけるパターンム
ラの発生は解消される。
透過窓を複数のＸ線透過性材料膜〈ベリリウム膜等）か
ら構成し、該複数のＸ線透過性材料膜は、Ｘ線の光強度
分布が均一になる構成で配置したものであるので、Ｘ線
の光強度のバラツキによる被露光材におけるパターンム
ラの発生は解消される。
〔実施例）
以下本出願の各発明の実施例について、説明する。
まず、第１図ないし第３図を参照して、第１の実施例を
説明する。この実施例は、本出願の第１の発明の実施例
であり、該発明を、半導体装置製造プロセスにおいて、
ＳＯＲＸ線装置を用いてウエハを露光し、パターン形或
する場合に適用したものである。
説明する。この実施例は、本出願の第１の発明の実施例
であり、該発明を、半導体装置製造プロセスにおいて、
ＳＯＲＸ線装置を用いてウエハを露光し、パターン形或
する場合に適用したものである。
本実施例に用いたＸ線露光装置であるＳＯＲＸ線露光装
置の概略構成図を、第１図に示す。
置の概略構成図を、第１図に示す。
第１図中、１０はＸ線発生部をなすＳＯＲ蓄積リングで
ある。ｌはＸ線（この場合ＳＯＲ光）である．３はパタ
ーン形戒用のマスクである．４は被露光材であり、本例
の場合シリコンウエハであって、ステッパ５に支持され
ている。ｌ１はＸ線発生部１０を有するＸ線発生室、１
２はマスク３及び被露光材４を有する露光室である。Ｘ
線発生室１１は１ ０−’Ｔｏ ｒ ｒ程度の超高真空
であり、露光室１２はヘリウム雰囲気の大気圧である．
画室１１．１２を隔ててＸ線発生室１１の真空を保持す
るため、Ｘ線透過窓であるベリリウム窓２が設けられて
いる。露光室１２が大気圧でなく、１ ０−”Ｔｏ ｒ
ｒ程度の減圧状態である場合もあるが、その場合もＢ
ｅ窓２は必須である。なお第１図中、６は走査ミラーで
、Ｘ線１を方向制御している。
ある。ｌはＸ線（この場合ＳＯＲ光）である．３はパタ
ーン形戒用のマスクである．４は被露光材であり、本例
の場合シリコンウエハであって、ステッパ５に支持され
ている。ｌ１はＸ線発生部１０を有するＸ線発生室、１
２はマスク３及び被露光材４を有する露光室である。Ｘ
線発生室１１は１ ０−’Ｔｏ ｒ ｒ程度の超高真空
であり、露光室１２はヘリウム雰囲気の大気圧である．
画室１１．１２を隔ててＸ線発生室１１の真空を保持す
るため、Ｘ線透過窓であるベリリウム窓２が設けられて
いる。露光室１２が大気圧でなく、１ ０−”Ｔｏ ｒ
ｒ程度の減圧状態である場合もあるが、その場合もＢ
ｅ窓２は必須である。なお第１図中、６は走査ミラーで
、Ｘ線１を方向制御している。
本実施例において、マスク３と被露光材４であるウエハ
との間隔は、約５０μｍ以下に、正確にコントロールさ
れている。
との間隔は、約５０μｍ以下に、正確にコントロールさ
れている。
また、本実施例において、露光はＳｔｅｐ ａｎｄ Ｒ
ｅｐｅａｔで行われ、被露光材４を移動させて露光する
。
ｅｐｅａｔで行われ、被露光材４を移動させて露光する
。
ここで、マスク直前のＸ線の光強度分布は、理論的には
第２図に示すようになる．即ち、Ｘ線ビーム形状は、前
面から見ると、第２図に符号ＩＡで示したような、楕円
形状となっている。このＸ線ビームの光強度の分布は、
横方向（水平方向〉の強度分布は第２図に符号ＩＢで示
すようにほぼ一定であるが、垂直方向は１Ｃで示すよう
なガウス分布となっている。
第２図に示すようになる．即ち、Ｘ線ビーム形状は、前
面から見ると、第２図に符号ＩＡで示したような、楕円
形状となっている。このＸ線ビームの光強度の分布は、
横方向（水平方向〉の強度分布は第２図に符号ＩＢで示
すようにほぼ一定であるが、垂直方向は１Ｃで示すよう
なガウス分布となっている。
ところが、理想的には第２図のような光強度分布になる
のであるが、Ｂｅ窓２に膜厚ムラがあると、水平方向の
強度分布１Ｂも一定ではなくなる。
のであるが、Ｂｅ窓２に膜厚ムラがあると、水平方向の
強度分布１Ｂも一定ではなくなる。
本実施例においては、この光強度分布をマスク３の直前
で、より具体的にはマスク枠の近傍で測定し、この測定
によってＸ線光強度の平均値面を出し、この平均値面に
沿うようにマスク３と被露光材４（ウエハ）の傾きを補
