JPH032503A - 探触針ユニット及び探触針ユニットの製造方法 - Google Patents
探触針ユニット及び探触針ユニットの製造方法Info
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- JPH032503A JPH032503A JP2028169A JP2816990A JPH032503A JP H032503 A JPH032503 A JP H032503A JP 2028169 A JP2028169 A JP 2028169A JP 2816990 A JP2816990 A JP 2816990A JP H032503 A JPH032503 A JP H032503A
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- G—PHYSICS
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子のトンネル現象を利用して試料の表面構
造を分析する走査型トンネル顕微鏡(以下、rSTMJ
と称する)、原子開力顕微鏡(以下、[A F Mlと
称する)等のアトミックプロブ顕微鏡に適用し得る探触
針ユニットに関する。
造を分析する走査型トンネル顕微鏡(以下、rSTMJ
と称する)、原子開力顕微鏡(以下、[A F Mlと
称する)等のアトミックプロブ顕微鏡に適用し得る探触
針ユニットに関する。
最近、表面観察装置として分解能が極めて高く、原子レ
ベルでの凹凸が測定可能で、さらに観察表面の電子状態
までも測定できるSTM、AFMが開発されており、U
、S、PAT 4,3’43゜993にこの種の顕微
鏡が提案されている。以下、STMを例にして説明する
。
ベルでの凹凸が測定可能で、さらに観察表面の電子状態
までも測定できるSTM、AFMが開発されており、U
、S、PAT 4,3’43゜993にこの種の顕微
鏡が提案されている。以下、STMを例にして説明する
。
かかる装置は、試料の観察表面に導電体からなる探触針
を数nm以下に近接させた状態で試料および探触針にバ
イアス電圧を印加してトンネル電流を発生させる。そし
て、観察表面に対して探触針を走査したときに検出され
るトンネル電流を画像化して観察表面の分析を行なうも
のである。
を数nm以下に近接させた状態で試料および探触針にバ
イアス電圧を印加してトンネル電流を発生させる。そし
て、観察表面に対して探触針を走査したときに検出され
るトンネル電流を画像化して観察表面の分析を行なうも
のである。
このようなSTMが原子レベルの分解能や観察表面の電
子状態までも測定可能であるのは、電子のトンネル現象
を利用しているからである。電子のトンネル現象とは、
二つの導電物質(例えば、金属の探触針と導電性試料)
を数十n’m程度以下に接近させた状態で両導電性物質
にバイアス電圧を印加したときに、両者間に電流が流れ
る(このような電流をトンネル電流という)現象のこと
をいう。一般に、固体中の電子は仕事関数と呼ばれる束
縛エネルギーにより固体に束縛されており、束縛エネル
ギー以上のエネルギーを与えない限り外部に取出すこと
はできない。ところが、固体の表面には電子雲がしみ出
しているので、例えば探触針と試料表面とを数nm以下
のトンネル領域(電子雲が重合する距離)まで近付ける
と、探触針と試料面とからしみ出している電子雲が重な
り合い、両゛者の電子が自由に移動できる状態になる。
子状態までも測定可能であるのは、電子のトンネル現象
を利用しているからである。電子のトンネル現象とは、
二つの導電物質(例えば、金属の探触針と導電性試料)
を数十n’m程度以下に接近させた状態で両導電性物質
にバイアス電圧を印加したときに、両者間に電流が流れ
る(このような電流をトンネル電流という)現象のこと
をいう。一般に、固体中の電子は仕事関数と呼ばれる束
縛エネルギーにより固体に束縛されており、束縛エネル
ギー以上のエネルギーを与えない限り外部に取出すこと
はできない。ところが、固体の表面には電子雲がしみ出
しているので、例えば探触針と試料表面とを数nm以下
のトンネル領域(電子雲が重合する距離)まで近付ける
と、探触針と試料面とからしみ出している電子雲が重な
り合い、両゛者の電子が自由に移動できる状態になる。
このような状態でバイアス電圧を印加することによりト
ンネル電流が流れる。
ンネル電流が流れる。
上記トンネル電流Iは、
Iocexp(−に−φl/2.d)
と表わすことができる。なお、kは定数、φは探触針と
試料の仕事関数の平均値、dは探触針と試料との間の距
離(トンネル領域)を示している。
試料の仕事関数の平均値、dは探触針と試料との間の距
離(トンネル領域)を示している。
すなわち、上式に示すように、トンネル電流Iは距離d
に大きく依存しており、試料の観察表面の原子−つの凹
凸でトンネル電流の値が一桁以上変化する。したがって
、トンネル効果を利用することにより試料の観察表面の
垂直方向の分解能を極めて高くすることができる。
に大きく依存しており、試料の観察表面の原子−つの凹
凸でトンネル電流の値が一桁以上変化する。したがって
、トンネル効果を利用することにより試料の観察表面の
垂直方向の分解能を極めて高くすることができる。
以上のような、トンネル効果を利用したSTMは極めて
高い分解能を有する他、次に示すような特徴を有する。
高い分解能を有する他、次に示すような特徴を有する。
■ 大気圧(空気)中、ガス中、液体中、真空中低温下
で測定可能である。
で測定可能である。
■ 逆格子空間ではなく、実空間で原子を見ることがで
きる。
きる。
■ 非接触、非破壊で測定可能である。
■ 特殊な処理を施さなくともそのままの状態で測定可
能である。
能である。
■ 表面物性が測定可能である。
このような特徴を利用して、種々の分野への応用が展開
されつつある。
されつつある。
次に、STMの動作原理を説明する。
探触針と試料との間の距離を調整するZ方向アクチュエ
ータと、このZ方向アクチュエータによる調整方向(Z
軸方向)に対し垂直方向(XY平面方向)に調整可能な
XY方向アクチュエータとを備え、Z方向アクチュエー
タにより先端の鋭い探触針を試料表面に接近させ、両者
からしみ出している電子雲が僅かに重なり合う程度に近
接させる。このような状態で探触針と試料との間に電圧
(トンネル電圧)を印加して、探触針から試料へトンネ
ル電流を流す。そして、このトンネル電流を一定に保つ
ようにZ方向アクチュエータをサーボ動作させながら、
XY方向アクチュエータにより試料をXY力方向移動さ
せ、試料の観察表面に対し探触針を二次元走査する。こ
のとき、探触針をサーボ動作する2方向アクチユエータ
へのサーボ電圧を読取り、画像表示することにより試料
の表面観察を行なう。すなわち、探触針が試料表面を走
査し、試料表面の段差部に到達するとトンネル電流が増
加するので、2方向アクチユエータによりトンネル電流
が一定値になるまで探触針を試料から離間させる。探触
針のZ方向アクチュエータによる移動量は試料表面の凹
凸に対応するので、上記走査を繰返しながらサーボ電圧
を読取ることにより観察表面の画像を得ることができる
。
ータと、このZ方向アクチュエータによる調整方向(Z
軸方向)に対し垂直方向(XY平面方向)に調整可能な
XY方向アクチュエータとを備え、Z方向アクチュエー
タにより先端の鋭い探触針を試料表面に接近させ、両者
からしみ出している電子雲が僅かに重なり合う程度に近
接させる。このような状態で探触針と試料との間に電圧
(トンネル電圧)を印加して、探触針から試料へトンネ
ル電流を流す。そして、このトンネル電流を一定に保つ
ようにZ方向アクチュエータをサーボ動作させながら、
XY方向アクチュエータにより試料をXY力方向移動さ
せ、試料の観察表面に対し探触針を二次元走査する。こ
のとき、探触針をサーボ動作する2方向アクチユエータ
へのサーボ電圧を読取り、画像表示することにより試料
