JPH03252929A - 再生専用光ディスク - Google Patents
再生専用光ディスクInfo
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- JPH03252929A JPH03252929A JP2048948A JP4894890A JPH03252929A JP H03252929 A JPH03252929 A JP H03252929A JP 2048948 A JP2048948 A JP 2048948A JP 4894890 A JP4894890 A JP 4894890A JP H03252929 A JPH03252929 A JP H03252929A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflective film
- niobium
- read
- hafnium
- tantalum
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、反射膜を備えた再生専用光ディスクに関し、
さらに詳しくは、耐腐食性あるいは耐湿性に優れ、高反
射率を有する反射膜を備えた再生専用光ディスクに関す
る。
さらに詳しくは、耐腐食性あるいは耐湿性に優れ、高反
射率を有する反射膜を備えた再生専用光ディスクに関す
る。
発明の技術的背景
コンパクトディスク、レーザーディスクなどの再生専用
光ディスク、あるいは追記型ディスクなどの光ディスク
、さらには書換え可能な光磁気ディスクなどの光を用い
た情報記録媒体では、再生感度を高めるなどの目的で、
反射膜が設けられる場合が多い。
光ディスク、あるいは追記型ディスクなどの光ディスク
、さらには書換え可能な光磁気ディスクなどの光を用い
た情報記録媒体では、再生感度を高めるなどの目的で、
反射膜が設けられる場合が多い。
たとえばコンパクトディスクなどの再生専用光ディスク
では、情報パターンが表面に記録されている基板、反射
膜および保護膜とがこの順序で設けられている。
では、情報パターンが表面に記録されている基板、反射
膜および保護膜とがこの順序で設けられている。
このような情報記録媒体における反射膜としては、従来
、アルミニウム金属からなる反射膜が広く用いられてき
た。ところがアルミニウム金属からなる反射膜は、耐腐
食性に劣り、このためアルミニウムが結晶化して平面平
滑性が低下し、反射膜の反射率が低下してしまうという
問題点があった。
、アルミニウム金属からなる反射膜が広く用いられてき
た。ところがアルミニウム金属からなる反射膜は、耐腐
食性に劣り、このためアルミニウムが結晶化して平面平
滑性が低下し、反射膜の反射率が低下してしまうという
問題点があった。
このような問題点を解決するために、たとえば特開昭５
７−１８６２４４号公報には、クロムを含むアルミニウ
ム合金からなる反射膜を有する情報記録媒体が開示され
ている。ところがクロムを含むアルミニウム合金からな
る反射膜は、充分に満足しうる程度には耐腐食性には優
れておらず、反射膜にピンホールが発生したり、あるい
は反射膜の反射率が低下したりしてしまうことがあった
。
７−１８６２４４号公報には、クロムを含むアルミニウ
ム合金からなる反射膜を有する情報記録媒体が開示され
ている。ところがクロムを含むアルミニウム合金からな
る反射膜は、充分に満足しうる程度には耐腐食性には優
れておらず、反射膜にピンホールが発生したり、あるい
は反射膜の反射率が低下したりしてしまうことがあった
。
また、たとえば特開昭６２−１３７７４３号公報には、
０．１〜１０重量％のチタンを少なくとも含むアルミニ
ウム合金からなる反射膜を有する情報記録媒体が開示さ
れている。しかし、チタンのみを含むアルミニウム合金
からなる反射膜は、なお耐腐食性は充分に満足すべきも
のではなく、反射膜にピンホールが発生したり、あるい
は反射率が低下したりしてしまうことがあった。
０．１〜１０重量％のチタンを少なくとも含むアルミニ
ウム合金からなる反射膜を有する情報記録媒体が開示さ
れている。しかし、チタンのみを含むアルミニウム合金
からなる反射膜は、なお耐腐食性は充分に満足すべきも
のではなく、反射膜にピンホールが発生したり、あるい
は反射率が低下したりしてしまうことがあった。
このように耐腐食性あるいは長期安定性に優れ、反射率
が低下することがないような反射膜を有する再生専用デ
ィスクの出現が望まれている。
が低下することがないような反射膜を有する再生専用デ
ィスクの出現が望まれている。
本発明者らは、上記のような従来技術に鑑みて再生専用
ディスクにおける反射膜を鋭意検討したところ、ハフニ
ウム、ニオブ、タンタル、およびジルコニウムから選ば
れた少なくとも１種の元素を含むアルミニウム合金から
なる反射膜は、反射率が大きく、また耐腐食性あるいは
耐湿性に優れて長期間使用しても反射率かほとんど低下
することがないことを見いだして、本発明を完成するに
至った。
