JPH11232696A - 誘電性の中間層を有する記録可能な光ディスク - Google Patents
誘電性の中間層を有する記録可能な光ディスクInfo
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- JPH11232696A JPH11232696A JP32662198A JP32662198A JPH11232696A JP H11232696 A JPH11232696 A JP H11232696A JP 32662198 A JP32662198 A JP 32662198A JP 32662198 A JP32662198 A JP 32662198A JP H11232696 A JPH11232696 A JP H11232696A
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ディスクの反射層として銀を用いた場合で
も、熱安定性が実質的に低下せず、記録された信号の再
生の質が長期間にわたって良好に保たれる光ディスクを
提供する。 【解決手段】 記録可能な光ディスクであって、ａ）透
明な基板（10）；ｂ）基板上に形成される記録層（2
0）；ｃ）記録層上に形成される反射層（30）；および
ｄ）反射層と記録層との間の界面で記録層上に形成され
る薄い誘電性中間層（25）を含んで成る記録可能な光デ
ィスクであって、薄い誘電性中間層は、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓ
ｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-Ｏならびにそれらの合金から
成るグループから選択される材料を含み、この中間層
は、基板および記録層を通過して反射層で反射される記
録用光ビームの反射に実質的に影響を及ぼすことなく、
光ディスクの記録安定性を向上させるように選択される
ものである、光ディスク。
も、熱安定性が実質的に低下せず、記録された信号の再
生の質が長期間にわたって良好に保たれる光ディスクを
提供する。 【解決手段】 記録可能な光ディスクであって、ａ）透
明な基板（10）；ｂ）基板上に形成される記録層（2
0）；ｃ）記録層上に形成される反射層（30）；および
ｄ）反射層と記録層との間の界面で記録層上に形成され
る薄い誘電性中間層（25）を含んで成る記録可能な光デ
ィスクであって、薄い誘電性中間層は、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓ
ｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-Ｏならびにそれらの合金から
成るグループから選択される材料を含み、この中間層
は、基板および記録層を通過して反射層で反射される記
録用光ビームの反射に実質的に影響を及ぼすことなく、
光ディスクの記録安定性を向上させるように選択される
ものである、光ディスク。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は改良された記録安定
性を有する光ディスクに関するものである。
性を有する光ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、情報を記録するために用
いるべく、ますます広く利用されている。光記録ディス
クの１つの形態として、ＣＤ−Ｒと称されるディスクも
しくは記録可能なコンパクトディスクがある。フォトＣ
ＤはＣＤ−Ｒ媒体の一例である。一般に、このタイプの
ディスクは、透明な（または光透過性）基板（または基
体）、基板の上に形成される記録層、および記録層上の
反射層を有する。記録層は、本質的にはいくつかの有機
染料（または色素）材料の混合物から成る光吸収性材料
であり、スピンコーティングによって形成される。ＣＤ
−Ｒに適用するために用いられる記録材料は、米国特許
第４，９４０，６１８号、同第５，６０４，００４号、
同５，２９４，４７１号；ヨーロッパ特許出願第０３５
３３９３号；およびカナダ特許第２，００５，５２０号
において説明されている。これらの引用文献に記載され
たタイプの市販されている有用な材料は厳しい要件を満
たす必要がある。要件の１つとして光安定性がある。フ
ォトＣＤは消費者用製品であるため、厳しい環境に耐え
得るものでなければならない。ディスクの安定性は、反
射層および記録層の性質、ならびにそれらの相互作用；
ならびに保護層に主に依存する。上記の出願は、フタロ
シアニン染料、含金属ホルマザン染料、および優れた光
安定性を有するシアニン染料を開示している。反射層は
不活性であって高い反射率を有するという理由から、一
般に金もしくは金合金であるように選択される。ＣＤ−
Ｒの仕様は、コンパクトディスクと同様にそれが６０％
以上の高い反射率を有することを必要とする。
いるべく、ますます広く利用されている。光記録ディス
クの１つの形態として、ＣＤ−Ｒと称されるディスクも
しくは記録可能なコンパクトディスクがある。フォトＣ
ＤはＣＤ−Ｒ媒体の一例である。一般に、このタイプの
ディスクは、透明な（または光透過性）基板（または基
体）、基板の上に形成される記録層、および記録層上の
反射層を有する。記録層は、本質的にはいくつかの有機
染料（または色素）材料の混合物から成る光吸収性材料
であり、スピンコーティングによって形成される。ＣＤ
−Ｒに適用するために用いられる記録材料は、米国特許
第４，９４０，６１８号、同第５，６０４，００４号、
同５，２９４，４７１号；ヨーロッパ特許出願第０３５
３３９３号；およびカナダ特許第２，００５，５２０号
において説明されている。これらの引用文献に記載され
たタイプの市販されている有用な材料は厳しい要件を満
たす必要がある。要件の１つとして光安定性がある。フ