の表面観察を行なう。すなわち、探触針が試料表面を走
査し、試料表面の段差部に到達するとトンネル電流が増
加するので、2方向アクチユエータによりトンネル電流
が一定値になるまで探触針を試料から離間させる。探触
針のZ方向アクチュエータによる移動量は試料表面の凹
凸に対応するので、上記走査を繰返しながらサーボ電圧
を読取ることにより観察表面の画像を得ることができる
。
なお、試料の観察表面が原子レベルでフラットな場合に
は、特に2方向アクチユエータによる調整を行なわずに
、単に探触針を二次元走査したときに検出されたトンネ
ル電流を画像化する手段もある。
は、特に2方向アクチユエータによる調整を行なわずに
、単に探触針を二次元走査したときに検出されたトンネ
ル電流を画像化する手段もある。
ところで、上記ST、Mで試料を観察する場合は、試料
を目視観察して必要な観察部位を特定し、その部分をS
TMて詳細に観察するということを行なっていた。その
ため、目視観察が困難な微小な箇所の測定たとえばセラ
ミクスの同一グレイン上における複数部分の測定や、異
なるグレインの比較測定や、LSIパターン、グレーテ
ィング、コンパクトディスクのピット等の観察を行なう
ことができない。
を目視観察して必要な観察部位を特定し、その部分をS
TMて詳細に観察するということを行なっていた。その
ため、目視観察が困難な微小な箇所の測定たとえばセラ
ミクスの同一グレイン上における複数部分の測定や、異
なるグレインの比較測定や、LSIパターン、グレーテ
ィング、コンパクトディスクのピット等の観察を行なう
ことができない。
そこで、このような微小部分の観察を行なう場合は、光
学顕微鏡とSTMとを組合わせ、光学顕微鏡で試料表面
を広い範囲で観察して観察部位を特定し、その後、特定
した観察部位をSTMて詳細に観察すれば微小部分の観
察が可能になる。
学顕微鏡とSTMとを組合わせ、光学顕微鏡で試料表面
を広い範囲で観察して観察部位を特定し、その後、特定
した観察部位をSTMて詳細に観察すれば微小部分の観
察が可能になる。
ところで、上記したSTM観察を行なうためには、探触
針としての機能を有する探触針ユニットを光学顕微鏡の
対物レンズの先端または対物レンズと観察試料との間に
設置する必要がある。しかしながら、探触針ユニットは
光学的に不透明であるため、光学顕微鏡の視野を妨げて
しまい、光学顕微鏡とSTMとを組合わせた観察を行な
うことができないという問題がある。
針としての機能を有する探触針ユニットを光学顕微鏡の
対物レンズの先端または対物レンズと観察試料との間に
設置する必要がある。しかしながら、探触針ユニットは
光学的に不透明であるため、光学顕微鏡の視野を妨げて
しまい、光学顕微鏡とSTMとを組合わせた観察を行な
うことができないという問題がある。
そこで本発明の目的は、光学顕微鏡の視野を妨げること
なく、光学顕微鏡とアトミックプローブ顕微鏡とを組合
わせて試料観察を行なうことのできる探触針ユニットを
提供することにある。
なく、光学顕微鏡とアトミックプローブ顕微鏡とを組合
わせて試料観察を行なうことのできる探触針ユニットを
提供することにある。
本発明は、上記課題を解決し目的を達成するために次の
ような手段を講じた。すなわち、透明な基板の表面に透
明な電極を設け、この電極に電気的に接続されると共に
前記基板表面に設けられた導電体からなる突起を備える
構成とした。
ような手段を講じた。すなわち、透明な基板の表面に透
明な電極を設け、この電極に電気的に接続されると共に
前記基板表面に設けられた導電体からなる突起を備える
構成とした。
また、上記目的を達成するために、基板表面に真空蒸着
して形成された透明な電極を備えるようにした。
して形成された透明な電極を備えるようにした。
また、上記目的を達成するために、マスクした基板表面
に真空蒸着により金属を堆積させた後、前記マスクを除
去して形成した導電体の突起を備えるようにした。
に真空蒸着により金属を堆積させた後、前記マスクを除
去して形成した導電体の突起を備えるようにした。
また、上記目的を達成するために、基板表面に金属を真
空蒸着した後、上記基板の中心部にマスクを施した状態
でエツチングし、上記マスク以外の部分を溶解して除去
して形成した導電体の突起を備えるようにした。
空蒸着した後、上記基板の中心部にマスクを施した状態
でエツチングし、上記マスク以外の部分を溶解して除去
して形成した導電体の突起を備えるようにした。
また、上記目的を達成するために、透明な基板と、この
基板表面に支持された突起と、この突起の変位を検出す
る手段とを備える構成とした。
基板表面に支持された突起と、この突起の変位を検出す
る手段とを備える構成とした。
上記手段を講じたことにより次のような作用を奏する。
すなわち、光学的に透明な基板の表面に透明な電極を設
け、この電極に導電体からなる突起を電気的に接続した
探触ユニットの構成としたので、例えば探触針ユニット
を光学顕微鏡の対物レンズ又は対物レンズと試料との間
に設置しても、光学顕微鏡の視野は妨げられない。した
かっで、探触針によるSTM観察と光学顕微鏡によるS
TM走査領域での観察とを同時に行なうことができるも
のとなる。
け、この電極に導電体からなる突起を電気的に接続した
探触ユニットの構成としたので、例えば探触針ユニット
を光学顕微鏡の対物レンズ又は対物レンズと試料との間
に設置しても、光学顕微鏡の視野は妨げられない。した
かっで、探触針によるSTM観察と光学顕微鏡によるS
TM走査領域での観察とを同時に行なうことができるも
のとなる。
また、透明な基板と、この基板表面に支持された突起と
、この突起の変位を検出する手段とを備える構成とした
ので、光学顕微鏡の視野を妨げることな(−A= T
M観察に限らず原子間力による変位を検出することがで
きる。
、この突起の変位を検出する手段とを備える構成とした
ので、光学顕微鏡の視野を妨げることな(−A= T
M観察に限らず原子間力による変位を検出することがで
きる。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図(a)(b)は本発明の第1実施例の構成を示す
図であり、同図(a)は探触針ユニットの断面図を、同
図(b)は上から見た図をそれぞれ示している。この探
触針ユニット1は、透明な材料で形成され円板状をなす
基板2と、この基板2上に形成されている透明電極3と
、先鋭状先端部を基板2中心部より透明電極3から突出
させている金属ワイヤ4とから構成されている。
図であり、同図(a)は探触針ユニットの断面図を、同
図(b)は上から見た図をそれぞれ示している。この探
触針ユニット1は、透明な材料で形成され円板状をなす
基板2と、この基板2上に形成されている透明電極3と
、先鋭状先端部を基板2中心部より透明電極3から突出
させている金属ワイヤ4とから構成されている。
基板2の材料としては、感光性ガラスPEG3(HOY
A社製)を用いている。この感光性ガラスPEG3は、
金属イオンを増感剤と共に加えて溶解し作成した珪酸塩
ガラスであり、紫外線で感光した部分に加熱現像処理を
施すことにより結晶を成長させることができる。この結
晶は非常に微細で、かつ酸に溶は易いという特性を有し
ているため、微細な形状の再現性に優れ、−度に大量に
加工できる。また、この円板状をなす基板2は直径が1
0+am、厚さ1mll1lこ設定されている。そして
、その中心部には直径100μmの植立穴が設けられて
いる。この植立穴を形成するためには、先ず、基板2上
面の中心部に直径100μmの円形領域が露出する如く
マスクして紫外線を露光する。露光後、その部分を加熱
現像処理して結晶を成長させ、その□部分を酸で溶かす
ことにより形成することができる。
A社製)を用いている。この感光性ガラスPEG3は、
金属イオンを増感剤と共に加えて溶解し作成した珪酸塩
ガラスであり、紫外線で感光した部分に加熱現像処理を
施すことにより結晶を成長させることができる。この結