ディスクにおける反射膜を鋭意検討したところ、ハフニ
ウム、ニオブ、タンタル、およびジルコニウムから選ば
れた少なくとも１種の元素を含むアルミニウム合金から
なる反射膜は、反射率が大きく、また耐腐食性あるいは
耐湿性に優れて長期間使用しても反射率かほとんど低下
することがないことを見いだして、本発明を完成するに
至った。
発明の目的
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、反射率か大きく、また耐腐食
性あるいは耐湿性に優れて長期間使用しても反射率が低
下することがないような反射膜を有する再生専用光ディ
スクを提供することを目的としている。
ようとするものであって、反射率か大きく、また耐腐食
性あるいは耐湿性に優れて長期間使用しても反射率が低
下することがないような反射膜を有する再生専用光ディ
スクを提供することを目的としている。
発明の概要
このような目的を達成するために、本発明に係る再生専
用光ディスクは、反射膜を備えた再生専用光ディスクに
おいて、該反射膜が、ハフニウム、ニオブ、タンタル、
およびジルコニウムがら選ばれた少なくとも１種の元素
を含むアルミニウム合金からなることを特徴としている
。
用光ディスクは、反射膜を備えた再生専用光ディスクに
おいて、該反射膜が、ハフニウム、ニオブ、タンタル、
およびジルコニウムがら選ばれた少なくとも１種の元素
を含むアルミニウム合金からなることを特徴としている
。
このような本発明に係る再生専用光ディスクは、ハフニ
ウム、ニオブ、タンタル、およびジルコニウムから選ば
れた少なくとも１種の元素を含むアルミニウム合金から
なる反射膜を備えているため、反射率が大きく、また耐
腐食性あるいは耐湿性に優れて長期間使用しても反射率
が低下することがない。
ウム、ニオブ、タンタル、およびジルコニウムから選ば
れた少なくとも１種の元素を含むアルミニウム合金から
なる反射膜を備えているため、反射率が大きく、また耐
腐食性あるいは耐湿性に優れて長期間使用しても反射率
が低下することがない。
発明の詳細な説明
以下、本発明に係る再生専用光ディスクについて具体的
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明に係る再生専用光ディスク１の概略断面
図である。
図である。
本発明に係る再生専用光ディスク１では、基板２上に形
成されているピットの有無により情報パターンが記録さ
れている。記録されている情報の再生は、レーザ光など
の光によって、ピットの有無を識別し、これを「０」、
「１」信号に対応させることにより行なわれている。
成されているピットの有無により情報パターンが記録さ
れている。記録されている情報の再生は、レーザ光など
の光によって、ピットの有無を識別し、これを「０」、
「１」信号に対応させることにより行なわれている。
このような再生専用光ディスク１としては、具体的には
、コンパクトディスク、レーサーディスク、再生専用デ
ィジタルメモリなどが挙げられる。
、コンパクトディスク、レーサーディスク、再生専用デ
ィジタルメモリなどが挙げられる。
本発明に係る再生専用光ディスク１は、たとえば、第１
図に示すように、情報パターンが記録されている基板２
、反射膜３および保護膜４とかこの順序で積層して設け
られている。
図に示すように、情報パターンが記録されている基板２
、反射膜３および保護膜４とかこの順序で積層して設け
られている。
本発明では、上記のような基板２の材質は特に限定はさ
れないが、基板２側（矢印Ａ）からレーザ光を入射する
場合には、透明基板であることが好ましく、具体的には
、ガラス等の無機材料のほかに、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポリスチ
レンのポリマーアロイ、米国特許第４６１４７７８号明
細書に示されるような環状オレフィンポリマーたとえば
エチレンと１．４．５．８−ジメタノ−］、２．３．４
．４ａ ５８８ａ−オクタヒドロナフタレン（テトラシ
クロドデセン）との共重合体、エチレンと２−メチル−
１４５８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ、 ５．８
．８ａ−オクタヒドロナフタレン（メチルテトラシクロ
ドデセン）との共重合体、エチレンと２−エチル−１，
４，５，８−ジメタノ−］ ２．３．４．４ａ、 ５．
８．８ａ−オクタヒドロナフタレンとの共重合体など、
ポリ−４−メチル−１−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリ
エーテルサルフオン、ポリサルフォン、ポリエーテルイ
ミド等の有機材料等を使用できる。
れないが、基板２側（矢印Ａ）からレーザ光を入射する
場合には、透明基板であることが好ましく、具体的には
、ガラス等の無機材料のほかに、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポリスチ
レンのポリマーアロイ、米国特許第４６１４７７８号明
細書に示されるような環状オレフィンポリマーたとえば
エチレンと１．４．５．８−ジメタノ−］、２．３．４
．４ａ ５８８ａ−オクタヒドロナフタレン（テトラシ
クロドデセン）との共重合体、エチレンと２−メチル−
１４５８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ、 ５．８
．８ａ−オクタヒドロナフタレン（メチルテトラシクロ
ドデセン）との共重合体、エチレンと２−エチル−１，
４，５，８−ジメタノ−］ ２．３．４．４ａ、 ５．
８．８ａ−オクタヒドロナフタレンとの共重合体など、
ポリ−４−メチル−１−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリ
エーテルサルフオン、ポリサルフォン、ポリエーテルイ
ミド等の有機材料等を使用できる。
本発明では、このような基板２上にピットの有無により
情報パターンが記録されており、このピットの有無を「
０」、「１」信号として読みとることにより、記録情報
の再生が行なわれる。再生の際にはレーザ光などの光を
用いてピットの有無を識別するが、このとき反射率の高
い反射膜３を設けることにより再生感度の向上がはかれ
る。
情報パターンが記録されており、このピットの有無を「
０」、「１」信号として読みとることにより、記録情報
の再生が行なわれる。再生の際にはレーザ光などの光を
用いてピットの有無を識別するが、このとき反射率の高
い反射膜３を設けることにより再生感度の向上がはかれ
る。
本発明では、このような反射膜３は、ノ＼フニウム、ニ
オブ、タンタル、およびジルコニウムから選ばれた少な
くとも１種の元素を含むアルミニウム合金から形成され
ている。
オブ、タンタル、およびジルコニウムから選ばれた少な
くとも１種の元素を含むアルミニウム合金から形成され
ている。
アルミニウム合金に含まれるハフニウム、ニオブ、タン
タル、およびジルコニウムから選ばれた少なくとも１種
の元素は、合計で、０．１〜１０原子％、好ましくは０
．５〜５原子％の割合で含まれていることが望ましい。
タル、およびジルコニウムから選ばれた少なくとも１種
の元素は、合計で、０．１〜１０原子％、好ましくは０
．５〜５原子％の割合で含まれていることが望ましい。
ノ＼フニウム、ニオブ、タンタル、およびジルコニウム
から選ばれた少なくとも１種の元素の合計含有率が上記
範囲（０，１〜１０原子％、好ましくは０．５〜５原子
％）にあることにより、 ■反射膜に発生するピンホールが特に少なく、腐食しに
くく、また ■反射膜の反射率にも優れている。
から選ばれた少なくとも１種の元素の合計含有率が上記
範囲（０，１〜１０原子％、好ましくは０．５〜５原子
％）にあることにより、 ■反射膜に発生するピンホールが特に少なく、腐食しに
くく、また ■反射膜の反射率にも優れている。
また上記のような反射膜３は、ハフニウム、ニオブ、タ
ンタル、およびジルコニウムから選ばれた少なくとも１
種の元素およびアルミニウム（ＡＩ）に加えて、少量の
他の金属（元素）を１種以上含むこともできる。このよ
うな金属としては、たとえば、チタン（Ｔ１）、クロム
（Ｃ＋）、シリコン（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステ
ン（Ｗ） マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ［
但し、アルミニウムーハフニウム合金の場合は除＜コ）
、バナジウム（■）などが挙げられ、このような他の金
属は通常２原子％以下、好ましくは１原子％以下の割合
で含まれていてもよい。
ンタル、およびジルコニウムから選ばれた少なくとも１
種の元素およびアルミニウム（ＡＩ）に加えて、少量の
他の金属（元素）を１種以上含むこともできる。このよ
うな金属としては、たとえば、チタン（Ｔ１）、クロム
（Ｃ＋）、シリコン（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステ
ン（Ｗ） マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ［
但し、アルミニウムーハフニウム合金の場合は除＜コ）
、バナジウム（■）などが挙げられ、このような他の金
属は通常２原子％以下、好ましくは１原子％以下の割合
で含まれていてもよい。
上述したような反射膜３の膜厚は、１００〜５０００大
特に好ましくは２００〜２０００λである。
特に好ましくは２００〜２０００λである。
本発明に係る再生専用光ディスクは、反射膜３上に、さ
らに保護膜４が設けられて構成されている。このような
保護膜４としては、５１３Ｎ４、Ｓ ｉＮｘ （０＜ｘ
＜４／３） 、ＡＩ Ｎ５ＺｎＳｅ。
らに保護膜４が設けられて構成されている。このような
保護膜４としては、５１３Ｎ４、Ｓ ｉＮｘ （０＜ｘ
＜４／３） 、ＡＩ Ｎ５ＺｎＳｅ。