ォトＣＤは消費者用製品であるため、厳しい環境に耐え
得るものでなければならない。ディスクの安定性は、反
射層および記録層の性質、ならびにそれらの相互作用；
ならびに保護層に主に依存する。上記の出願は、フタロ
シアニン染料、含金属ホルマザン染料、および優れた光
安定性を有するシアニン染料を開示している。反射層は
不活性であって高い反射率を有するという理由から、一
般に金もしくは金合金であるように選択される。ＣＤ−
Ｒの仕様は、コンパクトディスクと同様にそれが６０％
以上の高い反射率を有することを必要とする。
【０００３】記録の間、書き込みレーザー光は、プラス
チック基板を通過し、染料記録層上に焦点が合わせられ
る。記録層が加熱されると染料材料が変性し、マークが
形成される。別の記録材料においては、記録ピットが形
成される。マークの反射率は、マークを有していない領
域よりも低い。マークは、記録層の光学的性質が変化し
て形成される。いずれの場合も、これらの変化のいくつ
かの又はすべての組み合わせがマークを形成し、このマ
ークは、集束された読み取り用レーザービームによって
再生される。したがって、記録は、読み取りビームに関
して、相対的に高い反射率を有するバックグラウンド上
の相対的に低い反射率を有するマークから成る。
チック基板を通過し、染料記録層上に焦点が合わせられ
る。記録層が加熱されると染料材料が変性し、マークが
形成される。別の記録材料においては、記録ピットが形
成される。マークの反射率は、マークを有していない領
域よりも低い。マークは、記録層の光学的性質が変化し
て形成される。いずれの場合も、これらの変化のいくつ
かの又はすべての組み合わせがマークを形成し、このマ
ークは、集束された読み取り用レーザービームによって
再生される。したがって、記録は、読み取りビームに関
して、相対的に高い反射率を有するバックグラウンド上
の相対的に低い反射率を有するマークから成る。
【０００４】金の薄い層が反射層の主たる反射材料とし
て一般に用いられる。金は非常に高い安定性を有する貴
金属であり、記録安定性に問題をもたらさない。アルミ
ニウム、銀および銅のような高い反射率を有する他の金
属を金の代りに用いると、それらの金属は、それらが反
応性であって、酸化物または他の腐食性層を形成する場
合があるという問題をもたらす。これらのタイプのディ
スクの記録安定性は時間が経つと変化し、その質は低下
する。しかしながら、銀のような材料は金よりもはるか
に安価であり、そしてそれらの使用は非常に望ましいこ
とであると考えられる。実際、銀は金よりも約５〜７％
高い反射率を有する。
て一般に用いられる。金は非常に高い安定性を有する貴
金属であり、記録安定性に問題をもたらさない。アルミ
ニウム、銀および銅のような高い反射率を有する他の金
属を金の代りに用いると、それらの金属は、それらが反
応性であって、酸化物または他の腐食性層を形成する場
合があるという問題をもたらす。これらのタイプのディ
スクの記録安定性は時間が経つと変化し、その質は低下
する。しかしながら、銀のような材料は金よりもはるか
に安価であり、そしてそれらの使用は非常に望ましいこ
とであると考えられる。実際、銀は金よりも約５〜７％
高い反射率を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、金以
外の金属反射層を用いる、ＣＤの仕様に適合する光ディ
スクを提供することを目的とする。
外の金属反射層を用いる、ＣＤの仕様に適合する光ディ
スクを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、次のような
光ディスク、すなわち： ａ）透明な基板； ｂ）基板上に形成される記録層； ｃ）記録層上に形成される反射層；および ｄ）反射層と記録層との間の界面で記録層上に形成され
る薄い誘電性中間層 を含んで成る記録可能な光ディスクであって、薄い誘電
性中間層は、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-
Ｏから成るグループから選択される材料を含み、この中
間層は、基板および記録層を通過して反射層で反射され
る記録用光ビームの反射に実質的に悪影響を及ぼすこと
なく、光ディスクの記録安定性を向上させるように選択
されるものである、光ディスクによって達成される。
光ディスク、すなわち： ａ）透明な基板； ｂ）基板上に形成される記録層； ｃ）記録層上に形成される反射層；および ｄ）反射層と記録層との間の界面で記録層上に形成され
る薄い誘電性中間層 を含んで成る記録可能な光ディスクであって、薄い誘電
性中間層は、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-
Ｏから成るグループから選択される材料を含み、この中
間層は、基板および記録層を通過して反射層で反射され
る記録用光ビームの反射に実質的に悪影響を及ぼすこと
なく、光ディスクの記録安定性を向上させるように選択
されるものである、光ディスクによって達成される。
【０００７】全く予想もしないことに、反射層と記録層
との間の界面で薄い誘電性中間層を使用することを選択
すると、例えば銀のような金以外の他の材料が大いに効
果的な反射層として用いることができるということが判
った。
との間の界面で薄い誘電性中間層を使用することを選択
すると、例えば銀のような金以外の他の材料が大いに効
果的な反射層として用いることができるということが判
った。
【０００８】銀金属は、金よりも非常に安価である。よ
って銀を用いればディスクをかなり低いコストで製造す
ることが可能である。
って銀を用いればディスクをかなり低いコストで製造す
ることが可能である。
【０００９】薄い誘電性の層は、実質的に透明であり、
化学的に安定であって、銀金属と反応しない。これらの
中間層は、記録層と反射層との間に、反射率およびディ
スクのその他の性能に実質的に悪影響を及ぼさない効果
的なバリヤーを形成する。
化学的に安定であって、銀金属と反応しない。これらの
中間層は、記録層と反射層との間に、反射率およびディ
スクのその他の性能に実質的に悪影響を及ぼさない効果
的なバリヤーを形成する。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に従って製造され
る書き込み可能な（または記録可能な）記憶ディスクの
構造を示している。これには、ポリカーボネートから作
製される基板（10）および染料記録層（20）が含まれ
る。記録層は、スピンコート技術を用いて塗布される。
記録層（20）の上には反射層（30）が設けられ、これは
銀で形成される。反射層の厚みは一般的に６０〜８０nm
の間にある。染料記録層と銀金属反射面との間には、Ｇ
ｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ−Ｏならびにそ
れらの合金から成るグループから選択される一もしくは
複数の材料を含んで成る透明な誘電性中間層（25）が位
置する。金属反射層の上には、紫外線（ＵＶ）で硬化し
得るラッカー保護膜（35）が形成される。保護層（35）
は実際には２つの層であってもよいことが理解されよ
う。その第１の層は反射層（30）中の金属を保護する誘
電性の層であり、第２の層は、誘電性の保護層上にあ
る、ＵＶで硬化し得るラッカー層であってもよい。
る書き込み可能な（または記録可能な）記憶ディスクの
構造を示している。これには、ポリカーボネートから作
製される基板（10）および染料記録層（20）が含まれ
る。記録層は、スピンコート技術を用いて塗布される。
記録層（20）の上には反射層（30）が設けられ、これは
銀で形成される。反射層の厚みは一般的に６０〜８０nm
の間にある。染料記録層と銀金属反射面との間には、Ｇ
ｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ−Ｏならびにそ
れらの合金から成るグループから選択される一もしくは
複数の材料を含んで成る透明な誘電性中間層（25）が位
置する。金属反射層の上には、紫外線（ＵＶ）で硬化し
得るラッカー保護膜（35）が形成される。保護層（35）
は実際には２つの層であってもよいことが理解されよ
う。その第１の層は反射層（30）中の金属を保護する誘
電性の層であり、第２の層は、誘電性の保護層上にあ
る、ＵＶで硬化し得るラッカー層であってもよい。
【００１１】Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-
Ｏの中間層の厚みは、１〜３０nmの範囲内にあると効果
的であり、所望の反射率を維持し、ディスクの熱安定性
を増加させるのに十分であることが判った。
Ｏの中間層の厚みは、１〜３０nmの範囲内にあると効果
的であり、所望の反射率を維持し、ディスクの熱安定性
を増加させるのに十分であることが判った。
【００１２】銀反射材の薄いフィルムを、ＤＣマグネト
ロンガンを用いてアルゴン（Ａｒ）雰囲気下でＡｇター
ゲットをスパッタ蒸着（sputter deposition）すること
により形成した。Ｇｅ-Ｃ-Ｈの薄いフィルムを、Ａｒお
よびＣＨ4雰囲気下でＧｅ（またはＧｅ合金）ターゲッ
トをスパッタ蒸着することにより形成し、また、Ｓｉ-
Ｎｉのフィルムを、ＡｒおよびＮ2雰囲気下でＳｉ（ま
たはＳｉ合金）ターゲットをスパッタ蒸着することによ
り形成した。同様に、ＩｎＳｎＳｂ-Ｏは、アルゴンお
よびＯ2の混合雰囲気下でＩｎＳｎＳｂ（または他のＩ
ｎＳｎＳｂ合金）ターゲットをスパッタ蒸着することに
より形成した。それから、ＵＶで硬化し得るラッカー保
護膜を反射層の上にスピンコートした。これらのディス
クの反射率、ウィンドウマージンおよびマークのジッタ
ーは、コダック（Kodak）社製のＰＣＤ600 ６Ｘ書き込
み／読み取り装置を用いて７．２ｍ／秒で評価した。
ロンガンを用いてアルゴン（Ａｒ）雰囲気下でＡｇター
ゲットをスパッタ蒸着（sputter deposition）すること
により形成した。Ｇｅ-Ｃ-Ｈの薄いフィルムを、Ａｒお
よびＣＨ4雰囲気下でＧｅ（またはＧｅ合金）ターゲッ
トをスパッタ蒸着することにより形成し、また、Ｓｉ-
Ｎｉのフィルムを、ＡｒおよびＮ2雰囲気下でＳｉ（ま
たはＳｉ合金）ターゲットをスパッタ蒸着することによ
り形成した。同様に、ＩｎＳｎＳｂ-Ｏは、アルゴンお
よびＯ2の混合雰囲気下でＩｎＳｎＳｂ（または他のＩ
ｎＳｎＳｂ合金）ターゲットをスパッタ蒸着することに
より形成した。それから、ＵＶで硬化し得るラッカー保
護膜を反射層の上にスピンコートした。これらのディス
クの反射率、ウィンドウマージンおよびマークのジッタ
ーは、コダック（Kodak）社製のＰＣＤ600 ６Ｘ書き込
み／読み取り装置を用いて７．２ｍ／秒で評価した。
【００１３】Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-
Ｏの薄いフィルムは、波長が４００〜９００nmの範囲内
にある光のビームに対して実質的に透明であり、フィル
ムの厚みが１００nmよりも薄い場合には有意の吸収を示
さない。これらのフィルムは化学的に安定であり、銀金
属と反応しない。
Ｏの薄いフィルムは、波長が４００〜９００nmの範囲内
にある光のビームに対して実質的に透明であり、フィル
ムの厚みが１００nmよりも薄い場合には有意の吸収を示
さない。これらのフィルムは化学的に安定であり、銀金
属と反応しない。
【００１４】いくつかの完全な構造のディスクを中間層
と反射層の種々の組合せを用いて作製した。図２は、そ
れぞれ金と銀の金属反射材を用いて作製した２つのディ
スクの熱安定性の比較を示している。Ａｕは貴金属であ