晶は非常に微細で、かつ酸に溶は易いという特性を有し
ているため、微細な形状の再現性に優れ、−度に大量に
加工できる。また、この円板状をなす基板2は直径が1
0+am、厚さ1mll1lこ設定されている。そして
、その中心部には直径100μmの植立穴が設けられて
いる。この植立穴を形成するためには、先ず、基板2上
面の中心部に直径100μmの円形領域が露出する如く
マスクして紫外線を露光する。露光後、その部分を加熱
現像処理して結晶を成長させ、その□部分を酸で溶かす
ことにより形成することができる。
透明電極3としては上記植設穴の形成された基板2表面
に酸化スズを真空蒸着したものが形成されている。真空
蒸着としては、酸化スズとしてインジウムをドープした
タブレットを用い、電子ビムを蒸着源として基板2を3
00℃に加熱した状態で蒸着する。なお、このようにし
て得られた透明電極3の面内抵抗は100Ω・can以
下であった。
に酸化スズを真空蒸着したものが形成されている。真空
蒸着としては、酸化スズとしてインジウムをドープした
タブレットを用い、電子ビムを蒸着源として基板2を3
00℃に加熱した状態で蒸着する。なお、このようにし
て得られた透明電極3の面内抵抗は100Ω・can以
下であった。
金属ワイヤ3はPt−1r(プラチナ・イリジラム)で
形成されており、その先端部が試料表面に接触される。
形成されており、その先端部が試料表面に接触される。
なお、金属ワイヤ4の材料としては、W(タングステン
)、pt(プラチナ)等を用いてもよい。金属ワイヤ4
の先鋭先端部は電解研摩により尖らせており、この先鋭
先端部を基板2上面より1mn+程度突出させた状態で
、その基端部を基板2の植立穴5に埋入させ接着剤によ
り固定させている。接着剤としては、導電性接着剤(例
えば、サイコロンB;商品名)を用いている。
)、pt(プラチナ)等を用いてもよい。金属ワイヤ4
の先鋭先端部は電解研摩により尖らせており、この先鋭
先端部を基板2上面より1mn+程度突出させた状態で
、その基端部を基板2の植立穴5に埋入させ接着剤によ
り固定させている。接着剤としては、導電性接着剤(例
えば、サイコロンB;商品名)を用いている。
なお、この導電性接着剤を用いることにより金属ワイヤ
4と透明電極3とを導通させ同電位としている。
4と透明電極3とを導通させ同電位としている。
このように構成された探触針ユニット1は、例えば光学
顕微鏡の対物レンズの先端または対物レンズと試料との
間に設置される。そして、探触針ユニット1または試料
を移動させて、試料に金属ワイヤ4の先鋭先端部を接近
させる。このような状態で外部より透明電極3を介して
金属ワイヤ4に電圧を印加し、先鋭先端部でトンネル電
流を検知する。この検知されたトンネル電流に基づいて
試料表面のSTM観察が行われる。
顕微鏡の対物レンズの先端または対物レンズと試料との
間に設置される。そして、探触針ユニット1または試料
を移動させて、試料に金属ワイヤ4の先鋭先端部を接近
させる。このような状態で外部より透明電極3を介して
金属ワイヤ4に電圧を印加し、先鋭先端部でトンネル電
流を検知する。この検知されたトンネル電流に基づいて
試料表面のSTM観察が行われる。
このように本実施例によれば、探触針ユニット1を金属
ワイヤ4およびその接着部分以外−は光学的に透明な材
料で構成したので、対物レンズの先に取付けたり、対物
レンズと試料の間に設置してSTM観察を行なう場合に
、金属ワイヤ4の先鋭先端部を光学顕微鏡の焦点位置か
ら光軸方向に移動させることにより、金属ワイヤの先鋭
先端部が焦点位置か−ら外れ、光学顕微鏡の視野を妨げ
ることなく探触針ユニット1を介して試料表面の観察を
行なうこができる。
ワイヤ4およびその接着部分以外−は光学的に透明な材
料で構成したので、対物レンズの先に取付けたり、対物
レンズと試料の間に設置してSTM観察を行なう場合に
、金属ワイヤ4の先鋭先端部を光学顕微鏡の焦点位置か
ら光軸方向に移動させることにより、金属ワイヤの先鋭
先端部が焦点位置か−ら外れ、光学顕微鏡の視野を妨げ
ることなく探触針ユニット1を介して試料表面の観察を
行なうこができる。
なお、光学顕微鏡の視野を妨げる点で上記実施例より劣
るが、実用面、特に光学顕微鏡視野内で、探触針の根本
は合焦位置から大きくずれており結像状態とならないの
で、第12図に示すように、光学的に不透明となるリー
ドパターン8を設けて構成しても視野の妨げとならない
。
るが、実用面、特に光学顕微鏡視野内で、探触針の根本
は合焦位置から大きくずれており結像状態とならないの
で、第12図に示すように、光学的に不透明となるリー
ドパターン8を設けて構成しても視野の妨げとならない
。
第2図は本発明の第2実施例を示す図であり、探触針ユ
ニットの製造工程を示している。本実施例に゛示す探触
針ユニット10は、透明基板11と、この基板11上に
形成されている透明電極12と、この透明電極12上に
真空蒸着で形成された金属性の突起13とから構成され
ている。
ニットの製造工程を示している。本実施例に゛示す探触
針ユニット10は、透明基板11と、この基板11上に
形成されている透明電極12と、この透明電極12上に
真空蒸着で形成された金属性の突起13とから構成され
ている。
次に、上記探触針ユニット10の製造工程について説明
する。透明基板11としては、単結晶サファイヤを用い
る。単結晶サファイアを直径10111+11.厚さ1
■の円板状に加工し、さらにその両面を表面粗さλ程度
に研摩する。なお、基板11の表面は0面を出した。以
下、この基板11をサファイア基板と称する。
する。透明基板11としては、単結晶サファイヤを用い
る。単結晶サファイアを直径10111+11.厚さ1
■の円板状に加工し、さらにその両面を表面粗さλ程度
に研摩する。なお、基板11の表面は0面を出した。以
下、この基板11をサファイア基板と称する。
上記のようにして作成したサファイア基板11表面に第
1実施例と同様にして酸化スズを真空蒸着して透明電極
12を形成する。第2図(a)は基板11上に透明電極
12を形成した状態を示す図である。次に、同図(b)
に示すように直径50μmの穴の設けられている厚さ5
肛のガラス板]4をザファイア基板]1上に重ね、ガラ
ス板14に形成されている穴の中心をサファイア基板1
]の中心と一致させる。この結果、サファイア基板1コ
がガラス板14によりマスクされたことになる。
1実施例と同様にして酸化スズを真空蒸着して透明電極
12を形成する。第2図(a)は基板11上に透明電極
12を形成した状態を示す図である。次に、同図(b)
に示すように直径50μmの穴の設けられている厚さ5
肛のガラス板]4をザファイア基板]1上に重ね、ガラ
ス板14に形成されている穴の中心をサファイア基板1
]の中心と一致させる。この結果、サファイア基板1コ
がガラス板14によりマスクされたことになる。
次に、ガラス板14でマスクされたサファイア基板]]
を、銅のブレートに取付けた状態てスノくツタリング装
置(例えば、5PF−430H,アネルバ社製)の真空
チェンバーに固定する。そして、チェンバーの真空度を
1. X 1.0−6Torr以上にしてptをターゲ
ットとしてスパッタリングを行なう。このとき、サファ
イア基板]−2は、ptとサファイアとの密着を良くす
る目的で250℃以上に加熱しておく。
を、銅のブレートに取付けた状態てスノくツタリング装
置(例えば、5PF−430H,アネルバ社製)の真空
チェンバーに固定する。そして、チェンバーの真空度を
1. X 1.0−6Torr以上にしてptをターゲ
ットとしてスパッタリングを行なう。このとき、サファ
イア基板]−2は、ptとサファイアとの密着を良くす
る目的で250℃以上に加熱しておく。
スパッタリングが終了したならば、サファイア基板11
を真空チェンバー内で除冷し、室温に達したら取出して
マスク14を除去する。
を真空チェンバー内で除冷し、室温に達したら取出して
マスク14を除去する。
