JPH03249702A - 半導体レーザ用光結合系 - Google Patents
半導体レーザ用光結合系Info
- Publication number
- JPH03249702A JPH03249702A JP4832990A JP4832990A JPH03249702A JP H03249702 A JPH03249702 A JP H03249702A JP 4832990 A JP4832990 A JP 4832990A JP 4832990 A JP4832990 A JP 4832990A JP H03249702 A JPH03249702 A JP H03249702A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- prism
- metal film
- focusing lens
- deposited
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、半導体レーザと光ファイバが光学的に結合さ
れる半導体レーザ用集束レンズと半導体レーザ用光結合
系に関するものである。
れる半導体レーザ用集束レンズと半導体レーザ用光結合
系に関するものである。
「従来の技術および発明が解決しようとする問題点」第
４図および第２図により説明する。
４図および第２図により説明する。
半導体レーザ（以下、ｒＬＤＪと称する）素子１に内蔵
されていて、ヒートシンク４上にろう付けされている発
光チップ２の端面３より出射するレーザビーム６は、ｐ
ｎ接合層に平行なＸＸ方向に約２０＠〜２５″、ｐｎ接
合層に垂直なＹＹ方向に約３０°〜３５″に広がるとこ
ろの楕円状の非円形断面となり、レーザビーム６集束用
の屈折率分布形集束レンズ５を通過して、レーザビーム
６は楕円断面の楕円がある程度改善される（第４図の図
示（ａ）より申）の方が円形断面に近くなる）。
されていて、ヒートシンク４上にろう付けされている発
光チップ２の端面３より出射するレーザビーム６は、ｐ
ｎ接合層に平行なＸＸ方向に約２０＠〜２５″、ｐｎ接
合層に垂直なＹＹ方向に約３０°〜３５″に広がるとこ
ろの楕円状の非円形断面となり、レーザビーム６集束用
の屈折率分布形集束レンズ５を通過して、レーザビーム
６は楕円断面の楕円がある程度改善される（第４図の図
示（ａ）より申）の方が円形断面に近くなる）。
しかし、その断面が楕円である傾向は残存し、光ファイ
バ７の中心にあって光パワー導波の機能を有するコア８
の左端面で最小面積に集束可能であるが、楕円の長軸と
短軸との比が１．１〜１．３位となっている。レーザビ
ーム６の断面とコア８の断面は一致していることが望ま
しいが、一般に光ファイバ７のコア８断面は円形である
し、楕円であっても前記レーザビーム６の断面と一致す
るものでないので、結合効率が悪い。
バ７の中心にあって光パワー導波の機能を有するコア８
の左端面で最小面積に集束可能であるが、楕円の長軸と
短軸との比が１．１〜１．３位となっている。レーザビ
ーム６の断面とコア８の断面は一致していることが望ま
しいが、一般に光ファイバ７のコア８断面は円形である
し、楕円であっても前記レーザビーム６の断面と一致す
るものでないので、結合効率が悪い。
したがって、レーザビーム６を光ファイバ７のコア８に
効率良く結合させるためには、レーザビーム６の光軸上
の集束位置９におけるビーム断面を円形もしくは任意の
楕円形状にする必要がある。
効率良く結合させるためには、レーザビーム６の光軸上
の集束位置９におけるビーム断面を円形もしくは任意の
楕円形状にする必要がある。
特にコア８の直径が８〜１０μｍと細いシングルモード
ファイバにおいては、ビーム集束位置９とコア８中心を
一致させる調整およびこの調整された相互関係位置に永
久固定されることが必要となるため、レーザビーム６断
面とコア８断面の形状が一致することが望ましい。
ファイバにおいては、ビーム集束位置９とコア８中心を
一致させる調整およびこの調整された相互関係位置に永
久固定されることが必要となるため、レーザビーム６断
面とコア８断面の形状が一致することが望ましい。
また、レーザビーム６ａの数％は光ファイバ７のコア８
の左端面で反射され、この反射光の一部分が集束レンズ
５を通過してＬＤ素子１に内蔵されている発光チップ２
に逆入射してＬＤの発振を不安定にさせるという問題点
もあった。
の左端面で反射され、この反射光の一部分が集束レンズ
５を通過してＬＤ素子１に内蔵されている発光チップ２
に逆入射してＬＤの発振を不安定にさせるという問題点
もあった。
「問題点を解決するための手段および作用」本発明は、
上記の事情に鑑み、レーザビーム６の楕円断面を円形断
面もしくは任意の楕円断面にビーム整形するため、およ
び光ファイバ７からの反射戻り光を集束レンズ５に逆入
射する光量を減少させるために、戻り光入射端面にＣｒ
金属膜を蒸着した円筒均質ガラスプリズム１１を集束レ
ンズ１０の右側端面に接合したところの新たな半導体レ
ーザ用集束レンズ１２を作り、レーザビーム６の長径を
補正するように、半導体レーザ用集束レンズ１２と半導