正する。この結果、マスク３及び被露光材４は、Ｘ線の
光強度が一定である平均値面に沿って配置され、たとえ
Ｂｅ窓２に膜厚のムラ等がある場合でも、バラツキのな
い光強度でのＸ線露光が達威される。
で、より具体的にはマスク枠の近傍で測定し、この測定
によってＸ線光強度の平均値面を出し、この平均値面に
沿うようにマスク３と被露光材４（ウエハ）の傾きを補
正する。この結果、マスク３及び被露光材４は、Ｘ線の
光強度が一定である平均値面に沿って配置され、たとえ
Ｂｅ窓２に膜厚のムラ等がある場合でも、バラツキのな
い光強度でのＸ線露光が達威される。
より詳しくは、本実施例においては、第３図（ａ）に示
すようにシリコン等から或るマスク枠３１の上で、マス
ク３のパターンに近い所にＸ線強度センサ７を設け、こ
れによりｘＮｉＡの強度分布を測定する。第３図の例示
では、同図（ｂ）に示すようにセンサ７は１２点設ける
ようにしてある。
すようにシリコン等から或るマスク枠３１の上で、マス
ク３のパターンに近い所にＸ線強度センサ７を設け、こ
れによりｘＮｉＡの強度分布を測定する。第３図の例示
では、同図（ｂ）に示すようにセンサ７は１２点設ける
ようにしてある。
このセンサ７の測定結果より、Ｘ線光強度の平均値の面
を計算で求め、この面に沿うようにして、マスク３と被
露光材４ （ウエハ）の傾きを補正する。
を計算で求め、この面に沿うようにして、マスク３と被
露光材４ （ウエハ）の傾きを補正する。
なお、図示例のマスク３の厚さ３２は、約５０μｍ以下
とした。
とした。
上記の如く、本実施例では、Ｘ線露光に際してマスク３
近傍に入射するｘｂｉの強度分布を、該マスク面上（具
体的にはマスク枠４ｌ上）で測定し、この測定値の平均
値面を求め、この面に沿ってマスク３及び被露光材４で
あるウエハの傾きを補正したものであるので、Ｘ線透過
窓であるベリリウム窓２のベリリウム膜厚に多少の膜厚
ムラがあっても、Ｘ線′の光強度分布のムラを軽減する
ことができる。この結果として、マスク３によりパター
ン形威される被露光材４の例えばレジストパターンの面
内寸法のバラツキを抑えることができる．次に、第４図
及び第５図を参照して、第２の実施例を説明する。この
実施例は、本出願の第２の発明の実施例に該当するもの
である。
近傍に入射するｘｂｉの強度分布を、該マスク面上（具
体的にはマスク枠４ｌ上）で測定し、この測定値の平均
値面を求め、この面に沿ってマスク３及び被露光材４で
あるウエハの傾きを補正したものであるので、Ｘ線透過
窓であるベリリウム窓２のベリリウム膜厚に多少の膜厚
ムラがあっても、Ｘ線′の光強度分布のムラを軽減する
ことができる。この結果として、マスク３によりパター
ン形威される被露光材４の例えばレジストパターンの面
内寸法のバラツキを抑えることができる．次に、第４図
及び第５図を参照して、第２の実施例を説明する。この
実施例は、本出願の第２の発明の実施例に該当するもの
である。
本例に用いたＸ線露光措置（ここではＳＯＲＸ線露光装
置）の概略図は、第４図に示す。
置）の概略図は、第４図に示す。
第４図中、第１図におけるのと同じ符号は、第ｌ図と同
じ構戒部分を示す。
じ構戒部分を示す。
ココテ、ＸｖＡ発生室１１は、１０−９〜１０−ｌ０Ｔ
ｏｒｒと超高真空であり、一方、露光室ｌ２は、ＳＯＲ
光の吸収によるマスク３の温度上昇を防ぐため、熱伝導
の良いＨｅ雰囲気の大気圧にしてある。
ｏｒｒと超高真空であり、一方、露光室ｌ２は、ＳＯＲ
光の吸収によるマスク３の温度上昇を防ぐため、熱伝導
の良いＨｅ雰囲気の大気圧にしてある。
本実施例においては、ベリリウム窓２を、複数（図示で
は２枚）のべリリウム膜２１．２２から構成する．この
複数のべリリウム膜２１．２２は、Ｘ′４ＩＡの光強度
分布が均一になるように配置する。
は２枚）のべリリウム膜２１．２２から構成する．この
複数のべリリウム膜２１．２２は、Ｘ′４ＩＡの光強度
分布が均一になるように配置する。
本実施例において、具体的には、複数のべリリウム膜を
、全体として膜厚が一定になるように配置する。即ち、
ベリリウム窓２における面内の各膜２１．２２の膜厚ム
ラを測定し、相対的に相補い合う膜厚のものを対応させ