ＺｎＳ、ＳｉまたはＣｄＳ等の無機化合物膜あるいは、
エチレンビニルアセテート、アクリル系樹脂等の有機化
合物膜が例示される。このような保護膜４の膜厚は、特
に限定されないが、０．１〜１００μｍ１好ましくは１
〜２０μｍ程度である。
エチレンビニルアセテート、アクリル系樹脂等の有機化
合物膜が例示される。このような保護膜４の膜厚は、特
に限定されないが、０．１〜１００μｍ１好ましくは１
〜２０μｍ程度である。
発明の効果
このような本発明に係る再生専用光ディスクは、ハフニ
ウム、ニオブ、タンタル、およびジルコニウムから選ば
れた少なくとも１種の元素を含むアルミニウム合金から
なる反射膜を備えているため、耐腐食性あるいは耐湿性
に優れて長期間使用しても反射率が低下することがない
。
ウム、ニオブ、タンタル、およびジルコニウムから選ば
れた少なくとも１種の元素を含むアルミニウム合金から
なる反射膜を備えているため、耐腐食性あるいは耐湿性
に優れて長期間使用しても反射率が低下することがない
。
［実施例］
以下、本発明をさらに具体的な実施例により説明するが
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例１
ポリカーボネート製再生専用光デイスク基板上に、アル
ミニウムーハフニウムの複合ターゲットを用いてスパッ
タリング法によって厚さ７００人のアルミニウムーハフ
ニウム合金からなる反射膜を被着させた。得られた反射
膜を構成するアルミニウム合金（層）中のハフニウムの
含有量は４原子％であった。
ミニウムーハフニウムの複合ターゲットを用いてスパッ
タリング法によって厚さ７００人のアルミニウムーハフ
ニウム合金からなる反射膜を被着させた。得られた反射
膜を構成するアルミニウム合金（層）中のハフニウムの
含有量は４原子％であった。
この反射膜を、６０℃の１０重量％塩化ナトリウム水溶
液に４時間浸漬し、反射率の変化を測定した。
液に４時間浸漬し、反射率の変化を測定した。
反射膜の反射率は、塩化ナトリウム水溶液の浸漬前と浸
漬後で変化しなかった。
漬後で変化しなかった。
実施例２
ポリカーボネート製再生専用光デイスク基板上に、アル
ミニウムーニオブの複合ターゲットを用いてスパッタリ
ング法によって厚さ７００λのアルミニウム−ニオブ合
金からなる反射膜を被着させた。得られた反射膜を構成
するアルミニウム合金（ｊｌ）中のニオブの含有量は４
原子％であった。
ミニウムーニオブの複合ターゲットを用いてスパッタリ
ング法によって厚さ７００λのアルミニウム−ニオブ合
金からなる反射膜を被着させた。得られた反射膜を構成
するアルミニウム合金（ｊｌ）中のニオブの含有量は４
原子％であった。
この反射膜を、６０℃の１０重量％塩化ナトリウム水溶
液に４時間浸漬し、反射率の変化を測定した。
液に４時間浸漬し、反射率の変化を測定した。
反射膜の反射率は、塩化ナトリウム水溶液の浸漬前と浸
漬後で変化しなかった。
漬後で変化しなかった。
実施例３
実施例２において、ニオブの代わりにタンタルを用いた
以外は同様の操作を行なった。
以外は同様の操作を行なった。
この反射膜を、温度６０℃の１０重量％の塩化ナトリウ
ム水溶液に４時間浸漬し、反射率の変化を測定した。
ム水溶液に４時間浸漬し、反射率の変化を測定した。
反射膜の反射率は、塩化ナトリウム水溶液の浸漬前と浸
漬後で変化しなかった。
漬後で変化しなかった。
実施例４
実施例２において、ニオブの代わりにジルコニウムを用
いた以外は同様の操作を行なった。
いた以外は同様の操作を行なった。
この反射膜を、温度６０℃の■０重量％の塩化ナトリウ
ム水溶液に４時間浸漬し、反射率の変化を測定した。
ム水溶液に４時間浸漬し、反射率の変化を測定した。
反射膜の反射率は、塩化ナトリウム水溶液の浸漬前と浸
漬後で変化しなかった。
漬後で変化しなかった。
比較例１
ポリカーボネート製再生専用光デイスク基板上に、アル
ミニウムターゲットを用いてスパッタリング法によって
厚さ７００λのアルミニウムからなる反射膜を被着させ
た。
ミニウムターゲットを用いてスパッタリング法によって
厚さ７００λのアルミニウムからなる反射膜を被着させ
た。
この反射膜を、６０℃の１０重量％塩化ナトリウム水溶
液に４時間浸漬し、反射率の変化を測定した。
液に４時間浸漬し、反射率の変化を測定した。
反射膜の塩化ナトリウム水溶液に浸漬した後の反射率は
、浸漬前と比較して約３０％低下した。
、浸漬前と比較して約３０％低下した。
第１図は本発明に係る再生専用光ディスクの概略断面図
である。 １・・・再生専用光ディスク ２・・・基板３・・・
反射膜 ４・・・保護膜Ａ・・・レーザ
光 第１ 図
である。 １・・・再生専用光ディスク ２・・・基板３・・・
反射膜 ４・・・保護膜Ａ・・・レーザ
光 第１ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）反射膜を備えた再生専用光ディスクにおいて、該反
射膜が、ハフニウム、ニオブ、タンタル、およびジルコ