体レーザ１とを、半導体レーザ用集束レンズのプリズム
斜面の法線と、半導体素子のｐｎ接合面と垂直な方向の
直線ＹＹが同一平面上にあるように配置することにより
、光フアイバ左端９ａにおけるレーザビーム６ｂの断面
は凹形もしくは任意の楕円となり、しかも光ファイバ７
からの反射戻り光を、円筒均質ガラスプリズム１１斜面
により反射さセレーザ素子１に逆入射するレーザ光を減
少させることができる。
上記の事情に鑑み、レーザビーム６の楕円断面を円形断
面もしくは任意の楕円断面にビーム整形するため、およ
び光ファイバ７からの反射戻り光を集束レンズ５に逆入
射する光量を減少させるために、戻り光入射端面にＣｒ
金属膜を蒸着した円筒均質ガラスプリズム１１を集束レ
ンズ１０の右側端面に接合したところの新たな半導体レ
ーザ用集束レンズ１２を作り、レーザビーム６の長径を
補正するように、半導体レーザ用集束レンズ１２と半導
体レーザ１とを、半導体レーザ用集束レンズのプリズム
斜面の法線と、半導体素子のｐｎ接合面と垂直な方向の
直線ＹＹが同一平面上にあるように配置することにより
、光フアイバ左端９ａにおけるレーザビーム６ｂの断面
は凹形もしくは任意の楕円となり、しかも光ファイバ７
からの反射戻り光を、円筒均質ガラスプリズム１１斜面
により反射さセレーザ素子１に逆入射するレーザ光を減
少させることができる。
「実施例」
以下、第１図〜第３図により本発明の一実施例を説明す
る。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
る。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第１図は本発明の一実施例の斜視構成図、第２図はＬＤ
素子に内蔵されている発光チップ２および発光部分３の
方向を示す斜視図、第３図はビーム集束、ビーム断面形
整形、反射戻り光減少レンズ（以下、「集束レンズ１２
Ｊと称する）の縦断面図である。
素子に内蔵されている発光チップ２および発光部分３の
方向を示す斜視図、第３図はビーム集束、ビーム断面形
整形、反射戻り光減少レンズ（以下、「集束レンズ１２
Ｊと称する）の縦断面図である。
まず円筒均質ガラスプリズム１１の斜面１１ａに、平面
１１ｂ側からの入射ビームに対しては反射１％、斜面１
１ａ側からの入射ビームに対しては反射５％のＣｒ金属
膜を真空蒸着し、集束レンズ１ｏの外径と同じ径に心取
りし、ＵＶ接着剤により円筒集束レンズｌＯに接合固定
する。
１１ｂ側からの入射ビームに対しては反射１％、斜面１
１ａ側からの入射ビームに対しては反射５％のＣｒ金属
膜を真空蒸着し、集束レンズ１ｏの外径と同じ径に心取
りし、ＵＶ接着剤により円筒集束レンズｌＯに接合固定
する。
この円筒均質ガラスプリズム１１と円筒集束レンズｌＯ
とより構成される前記集束レンズ１２を、第１図に示す
ように、ＬＤ素子１のｐｎ接合面と垂直な方向の直線Ｙ
Ｙと集束レンズ１２のプリズム１１の斜面の法線１３が
同一平面上にあるように配置し、さらにレーザビーム６
ｂの集束点９ａを端面とするように光ファイバ７を屈折
光軸１４上に配置する。
とより構成される前記集束レンズ１２を、第１図に示す
ように、ＬＤ素子１のｐｎ接合面と垂直な方向の直線Ｙ
Ｙと集束レンズ１２のプリズム１１の斜面の法線１３が
同一平面上にあるように配置し、さらにレーザビーム６
ｂの集束点９ａを端面とするように光ファイバ７を屈折
光軸１４上に配置する。
このとき、レーザビーム６ｂとコア８の断面中心が一致
しかつ輪郭も重なり合うよう調整する。
しかつ輪郭も重なり合うよう調整する。
なお、円筒均質ガラスプリズム１１の斜面１１ａの傾斜
角は、使用するＬＤ素子１あるいは光ファイバ７のコア
８断面形状などの諸条件によって決定される。
角は、使用するＬＤ素子１あるいは光ファイバ７のコア
８断面形状などの諸条件によって決定される。
「発明の効果」
本発明は、屈折率分布形円筒レンズに、プリズム面にＣ
ｒ金属膜を真空蒸着した均質ガラスプリズムを結合一体
化してなる半導体レーザ用集束レンズで、また屈折率分
布形円筒レンズに、プリズム面にＣｒ金属膜を真空蒸着
した均質ガラスプリズムを結合一体化してなる半導体レ
ーザ用集束レンズのプリズム斜面の法線と、半導体素子
のｐｎ接合面と垂直な方向の直線ＹＹが同一平面上にあ
るように、半導体レーザ用集束レンズと半導体レーザと
を配置してなる半導体レーザ用光結合系であるところか
ら、レーザビームの光軸上の集束位置におけるビーム断
面を円形もしくは任意の楕円にすることができ、光ファ
イバのコア端面からの反射光をＣｒ金属膜で反射させる
ことで可及的に減少させ発光チップに逆入射してＬＤを
不安定にさせることはない。
ｒ金属膜を真空蒸着した均質ガラスプリズムを結合一体
化してなる半導体レーザ用集束レンズで、また屈折率分
布形円筒レンズに、プリズム面にＣｒ金属膜を真空蒸着
した均質ガラスプリズムを結合一体化してなる半導体レ
ーザ用集束レンズのプリズム斜面の法線と、半導体素子
のｐｎ接合面と垂直な方向の直線ＹＹが同一平面上にあ
るように、半導体レーザ用集束レンズと半導体レーザと
