JPH03247550A - ビスマス系超電導体の製造法 - Google Patents
ビスマス系超電導体の製造法Info
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- JPH03247550A JPH03247550A JP2045047A JP4504790A JPH03247550A JP H03247550 A JPH03247550 A JP H03247550A JP 2045047 A JP2045047 A JP 2045047A JP 4504790 A JP4504790 A JP 4504790A JP H03247550 A JPH03247550 A JP H03247550A
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Classifications
-
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はビスマス系超電導体の製造法に関する。
(従来の技術)
従来の超電導体としては、1988年1月20日、金属
材料技術研究所の前出総合研究官らKよって発見された
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分
とするBi −8r−Ca −Cu −0系の酸化物超
電導体が一般に知られており、またこのBi −8r
−Ca−Cu−Q系の酸化物超電導体の電気抵抗が零に
なる臨界温度(以下+p%erOとする)は110にで
メジ、タリウム、バリウム、カルシウム及び銅を主成分
とするT/−Ba−Ca−Cu−0系に次いで高いこと
が知られている。Bi −8r −Ca−Cu−0系の
酸化物超電導体は、 T/−Ba −Ca −Cu−0
系の酸化物超電導体よシも毒性が弱いという特徴を有す
るが、結晶相においてT%er”bl 110 K (
!: ナル2223 相! j) 4 、 TF’”カ
s OKO2212和文hT%”0カ20 K+2)2
201相が生成し易いという欠点がある。その後、ジャ
パニーズ・ジャーナル・オブ・アブライズ・フィシ7ク
ス(Japaneae Journal of Ap
pliedPhysics ) Vol、 27 、
6号(1988年6月刊)。
材料技術研究所の前出総合研究官らKよって発見された
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分
とするBi −8r−Ca −Cu −0系の酸化物超
電導体が一般に知られており、またこのBi −8r
−Ca−Cu−Q系の酸化物超電導体の電気抵抗が零に
なる臨界温度(以下+p%erOとする)は110にで
メジ、タリウム、バリウム、カルシウム及び銅を主成分
とするT/−Ba−Ca−Cu−0系に次いで高いこと
が知られている。Bi −8r −Ca−Cu−0系の
酸化物超電導体は、 T/−Ba −Ca −Cu−0
系の酸化物超電導体よシも毒性が弱いという特徴を有す
るが、結晶相においてT%er”bl 110 K (
!: ナル2223 相! j) 4 、 TF’”カ
s OKO2212和文hT%”0カ20 K+2)2
201相が生成し易いという欠点がある。その後、ジャ
パニーズ・ジャーナル・オブ・アブライズ・フィシ7ク
ス(Japaneae Journal of Ap
pliedPhysics ) Vol、 27 、
6号(1988年6月刊)。
L1041〜L1043頁に示されるように、鉛を添加
したBi −Pb−8r−Ca−Cu−0系の酸化物超
電導体で2223相が多く得られることが明らかになっ
た。
したBi −Pb−8r−Ca−Cu−0系の酸化物超
電導体で2223相が多く得られることが明らかになっ
た。
(発明が解決しようとする課題)
しかしナカら上記ノBi −Pb−8r −Ca−Cu
−0系の酸化物超電導体(以下ビスマス系超電導体とす
る)は、2223相の他に少量の2212相。
−0系の酸化物超電導体(以下ビスマス系超電導体とす
る)は、2223相の他に少量の2212相。
Ca2PbO4等の異相が残留し易い。例えばビスマス
系超電導体に2212相が多量残留するとTKer。
系超電導体に2212相が多量残留するとTKer。
が80に付近のため液体窒素温度(77K)での応用に
