JPH0324718A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0324718A JPH0324718A JP15824189A JP15824189A JPH0324718A JP H0324718 A JPH0324718 A JP H0324718A JP 15824189 A JP15824189 A JP 15824189A JP 15824189 A JP15824189 A JP 15824189A JP H0324718 A JPH0324718 A JP H0324718A
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- JP
- Japan
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- susceptor
- rod
- reaction gas
- film thickness
- section
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置、特に縦型バッチ式エビ・ＣＶ
Ｄ装置の構造に関する。
Ｄ装置の構造に関する。
３．発明の詳細な説明
（概要）
半導体製造装置、特に縦型バッチ式エビ・Ｃ■Ｄ装置の
構造に関し、 エビ・ＣＶＤ装置において、反応ガスのガス流がかき乱
されることを防ぎ、均一な膜厚分布を得〔従来の技術〕 近年のＬＳＩのウエハプロセスには大口径化が要求され
ている。そのために例えば、８インチ（約２０ｃｍ）を
越えるウエハにシリコンをエピタキシャル戒長ずるには
、半導体製造装置として縦型のバッチ式のエピタキシャ
ル化学気相或長（Ｃ■Ｄ）装置（エビ・ＣＶＤ装置と略
称される。）が用いられるが、ウエハ上に戒長ずる例え
ばシリコンの平均した膜厚分布を得るにはウエハ自体を
回転することが行われる。
構造に関し、 エビ・ＣＶＤ装置において、反応ガスのガス流がかき乱
されることを防ぎ、均一な膜厚分布を得〔従来の技術〕 近年のＬＳＩのウエハプロセスには大口径化が要求され
ている。そのために例えば、８インチ（約２０ｃｍ）を
越えるウエハにシリコンをエピタキシャル戒長ずるには
、半導体製造装置として縦型のバッチ式のエピタキシャ
ル化学気相或長（Ｃ■Ｄ）装置（エビ・ＣＶＤ装置と略
称される。）が用いられるが、ウエハ上に戒長ずる例え
ばシリコンの平均した膜厚分布を得るにはウエハ自体を
回転することが行われる。
第４図に従来の縦型バッチ式エビ・ＣＶＤ装置の構成が
示され、図中、１１は石英製のチャンバーｌ２は石英製
のガス導入管、ｌ３は石英製のガス俳気管（以下、単に
排気管という。）、ｌ４はカーボン製のサセプタ、１５
はサセプタ１４上に 載置されたその上にシリコンを成
長させる試料 （ウエハ）、ｌ６はサセプタｌ４を支持
するカーボン製のロッド、１７はモータ、１８はロツド
１６を支持し、かつ、モータｌ７によって回転されるロ
ンド支持台で、反応ガス１９は矢印１方向に導入されて
ガス導入管ｌ２の開口部１２ａからチャンバー１１内に
供給され、次いで排気管ｌ３の開口部１３ａから吸込ま
れ排気管ｌ３から矢印パ方向に排気される．同図（ｂ）
はウエハ１５が載置されたサセプタｌ４の平面図で、サ
セプタ１４は矢印■方向に回転し、反応ガスは矢印■方
向に供給され、矢印■方向に排気される。ロッド１６の
断面は同図（ｃ）に示されるように円形である。
示され、図中、１１は石英製のチャンバーｌ２は石英製
のガス導入管、ｌ３は石英製のガス俳気管（以下、単に
排気管という。）、ｌ４はカーボン製のサセプタ、１５
はサセプタ１４上に 載置されたその上にシリコンを成
長させる試料 （ウエハ）、ｌ６はサセプタｌ４を支持
するカーボン製のロッド、１７はモータ、１８はロツド
１６を支持し、かつ、モータｌ７によって回転されるロ
ンド支持台で、反応ガス１９は矢印１方向に導入されて
ガス導入管ｌ２の開口部１２ａからチャンバー１１内に
供給され、次いで排気管ｌ３の開口部１３ａから吸込ま
れ排気管ｌ３から矢印パ方向に排気される．同図（ｂ）
はウエハ１５が載置されたサセプタｌ４の平面図で、サ
セプタ１４は矢印■方向に回転し、反応ガスは矢印■方
向に供給され、矢印■方向に排気される。ロッド１６の
断面は同図（ｃ）に示されるように円形である。
ウエハ１５上に例えばシリコン（Ｓｉ）薄膜を形或する
には、反応ガスに（Ｓｉｔｌ４＋ Ｈｚ）ガスを用い、
５の反応を起こさせてウエハ１５上にＳｉをエピタキシ
ャル成長させる。
には、反応ガスに（Ｓｉｔｌ４＋ Ｈｚ）ガスを用い、
５の反応を起こさせてウエハ１５上にＳｉをエピタキシ
ャル成長させる。
前記した従来の装置のサセプタ１４を支持するロンド１
６の断面形状は第４図（ｃ）に示すように円形のもので
あった。サセプタ１４が回転しロンド１６がそれにつれ
て回転し矢印■で示すガス流の前を通過すると、ガス流
をかき乱し、その結果、ウェハのロッド１６に近い部分
、すなわち第５図に砂地を付して示す部分では戒長ずる
シリコンの膜厚が他の部分に比べて薄くなることが確認