このようにして、同図(C)に示すようにサファイア基
板12表面に形成し透明電極13上に、直径50μm、
高さ10μmの大きさを有するptの突起13を形成す
ることができる。なお、スパッタリングの際に、サファ
イア基板11を傾けることにより突起先端部を鋭角にす
ることができる。
板12表面に形成し透明電極13上に、直径50μm、
高さ10μmの大きさを有するptの突起13を形成す
ることができる。なお、スパッタリングの際に、サファ
イア基板11を傾けることにより突起先端部を鋭角にす
ることができる。
また、突起先端を鋭角にするために、第2図(c)の工
程に続いて、所定のスペーサをともない、開口約3μm
のマスク15を、開口が突起13の上位に位置するよう
に配し、同図矢印に示すように、Pt、Ir、W等の金
属をスパッタリングする(第2図(d))。この場合、
マスクの開口が十分に小さいので、マスク15に堆積す
る金属は、徐々に前記開口を締め、突起13上に堆積す
る金属は鋭角化し、マスク15の開口が閉じたときには
、蒸着粒子1個を先端とする金属針が突起13上に形成
される(第2図(e))。
程に続いて、所定のスペーサをともない、開口約3μm
のマスク15を、開口が突起13の上位に位置するよう
に配し、同図矢印に示すように、Pt、Ir、W等の金
属をスパッタリングする(第2図(d))。この場合、
マスクの開口が十分に小さいので、マスク15に堆積す
る金属は、徐々に前記開口を締め、突起13上に堆積す
る金属は鋭角化し、マスク15の開口が閉じたときには
、蒸着粒子1個を先端とする金属針が突起13上に形成
される(第2図(e))。
また、この工程は第2図(b)の工程において採用して
も良い。
も良い。
このようにして作成された探触針ユニ・ノド10を用い
ることにより、STMと光学顕微鏡とを組合わせた観察
を行なうようにしても、光学顕微鏡の視野を妨げること
なくSTM観察を行なうことができる。
ることにより、STMと光学顕微鏡とを組合わせた観察
を行なうようにしても、光学顕微鏡の視野を妨げること
なくSTM観察を行なうことができる。
第3図は本発明の第3実施例を示す図であり、探触針ユ
ニットの他の製造工程を示す図である。
ニットの他の製造工程を示す図である。
先ず、基板21として、第1図または第2図に示す基板
を用いる。この基板21表面に酸化スズを真空蒸着し、
透明電極22を形成する。第3図(a)は基板21上に
透明電極22を形成した状態を示す図である。次に、同
図(b)に示すように、この透明電極22表面にAuを
真空蒸着し、膜厚5μm以下のAu膜23を形成する。
を用いる。この基板21表面に酸化スズを真空蒸着し、
透明電極22を形成する。第3図(a)は基板21上に
透明電極22を形成した状態を示す図である。次に、同
図(b)に示すように、この透明電極22表面にAuを
真空蒸着し、膜厚5μm以下のAu膜23を形成する。
そして、同図(c)に示すように、基板21の中心部に
直径10μmの円形をしたフォI・レジスト24でマス
クし、王水でエツチングする。そして、マスクを除去す
ることにより、直径10μm、高さ5μmのAuの突起
25の形成された探触針ユニット20が得られる。
直径10μmの円形をしたフォI・レジスト24でマス
クし、王水でエツチングする。そして、マスクを除去す
ることにより、直径10μm、高さ5μmのAuの突起
25の形成された探触針ユニット20が得られる。
ところで、第2図および第3図に示す探触針ユニット1
0.20の突起13.25は、その突起先端部から基板
11.21までの距離が第1図に示す探触針ユニツl−
1に比して極めて短い。
0.20の突起13.25は、その突起先端部から基板
11.21までの距離が第1図に示す探触針ユニツl−
1に比して極めて短い。
そのため、探触針ユニット10.20を試料表面にアプ
ローチするときに、試料表面に突起14゜23の高さよ
りも大きな凹凸がある場合や、基板1121が試料表面
に対し平行でない場合等には突起13.25でトンネル
電流を検出できない可能性がある。そのため、基板11
..21の形状に工夫を凝らす必要がある。
ローチするときに、試料表面に突起14゜23の高さよ
りも大きな凹凸がある場合や、基板1121が試料表面
に対し平行でない場合等には突起13.25でトンネル
電流を検出できない可能性がある。そのため、基板11
..21の形状に工夫を凝らす必要がある。
第4図(a)〜(d)は上記不都合を防止するための基
板の形状を示す図である。同図(a)および(b)は、
基板表面の中心部に突起部31を設けて、基板表面と突
起先端部との間の距離を稼いだ形状となっている。なお
、突起部31が光学顕微鏡視野を妨げないようにするた
めには、例えば光学顕微鏡視野か400倍のときには、
直径200μm以下に設定することが望ましい。また、
第4図(C)に示す基板は、光学顕微鏡の対物レンズで
集光した光束を透過させることのできる最少の形状を示
している。例えば、対物レンズの倍] 8 率が40倍であれば、基板の上底面の直径を2mm程度
に設定する。このようにすることにより、試料表面が約
2■四方の範囲内においてその平面性が突起部の高さ以
下の凹凸であれば、突起の先端部でトンネル電流を検出
することができる。また、第4図(d)に示すように、
その基板表面を球面形状にする。このような基板として
例えば球面を有するレンズを用い、このレンズに透明電
極および突起を設けて探触針ユニットを構成してもよい
。
板の形状を示す図である。同図(a)および(b)は、
基板表面の中心部に突起部31を設けて、基板表面と突
起先端部との間の距離を稼いだ形状となっている。なお
、突起部31が光学顕微鏡視野を妨げないようにするた
めには、例えば光学顕微鏡視野か400倍のときには、
直径200μm以下に設定することが望ましい。また、
第4図(C)に示す基板は、光学顕微鏡の対物レンズで
集光した光束を透過させることのできる最少の形状を示
している。例えば、対物レンズの倍] 8 率が40倍であれば、基板の上底面の直径を2mm程度
に設定する。このようにすることにより、試料表面が約
2■四方の範囲内においてその平面性が突起部の高さ以
下の凹凸であれば、突起の先端部でトンネル電流を検出
することができる。また、第4図(d)に示すように、
その基板表面を球面形状にする。このような基板として
例えば球面を有するレンズを用い、このレンズに透明電
極および突起を設けて探触針ユニットを構成してもよい
。
次に、第4図(a)に示す基板を用いて作成した探触針
ユニットの製造工程について説明する。
ユニットの製造工程について説明する。
基板としては、単結晶サファイアを直径101mの円板
状に加工し、基板表面が0面となるように結晶軸を出し
たものを用いる。先ず、レンズの斉田式芯取り機(斉田
精機社製)を用いて基板中心部に突出部を形成する。こ
の突出部は円錐台状をなし、その寸法は、先端部の直径
80μm、基端部の直径150μm、高さ500μmで
ある。次に、突出部を除く基板表面を表面粗さλ程度に
研摩する。そして、突出部を含む基板表面に真空蒸着に
より透明電極を形成する。透明電極が形成されたならば
、突出部を除く領域にフォトレジストを塗布してマスク
し、突出部にはスパッタリングによりptをコートする
。なお、スパッタリングの条件は第2実施例と同様であ
る。ただし、レジストは熱に弱いので基板の加熱は行な
わない。そして、真空チェンバーから取出した後、フォ
トレジストを除去する。このようにして、上記形状をな
す基板を用いた探触針ユニットが作成される。
状に加工し、基板表面が0面となるように結晶軸を出し
たものを用いる。先ず、レンズの斉田式芯取り機(斉田
精機社製)を用いて基板中心部に突出部を形成する。こ
の突出部は円錐台状をなし、その寸法は、先端部の直径
80μm、基端部の直径150μm、高さ500μmで
ある。次に、突出部を除く基板表面を表面粗さλ程度に
研摩する。そして、突出部を含む基板表面に真空蒸着に