て全膜厚として一定となるように配置するのであり、例
えば第５図（ａ）に略示するように、図の上側が薄いベ
リリウム膜Ａと、図の下側が薄いベリリウム膜Ｂ（図で
は極端に示してある）について、図の如く薄い所と厚い
所とを合わせて、全体として均一な膜厚になるようにす
る。このように、第５図（ｂ）に示すような膜厚分布の
べリリウム膜Ａ，Ｂについてこれを重ね合わせるので、
各膜Ａ，Ｈの各々のＸ線透過光強度は第５図（ｃ）に示
す如くであるから、全透過光強度はこれを合威した形と
なり、第５図（ｄ）の如く、均一な光強度分布を示すよ
うになる．これにより、露光面における光のバラツキが
防止される。
、全体として膜厚が一定になるように配置する。即ち、
ベリリウム窓２における面内の各膜２１．２２の膜厚ム
ラを測定し、相対的に相補い合う膜厚のものを対応させ
て全膜厚として一定となるように配置するのであり、例
えば第５図（ａ）に略示するように、図の上側が薄いベ
リリウム膜Ａと、図の下側が薄いベリリウム膜Ｂ（図で
は極端に示してある）について、図の如く薄い所と厚い
所とを合わせて、全体として均一な膜厚になるようにす
る。このように、第５図（ｂ）に示すような膜厚分布の
べリリウム膜Ａ，Ｂについてこれを重ね合わせるので、
各膜Ａ，Ｈの各々のＸ線透過光強度は第５図（ｃ）に示
す如くであるから、全透過光強度はこれを合威した形と
なり、第５図（ｄ）の如く、均一な光強度分布を示すよ
うになる．これにより、露光面における光のバラツキが
防止される。
実施に際しては、例えば１０枚位ベリリウム膜をつくっ
ておいて、これの内の何枚かを組み合わせて膜厚の均一
なものを得るようにして、露光を行うようにすることが
できる． 本実施例によれば、ベリリウム窓２を複数のべリリウム
膜２１．２２から構成して、多段にするので、上記Ｘ線
発生室１ｌと露光室ｌ２の真空の差を保持するためのべ
リリウム窓の機械的強度をも十分確保することができる
。即ち、１枚のべリリウム膜についてはその膜厚が薄く
ても、全体としては十分な機械的強度が確保できるもの
である。
ておいて、これの内の何枚かを組み合わせて膜厚の均一
なものを得るようにして、露光を行うようにすることが
できる． 本実施例によれば、ベリリウム窓２を複数のべリリウム
膜２１．２２から構成して、多段にするので、上記Ｘ線
発生室１ｌと露光室ｌ２の真空の差を保持するためのべ
リリウム窓の機械的強度をも十分確保することができる
。即ち、１枚のべリリウム膜についてはその膜厚が薄く
ても、全体としては十分な機械的強度が確保できるもの
である。
かつ、ベリリウム膜厚を薄くできるので、膜厚の面内バ
ラッキも軽減され、この点でも有利である。
ラッキも軽減され、この点でも有利である。
本実施例では、上記のように、さリリウム膜２１，２２
を複数用い、多段にするとともに、トータルとしての膜
厚が一定となるように配置したので、均一なＸ線強度が
得られる。その結果、被露光材４の、例えばレジストパ
ターンの面内均一性が良くなる。更に本実施例では、複
数のべリリウム膜２１．２２の配置により、ベリリウム
窓２としての強度を確保することができる。かつ超高真
空と大気圧という大きな真空度差でも、多段配置により
真空度の差を小さくできるので、ベリリウム窓２の破壊
を防止できるという効果もある。
を複数用い、多段にするとともに、トータルとしての膜
厚が一定となるように配置したので、均一なＸ線強度が
得られる。その結果、被露光材４の、例えばレジストパ
ターンの面内均一性が良くなる。更に本実施例では、複
数のべリリウム膜２１．２２の配置により、ベリリウム
窓２としての強度を確保することができる。かつ超高真
空と大気圧という大きな真空度差でも、多段配置により
真空度の差を小さくできるので、ベリリウム窓２の破壊
を防止できるという効果もある。
上述の如く、本発明によれば、従来の問題点を解決して
、Ｂｅ窓等のＸ線透過窓のＸ線透過性材料（Ｂｅ膜等）
の膜厚ムラに起因するＸ線の光強度分布のムラを解消す
ることができる。
、Ｂｅ窓等のＸ線透過窓のＸ線透過性材料（Ｂｅ膜等）
の膜厚ムラに起因するＸ線の光強度分布のムラを解消す
ることができる。