を配置してなる半導体レーザ用光結合系であるところか
ら、レーザビームの光軸上の集束位置におけるビーム断
面を円形もしくは任意の楕円にすることができ、光ファ
イバのコア端面からの反射光をＣｒ金属膜で反射させる
ことで可及的に減少させ発光チップに逆入射してＬＤを
不安定にさせることはない。
第１図は本実施例の全体配置斜視図、第２図はＬＤ素子
１の内部構造を示す斜視図、第３図は本実施例における
集束レンズ１２の縦断面図、第４図は従来の半導体レー
ザと光ファイバの光結合の模式図である。 １・・・ＬＤ素子 ２・・・レーザ発光チップ ３・・・レーザ発光チップの発光端面 ４・・・ヒートシンク ５・・・屈折率分布形集束レンズ ６・・・射出レーザビーム ６Ｃ・・・反射レーザビーム ７・・・光ファイバ ８・・・コ ア ９・・・光フアイバ左端面 １０・・・屈折率分布形集束レンズ １１・・・円筒均質ガラスプリズム １２・・・集束レンズ １３・・・集束レンズのプリズム斜面の法線１４・・・
屈 折 光 軸
１の内部構造を示す斜視図、第３図は本実施例における
集束レンズ１２の縦断面図、第４図は従来の半導体レー
ザと光ファイバの光結合の模式図である。 １・・・ＬＤ素子 ２・・・レーザ発光チップ ３・・・レーザ発光チップの発光端面 ４・・・ヒートシンク ５・・・屈折率分布形集束レンズ ６・・・射出レーザビーム ６Ｃ・・・反射レーザビーム ７・・・光ファイバ ８・・・コ ア ９・・・光フアイバ左端面 １０・・・屈折率分布形集束レンズ １１・・・円筒均質ガラスプリズム １２・・・集束レンズ １３・・・集束レンズのプリズム斜面の法線１４・・・
屈 折 光 軸
Claims (2)
- （１）屈折率分布形円筒レンズに、プリズム面にＣｒ金
属膜を真空蒸着した均質ガラスプリズムを結合一体化し
てなる半導体レーザ用集束レンズ。 - （２）屈折率分布形円筒レンズに、プリズム面にＣｒ金
属膜を真空蒸着した均質ガラスプリズムを結合一体化し
てなる半導体レーザ用集束レンズのプリズム斜面の法線
と、半導体素子のｐｎ接合面と垂直な方向の直線ＹＹが
同一平面上にあるように、半導体レーザ用集束レンズと
半導体レーザとを配置してなる半導体レーザ用光結合系
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048329A JP2971087B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体レーザ用光結合系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048329A JP2971087B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体レーザ用光結合系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03249702A true JPH03249702A (ja) | 1991-11-07 |
| JP2971087B2 JP2971087B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=12800382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2048329A Expired - Fee Related JP2971087B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体レーザ用光結合系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2971087B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003107302A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Sony Corp | 光送受信器 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2048329A patent/JP2971087B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003107302A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Sony Corp | 光送受信器 |
| WO2003029868A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Sony Corporation | Optical transmitter/receiver |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2971087B2 (ja) | 1999-11-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |