JPH03252128A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH03252128A JPH03252128A JP4983490A JP4983490A JPH03252128A JP H03252128 A JPH03252128 A JP H03252128A JP 4983490 A JP4983490 A JP 4983490A JP 4983490 A JP4983490 A JP 4983490A JP H03252128 A JPH03252128 A JP H03252128A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafers
- taken
- core tube
- nozzles
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、炉体と炉心管とで構成され、ウェハを複数枚
、該炉心管に挿入して成膜する半導体製造装置の改良に
関し。
、該炉心管に挿入して成膜する半導体製造装置の改良に
関し。
大口径化された複数枚のウェハに均質な成膜を行える半
導体製造装置を提供することを目的とし。
導体製造装置を提供することを目的とし。
■炉体と炉心管とで構成され、ウェハを複数枚該炉心管
に挿入して成膜する半導体製造装置において、該ウェハ
とウェハの間のほぼウェハ中央部の位置に、該ウェハ全
体にガスを噴射するためのノズルが備えられ、且つ、該
ノズルは該ウェハの出し入れの際に、該ウェハの出し入
れが可能なように可動であるか、或いは、該ウェハと一
緒に出し入れできる構造を有するように。
に挿入して成膜する半導体製造装置において、該ウェハ
とウェハの間のほぼウェハ中央部の位置に、該ウェハ全
体にガスを噴射するためのノズルが備えられ、且つ、該
ノズルは該ウェハの出し入れの際に、該ウェハの出し入
れが可能なように可動であるか、或いは、該ウェハと一
緒に出し入れできる構造を有するように。
■前記ウェハと一緒に出し入れできる構造を有し、前記
ノズルへのガス供給配管が複数枚の該つエバを搭載する
前記ウェハホルダ内の少なくとも一つの支柱に設けられ
ている構造を有するように構成する。
ノズルへのガス供給配管が複数枚の該つエバを搭載する
前記ウェハホルダ内の少なくとも一つの支柱に設けられ
ている構造を有するように構成する。
本発明は、炉体と炉心管とで構成され、ウェハを複数枚
、該炉心管に挿入して成膜する半導体製造装置の改良に
関する。
、該炉心管に挿入して成膜する半導体製造装置の改良に
関する。
近年、半導体素子の高集積化、多機能化にともない、チ
ップサイズが巨大化するとともに、ウェハサイズの大口
径化も進んでいる。
ップサイズが巨大化するとともに、ウェハサイズの大口
径化も進んでいる。
しかし、拡散法、気相成長法により形成される薄膜のウ
ェハ内での膜厚、膜質分布は、従来よりも更に均一化す
ることが要求されている。
ェハ内での膜厚、膜質分布は、従来よりも更に均一化す
ることが要求されている。
従来、炉体と炉心管とを用いて、拡散、気相成長を行う
半導体製造装置においては、ウェハの端部と炉心管の内
壁との距離、或いは複数枚のウェハの隣接間隔を適正に
保つなどの方法やウェハを円筒型のカバーで覆ったり、
二重の炉心管を使ったり、或いは、ガス導入用のノズル
を炉心管の中の管壁とウェハとの間に入れて、その対向
面に排気用のノズルを設けるなどの対処をして、ウェハ
内の膜厚分布の改善を行ってきた。しかし、ウェハが大
口径化されるにつれ、ウェハの径方向の距離も大きくな
り、ウェハ端部から流入する反応ガスの濃度に勾配がつ
き、中央部のガス濃度が薄くなって、十分に反応ガスが
供給されないという可能性がでてきた。
半導体製造装置においては、ウェハの端部と炉心管の内
壁との距離、或いは複数枚のウェハの隣接間隔を適正に
保つなどの方法やウェハを円筒型のカバーで覆ったり、
二重の炉心管を使ったり、或いは、ガス導入用のノズル
を炉心管の中の管壁とウェハとの間に入れて、その対向
面に排気用のノズルを設けるなどの対処をして、ウェハ
内の膜厚分布の改善を行ってきた。しかし、ウェハが大
口径化されるにつれ、ウェハの径方向の距離も大きくな
り、ウェハ端部から流入する反応ガスの濃度に勾配がつ
き、中央部のガス濃度が薄くなって、十分に反応ガスが
供給されないという可能性がでてきた。
〔発明が解決しようとする課題］
従って、大口径のウェハでは、ウェハ中央部とウェハ端
部とで、ガス濃度を均一にすることができず、ウェハ内
の膜厚、膜質の分布を無くすことができなくなってきた
。
部とで、ガス濃度を均一にすることができず、ウェハ内
の膜厚、膜質の分布を無くすことができなくなってきた
。
本発明は１以上の点を鑑み、炉体と炉心管とを用いる半
導体製造装置において、複数枚の大口径化されたウェハ
に、均質な膜を形成する半導体製造装置を提供すること
を目的とする。
導体製造装置において、複数枚の大口径化されたウェハ
に、均質な膜を形成する半導体製造装置を提供すること
を目的とする。
第１図は本発明の原理説明図である。
図において、１は炉体、２は炉心管、３はウェハ、４は
ノズル、５はガス供給配管、６はウェハホルダである。
ノズル、５はガス供給配管、６はウェハホルダである。
上記の問題点は、炉体１と炉心管２とで構成され、ウェ
ハ３を複数枚、該炉心管２に挿入して成膜する半導体製
造装置において、該ウェハ３とウェハの間のほぼウェハ
中央部の位置に、該ウェハ３全体にガスを噴射するため
のノズル４が備えられ、且つ、該ノズル４は該ウェハ３
の出し入れの際に、該ウェハ３の出し入れが可能なよう
に可動であるか、゛或いは、該ウェハ３と一緒に出し入
れできる構造を有することにより、また、前記ウェハ３
と一緒に出し入れできる構造を有し、前記ノズル４への
ガス供給配管５が複数枚の該ウェハ３を搭載する前記ウ
ェハホルダ６内の少なくとも一つの支柱に設けられてい
る構造を有することにより解決される。
ハ３を複数枚、該炉心管２に挿入して成膜する半導体製
造装置において、該ウェハ３とウェハの間のほぼウェハ
中央部の位置に、該ウェハ３全体にガスを噴射するため
のノズル４が備えられ、且つ、該ノズル４は該ウェハ３
の出し入れの際に、該ウェハ３の出し入れが可能なよう
に可動であるか、゛或いは、該ウェハ３と一緒に出し入
れできる構造を有することにより、また、前記ウェハ３
と一緒に出し入れできる構造を有し、前記ノズル４への
ガス供給配管５が複数枚の該ウェハ３を搭載する前記ウ
ェハホルダ６内の少なくとも一つの支柱に設けられてい
る構造を有することにより解決される。
本発明では、ウェハ毎にノズルより、中央部からうえは
全面に反応ガスを噴射供給するため、ウェハ上に、膜質
、膜厚の均一な成膜を行うことが可能となる。
全面に反応ガスを噴射供給するため、ウェハ上に、膜質
、膜厚の均一な成膜を行うことが可能となる。
［実施例〕
第２図、第３図は本発明の詳細な説明図である。
図において、１は炉体、２は炉心管、３はウェハ、４は
ノズル、５はガス供給配管、６はウェハホルダ、７は蓋
、８はシール部、９は排気口、 １０は内管である。
ノズル、５はガス供給配管、６はウェハホルダ、７は蓋
、８はシール部、９は排気口、 １０は内管である。
最初に請求項１記載の第１の実施例について。
第２図により説明する。
第２図（ａ）に示すように１石英製の炉心管２の中央に
複数枚のウェハ３が等間隔に並べられた石英製のウェハ
ホルダ６が挿入棒等によりセットされる。ガスはガス供
給配管５を通して、ウェハ間に設けられた噴射式ノズル
４より、炉体１のヒーターにより加熱されたウェハ３の
全面に噴射される。そして炉心管２の排気口９より排気
される。
複数枚のウェハ３が等間隔に並べられた石英製のウェハ
ホルダ６が挿入棒等によりセットされる。ガスはガス供
給配管５を通して、ウェハ間に設けられた噴射式ノズル
４より、炉体１のヒーターにより加熱されたウェハ３の
全面に噴射される。そして炉心管２の排気口９より排気
される。
ノズル４はウェハホルダ６の炉心管２からの出し入れの
時は、第２図（ｂ）に示すように、炉心管の内壁に沿っ
て、ウェハに衝突しないような位置に置かれ、拡散や気
相成長等の反応時には、第２図（Ｃ）に示すように、ガ
ス供給配管５を回転して、ノズル４がウェハ３の中心移
動して来るようにセットする。
時は、第２図（ｂ）に示すように、炉心管の内壁に沿っ
て、ウェハに衝突しないような位置に置かれ、拡散や気
相成長等の反応時には、第２図（Ｃ）に示すように、ガ
ス供給配管５を回転して、ノズル４がウェハ３の中心移
動して来るようにセットする。
また、第２図（ｄ）に示すように、ウェハ３の炉心管２
からの出し入れの際に、カンチレバ一方式のウェハホル
ダ６とガス供給配管５を連動して可動するように、蓋７
に固定する方法もある。
からの出し入れの際に、カンチレバ一方式のウェハホル
ダ６とガス供給配管５を連動して可動するように、蓋７
に固定する方法もある。
次に、請求項２記載の第２の実施例について。
第３図により説明する。
第３図（ａ）は石英製のウェハホルダ６の支持棒を石英
のチューブとなし、これにノズル４を接続して一体化し
たもので、ウェハホルダ６がガス供給配管５の役割を兼
ねた構造を採用している。
のチューブとなし、これにノズル４を接続して一体化し
たもので、ウェハホルダ６がガス供給配管５の役割を兼
ねた構造を採用している。
第３図（ｂ）は縦型炉の場合で、ウェハホルダ６のウェ
ハ３の固定枠をガス供給配管５としたものである。ノズ
ル４がウェハホルダ６に組み込まれた結果、ウェハ３を
ウェハホルダ６毎２回転することも可能である。
ハ３の固定枠をガス供給配管５としたものである。ノズ
ル４がウェハホルダ６に組み込まれた結果、ウェハ３を
ウェハホルダ６毎２回転することも可能である。
以上、第１．第２の実施例とも、ノズル４はウェハ３の
間に、１本だけセットする例を示したが。
間に、１本だけセットする例を示したが。
複数本用いることも可能であり、また、ノズル４の先端
を複数個の小孔を持ったシャワー状にすることも可能で
ある。
を複数個の小孔を持ったシャワー状にすることも可能で
ある。
以上説明したように５本発明によれば、炉体と炉心管を
用いる熱拡散炉や気相成長炉等の半導体製造装置におい
て、大口径化されたウェハに均質な成膜を行うことがで
き、半導体装置の性能向上。
用いる熱拡散炉や気相成長炉等の半導体製造装置におい
て、大口径化されたウェハに均質な成膜を行うことがで
き、半導体装置の性能向上。
生産性向上に寄与するところが大きい。
第１図は本発明の原理説明図。
第２図は本発明の第１の実施例の模式断面図。
第３図は本発明の第２
である。
図において。
■は炉体。
３はウェハ。
５はガス供給配管。
７は蓋。
９は排気口。
の実施例の模式断面図
２は炉心管。
４はノズル。
６はウェハホルダ。
８はシール部。
１０は内管
本文ＢＦ４／ｌ原理説明図
第 １ 肥
（ｄン
（１））
（Ｃ）
未発ｇ肋第１の実施例の樺入能面図
第
？
図
Ａ金萌の第２／）’！’た分１ｎ樺へ町面図第
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）炉体（１）と炉心管（２）とで構成され、ウェハ（
３）を複数枚、該炉心管（２）に挿入して成膜する半導
体製造装置において、 該ウェハ（３）とウェハの間のほぼウェハ中央部の位置
に、該ウェハ（３）全体にガスを噴射するためのノズル
（４）が備えられ、且つ、該ノズル（４）は該ウェハ（
３）の出し入れの際に、該ウェハ（３）の出し入れが可
能なように可動であるか、或いは、該ウェハ（３）と一
緒に出し入れできる構造を有することを特徴とする半導
体製造装置。 ２）前記請求項１記載の半導体製造装置であって、前記
ウェハ（３）と一緒に出し入れできる構造を有し、前記
ノズル（４）へのガス供給配管（５）が複数枚の該ウェ
ハ（３）を搭載する前記ウェハホルダ（６）内の少なく
とも一つの支柱に設けられている構造を有することを特
徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4983490A JPH03252128A (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4983490A JPH03252128A (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03252128A true JPH03252128A (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=12842115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4983490A Pending JPH03252128A (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03252128A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011003771A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 半導体基板拡散炉 |
| JP2012119453A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 不純物拡散装置 |
-
1990
- 1990-03-01 JP JP4983490A patent/JPH03252128A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011003771A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 半導体基板拡散炉 |
| JP2012119453A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 不純物拡散装置 |
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