第１図は、本出願の第１の発明の一実施例を示す構戒図
である。第２図は、該実施例の作用を説明するための図
である。第３図（ａ） （ｂ）は該実施例の詳細構成
図であり、第３図（ａ）は同図（ｂ）のｍ−ｍ線断面図
に該当する． 第ヰ図は、本出願の第２の発明の一実施例を示す構成図
である。第５図は、該実施例の作用を説明するための図
である。 第６図は従来例の問題点を示す図である。 １・・・Ｘ線、２・・・ベリリウム窓（Ｘ線透過窓〉、
２１， ２２， Ａ， Ｂ・・・ベリリウム膜（Ｘ線
透過性材料膜）、３・・・マスク、４・・・被露光材、
ＩＯ・・・Ｘ線発生部（ＳＯＲ蓄積リング）、１１・・
・Ｘ線発生室、１２・・・露光室。 ラトイの９１３辛そイクｊの講Ｒ 臣ク第１図 才イの寅た／Ｉ列の薯，細図 第 ３ 図 ｘ線じ゛ニム彫Ｘ′及でｔ″ｘぷδノ５強バしのイＰ第
２図 才２σ）ク真ＦＮ三づビｉりのン卸鵠ｒｌ’Ｎ’Ｆ第４
図 （ａ） 順早 ｎ眼ｔ施度 全立巽允強度 第５図
である。第２図は、該実施例の作用を説明するための図
である。第３図（ａ） （ｂ）は該実施例の詳細構成
図であり、第３図（ａ）は同図（ｂ）のｍ−ｍ線断面図
に該当する． 第ヰ図は、本出願の第２の発明の一実施例を示す構成図
である。第５図は、該実施例の作用を説明するための図
である。 第６図は従来例の問題点を示す図である。 １・・・Ｘ線、２・・・ベリリウム窓（Ｘ線透過窓〉、
２１， ２２， Ａ， Ｂ・・・ベリリウム膜（Ｘ線
透過性材料膜）、３・・・マスク、４・・・被露光材、
ＩＯ・・・Ｘ線発生部（ＳＯＲ蓄積リング）、１１・・
・Ｘ線発生室、１２・・・露光室。 ラトイの９１３辛そイクｊの講Ｒ 臣ク第１図 才イの寅た／Ｉ列の薯，細図 第 ３ 図 ｘ線じ゛ニム彫Ｘ′及でｔ″ｘぷδノ５強バしのイＰ第
２図 才２σ）ク真ＦＮ三づビｉりのン卸鵠ｒｌ’Ｎ’Ｆ第４
図 （ａ） 順早 ｎ眼ｔ施度 全立巽允強度 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線透過窓を透過したＸ線をマスクを介して被露光
材に照射するＸ線露光方法において、マスク近傍のＸ線
の強度分布を測定し、 該測定に基づいてＸ線強度平均値面を求め、該平均値面
に沿ってマスク及び被露光材を配設するＸ線露光方法。 ２、Ｘ線透過窓を透過したＸ線をマスクを介して被露光
材に照射するＸ線露光方法において、前記Ｘ線透過窓を
複数のＸ線透過性材料膜から構成し、 該複数のＸ線透過性材料膜は、Ｘ線の光強度分布が均一
になる構成で配置するＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1159345A JPH0324715A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | Ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1159345A JPH0324715A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | Ｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0324715A true JPH0324715A (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=15691815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1159345A Pending JPH0324715A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | Ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0324715A (ja) |
-
1989
- 1989-06-21 JP JP1159345A patent/JPH0324715A/ja active Pending
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