は臨界電流密度(以下Jcとする)が低くなるという欠
点が生じる。
は臨界電流密度(以下Jcとする)が低くなるという欠
点が生じる。
一部、超電導体でないCa2Pb0nが多量残留すると
超電導体の含有率が低下してJcの低下を弓き起こす問
題がめる。
超電導体の含有率が低下してJcの低下を弓き起こす問
題がめる。
2223相の含有量を多くして上記の欠点を解消するた
めKは長時間の焼成が必要である。
めKは長時間の焼成が必要である。
本発明はTzl!ro及びJcが高く、かつ燐酸時間を
短縮できるビスマス系超電導体の製造法を提供すること
を目的とするものである。
短縮できるビスマス系超電導体の製造法を提供すること
を目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、一般式 (Bi +−ムPb*) Srl
Ca、 CujOx(ただしA=0.1〜Q、4.B=
45〜40.数字は原子比を表わす) で示される組成となるように、ビスマス、鉛、ストロン
チウム、カルシウム及び鋼を含む各原料を秤量し、つい
で均一に混合した後仮焼,一次焼成し、この後−次焼成
より5〜15℃高温で二次焼成するビスマス系超電導体
の製造法に関する。
Ca、 CujOx(ただしA=0.1〜Q、4.B=
45〜40.数字は原子比を表わす) で示される組成となるように、ビスマス、鉛、ストロン
チウム、カルシウム及び鋼を含む各原料を秤量し、つい
で均一に混合した後仮焼,一次焼成し、この後−次焼成
より5〜15℃高温で二次焼成するビスマス系超電導体
の製造法に関する。
本発明において、ビスマス系超電導体を構成するビスマ
ス、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び銅を含む原料
(出発原料)について特に制限はないが9例えば、酸化
物、炭酸塩、シュウ酸塩。
ス、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び銅を含む原料
(出発原料)について特に制限はないが9例えば、酸化
物、炭酸塩、シュウ酸塩。
酢酸塩、硝酸塩、金属アルコキシド等の1種又は2種以
上が用いられる。
上が用いられる。
上記に示す原料の混合法については特に制限はないが1
例えば2合成樹脂製のボールミル内に合成樹脂で被覆し
たポール、エタノール等の溶媒及び原料を充てんし、湿
式混合する方法、溶媒中に原料yk溶解した後に共沈生
成物を得る共沈法、アルコキシドなどの原料を加水分解
させてゾルを作製し、これをゲル化させるゾル−ゲル法
等を用いることができる。
例えば2合成樹脂製のボールミル内に合成樹脂で被覆し
たポール、エタノール等の溶媒及び原料を充てんし、湿
式混合する方法、溶媒中に原料yk溶解した後に共沈生
成物を得る共沈法、アルコキシドなどの原料を加水分解
させてゾルを作製し、これをゲル化させるゾル−ゲル法
等を用いることができる。
仮焼条件において、仮焼温度は各原料の配合割合、混合
方法などにより適宜選定され、また仮焼雰囲気について
は特に制限はなく、大気中、不活性気体中、酸素中等で
行うことが好ましい。
方法などにより適宜選定され、また仮焼雰囲気について
は特に制限はなく、大気中、不活性気体中、酸素中等で
行うことが好ましい。
一般式 (5ix−iPbA)18r2C&2CusO
x において、Aは原子比で0.1−0.4の範囲と
され、この範囲から外れると2223相が生成しK<く
なるという欠点が生じる。
x において、Aは原子比で0.1−0.4の範囲と
され、この範囲から外れると2223相が生成しK<く
なるという欠点が生じる。
BFi原子比で25〜40の範囲とされ、25未満であ
ると2212相が多く生成し、40を越えると5r−C
a −Cu−Q等の不純物が多く生成する。
ると2212相が多く生成し、40を越えると5r−C
a −Cu−Q等の不純物が多く生成する。
焼成条件において,一次焼成温度は各原料の配合割合及
び雰囲気によシ適宜選択されるが、800〜870℃の
範囲であれば、2223相の成長速度が早いので好まし
い。−次焼成の雰囲気は、特に制限はなく、大気中、不
活性気体中、酸素中。
び雰囲気によシ適宜選択されるが、800〜870℃の
範囲であれば、2223相の成長速度が早いので好まし
い。−次焼成の雰囲気は、特に制限はなく、大気中、不
活性気体中、酸素中。
酸素と窒素との混合気体中等で行うことが好ましい。