ニウムから選ばれた少なくとも１種の元素を含むアルミ
ニウム合金からなることを特徴とする再生専用光ディス
ク。 ２）前記反射膜が、ハフニウム、ニオブ、タンタル、お
よびジルコニウムから選ばれた少なくとも１種の元素を
、合計で、０．１〜１０原子％の割合で含むアルミニウ
ム合金からなることを特徴とする請求項第１項に記載の
再生専用光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048948A JPH03252929A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 再生専用光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048948A JPH03252929A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 再生専用光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03252929A true JPH03252929A (ja) | 1991-11-12 |
Family
ID=12817502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2048948A Pending JPH03252929A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 再生専用光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03252929A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0426757A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Kobe Steel Ltd | Ａｌ合金薄膜及び溶製Ａｌ合金スパッタリングターゲット |
| US5976641A (en) * | 1991-03-07 | 1999-11-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
| WO2010119888A1 (ja) * | 2009-04-14 | 2010-10-21 | 株式会社神戸製鋼所 | 光情報記録媒体、光情報記録媒体の反射膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2010267366A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-25 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2048948A patent/JPH03252929A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0426757A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Kobe Steel Ltd | Ａｌ合金薄膜及び溶製Ａｌ合金スパッタリングターゲット |
| US5976641A (en) * | 1991-03-07 | 1999-11-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
| US6206985B1 (en) | 1991-03-07 | 2001-03-27 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
| WO2010119888A1 (ja) * | 2009-04-14 | 2010-10-21 | 株式会社神戸製鋼所 | 光情報記録媒体、光情報記録媒体の反射膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2010267366A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-25 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット |
| US8530023B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-09-10 | Kobe Steel, Ltd. | Optical information recording medium and sputtering target for forming reflective film for optical information recording medium |
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