り、記録層の長期間の安定性をもたらす。銀金属は金よ
りも高い反射率を有する。両方のディスクは、ポリカー
ボネートの基板を介して測定される反射率の増加を示し
ている。これらのディスクの性能指数であるウィンドウ
マージンは、銀反射層を有するディスクについては大幅
な低下を示している。金反射層を有するウィンドウマー
ジン（ＷＭ）は、わずかな増加を示すか、もしくは変化
を示さない。したがって、銀金属が直接、染料記録層に
付着（または蒸着）している場合には、ＣＤ−Ｒディス
クに対して長期間の安定性を与えない。
と反射層の種々の組合せを用いて作製した。図２は、そ
れぞれ金と銀の金属反射材を用いて作製した２つのディ
スクの熱安定性の比較を示している。Ａｕは貴金属であ
り、記録層の長期間の安定性をもたらす。銀金属は金よ
りも高い反射率を有する。両方のディスクは、ポリカー
ボネートの基板を介して測定される反射率の増加を示し
ている。これらのディスクの性能指数であるウィンドウ
マージンは、銀反射層を有するディスクについては大幅
な低下を示している。金反射層を有するウィンドウマー
ジン（ＷＭ）は、わずかな増加を示すか、もしくは変化
を示さない。したがって、銀金属が直接、染料記録層に
付着（または蒸着）している場合には、ＣＤ−Ｒディス
クに対して長期間の安定性を与えない。
【００１５】一般に、記録された特徴信号（feature）
のジッタ−は、再生中にエラーを生じることなく検出さ
れる能力（または性能）に関連している。公称的に同一
の記録された特徴信号からの遷移（transition）は、特
徴信号の長さ（または波長）および形状（または波形）
の僅かな変化、ならびにシステムのノイズのために、正
確に同時に再生されない。このことは、検出時間の広が
り（または幅）を生じさせる。検出時間ウィンドウ
（窓）は、分布が狭く時間ウィンドウ（time window）
内に完全に存在する場合には、これらすべての特徴信号
を読み取ることができる。一方、分布が広く、そのため
にいくつかの遷移がウインドウの外側で生じた場合、そ
れらは復号エラーとなる。ジッター（Ｓ）は全体のノイ
ズの尺度であり、ガウス曲線として一般にモデル化され
る検出時間の分布の分散の平方根である。検出時間の分
布が正確に時間ウィンドウ（timing window）の中央部
に位置しないことがあり、分布が狭い場合でもピークシ
フトが復号エラーの発生確率を増加させる場合がある。
ウィンドウマージン（ＷＭ）は、すべての記録された特
徴信号のジッターおよびピークシフトを含む誘導パラメ
ーターである。ジッターおよびピークシフトが低いほ
ど、ＷＭは高くなる。ＷＭは１種の性能指数とみなすこ
とができ、より高いＷＭを有するディスクは、より低い
ＷＭを有するディスクに比べて優れた再生のより大きな
蓋然性を有する。すなわち、より高いＷＭを有するディ
スクはより良い再生特性を呈する。また、より高いＷＭ
を有するディスクは、他の点では同様であるがＷＭが低
いディスクよりも、より広範囲のさまざまな種類の読み
取り装置で再生できることが予測される。
のジッタ−は、再生中にエラーを生じることなく検出さ
れる能力（または性能）に関連している。公称的に同一
の記録された特徴信号からの遷移（transition）は、特
徴信号の長さ（または波長）および形状（または波形）
の僅かな変化、ならびにシステムのノイズのために、正
確に同時に再生されない。このことは、検出時間の広が
り（または幅）を生じさせる。検出時間ウィンドウ
（窓）は、分布が狭く時間ウィンドウ（time window）
内に完全に存在する場合には、これらすべての特徴信号
を読み取ることができる。一方、分布が広く、そのため
にいくつかの遷移がウインドウの外側で生じた場合、そ
れらは復号エラーとなる。ジッター（Ｓ）は全体のノイ
ズの尺度であり、ガウス曲線として一般にモデル化され
る検出時間の分布の分散の平方根である。検出時間の分
布が正確に時間ウィンドウ（timing window）の中央部
に位置しないことがあり、分布が狭い場合でもピークシ
フトが復号エラーの発生確率を増加させる場合がある。
ウィンドウマージン（ＷＭ）は、すべての記録された特
徴信号のジッターおよびピークシフトを含む誘導パラメ
ーターである。ジッターおよびピークシフトが低いほ
ど、ＷＭは高くなる。ＷＭは１種の性能指数とみなすこ
とができ、より高いＷＭを有するディスクは、より低い
ＷＭを有するディスクに比べて優れた再生のより大きな
蓋然性を有する。すなわち、より高いＷＭを有するディ
スクはより良い再生特性を呈する。また、より高いＷＭ
を有するディスクは、他の点では同様であるがＷＭが低
いディスクよりも、より広範囲のさまざまな種類の読み
取り装置で再生できることが予測される。
【００１６】銀反射材を用いるディスクの性能低下の理
由は、エージング時間の関数としての小さな（３Ｔ）及
び大きな（１１Ｔ）マークのジッターから理解され得
る。３Ｔのマークのジッターはエージング時間とともに
減少し、一方１１Ｔのマークのジッターはエージング時
間とともに増加する。また、銀金属と染料記録層との間
の界面の相互作用におそらく起因して、マーク成長とい
う現象も存在する。全く予期しなかったのであるが、銀
反射層を用いるディスクの熱安定性は、銀反射層の付
着、例えば蒸着に先立って、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-Ｎおよ
びＩｎＳｎＳｂ-Ｏならびに合金から成るグループから
選択される薄い透明な誘電体の層を付着、例えば蒸着さ
せた場合に、顕著に向上することが判った。一連のディ
スクが中間層の厚みを変えて作製され、最適な反射率と
ＷＭを与えた。促進エージング試験を、９５℃の乾燥条
件ならびに８０℃および相対湿度（ＲＨ）８５％の湿潤
条件で実施した。
由は、エージング時間の関数としての小さな（３Ｔ）及
び大きな（１１Ｔ）マークのジッターから理解され得
る。３Ｔのマークのジッターはエージング時間とともに
減少し、一方１１Ｔのマークのジッターはエージング時
間とともに増加する。また、銀金属と染料記録層との間
の界面の相互作用におそらく起因して、マーク成長とい
う現象も存在する。全く予期しなかったのであるが、銀
反射層を用いるディスクの熱安定性は、銀反射層の付
着、例えば蒸着に先立って、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-Ｎおよ
びＩｎＳｎＳｂ-Ｏならびに合金から成るグループから
選択される薄い透明な誘電体の層を付着、例えば蒸着さ
せた場合に、顕著に向上することが判った。一連のディ
スクが中間層の厚みを変えて作製され、最適な反射率と
ＷＭを与えた。促進エージング試験を、９５℃の乾燥条
件ならびに８０℃および相対湿度（ＲＨ）８５％の湿潤
条件で実施した。
【００１７】図３は、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎ
ＳｎＳｂ-Ｏの中間層の厚みの関数としてディスクの反
射率を示したものである。銀の反射材を有し、中間層が
ないディスクの反射率は、反射材として金の層を用いて
作製したものよりも約６％高い。中間層の厚みが１nmか
ら１０nmに増加すると、ディスクの反射率は単調に減少
するが、それは金の反射層を有する対照ディスクから得
られる反射率よりもまだ高い。中間層の厚みが２０nmよ
りも大きい場合、反射率の有意の減少が観察された。し
たがって、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-Ｏ
の中間層の厚みは２０nmに制限される。
ＳｎＳｂ-Ｏの中間層の厚みの関数としてディスクの反
射率を示したものである。銀の反射材を有し、中間層が
ないディスクの反射率は、反射材として金の層を用いて
作製したものよりも約６％高い。中間層の厚みが１nmか
ら１０nmに増加すると、ディスクの反射率は単調に減少
するが、それは金の反射層を有する対照ディスクから得
られる反射率よりもまだ高い。中間層の厚みが２０nmよ
りも大きい場合、反射率の有意の減少が観察された。し
たがって、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-Ｏ
の中間層の厚みは２０nmに制限される。
【００１８】促進エージング試験は２つの試験条件の下
で行った。９５℃での試験；ならびに８０℃および相対
湿度８５％での試験である。最初のマーク（原マーク）
はインキュベーション試験の後に再生された。銀金属反
射層ならびにＧｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-
Ｏの中間層を用いたディスクは、９５℃の乾燥試験、な
らびに８０℃および相対湿度８５％の湿潤試験におい
て、中間層のないディスクと比較して、ディスクの長期
間の熱安定性の点で十分な改善を示した。
で行った。９５℃での試験；ならびに８０℃および相対
湿度８５％での試験である。最初のマーク（原マーク）
はインキュベーション試験の後に再生された。銀金属反
射層ならびにＧｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-
Ｏの中間層を用いたディスクは、９５℃の乾燥試験、な
らびに８０℃および相対湿度８５％の湿潤試験におい
て、中間層のないディスクと比較して、ディスクの長期
間の熱安定性の点で十分な改善を示した。
【００１９】図４は、８nmのＧｅ-Ｃ-Ｈの中間層を有す
る、銀金属の反射材を用いて成るディスクのウィンドウ
マージンを、エージング時間の関数として示す。試験は
９５℃で実施した。この図はまた、比較のために中間層
のない銀反射層を有するディスクのウィンドウマージン
を示している。Ｇｅ-Ｃ-Ｈの薄い中間層の使用は、銀の
反射材を用いて成るディスクに記録されたデータの安定
性を十分に向上させた。
る、銀金属の反射材を用いて成るディスクのウィンドウ
マージンを、エージング時間の関数として示す。試験は
９５℃で実施した。この図はまた、比較のために中間層
のない銀反射層を有するディスクのウィンドウマージン
を示している。Ｇｅ-Ｃ-Ｈの薄い中間層の使用は、銀の
反射材を用いて成るディスクに記録されたデータの安定
性を十分に向上させた。
【００２０】図５は、８nmのＧｅ-Ｃ-Ｈの中間層を有す
る、銀金属の反射材を用いて成るディスクのウィンドウ
マージンを、エージング時間の関数として示す。試験は
８０℃および８５％ＲＨの条件で実施した。このよう
に、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ合金の薄い中間層の使用は、乾燥および
湿潤促進条件の両方において、ＣＤ−Ｒの安定性を向上
させた。同様に、図６および図７は、Ｓｉ-ＮおよびＩ
ｎＳｎＳｂ-Ｏの厚み５nmの中間層を用いたＣＤ−Ｒの
環境に対する安定性がそれぞれ向上したことを示してい
る。
る、銀金属の反射材を用いて成るディスクのウィンドウ
マージンを、エージング時間の関数として示す。試験は
８０℃および８５％ＲＨの条件で実施した。このよう
に、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ合金の薄い中間層の使用は、乾燥および
湿潤促進条件の両方において、ＣＤ−Ｒの安定性を向上
させた。同様に、図６および図７は、Ｓｉ-ＮおよびＩ
ｎＳｎＳｂ-Ｏの厚み５nmの中間層を用いたＣＤ−Ｒの
環境に対する安定性がそれぞれ向上したことを示してい
る。
【００２１】したがって、上述のデータは、高反射率、
高性能、および高いデータ安定性を有するＣＤ−Ｒディ
スクがＧｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-Ｏの薄
い中間層、ならびに銀の反射層を用いて製造され得るこ
とを示している。これらの誘電体の薄い層は安定であ
り、効果的なバリヤーを形成し、そして染料記録層と銀
反射材との間の相互作用を防止／低減する。
高性能、および高いデータ安定性を有するＣＤ−Ｒディ
スクがＧｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-Ｏの薄
い中間層、ならびに銀の反射層を用いて製造され得るこ
とを示している。これらの誘電体の薄い層は安定であ
り、効果的なバリヤーを形成し、そして染料記録層と銀
反射材との間の相互作用を防止／低減する。
【００２２】上述のディスクの広範な環境に対する安定
性をさらに向上させるために、銀金属の安定な合金の反
射材、例えばＡｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｃｕ、およびＡｇ−Ｎ
ｉを純粋な銀の代りに反射層として用いることができ
る。合金を作るためにＡｇに加えるＰｄ、Ｃｕもしくは
Ｎｉの量を２〜５％にすると、銀反射材の環境に対する
安定性の向上が認められた。
性をさらに向上させるために、銀金属の安定な合金の反
射材、例えばＡｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｃｕ、およびＡｇ−Ｎ
ｉを純粋な銀の代りに反射層として用いることができ
る。合金を作るためにＡｇに加えるＰｄ、Ｃｕもしくは
Ｎｉの量を２〜５％にすると、銀反射材の環境に対する
安定性の向上が認められた。
【００２３】ディスク構造の安定性をさらに改善し、そ
して銀金属もしくは銀合金を腐食／酸化から保護するた
めに、ＵＶで硬化し得る保護ラッカーでディスクを保護
する前に、例えばＰｄ、Ｃｒ、Ｎｉ等のような金属の薄
い保護層あるいはＧｅ−Ｃ−Ｈ、Ｓｉ−ＮおよびＩｎＳ
ｎＳｂ−Ｏのような誘電性の薄い層を反射層（30）に付
着、例えば蒸着させてもよい。
して銀金属もしくは銀合金を腐食／酸化から保護するた
めに、ＵＶで硬化し得る保護ラッカーでディスクを保護
する前に、例えばＰｄ、Ｃｒ、Ｎｉ等のような金属の薄
い保護層あるいはＧｅ−Ｃ−Ｈ、Ｓｉ−ＮおよびＩｎＳ
ｎＳｂ−Ｏのような誘電性の薄い層を反射層（30）に付
着、例えば蒸着させてもよい。
【００２４】本発明は、その好ましい実施態様を特に参
照して詳細に説明されたが、本発明の概念および範囲内
で変形および修正が実施されてもよいことが理解されよ
う。また、本発明は本出願と同日付の本出願人による特
許出願（発明の名称「金属中間層を有する記録可能な光
ディスク」）に関連し、この関連出願の内容は、この引
用により本明細書の一部を構成する。
照して詳細に説明されたが、本発明の概念および範囲内
で変形および修正が実施されてもよいことが理解されよ
う。また、本発明は本出願と同日付の本出願人による特
許出願（発明の名称「金属中間層を有する記録可能な光
ディスク」）に関連し、この関連出願の内容は、この引
用により本明細書の一部を構成する。
【００２５】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の光ディス
クは、その反射層と記録層との間に、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ
-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-Ｏから選択される薄い誘電性の
中間層含むものである。この中間層を用いることによ
り、光ディスクの反射層として銀を用いた場合でも、熱
安定性が実質的に低下せず、記録された信号の再生の質
が長期間にわたって良好に保たれる。したがって、本発
明によれば、金よりも安価であり、本来金よりも高い反
射率を有する銀を使用して、反射率が高く、また金を反
射層としたディスクと同等の耐久性を有する光ディスク
を低コストで提供することができる。
クは、その反射層と記録層との間に、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ
-ＮおよびＩｎＳｎＳｂ-Ｏから選択される薄い誘電性の
中間層含むものである。この中間層を用いることによ
り、光ディスクの反射層として銀を用いた場合でも、熱
安定性が実質的に低下せず、記録された信号の再生の質
が長期間にわたって良好に保たれる。したがって、本発
明によれば、金よりも安価であり、本来金よりも高い反
射率を有する銀を使用して、反射率が高く、また金を反
射層としたディスクと同等の耐久性を有する光ディスク
を低コストで提供することができる。
【図１】 図１は、本発明に従って作製される書き込み
可能なディスクの構造を示す模式図である。
可能なディスクの構造を示す模式図である。
【図２】 図２は、金からなる金属反射材を用いて作製
したディスクの記録安定性と銀からなる金属反射材を用
いて作製したディスクの記録安定性との比較を示す。
したディスクの記録安定性と銀からなる金属反射材を用
いて作製したディスクの記録安定性との比較を示す。
【図３】 図３は、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-ＮおよびＩｎ-Ｓ
ｎ-Ｓｂ-Ｏ材料について中間層の厚みと反射率との関係
を示すグラフである。
ｎ-Ｓｂ-Ｏ材料について中間層の厚みと反射率との関係
を示すグラフである。
【図４】 図４は、厚み８nmのＧｅ-Ｃ-Ｈ中間層を用い
た光ディスクについて９５℃で促進エージング試験を実
施したときのウィンドウマージンとエージング時間との
関係を示す線図である。
た光ディスクについて９５℃で促進エージング試験を実
施したときのウィンドウマージンとエージング時間との
関係を示す線図である。
【図５】 図５は、厚み８nmのＧｅ-Ｃ-Ｈ中間層を用い
た光ディスクについて８０℃および相対湿度８５％で促
進エージング試験を実施したときのウィンドウマージン
とエージング時間との関係を示す線図である。
た光ディスクについて８０℃および相対湿度８５％で促
進エージング試験を実施したときのウィンドウマージン
とエージング時間との関係を示す線図である。
【図６】 図６は、厚み５nmのＳｉ-Ｎ中間層を用いた
光ディスクについて８０℃および相対湿度８５％で促進
エージング試験を実施したときのウィンドウマージンと
エージング時間との関係を示す線図である。
光ディスクについて８０℃および相対湿度８５％で促進
エージング試験を実施したときのウィンドウマージンと
エージング時間との関係を示す線図である。
【図７】 図７は、厚み５nmのＩｎＳｎＳｂ-Ｏ中間層
を用いた光ディスクについて８０℃および相対湿度８５
％で促進エージング試験を実施したときのウィンドウマ
ージンとエージング時間との関係を示す線図である。
を用いた光ディスクについて８０℃および相対湿度８５
％で促進エージング試験を実施したときのウィンドウマ
ージンとエージング時間との関係を示す線図である。
10...基板、20...染料記録層、25...誘電性中間層、3
0...反射層、35...ラッカー保護膜。
0...反射層、35...ラッカー保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ユアン−シェン・タイアン アメリカ合衆国14580ニューヨーク州ウェ ブスター、オールド・ウッズ・ロード613 番
Claims (4)
- 【請求項１】 記録可能な光ディスクであって： ａ）透明な基板； ｂ）基板上に形成される記録層； ｃ）記録層上に形成される反射層；および ｄ）反射層と記録層との間の界面で記録層上に形成され
る薄い誘電性中間層 を含んで成る記録可能な光ディスクであって、薄い誘電
性中間層は、透明な誘電体であるＧｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-Ｎ
およびＩｎＳｎＳｂ-Ｏならびにそれらの合金から成る
グループから選択される材料を含み、この中間層は、基
板および記録層を通過して反射層で反射される記録用光
ビームの反射に実質的に影響を及ぼすことなく、光ディ
スクの記録安定性を向上させるように選択されるもので
ある、光ディスク。 - 【請求項２】 薄い誘電性中間層もしくはその合金が１
〜３０nmの間の範囲内にある厚みを有する請求項１に記
載の記録可能な光ディスク。 - 【請求項３】 記録可能な光ディスクであって： ａ）透明なポリカーボネート基板； ｂ）レーザー光に応答してマークを形成する記録可能な
有機染料を含み、基板の上に形成される記録層； ｃ）銀、もしくはＡｇ−Ｃｕ、Ａｇ−ＰｄおよびＡｇ−
Ｎｉから成るグループから選択される銀合金を含み、記
録層の上に形成される反射層； ｄ）反射層と記録層との間の界面で記録層上に形成され
る薄い誘電性中間層であって、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-Ｎお
よびＩｎＳｎＳｂ-Ｏから成るグループから選択される
材料を含み、基板および記録層を通過して反射層で反射
される記録用光ビームの反射に実質的に影響を及ぼすこ
となく、光ディスクの記録安定性を向上させるように１
〜３０nmの間の範囲内にある厚みを有するように選択さ
れる誘電性中間層；ならびに ｅ）反射層の上に形成されるＵＶで硬化し得るラッカー
保護層 を含んで成る光ディスク。 - 【請求項４】 記録可能な光ディスクであって： ａ）透明な基板； ｂ）基板の上に形成される記録層； ｃ）銀、もしくは銀合金を含み、記録層の上に形成され
る反射層；および ｄ）反射層と記録層との間の界面で記録層上に形成され
る薄い誘電性中間層であって、Ｇｅ-Ｃ-Ｈ、Ｓｉ-Ｎお
よびＩｎＳｎＳｂ-Ｏから成るグループ、もしくはそれ
らの合金から選択される材料を含み、基板および記録層
を通過して反射層で反射される記録用光ビームの反射に
実質的に影響を及ぼすことなく、光ディスクの記録安定
性を向上させるように０．２〜３nmの間の範囲内にある
厚みを有するように選択される誘電性中間層を含んで成
る光ディスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/971,740 US5879773A (en) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | Recordable optical disks with dielectric interlayer |
| US08/971740 | 1997-11-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11232696A true JPH11232696A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=25518745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32662198A Pending JPH11232696A (ja) | 1997-11-17 | 1998-11-17 | 誘電性の中間層を有する記録可能な光ディスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5879773A (ja) |
| EP (1) | EP0917139A3 (ja) |