より透明電極を形成する。透明電極が形成されたならば
、突出部を除く領域にフォトレジストを塗布してマスク
し、突出部にはスパッタリングによりptをコートする
。なお、スパッタリングの条件は第2実施例と同様であ
る。ただし、レジストは熱に弱いので基板の加熱は行な
わない。そして、真空チェンバーから取出した後、フォ
トレジストを除去する。このようにして、上記形状をな
す基板を用いた探触針ユニットが作成される。
なお、上記探触針ユニットの基板の材質は、光学顕微鏡
の測定波長領域に応じて変える必要がある。通常の光学
顕微鏡の場合、すなわち、可視光領域では可視光領域に
おいて透過率の高いガラス(例えば、ソーダ石灰ガラス
、硼珪酸ガラス、珪酸ガラス、石英ガラス、感光性ガラ
ス等)、アクリル(例えば、エポキシ変性アクリル、ス
チレン変性アクリル、高ポリマーアクリル等)、単結晶
サファイア、ポリカーボネイト等がよい。また、蛍光顕
微鏡等の紫外線領域の波長の光を用いる場合には、紫外
線を通すアルミノ珪酸ガラス、石英ガラス、単結晶サフ
ァイア等が適している。
の測定波長領域に応じて変える必要がある。通常の光学
顕微鏡の場合、すなわち、可視光領域では可視光領域に
おいて透過率の高いガラス(例えば、ソーダ石灰ガラス
、硼珪酸ガラス、珪酸ガラス、石英ガラス、感光性ガラ
ス等)、アクリル(例えば、エポキシ変性アクリル、ス
チレン変性アクリル、高ポリマーアクリル等)、単結晶
サファイア、ポリカーボネイト等がよい。また、蛍光顕
微鏡等の紫外線領域の波長の光を用いる場合には、紫外
線を通すアルミノ珪酸ガラス、石英ガラス、単結晶サフ
ァイア等が適している。
赤外線顕微鏡のように赤外線領域の波長を用いる場合に
は、赤外線領域で透過率の高い、KBrや岩塩を用いる
必要がある。また、近赤外線領域(波長領域が1〜3μ
m程度)の場合には、珪酸ガラスや単結晶ガラスを用(
゛)ることか好ましい。
は、赤外線領域で透過率の高い、KBrや岩塩を用いる
必要がある。また、近赤外線領域(波長領域が1〜3μ
m程度)の場合には、珪酸ガラスや単結晶ガラスを用(
゛)ることか好ましい。
また、X線顕微鏡の場合には、ベリリウムを基板として
用いることが好ましい。
用いることが好ましい。
次に、前記STM観察用の探触針ユニッ!・を光学顕微
鏡に適用した実施例について説明する。
鏡に適用した実施例について説明する。
第5図は本発明の第4実施例の構成を示す図であり、光
学顕微鏡の対物レンズにSTM観察用の探触針ユニット
が設けられた状態が示されている。
学顕微鏡の対物レンズにSTM観察用の探触針ユニット
が設けられた状態が示されている。
同図に示す41は光学顕微鏡の対物レンズ本体であり、
この対物レンズ本体41の外周面に対し着脱可能に、し
かも同心的に環状の支持部材42が設けられている。対
物レンズ本体41と支持部材42との取付は手段は、例
えば螺合やボルト止めのような手段にて行われる。支持
部材42には対物レンズ本体41の先端部外周を囲う筒
状の三次元アクチュエータ43の一端が固定もしくは着
脱可能に装着されており、他端には探触針ユニットMが
三次元アクチュエータ43に対して高精度で同心的に稜
続されている。この探触針ユニットMは、透明基板44
.透明電極45.探触針として働く導電体の突起46か
らなり、上記第1〜第3実施例で説明した中のいずれか
一つが用いられている。この探触針ユニットMと三次元
アクチュエータ43とから試料Sの観察表面に対し垂直
方向の調整を行なうトンネル走査ユニット47を構成し
ている。
この対物レンズ本体41の外周面に対し着脱可能に、し
かも同心的に環状の支持部材42が設けられている。対
物レンズ本体41と支持部材42との取付は手段は、例
えば螺合やボルト止めのような手段にて行われる。支持
部材42には対物レンズ本体41の先端部外周を囲う筒
状の三次元アクチュエータ43の一端が固定もしくは着
脱可能に装着されており、他端には探触針ユニットMが
三次元アクチュエータ43に対して高精度で同心的に稜
続されている。この探触針ユニットMは、透明基板44
.透明電極45.探触針として働く導電体の突起46か
らなり、上記第1〜第3実施例で説明した中のいずれか
一つが用いられている。この探触針ユニットMと三次元
アクチュエータ43とから試料Sの観察表面に対し垂直
方向の調整を行なうトンネル走査ユニット47を構成し
ている。
こ′のような走査ユニット47を備えたSTMにおいて
は、探触針ユニッ)Mの突起46の中心軸と対物レンズ
41の光軸とを一致させた状態で、透明基板41を介し
て試料Sの観察表面のSTM走査領域を光学顕微鏡にて
観察する。そして、光学顕微鏡でSTM走査領域を観察
しながら、突起46を観察表面にアプローチする。次に
、三次元アクチュエータ43で三次元的に移動して、観
察表面をSTM観察する。
は、探触針ユニッ)Mの突起46の中心軸と対物レンズ
41の光軸とを一致させた状態で、透明基板41を介し
て試料Sの観察表面のSTM走査領域を光学顕微鏡にて
観察する。そして、光学顕微鏡でSTM走査領域を観察
しながら、突起46を観察表面にアプローチする。次に
、三次元アクチュエータ43で三次元的に移動して、観
察表面をSTM観察する。
このような本実施例によれば、探触針ユニットMは突起
46を除き透明な材質で構成しているので、探触針ユニ
ッh Mを対物レンズ41の先端部に取付けても光学顕
微鏡の観察視野の妨げとならない。従って、対物レンズ
41の試料Sの観察は探触針ユニットMを介して行なう
ことができ、STM観察像と光学顕微鏡による観察像と
を重ねて観察、測定できる。
46を除き透明な材質で構成しているので、探触針ユニ
ッh Mを対物レンズ41の先端部に取付けても光学顕
微鏡の観察視野の妨げとならない。従って、対物レンズ
41の試料Sの観察は探触針ユニットMを介して行なう
ことができ、STM観察像と光学顕微鏡による観察像と
を重ねて観察、測定できる。
なお、本実施例の第5図の透明基板44、透明電極45
、突起46を備えるユニットは、別の実施例として第1
3図(a)(b)に示すように、上表面にリードパター
ン8と植設された金属針4を導電接続して設けた第1の
透明基板2aと、透明電極7を備えた第2の透明基板2
bを、透明電極7を挟み込むように合わせたユニットに
置き換えてもよい。
、突起46を備えるユニットは、別の実施例として第1
3図(a)(b)に示すように、上表面にリードパター
ン8と植設された金属針4を導電接続して設けた第1の
透明基板2aと、透明電極7を備えた第2の透明基板2
bを、透明電極7を挟み込むように合わせたユニットに
置き換えてもよい。
この場合、]・ンネル電流は、リードパターン8に接続
されている板バネ9より取出す。一方、透明電極7を図
示されない配線で接地することで、トンネル電流検出系
と、圧電アクチュエータ駆動系とを分離でき、リークな
どを防止できる。また、リードパターン8は、透明電極
とするが、光学系に影響を与えない範囲で、不透明な電
極とすることもできる。
されている板バネ9より取出す。一方、透明電極7を図
示されない配線で接地することで、トンネル電流検出系
と、圧電アクチュエータ駆動系とを分離でき、リークな
どを防止できる。また、リードパターン8は、透明電極
とするが、光学系に影響を与えない範囲で、不透明な電
極とすることもできる。
第6図は本発明の第5実施例を示す図であり、対物レン
ズと試料との間に探触針ユニットを設けた状態を示して
いる。本実施例は、対物レンズ41に対向配置されその
内部に試料Sが載置されているフレーム状をなす支持部
材51に三次元アクチエエータ52を介して探触針ユニ
ットMを設けた例である。フレーム状をなす支持部材5
]は上壁中央部に円形開口を有し、この開口の周面に円
形リング状をなす三次元アクチュエータ52が、対物レ
ンズ41の光軸と同心的に固定されている。
ズと試料との間に探触針ユニットを設けた状態を示して
いる。本実施例は、対物レンズ41に対向配置されその