また二次焼成温度は一次焼成より5〜15℃高温で焼成
することが必要とされ、上記の範囲外では2223相の
合成に長時間を必要としたシ。
することが必要とされ、上記の範囲外では2223相の
合成に長時間を必要としたシ。
2223相が反応して含有量が減少する。二次焼成の雰
囲気は、特に制限はなく、大気中、不活性気体中、酸素
中、酸素と窒素との混合気体中等で行うことが好ましい
。
囲気は、特に制限はなく、大気中、不活性気体中、酸素
中、酸素と窒素との混合気体中等で行うことが好ましい
。
本発明の組成において、O(酸素)の量は、ビスマス系
超電導体の電気的中性を満たす量となり。
超電導体の電気的中性を満たす量となり。
Pb(D量A、CucD量B、Biの酸化状態、Pbの
酸化状態及びCuの酸化状態によって定まる。しかし上
記の各元素の酸化状態がどのようになっているかを精度
良く測定することができないため。
酸化状態及びCuの酸化状態によって定まる。しかし上
記の各元素の酸化状態がどのようになっているかを精度
良く測定することができないため。
本発明ではXで表わすことにした。
(実施例)
以下本発明の詳細な説明する。
実施例1
ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び鋼の比
率が原子比で第1表に示す組成になるように、三酸化ビ
スマス(高純度化学研究新製、純度99.(1)、−酸
化鉛(黄色)(和光紬薬製。
率が原子比で第1表に示す組成になるように、三酸化ビ
スマス(高純度化学研究新製、純度99.(1)、−酸
化鉛(黄色)(和光紬薬製。
試薬特級)、炭酸ストロンチウム(レアメタリック製、
純度99.9%)、炭酸カルシウム(高純度化学研児所
製、純度99.9チ)及び酸化第二鋼(高純度化学研死
所製、純度99.9剣を秤量し、出発原料とした。
純度99.9%)、炭酸カルシウム(高純度化学研児所
製、純度99.9チ)及び酸化第二鋼(高純度化学研死
所製、純度99.9剣を秤量し、出発原料とした。
次に上記の出発原料を合成樹脂製のボールミル内に合成
樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充てん
し、毎分50回転の条件で60時時間式混合及び粉砕し
た。この後、粉砕物をボールミルから取り出して、10
0℃24時間で乾燥した後、これをアルミナ焼板にのせ
、電気炉を用いて大気中で800℃で24時間仮焼し、
ついで乳鉢で粗粉砕した後2合成樹脂製ボールミル内に
ジルコニア製ボール、メタノールと共に充てんし。
樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充てん
し、毎分50回転の条件で60時時間式混合及び粉砕し
た。この後、粉砕物をボールミルから取り出して、10
0℃24時間で乾燥した後、これをアルミナ焼板にのせ
、電気炉を用いて大気中で800℃で24時間仮焼し、
ついで乳鉢で粗粉砕した後2合成樹脂製ボールミル内に
ジルコニア製ボール、メタノールと共に充てんし。
毎分50回転の条件で48時時間式粉砕し、乾燥してビ
スマス系超電導体用組成物を得た。
スマス系超電導体用組成物を得た。
上記ビスマス系超電導体用組成物をアルミナ焼板にのせ
電気炉を用いて第1表に示す温度及び雰囲気で24時間
−次焼成を行い、この後第1表に示す温度及び雰囲気で
48時間二次焼成を行ってビスマス系超電導体を得た。
電気炉を用いて第1表に示す温度及び雰囲気で24時間
−次焼成を行い、この後第1表に示す温度及び雰囲気で
48時間二次焼成を行ってビスマス系超電導体を得た。
次に上記で得たビスマス系超電導体を乳鉢で粗粉砕した
後9合成樹脂製ボールミル内にジルコニア製ボール、メ
タノールと共に充てんし、毎分50回転の条件で48時
時間式粉砕し、乾燥後147MPaの圧力で直径が30
mmで厚さが1am+の寸法に成形し、ついで大気中で
840℃の温度で10時間再焼成して超電導焼結体を得
た。
後9合成樹脂製ボールミル内にジルコニア製ボール、メ
タノールと共に充てんし、毎分50回転の条件で48時
時間式粉砕し、乾燥後147MPaの圧力で直径が30
mmで厚さが1am+の寸法に成形し、ついで大気中で
840℃の温度で10時間再焼成して超電導焼結体を得
た。
この後超電導焼結体を長さ20a+mX幅3mmX厚さ
lowの直方体に加工し、四端子法で抵抗の温度変化を
