JPH059935B2 - - Google Patents
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- JPH059935B2 JPH059935B2 JP62161226A JP16122687A JPH059935B2 JP H059935 B2 JPH059935 B2 JP H059935B2 JP 62161226 A JP62161226 A JP 62161226A JP 16122687 A JP16122687 A JP 16122687A JP H059935 B2 JPH059935 B2 JP H059935B2
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 17
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 3
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70058—Mask illumination systems
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-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、Ｘ線露光装置に係り、さらに詳しく
は大面積のＸ線マスクパターンを均一に転写でき
るＸ線露光装置に関する。
は大面積のＸ線マスクパターンを均一に転写でき
るＸ線露光装置に関する。
［従来の技術］
シンクロトロン放射光を使用するＸ線露光装置
の原理は第３図に示すようにシンクロトロン放射
光３をＸ線吸収材によりマスクパターンの描かれ
たＸ線マスク６を通して被加工物８のレジスト膜
７にマスクパターンを転写するものである。図
中、１は蓄積リング、２はシンクロトロン放射光
源を示す。
の原理は第３図に示すようにシンクロトロン放射
光３をＸ線吸収材によりマスクパターンの描かれ
たＸ線マスク６を通して被加工物８のレジスト膜
７にマスクパターンを転写するものである。図
中、１は蓄積リング、２はシンクロトロン放射光
源を示す。
シンクロトロン放射光は電子軌道面に平行な方
向には強度が均一であるが垂直方向には鋭い角度
分布をもつため光源から約10ｍ離れた位置でも縦
方向には幅数mmの露光領域しか得られない。その
ため露光領域を拡大する方法として1983年に発行
された刊行物「ジヤーナル・オブ・バキユーム・
サイエンス・アンド・テクノロジー」（Journal
of Vacuum Science and Technology）B1巻、
1262〜1266頁に開示されているようにシンクロト
ロン放射光源２とＸ線マスク６との間に設置した
Ｘ線ミラー２２を振動させる方法が実施されてい
る。この装置において、蓄積リング、シンクロト
ロン放射光源、Ｘ線ミラー等は高真空中にある
が、実用的な露光装置ではＸ線マスクおよびウエ
ハは作業効率の点から大気圧下に置くことが必要
である。このため、Ｘ線ミラーとＸ線マスクとの
間にＸ線取出し窓５が必要となる。
向には強度が均一であるが垂直方向には鋭い角度
分布をもつため光源から約10ｍ離れた位置でも縦
方向には幅数mmの露光領域しか得られない。その
ため露光領域を拡大する方法として1983年に発行
された刊行物「ジヤーナル・オブ・バキユーム・
サイエンス・アンド・テクノロジー」（Journal
of Vacuum Science and Technology）B1巻、
1262〜1266頁に開示されているようにシンクロト
ロン放射光源２とＸ線マスク６との間に設置した
Ｘ線ミラー２２を振動させる方法が実施されてい
る。この装置において、蓄積リング、シンクロト
ロン放射光源、Ｘ線ミラー等は高真空中にある
が、実用的な露光装置ではＸ線マスクおよびウエ
ハは作業効率の点から大気圧下に置くことが必要
である。このため、Ｘ線ミラーとＸ線マスクとの
間にＸ線取出し窓５が必要となる。
［発明が解決しようとする問題点］
Ｘ線取出し窓は、Ｘ線の透過率が高く、かつ大
気圧に耐える機械的強度を持つと共に、気密性が
高く、熱やＸ線による劣化の少ない物質でなけれ
ばならない。このため、通常は金属ベリリウム箔
が用いられるが、この場合酸化によりベリリウム
の劣化を防ぐため、第３図に示すようにヘリウム
槽１０を設けた２重構造とすることが多い。な
お、図中、１１は有機薄膜である。
気圧に耐える機械的強度を持つと共に、気密性が
高く、熱やＸ線による劣化の少ない物質でなけれ
ばならない。このため、通常は金属ベリリウム箔
が用いられるが、この場合酸化によりベリリウム
の劣化を防ぐため、第３図に示すようにヘリウム