| JP (1) | JPH11232696A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7081289B2 (en) | 2003-03-24 | 2006-07-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material and information recording medium |
| US7105217B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-09-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phase-change recording material and information recording medium |
| US7166415B2 (en) | 2002-03-05 | 2007-01-23 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW411436B (en) * | 1998-08-18 | 2000-11-11 | Ind Tech Res Inst | Improved structure of optically recordable media and its manufacture method |
| CN1287362C (zh) * | 2002-02-13 | 2006-11-29 | 三菱化学媒体株式会社 | 可改写光记录媒体和光记录方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59217245A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | Fujitsu Ltd | 光記録媒体 |
| JPH01191344A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-08-01 | Nippon Columbia Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| US5493561A (en) * | 1992-06-17 | 1996-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and information recording and reproducing method thereof |
| JPH0737272A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-02-07 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 光記録媒体 |
| US5633106A (en) * | 1994-04-08 | 1997-05-27 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Optical recording media and a method of recording and reproducing information |
| US5965228A (en) * | 1995-09-01 | 1999-10-12 | Balzers Aktiengesellschaft | Information carrier, method for producing same |
| JPH09286174A (ja) * | 1996-04-23 | 1997-11-04 | Mitsubishi Chem Corp | 光記録媒体 |
-
1997
- 1997-11-17 US US08/971,740 patent/US5879773A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-11-05 EP EP19980203736 patent/EP0917139A3/en not_active Withdrawn
- 1998-11-17 JP JP32662198A patent/JPH11232696A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7166415B2 (en) | 2002-03-05 | 2007-01-23 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it |
| US7659049B2 (en) | 2002-03-05 | 2010-02-09 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it |
| US7081289B2 (en) | 2003-03-24 | 2006-07-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material and information recording medium |
| US7105217B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-09-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phase-change recording material and information recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0917139A2 (en) | 1999-05-19 |
| US5879773A (en) | 1999-03-09 |
| EP0917139A3 (en) | 1999-11-03 |
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