測定し Tr rOを求めると共に液体窒素中(77K
)でJCt−求めた。またX線回折により同定された結
晶相を調べた。これらの結果を合わせて第1表に示す。
lowの直方体に加工し、四端子法で抵抗の温度変化を
測定し Tr rOを求めると共に液体窒素中(77K
)でJCt−求めた。またX線回折により同定された結
晶相を調べた。これらの結果を合わせて第1表に示す。
第1表に示されるように9本発明の実施例になるビスマ
ス系超電導体を用いた超電導焼結体は。
ス系超電導体を用いた超電導焼結体は。
一部にごく少量の2212相及びCa意pbo、の結晶
相の存在が認められたが、特性に影響する程の量ではな
くt T舌eroは101に以上で、またJcも1.l
X10’A/m”以上と高いことがわかる。
相の存在が認められたが、特性に影響する程の量ではな
くt T舌eroは101に以上で、またJcも1.l
X10’A/m”以上と高いことがわかる。
比較例1
ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比
率が原子比で第2表に示す組成になるように、三酸化ビ
スマス(高純度化学研究新製、純[99,95G)、−
酸化鉛(黄色)(和光紬薬製。
率が原子比で第2表に示す組成になるように、三酸化ビ
スマス(高純度化学研究新製、純[99,95G)、−
酸化鉛(黄色)(和光紬薬製。
試薬特級)、炭酸ストロンチウム(レアメタリック製、
純度99.9%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新
製、純度99.9%)及び酸化第二銅(高純度化学研究
所製、純度99.9チ)を秤量し。
純度99.9%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新
製、純度99.9%)及び酸化第二銅(高純度化学研究
所製、純度99.9チ)を秤量し。
出発原料とした。
以下−次焼成及び二次焼成を第2表に示す条件で行った
以外は実施例1と同様の工程を経てビスマス系超電導体
を得、さらに超電導焼結体を得た。
以外は実施例1と同様の工程を経てビスマス系超電導体
を得、さらに超電導焼結体を得た。
得られ九超電導焼結体を実施例1と同様の直方体に加工
し、実施例1と同様の方法でT舌er0及びJcを求め
ると共に結晶相を調べた。これらの結果を合わせて第2
表に示す。
し、実施例1と同様の方法でT舌er0及びJcを求め
ると共に結晶相を調べた。これらの結果を合わせて第2
表に示す。
第2表に示されるように1本発明に含まれないビスマス
系超電導体を用いた超電導焼結体は。
系超電導体を用いた超電導焼結体は。
2223相が生成しにくくなシ、2212相及びCa、
Pb04O結晶カ多く 生成LI T、ero h 9
2 K以下で、またJcも14 X 10S A/m2
以下と低いことがわかる。
Pb04O結晶カ多く 生成LI T、ero h 9
2 K以下で、またJcも14 X 10S A/m2
以下と低いことがわかる。
比較例2
ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比
率が原子比で第3表に示す組成になるように、三酸化ビ
スマス(高純度化学研究所製、純度99.9慢)、−酸
化鉛(黄色)(和光紬薬製。
率が原子比で第3表に示す組成になるように、三酸化ビ
スマス(高純度化学研究所製、純度99.9慢)、−酸
化鉛(黄色)(和光紬薬製。
試薬特級)、炭酸ストロンチウム(レアメタリック製、
純度99.9%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新
製、純度99.9%)及び酸化第二鋼(高純度化学研究
所製、純度99.91)を秤量し。
純度99.9%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新
製、純度99.9%)及び酸化第二鋼(高純度化学研究
所製、純度99.91)を秤量し。
出発原料とした。
以下実施例1と同様の工程を経てビスマス系超電導体用
組成物を得た。
組成物を得た。
上記ビスマス系超電導体用組成物をアルミナ焼板にのせ
電気炉を用いて第3表に示す温度、雰囲気及び時間で一
次焼成を行い、この後賦香24゜25及び21mついて
のみ第3表に示す温度及び雰囲気で48時間二次焼成を