内部に試料Sが載置されているフレーム状をなす支持部
材51に三次元アクチエエータ52を介して探触針ユニ
ットMを設けた例である。フレーム状をなす支持部材5
]は上壁中央部に円形開口を有し、この開口の周面に円
形リング状をなす三次元アクチュエータ52が、対物レ
ンズ41の光軸と同心的に固定されている。
このアクチュエータ52の内周面には、上記開口を閉塞
する如く探触針ユニットMが取着されている。なお、探
触針ユニッl−Mの突起46は試料載置台53上に載置
された試料S側に突出されており、この突起46の中心
と対物レンズ41の光軸とが一致している。
する如く探触針ユニットMが取着されている。なお、探
触針ユニッl−Mの突起46は試料載置台53上に載置
された試料S側に突出されており、この突起46の中心
と対物レンズ41の光軸とが一致している。
二のように構成された本実施例によれば、探触針ユニッ
)Mを介して光学顕微鏡による観察を行なうことができ
ると共に、三次元アクチュエータ52により探触針ユニ
ットMを三次元走査させることにより、試料S表面のS
TM観察を行なうことができる。
)Mを介して光学顕微鏡による観察を行なうことができ
ると共に、三次元アクチュエータ52により探触針ユニ
ットMを三次元走査させることにより、試料S表面のS
TM観察を行なうことができる。
第7図は本発明の第6実施例の構成を示す図である。同
図に示す6]は光学顕微鏡のレボルバ−であり、このレ
ボルバ−61には対物レンズユニット62が着脱可能に
取付けられている。この対物レンズユニット62は、そ
の一端面に開口を有する円筒状の外枠体63を備えてい
る。この外枠体63の他端面にはレボルバ−61の対物
レンズ螺着用雌ねじに螺合可能な雄ねじが周面に形成さ
れた突出部64が設けられている。また、外枠体63に
は、対物レンズ65が収納されており、この対物レンズ
65は外枠体63の上壁内面中央に形成されたねじ穴に
その上端が螺合されている。
図に示す6]は光学顕微鏡のレボルバ−であり、このレ
ボルバ−61には対物レンズユニット62が着脱可能に
取付けられている。この対物レンズユニット62は、そ
の一端面に開口を有する円筒状の外枠体63を備えてい
る。この外枠体63の他端面にはレボルバ−61の対物
レンズ螺着用雌ねじに螺合可能な雄ねじが周面に形成さ
れた突出部64が設けられている。また、外枠体63に
は、対物レンズ65が収納されており、この対物レンズ
65は外枠体63の上壁内面中央に形成されたねじ穴に
その上端が螺合されている。
対物レンズ65の外周面と外枠体63の内周面との間に
は、円筒状の内枠66が設けられている。
は、円筒状の内枠66が設けられている。
この内枠66は上下に互いに所定間隔を有して位置する
一対の支持部66aと、この支持部間に支持され、上下
方向に伸縮可能な圧電素子からなる筒状の探触針移動用
素微動装置66bとから構成されている。支持部材66
aは、外枠体63の周壁に上下方向に離間して設けられ
た一対の上方内枠固定用素微動装置67aならびに下方
内枠固定用素微動装置67bにより各々選択的に固定さ
れる。これら一対の各素微動装置67a、67bは互い
に180度離間口て設けられ、内枠方向に伸縮可能な圧
電素子により構成されている。上側に位置する支持部6
6aには、内枠66と対物レンズ65との間に、対物レ
ンズ65と同心的に位置する円筒状の3次元アクチュエ
ータ67の上端が固定されている。このアクチュエータ
67は、上記上方内枠固定用素微動装置67aと下方内
枠固定用素微動装置67bとを交互に駆動させることに
より、上方および下方支持部66aの固定を交互に解除
する。この解除に応して探触針移動用素微動装置66b
を断続的に伸縮させるいわゆるインチワーム方式により
、支持部66aがZ軸方向に移動される。このアクチュ
エータ67の下端には、中央に円形開口を有する円形の
金属枠68が周縁で固定されている。なお、固定手段と
しては、金属枠68がアクチュエータ67から取外して
交換可能なように、例えばねじによる固定が好ましい。
一対の支持部66aと、この支持部間に支持され、上下
方向に伸縮可能な圧電素子からなる筒状の探触針移動用
素微動装置66bとから構成されている。支持部材66
aは、外枠体63の周壁に上下方向に離間して設けられ
た一対の上方内枠固定用素微動装置67aならびに下方
内枠固定用素微動装置67bにより各々選択的に固定さ
れる。これら一対の各素微動装置67a、67bは互い
に180度離間口て設けられ、内枠方向に伸縮可能な圧
電素子により構成されている。上側に位置する支持部6
6aには、内枠66と対物レンズ65との間に、対物レ
ンズ65と同心的に位置する円筒状の3次元アクチュエ
ータ67の上端が固定されている。このアクチュエータ
67は、上記上方内枠固定用素微動装置67aと下方内
枠固定用素微動装置67bとを交互に駆動させることに
より、上方および下方支持部66aの固定を交互に解除
する。この解除に応して探触針移動用素微動装置66b
を断続的に伸縮させるいわゆるインチワーム方式により
、支持部66aがZ軸方向に移動される。このアクチュ
エータ67の下端には、中央に円形開口を有する円形の
金属枠68が周縁で固定されている。なお、固定手段と
しては、金属枠68がアクチュエータ67から取外して
交換可能なように、例えばねじによる固定が好ましい。
金属枠68には、これの円形開口を閉塞するようにして
探触針ユニットMが取着されている。
探触針ユニットMが取着されている。
なお、探触針ユニットMとしては前記第1〜第3実施例
で説明した中のいずれがである。この探触針ユニットM
はその突起46を、試料S側に向けて金属枠68に固定
されている。試料SはXY力方向移動可能なXYステー
ジよりなる試料台7゜上に載置されている。なお、試料
台7oとしは、X方向に移動させるアクチュエータとY
方向に移動させるアクチュエータとを組合わせた構成と
してもよいし、筒状の3次元アクチュエータを試料Sの
下に設ける構成としてもよい。
で説明した中のいずれがである。この探触針ユニットM
はその突起46を、試料S側に向けて金属枠68に固定
されている。試料SはXY力方向移動可能なXYステー
ジよりなる試料台7゜上に載置されている。なお、試料
台7oとしは、X方向に移動させるアクチュエータとY
方向に移動させるアクチュエータとを組合わせた構成と
してもよいし、筒状の3次元アクチュエータを試料Sの
下に設ける構成としてもよい。
次に、上記構成のSTMの操作について説明する。
光学顕微鏡のレボルバ−61に対物レンズ62を装着し
、試料S表面の観察を行なう。このときの光学顕微鏡の
ピント合わせは、XYステージ70を粗動させて行なう
。そして、対物レンズユニット62を光学顕微鏡のピン
ト位置に設定した後、粗微動装置67aにより探触針ユ
ニットMを微動調整して突起46でトンネル電流を検出
する。
、試料S表面の観察を行なう。このときの光学顕微鏡の
ピント合わせは、XYステージ70を粗動させて行なう
。そして、対物レンズユニット62を光学顕微鏡のピン
ト位置に設定した後、粗微動装置67aにより探触針ユ
ニットMを微動調整して突起46でトンネル電流を検出
する。
次に、3次元アクチュエータ68を駆動して、試料S表
面を探触針ユニッ)Mの突起46で走査する。このよう
にして、光学顕微鏡による位置合わせ、およびSTMに
よる試料S表面のSTM観察が行われる。
面を探触針ユニッ)Mの突起46で走査する。このよう
にして、光学顕微鏡による位置合わせ、およびSTMに
よる試料S表面のSTM観察が行われる。
次に、第7図に示す第6実施例において用いられる3次
元アクチュエータについて第8図(a)〜(c)および
第9図を参照して具体的に説明する。第8図(a)〜(
C)は3次元アクチュエータの構成を示す図であり、同
図(a)は一方の端部より見た図、同図(b)は側面図
、同図(c)は断面図である。図に示す符号71はアク