された。
６の断面形状は第４図（ｃ）に示すように円形のもので
あった。サセプタ１４が回転しロンド１６がそれにつれ
て回転し矢印■で示すガス流の前を通過すると、ガス流
をかき乱し、その結果、ウェハのロッド１６に近い部分
、すなわち第５図に砂地を付して示す部分では戒長ずる
シリコンの膜厚が他の部分に比べて薄くなることが確認
された。
そこで本発明は、エビ・ＣＶＤ装置において、反応ガス
のガス流がかき乱されることを防ぎ、均一な膜厚分布を
得ることのできる手段を提供することを目的とする。
のガス流がかき乱されることを防ぎ、均一な膜厚分布を
得ることのできる手段を提供することを目的とする。
上記課題は、サセプタ上に試料を載置し、該サセプタを
回転させて該試料上に所望の物質のエピタキシャル戒長
をさせる縦型バッチ式エピタキシャル、化学気相威長装
置にして、サセプタを支持するロンドの断面形状を該サ
セプタの進行方向に相対的に流線形にし、エピタキシャ
ル成長反応ガスのかく乱を防止する構或とした半導体製
造装置によって解決される。
回転させて該試料上に所望の物質のエピタキシャル戒長
をさせる縦型バッチ式エピタキシャル、化学気相威長装
置にして、サセプタを支持するロンドの断面形状を該サ
セプタの進行方向に相対的に流線形にし、エピタキシャ
ル成長反応ガスのかく乱を防止する構或とした半導体製
造装置によって解決される。
〔作用］
第２図は本発明の原理を説明する図で、図中、２６は本
発明にかかるロッドを示す。このロッド２６の断面形状
は、矢印■で示すサセプタ２４の回転方向に対しガス流
をかく乱することのないよう流線形になっていて、ロッ
ド２６がガスの流れの中におかれたときロンド２６の表
面にできる境界層がはがれず、従って渦を発生すること
なく抵抗はきわめて小になるので、従来例に認められた
ガス流のかく乱がなく、ガスの流れがスムーズにサセプ
タ２４相互間の内部に入りそして排気されるので膜が平
均して威長されるのである。
発明にかかるロッドを示す。このロッド２６の断面形状
は、矢印■で示すサセプタ２４の回転方向に対しガス流
をかく乱することのないよう流線形になっていて、ロッ
ド２６がガスの流れの中におかれたときロンド２６の表
面にできる境界層がはがれず、従って渦を発生すること
なく抵抗はきわめて小になるので、従来例に認められた
ガス流のかく乱がなく、ガスの流れがスムーズにサセプ
タ２４相互間の内部に入りそして排気されるので膜が平
均して威長されるのである。
以下、本発明を図示の実施例により具体的に説明する。
第１図は本発明実施例の構戒図で、図中、第４図に示し
た部分と同じ部分は同一符号を付して示し、２６は前記
した如く本発明にかかるロッドでそれは従来例同様にカ
ーボン製のものであり、２ｏはスペーサである。このス
ペーサ２０もカーボン製のものでロンド２６の断面形状
に対応する穴２０ａがあけられたものである。そして、
サセプタ２４には、ロッド２６の断面形状に対応した穴
２４ａが形成されている。
た部分と同じ部分は同一符号を付して示し、２６は前記
した如く本発明にかかるロッドでそれは従来例同様にカ
ーボン製のものであり、２ｏはスペーサである。このス
ペーサ２０もカーボン製のものでロンド２６の断面形状
に対応する穴２０ａがあけられたものである。そして、
サセプタ２４には、ロッド２６の断面形状に対応した穴
２４ａが形成されている。
サセプタ２４の組み立てにおいては、ロンド２６の断面
形状と同様に穴２８ａのあいたロッド支持台２８にロッ
ド２６をさし込む。次に、ロッド２６に、流線形の断面
形状をとり、ロンド２６の断面と同様の穴２０ａのあい
たスペーサ２０をさし込み、その上からサセプタ２４を
さし込む。同じ要領でスペーサ２０とサセプタ２４を交
互にさし込み、所定の枚数のサセプタを取り付ける。
形状と同様に穴２８ａのあいたロッド支持台２８にロッ
ド２６をさし込む。次に、ロッド２６に、流線形の断面
形状をとり、ロンド２６の断面と同様の穴２０ａのあい
たスペーサ２０をさし込み、その上からサセプタ２４を
さし込む。同じ要領でスペーサ２０とサセプタ２４を交
互にさし込み、所定の枚数のサセプタを取り付ける。
第３図は本発明にかかる半導体製造装置である。
ＲＦ誘導加熱式エピタキシャル装置の構成図で、図中、
３１は誘導加熱用ＲＦコイルである。この装置を用い、
反応ガスにＳｉｌｌ．＋ｌｈを用いてウエハ上にシリコ
ンを堆積させた。従来例装置においては、同じ反応ガス
を用いるシリコンのエピタキシャル戒長において、欣厚
分布は±ｌＯ％のものであったものが、第３図の装置を
用い±５％の膜厚分布に改善された。
３１は誘導加熱用ＲＦコイルである。この装置を用い、
反応ガスにＳｉｌｌ．＋ｌｈを用いてウエハ上にシリコ
ンを堆積させた。従来例装置においては、同じ反応ガス
を用いるシリコンのエピタキシャル戒長において、欣厚
分布は±ｌＯ％のものであったものが、第３図の装置を
用い±５％の膜厚分布に改善された。
以上のように本発明によれば、エビ・ＣＶＤ装置のロッ
ドの近くのウエハ膜厚が他の部分よりも薄くなっていた
ものが、上記した膜厚分布に改善され、エビ・ＣＶＤ威