槽１０を設けた２重構造とすることが多い。な
お、図中、１１は有機薄膜である。
露光領域の大きさは25mm×25mm〜50mm×50mm程
度必要なので、従来の方法ではＸ線取出し窓の大
きさもこの大きさとなる。Ｘ線の透過率を高くす
るためにはベリリウム箔の厚さは薄いほど良い
が、面積が大きいので機械的強度を保つためには
その薄さに限界がある。例えば25mm×25mmの大き
さの窓ではBeの厚さは50μｍ以上とすることが必
要となり、Ｘ線露光で使用する波長10Å付近のＸ
線は10分の１以下に減衰してしまうという欠点を
有している。
度必要なので、従来の方法ではＸ線取出し窓の大
きさもこの大きさとなる。Ｘ線の透過率を高くす
るためにはベリリウム箔の厚さは薄いほど良い
が、面積が大きいので機械的強度を保つためには
その薄さに限界がある。例えば25mm×25mmの大き
さの窓ではBeの厚さは50μｍ以上とすることが必
要となり、Ｘ線露光で使用する波長10Å付近のＸ
線は10分の１以下に減衰してしまうという欠点を
有している。
本発明の目的はＸ線取出し窓の大きさを露光領
域より小さくすることにより窓の厚みを薄くする
ことができ、かくしてＸ線を有効に取出すことの
できるＸ線露光装置を提供することにある。
域より小さくすることにより窓の厚みを薄くする
ことができ、かくしてＸ線を有効に取出すことの
できるＸ線露光装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、シンクロトロン放射光源から放射さ
れる放射光をＸ線ミラーで反射させ、Ｘ線マスク
を通してＸ線レジストが塗布された被加工物上に
照射するＸ線露光装置において、前記Ｘ線ミラー
として集光作用を有するＸ線ミラーを用い、かつ
光学系の焦点付近にＸ線取出し窓を配置してなる
ことを特徴とするＸ線露光装置である。
れる放射光をＸ線ミラーで反射させ、Ｘ線マスク
を通してＸ線レジストが塗布された被加工物上に
照射するＸ線露光装置において、前記Ｘ線ミラー
として集光作用を有するＸ線ミラーを用い、かつ
光学系の焦点付近にＸ線取出し窓を配置してなる
ことを特徴とするＸ線露光装置である。
［作用］
本発明においてはＸ線ミラーに集光作用をもた
せ、焦点付近の光路が狭くなつた位置にＸ線取出
し窓を設ける。こうすることによりＸ線取出し窓
の面積を小さくすることができるので、薄い窓で
１気圧の差圧を支えることができるようになり、
Ｘ線取出し効率が向上する。
せ、焦点付近の光路が狭くなつた位置にＸ線取出
し窓を設ける。こうすることによりＸ線取出し窓
の面積を小さくすることができるので、薄い窓で
１気圧の差圧を支えることができるようになり、
Ｘ線取出し効率が向上する。
［実施例］
次に本発明の実施例について図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は、本発明に係るＸ線露光装置の一実施
例を示す概略平面図である。基本的構造は第３図
とほぼ同じなので同一構成部分には同一番号を付
してその説明を省略する。ただし、第１図では振
動するＸ線ミラーを円筒鏡あるいはトロイダル鏡
のような水平方向の収束作用を有するＸ線集光ミ
ラー４とし、Ｘ線集光ミラー４と露光位置の間に
焦点を置く。そして焦点付近にＸ線取出し窓１５
を設置し、窓より下流側をヘリウム槽１０とする
ことにより従来の装置と比較してＸ線取出し窓の
大きさをずつと小さくすることができる。
例を示す概略平面図である。基本的構造は第３図
とほぼ同じなので同一構成部分には同一番号を付
してその説明を省略する。ただし、第１図では振
動するＸ線ミラーを円筒鏡あるいはトロイダル鏡
のような水平方向の収束作用を有するＸ線集光ミ
ラー４とし、Ｘ線集光ミラー４と露光位置の間に
焦点を置く。そして焦点付近にＸ線取出し窓１５
を設置し、窓より下流側をヘリウム槽１０とする
ことにより従来の装置と比較してＸ線取出し窓の
大きさをずつと小さくすることができる。
第２図は、Ｘ線ミラーを２枚使用した場合の一
実施例を示す概略図で、ａは概略平面図、ｂは概
略側面図である。上流側のＸ線集光ミラー２１は
放射光を水平方向に収束させるためのミラーであ
り、第１図のＸ線集光ミラー４と同じく円筒鏡ま
たはトロイダル鏡とするが振動はしない。下流側
のＸ線ミラー２２は平面振動ミラーとする。この
ようにすれば振動するＸ線ミラー２２の近くにＸ
線の焦点を配置することが可能となるので、焦点
付近にＸ線取出し窓を設置することによりＸ線取
出し窓は縦方向、横方向ともに小さくすることが
できる。
実施例を示す概略図で、ａは概略平面図、ｂは概
略側面図である。上流側のＸ線集光ミラー２１は
放射光を水平方向に収束させるためのミラーであ
り、第１図のＸ線集光ミラー４と同じく円筒鏡ま
たはトロイダル鏡とするが振動はしない。下流側
のＸ線ミラー２２は平面振動ミラーとする。この
ようにすれば振動するＸ線ミラー２２の近くにＸ
線の焦点を配置することが可能となるので、焦点
付近にＸ線取出し窓を設置することによりＸ線取
出し窓は縦方向、横方向ともに小さくすることが
できる。
［発明の効果］
以上詳述した如く、本発明のＸ線露光装置は集
光作用を持たせたＸ線ミラーを用いているので、
光学系の焦点付近にＸ線取出し窓を設けることに
より該窓の面積を小さくできる。従つてシンクロ
トロン放射光を用いて大面積の均一露光を行う際
にもＸ線取出し窓を大きく取る必要がないのでＸ
線透過率の高い薄い取出し窓を使用することがで
きる。
光作用を持たせたＸ線ミラーを用いているので、
光学系の焦点付近にＸ線取出し窓を設けることに
より該窓の面積を小さくできる。従つてシンクロ
トロン放射光を用いて大面積の均一露光を行う際
にもＸ線取出し窓を大きく取る必要がないのでＸ
線透過率の高い薄い取出し窓を使用することがで
きる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略平面図、
第２図は本発明の他の実施例を示す概略図で第２
図ａは概略平面図、第２図ｂは概略側面図、第３
図は従来例によるＸ線露光装置を示す概略図であ
る。 １……蓄積リング、２……シンクロトロン放射
光源、３……シンクロトロン放射光、４，２１…
…Ｘ線集光ミラー、５，１５……Ｘ線取出し窓、
６……Ｘ線マスク、７……レジスト膜、８……被
加工物、９……真空容器、１０……ヘリウム槽、
１１……有機薄膜、２２……Ｘ線ミラー。
第２図は本発明の他の実施例を示す概略図で第２
図ａは概略平面図、第２図ｂは概略側面図、第３
図は従来例によるＸ線露光装置を示す概略図であ
る。 １……蓄積リング、２……シンクロトロン放射
光源、３……シンクロトロン放射光、４，２１…
…Ｘ線集光ミラー、５，１５……Ｘ線取出し窓、
６……Ｘ線マスク、７……レジスト膜、８……被
加工物、９……真空容器、１０……ヘリウム槽、
１１……有機薄膜、２２……Ｘ線ミラー。
Claims (1)
- １ シンクロトロン放射光源から放射される放射
光をＸ線ミラーで反射させ、Ｘ線マスクを通して
Ｘ線レジストが塗布された被加工物上に照射する
Ｘ線露光装置において、前記Ｘ線ミラーとして集
光作用を有するＸ線ミラーを用い、かつ光学系の
焦点付近にＸ線取出し窓を配置してなることを特
徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62161226A JPS647620A (en) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | X-ray aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62161226A JPS647620A (en) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | X-ray aligner |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS647620A JPS647620A (en) | 1989-01-11 |
| JPH059935B2 true JPH059935B2 (ja) | 1993-02-08 |
Family
ID=15731026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62161226A Granted JPS647620A (en) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | X-ray aligner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS647620A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0338026A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 放射光露光装置 |
-
1987
- 1987-06-30 JP JP62161226A patent/JPS647620A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS647620A (en) | 1989-01-11 |
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