行ってビスマス系超電導体を得た。なお他の賦香27,
28.29及び30については一次焼成のみ行ってビス
マス系超電導体とした。
電気炉を用いて第3表に示す温度、雰囲気及び時間で一
次焼成を行い、この後賦香24゜25及び21mついて
のみ第3表に示す温度及び雰囲気で48時間二次焼成を
行ってビスマス系超電導体を得た。なお他の賦香27,
28.29及び30については一次焼成のみ行ってビス
マス系超電導体とした。
以下実施例1と同様の工程を経て超電導焼結体を得た。
得られた超電導焼結体を実施例1と同様の直方体に加工
し、実施例1と同様の方法で叫erO及びJcを求める
と共に結晶相を調べた。これらの結果を合わせて第3表
に示す。
し、実施例1と同様の方法で叫erO及びJcを求める
と共に結晶相を調べた。これらの結果を合わせて第3表
に示す。
第3表に示されるように9本発明に含まれないビスマス
系超電導体を用いた賦香24,25.26及び28の超
電導焼結体は、2223相が生成しに〈〈な、9,22
12相及びCa、 Pb 04の結晶が多く生成り、
T%er0ed97に以下テ、 Ifc Jc 48.
6 X 10’A/m”以下と低いことがわかる。
系超電導体を用いた賦香24,25.26及び28の超
電導焼結体は、2223相が生成しに〈〈な、9,22
12相及びCa、 Pb 04の結晶が多く生成り、
T%er0ed97に以下テ、 Ifc Jc 48.
6 X 10’A/m”以下と低いことがわかる。
一方賦香29及び30の超電導焼結体は、Tzer。
及びJcij高い値が得られたが、200時間以上の焼
成が必要であった。
成が必要であった。
(発明の効果)
本発明の製造法によって得られるビスマス系超電導体は
、2223相が生成し易く、異相が生成しないか又は生
成してもごくわずかであるので。
、2223相が生成し易く、異相が生成しないか又は生
成してもごくわずかであるので。
TZero及びJcが高く、工業的に極めて好適なビス
マス系超電導体である。また本発明によれば。
マス系超電導体である。また本発明によれば。
焼成時間を1/2以下に短縮することができる。
手
1遺
正置(自発)
*念 2年 6 月
Claims (1)
- 1.一般式(Bi_1_−_APb_A)_2Sr_2
Ca_2CU_BO_X(ただしA=0.1〜0.4,
B=2.5〜4.0,数字は原子比を表わす) で示される組成となるようにビスマス,鉛,ストロンチ
ウム,カルシウム及び銅を含む各原料を秤量し,ついで
均一に混合した後仮焼,一次焼成し,この後一次焼成よ
り5〜15℃高温で二次焼成することを特徴とするビス
マス系超電導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045047A JPH03247550A (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | ビスマス系超電導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045047A JPH03247550A (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | ビスマス系超電導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03247550A true JPH03247550A (ja) | 1991-11-05 |
Family
ID=12708457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2045047A Pending JPH03247550A (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | ビスマス系超電導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03247550A (ja) |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP2045047A patent/JPH03247550A/ja active Pending
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