チュエータ本体であり円筒状をなしている。このアクチ
ュエータ本体71の外周面下部には、周方向に所定間隔
でX電極72.−X電極73.−X電極74、X電極7
4が配設されている。なお、X電極72と−X電極74
、X電極73と−Y電極74は互いに180度離間型る
ように位置している。
元アクチュエータについて第8図(a)〜(c)および
第9図を参照して具体的に説明する。第8図(a)〜(
C)は3次元アクチュエータの構成を示す図であり、同
図(a)は一方の端部より見た図、同図(b)は側面図
、同図(c)は断面図である。図に示す符号71はアク
チュエータ本体であり円筒状をなしている。このアクチ
ュエータ本体71の外周面下部には、周方向に所定間隔
でX電極72.−X電極73.−X電極74、X電極7
4が配設されている。なお、X電極72と−X電極74
、X電極73と−Y電極74は互いに180度離間型る
ように位置している。
また、アクチュエータ本体71の外周面上部には、その
全周にわたり延出する如くZ電極′76が設けられてい
る。
全周にわたり延出する如くZ電極′76が設けられてい
る。
このように構成されている3次元アクチュエータ68の
各電極72〜76に第9図に示すような極性の電圧を印
加して、探触針ユニットMをX方向、Y方向、Z方向に
選択的に走査することができるものとなる。
各電極72〜76に第9図に示すような極性の電圧を印
加して、探触針ユニットMをX方向、Y方向、Z方向に
選択的に走査することができるものとなる。
第10図は本発明の第7実施例の構成を示す図である。
本実施例は、探触針ユニットMを移動させるアクチュエ
ータとして、Z方向にのみ伸縮可能なZ方向アクチュエ
ータ81を用いた例である。
ータとして、Z方向にのみ伸縮可能なZ方向アクチュエ
ータ81を用いた例である。
なお、第7図に示す第7実施例と同一部分には同一の符
号を付している。本実施例で用いられるアクチュエータ
81は、中央に円形開口を有する円板状をなすバイモル
フ圧電体で構成されている。
号を付している。本実施例で用いられるアクチュエータ
81は、中央に円形開口を有する円板状をなすバイモル
フ圧電体で構成されている。
このアクチュエータ81は内枠66の下方に位置する支
持部66aに周縁で固定されている。そして、このアク
チュエータ81の中央開口部には、前記第1〜第3実施
例で説明した探触針ユニットMのいずれかが取付けられ
ている。なお、探触針ユニットMはその突起46の中心
軸と対物レンズ65の光軸とが一致するように配置され
ている。
持部66aに周縁で固定されている。そして、このアク
チュエータ81の中央開口部には、前記第1〜第3実施
例で説明した探触針ユニットMのいずれかが取付けられ
ている。なお、探触針ユニットMはその突起46の中心
軸と対物レンズ65の光軸とが一致するように配置され
ている。
また、対物レンズユニット62の下方側対向位置には枠
状をなす支持部材82が配置されている。
状をなす支持部材82が配置されている。
この支持部材82には、試料Sの載置された支持台83
が収納されている。この支持台83は、支持台83側面
と支持部材82の内壁側面との間に設けられたX方向ア
クチュエータ84.Y方向アクチュエータ85により、
X方向およびY方向に微動させるためのX方向アクチュ
エータ84.Y方向アクチュエータ85が設けられてい
る。
が収納されている。この支持台83は、支持台83側面
と支持部材82の内壁側面との間に設けられたX方向ア
クチュエータ84.Y方向アクチュエータ85により、
X方向およびY方向に微動させるためのX方向アクチュ
エータ84.Y方向アクチュエータ85が設けられてい
る。
このように構成された本実施例では、X方向アクチュエ
ータ84およびY方向アクチュエータ85を駆動させて
試料SをXY力方向移動させる。
ータ84およびY方向アクチュエータ85を駆動させて
試料SをXY力方向移動させる。
それと同時に、Z方向アクチュエータ8コを用いて探触
針ユニットMをZ方向に移動させる。その結果、前記第
6実施例と同様に探触針ユニソl−Mは3次元方向に移
動されSTM観察が行われるものとなる。
針ユニットMをZ方向に移動させる。その結果、前記第
6実施例と同様に探触針ユニソl−Mは3次元方向に移
動されSTM観察が行われるものとなる。
第11図は本発明の第8実施例の構成を示す図である。
本実施例は、対物レンズ側にはSTM走査機構は設けす
に、試料支持機11111側にSTM走査機構を設けた
例である。枠状をなす支持部材91の上面中央には、中
央に開口を有するXY方向アクチュエータ92が取着さ
れている。このアクチュエータ92の開口を閉塞するよ
うにして探触針ユニットMが設けられている。この探触
針ユニッ1− Mの下側には、試料Sを上面に保持した
Z方向アクチュエータ93か配置されており、さらにこ
のZ方向アクチュエータ93を保持するように試料台9
4が設けられている。
に、試料支持機11111側にSTM走査機構を設けた
例である。枠状をなす支持部材91の上面中央には、中
央に開口を有するXY方向アクチュエータ92が取着さ
れている。このアクチュエータ92の開口を閉塞するよ
うにして探触針ユニットMが設けられている。この探触
針ユニッ1− Mの下側には、試料Sを上面に保持した
Z方向アクチュエータ93か配置されており、さらにこ
のZ方向アクチュエータ93を保持するように試料台9
4が設けられている。
このような構成において、Z方向アクチュエタ93は試
料Sと探触針ユニットMとの間隔を所定の距離にするよ
うに試料SをZ方向に移動さぜ3] る。なお、Z方向アクチュエータ94に換えて前述した
3次元アクチュエータを用いてもよい。
料Sと探触針ユニットMとの間隔を所定の距離にするよ
うに試料SをZ方向に移動さぜ3] る。なお、Z方向アクチュエータ94に換えて前述した
3次元アクチュエータを用いてもよい。
以上、本発明の実施例としてSTM動作を例に説明した
が、AFMなどの他のアトミックプローブ顕微鏡にも本
発明は適用できる。この様な例を第5図を例にとって説
明する。
が、AFMなどの他のアトミックプローブ顕微鏡にも本
発明は適用できる。この様な例を第5図を例にとって説
明する。
この場合の探触針ユニットは、透明基板44の表面に突
起46を設け、アクチュエータ43で突起46の変位を
検出する如く構成する。なお、この場合には、 参妻透明電極454.不要となる。
起46を設け、アクチュエータ43で突起46の変位を
検出する如く構成する。なお、この場合には、 参妻透明電極454.不要となる。
この様に構成される探触針ユニットにおいて、観察を行
う場合は、突起46を試料表面に原子レベルまで近づけ
る。これによって突起46に原子間力が作用して突起4
6が変位する。この変位は直接アクチュエータ43で検
出され、電気信号に変換される。そして、突起46の変
位をアクチュエータ43から電気信号として取出し、こ
れを計測系に導くことにより、原子レベルでの観察が行
えるものとなる。
う場合は、突起46を試料表面に原子レベルまで近づけ
る。これによって突起46に原子間力が作用して突起4
6が変位する。この変位は直接アクチュエータ43で検
出され、電気信号に変換される。そして、突起46の変
位をアクチュエータ43から電気信号として取出し、こ
れを計測系に導くことにより、原子レベルでの観察が行
えるものとなる。
従って、この様な探触針ユニットによれば、トンネル電
流の検出は不要となり、透明電極45も不用となり、第
1〜第6図の実施例に於て透明電極3,1.2.45を
省略できる。
流の検出は不要となり、透明電極45も不用となり、第
1〜第6図の実施例に於て透明電極3,1.2.45を
省略できる。
また、第14図において透明電極2を光学的に透明な圧
電体LiNb2O3で構成し、別に設けた透明電極6と
、透明電極3の間に突起4で受けた原子間力を検出する
と、AFM観察において本発明を適用できる。この場合