長の歩留りが改善された。
ドの近くのウエハ膜厚が他の部分よりも薄くなっていた
ものが、上記した膜厚分布に改善され、エビ・ＣＶＤ威
長の歩留りが改善された。
第１図は本発明実施例の構成図、
第２図は本発明の原理を示す図、
第３図は本発明にかかるＲＦ誘導加熱式エピタキシャル
装置の構成図、 第４図は従来例の構成図で、その（ａ）は正面図、（ｂ
）はサセプタの平面図、（Ｃ）はロンドの断面図、第５
図は従来例の問題点を示すウエハとサセプタの平面図で
ある． 図中、 １１はチャンバー ｌ２はガス導入管、 １２ａは開口部、 ｌ３はガス排気管、 １３ａは開口部、 １４と２４はサセプタ、 １５はウエハ（試料）、 ｌ６と２６はロンド、 １７はモータ、 １８と２８はロンド支持台、 １９は反応ガス、 ２０はスペーサ、 ２０ａ 、２４ａ 、２８ａは穴、 ３１は誘導加熱用ＲＦコイル を示す．
装置の構成図、 第４図は従来例の構成図で、その（ａ）は正面図、（ｂ
）はサセプタの平面図、（Ｃ）はロンドの断面図、第５
図は従来例の問題点を示すウエハとサセプタの平面図で
ある． 図中、 １１はチャンバー ｌ２はガス導入管、 １２ａは開口部、 ｌ３はガス排気管、 １３ａは開口部、 １４と２４はサセプタ、 １５はウエハ（試料）、 ｌ６と２６はロンド、 １７はモータ、 １８と２８はロンド支持台、 １９は反応ガス、 ２０はスペーサ、 ２０ａ 、２４ａ 、２８ａは穴、 ３１は誘導加熱用ＲＦコイル を示す．
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 サセプタ（２４）上に試料（１５）を載置し、該サセプ
タ（２４）を回転させて該試料（１５）上に所望の物質
のエピタキシャル成長をさせる縦型バッチ式エピタキシ
ャル化学気相成長装置にして、 サセプタ（２４）を支持するロッド（２６）の断面形状
を該サセプタ（２４）の進行方向に相対的に流線形にし
、エピタキシャル成長反応ガスのかく乱を防止する構成
とした半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15824189A JPH0324718A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15824189A JPH0324718A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0324718A true JPH0324718A (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=15667349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15824189A Pending JPH0324718A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0324718A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007043478A1 (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-19 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| WO2008021598A1 (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system with improved process gas flow and method for injecting a process gas into a thermal processing system |
-
1989
- 1989-06-22 JP JP15824189A patent/JPH0324718A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007043478A1 (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-19 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US7807587B2 (en) | 2005-10-11 | 2010-10-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| WO2008021598A1 (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system with improved process gas flow and method for injecting a process gas into a thermal processing system |
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