、透明電極2は、十分薄くし、円盤の径は大きくとり、
圧電ダイヤフラムを構成するか、透明基板2を両持ち梁
として構成することもできる。
電体LiNb2O3で構成し、別に設けた透明電極6と
、透明電極3の間に突起4で受けた原子間力を検出する
と、AFM観察において本発明を適用できる。この場合
、透明電極2は、十分薄くし、円盤の径は大きくとり、
圧電ダイヤフラムを構成するか、透明基板2を両持ち梁
として構成することもできる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であ
るのは勿論である。
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であ
るのは勿論である。
本発明によれば、微小な突起とその接着部を除いて光学
的に透明な材料で探触針ユニットが構成されているので
、光学顕微鏡の対物レンズの先に取付けたり、または試
料と対物レンズとの間に設置して使用でき、突起を光学
顕微鏡の焦点位置かられずかにずらすだけで、光学顕微
鏡の視野を妨げることなくSTM観察を行なうことがで
きる。
的に透明な材料で探触針ユニットが構成されているので
、光学顕微鏡の対物レンズの先に取付けたり、または試
料と対物レンズとの間に設置して使用でき、突起を光学
顕微鏡の焦点位置かられずかにずらすだけで、光学顕微
鏡の視野を妨げることなくSTM観察を行なうことがで
きる。
また、透明な基板と、この基板表面に支持された突起と
、この突起の変位を検出する手段とから探触針ユニット
を構成したので、各種のアトミックプローブに適用して
光学顕微鏡の視野を妨げることなく、原子レベルでの観
察を良好に行なうことができる。
、この突起の変位を検出する手段とから探触針ユニット
を構成したので、各種のアトミックプローブに適用して
光学顕微鏡の視野を妨げることなく、原子レベルでの観
察を良好に行なうことができる。
第1図(a)(b)は本発明の第コー実施例に係る探触
針ユニットの断面図および上面図、第2図(a)〜(e
)および第3図(a)〜(d)は探触針ユニットの製造
工程を示す図、第4図(a)〜(d)は透明基板の形状
を示す図、第5図〜第7図は第4実施例〜第6実施例の
構成を示す図、第8図(a)〜(C)は3次元アクチュ
エータの構成を示す図であり、同図(a)は一方の側か
ら見た状態を示す図、同図(b)は側面図、同図(C)
は断面図、第9図は3次元アクチュエータの具体的な駆
動を説明するための図、第10図および第11図は第7
実施例および第8実施例の構成を示す図、第12図は金
属ワイヤから金属線を引出した探触針ユニットの断面図
、第13図(a)(b)は透明基板を二重構造とした探
触針ユニットの上面図および断面図、第14図は透明基
板の上面および背面に電極を形成した探、触針ユニット
の断面図である。 丁、10,20.M・・・探触針ユニット、2゜11.
21・・・透明基板、3,12.22・・・透明電極、
4,13.25・・・突起。 出願人代理人 弁理士 坪井 淳 第 図 第 図 第 図 26一
針ユニットの断面図および上面図、第2図(a)〜(e
)および第3図(a)〜(d)は探触針ユニットの製造
工程を示す図、第4図(a)〜(d)は透明基板の形状
を示す図、第5図〜第7図は第4実施例〜第6実施例の
構成を示す図、第8図(a)〜(C)は3次元アクチュ
エータの構成を示す図であり、同図(a)は一方の側か
ら見た状態を示す図、同図(b)は側面図、同図(C)
は断面図、第9図は3次元アクチュエータの具体的な駆
動を説明するための図、第10図および第11図は第7
実施例および第8実施例の構成を示す図、第12図は金
属ワイヤから金属線を引出した探触針ユニットの断面図
、第13図(a)(b)は透明基板を二重構造とした探
触針ユニットの上面図および断面図、第14図は透明基
板の上面および背面に電極を形成した探、触針ユニット
の断面図である。 丁、10,20.M・・・探触針ユニット、2゜11.
21・・・透明基板、3,12.22・・・透明電極、
4,13.25・・・突起。 出願人代理人 弁理士 坪井 淳 第 図 第 図 第 図 26一
Claims (6)
- (1)透明な基板と、この基板表面に位置する透明な電
極と、この電極に電気的に接続されると共に前記基板表
面に設けられた導電体からなる突起とを具備したことを
特徴とする探触針ユニット。 - (2)前記導電体の突起は鋭角の先端を有する金属ワイ
ヤであることを特徴とする請求項1に記載の探触針ユニ
ット。 - (3)前記透明な電極は基板表面に真空蒸着して形成す
ることを特徴とする請求項1に記載の探触針ユニット。 - (4)前記導電体の突起はマスクした基板表面に真空蒸
着により金属を堆積させた後、前記マスクを除去して形
成したことを特徴とする請求項1に記載の探触針ユニッ
ト。 - (5)前記導電体の突起は基板表面に金属を真空蒸着し
た後、上記基板の中心部にマスクを施した状態でエッチ
ングし、上記マスク以外の部分を溶解して除去して形成
したことを特徴とする請求項1に記載の探触針ユニット
。 - (6)透明な基板と、この基板表面に支持された突起と
、この突起の変位を検出する手段とを具備したことを特
徴とする探触針ユニット。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3110489 | 1989-02-13 | ||
| JP1-31104 | 1989-02-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH032503A true JPH032503A (ja) | 1991-01-08 |
| JP2985153B2 JP2985153B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=12322095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2028169A Expired - Lifetime JP2985153B2 (ja) | 1989-02-13 | 1990-02-09 | 探触針ユニット及び探触針ユニットの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5041783A (ja) |
| EP (1) | EP0383182B1 (ja) |
| JP (1) | JP2985153B2 (ja) |
| DE (1) | DE69026732T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010229030A (ja) * | 2004-04-08 | 2010-10-14 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc | 単結晶及びその作製方法 |
| US11047650B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-06-29 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Transparent composite having a laminated structure |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5260824A (en) * | 1989-04-24 | 1993-11-09 | Olympus Optical Co., Ltd. | Atomic force microscope |
| JP2815196B2 (ja) * | 1989-10-02 | 1998-10-27 | オリンパス光学工業株式会社 | 微細表面形状計測装置 |
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