JPH03254115A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH03254115A JPH03254115A JP2051174A JP5117490A JPH03254115A JP H03254115 A JPH03254115 A JP H03254115A JP 2051174 A JP2051174 A JP 2051174A JP 5117490 A JP5117490 A JP 5117490A JP H03254115 A JPH03254115 A JP H03254115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflective surface
- reflection surface
- mirror
- light flux
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［利用分野］
本発明は、半導体露光装置等で用いる指向性の高い光を
反射させるための反射装置を用いた露光装置に関するも
のである。
反射させるための反射装置を用いた露光装置に関するも
のである。
尚本出願において光、光束、ビームとは可視光の他界外
線、紫外線、Ｘ線等の電磁波を含むものとする。
線、紫外線、Ｘ線等の電磁波を含むものとする。
［従来技術］
Ｘ線を用いた露光装置としで、シンクロトロン放射光を
照射光源とした照明光学系が提案されている。このよう
な照明光学系においては、露光に有害な影響をもたらす
短波長成分を小さくするためおよび露光領域の拡大のた
めに反射ミラーか使用される。
照射光源とした照明光学系が提案されている。このよう
な照明光学系においては、露光に有害な影響をもたらす
短波長成分を小さくするためおよび露光領域の拡大のた
めに反射ミラーか使用される。
指向性の高いシンクロトロン放射光をミラーに反射させ
てからマスクに照射する露光装置では、般に、マスク上
の一点に照射される光は、ミラー上のわずかな領域から
反射された光である。
てからマスクに照射する露光装置では、般に、マスク上
の一点に照射される光は、ミラー上のわずかな領域から
反射された光である。
従ってミラー上にきす等の欠陥や塵埃、汚れ等が付着し
ているとこれらにより露光ビームが反射されずに吸収さ
れたり散乱し、このミラー反射点に対応するマスク上の
点では露光ビームが照射されずあるいは照射力が低下し
て露光不良を起す。すなわちマスク上ではミラー上の正
常部からの反射光と欠陥部からの反射光との間で照度差
を生じ露光ムラの原因となる。
ているとこれらにより露光ビームが反射されずに吸収さ
れたり散乱し、このミラー反射点に対応するマスク上の
点では露光ビームが照射されずあるいは照射力が低下し
て露光不良を起す。すなわちマスク上ではミラー上の正
常部からの反射光と欠陥部からの反射光との間で照度差
を生じ露光ムラの原因となる。
従来の露光装置の構成を第３図に示す。１はＳＯＲ（シ
ンクロトロン放射）等のＸ線源、２はＸ線ミラー ３は
マスク（フォトマスクまたはレチクル）、８はウェハで
ある。この装置においてはｘ ＨＡミラーとして平面ミ
ラーを用い、軸１８を回転中心とすることによっで、照
明光の反射角を変化させることにより、必要な露光領域
をスキャンしていくものである。
ンクロトロン放射）等のＸ線源、２はＸ線ミラー ３は
マスク（フォトマスクまたはレチクル）、８はウェハで
ある。この装置においてはｘ ＨＡミラーとして平面ミ
ラーを用い、軸１８を回転中心とすることによっで、照
明光の反射角を変化させることにより、必要な露光領域
をスキャンしていくものである。
［発明が解決しようとする問題点］
この例においてミラー２面上にきす等の欠陥があれはそ
の部分の正反射率か低下する為に、マスク３上の対応部
に、ビームのスキャン方向に長いスリット状の暗部がで
きる事により、露光むらを生じる。
の部分の正反射率か低下する為に、マスク３上の対応部
に、ビームのスキャン方向に長いスリット状の暗部がで
きる事により、露光むらを生じる。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
で、反射ミラー上のきす、塵埃付着等の欠点に起因する
露光ムラを防止した露光装置の提供を第１の目的とする
。
で、反射ミラー上のきす、塵埃付着等の欠点に起因する
露光ムラを防止した露光装置の提供を第１の目的とする
。
本発明の他の目的は後述する本発明の詳細な実施例の説
明の中で明らかになるてあろう。
明の中で明らかになるてあろう。
［問題点を解決する為の手段］
本発明は所定領域を露光する露光装置で、所定の方向か
ら入射する光束を反射する反射面と、所定領域が光束で
走査されるように光束を反射する方向を変化させるべく
前記反射面を回転移動させる回転駆動手段と、前記走査
中に前記反射面を少なくとも前記反射面の面内方向に移
動させる第二駆動手段とを設けた事により上述目的を達
成している。又は、所定領域を露光する露光装置で、所
定の方向から入射する光束を反射する反射面と、所定領
域が複数回走査されるように光束を反射する方向を変化
させるべく前記反射面を回転振動させる回転駆動手段と
、前記反射面を少なくとも前記反射面の面内方向に移動
させる第二駆動手段とを設け、−前記第二駆動手段は所
定領域走査終了後でかつ次の所定領域走査開始前・に前
記反射面を移動させる様にして上述目的を達成している
。
ら入射する光束を反射する反射面と、所定領域が光束で
走査されるように光束を反射する方向を変化させるべく
前記反射面を回転移動させる回転駆動手段と、前記走査
中に前記反射面を少なくとも前記反射面の面内方向に移
動させる第二駆動手段とを設けた事により上述目的を達
成している。又は、所定領域を露光する露光装置で、所
定の方向から入射する光束を反射する反射面と、所定領
域が複数回走査されるように光束を反射する方向を変化
させるべく前記反射面を回転振動させる回転駆動手段と
、前記反射面を少なくとも前記反射面の面内方向に移動
させる第二駆動手段とを設け、−前記第二駆動手段は所
定領域走査終了後でかつ次の所定領域走査開始前・に前
記反射面を移動させる様にして上述目的を達成している
。
［実施例］
第１図は本発明の第１実施例の露光装置の反射装置部の
構成図である。
構成図である。
第１図においで、２８はＸ線を反射するミラー８
であり、反射面４４ａは、平面となっている。ミラー２
８は、ミラー保持器２１に保持されている。２２は案内
機構であり、揺動フレーム２３に対しで、ミラー保持器
２１か、ミラーの反射面２８ａと平行な方向、具体的に
は後述する回転軸方向に平行な方向に移動可能であるよ
うになっている。２４は該方向ミラー保持器２１を駆動
する駆動機構である。
８は、ミラー保持器２１に保持されている。２２は案内
機構であり、揺動フレーム２３に対しで、ミラー保持器
２１か、ミラーの反射面２８ａと平行な方向、具体的に
は後述する回転軸方向に平行な方向に移動可能であるよ
うになっている。２４は該方向ミラー保持器２１を駆動
する駆動機構である。
揺動フレーム２３はさらに全体フレーム２５に、回転可
能なように取りつけられている。２６は回転軸であり、
揺動フレーム２３はこの回転軸２６を中心に回転可能で
ある。２７はこの回転軸２６を中心に揺動フレーム２３
を回転駆動する駆動機構である。回転軸２６の回転中心
の延長線は、ミラーの反射面２８ａ内にあるようになっ
ている。
能なように取りつけられている。２６は回転軸であり、
揺動フレーム２３はこの回転軸２６を中心に回転可能で
ある。２７はこの回転軸２６を中心に揺動フレーム２３
を回転駆動する駆動機構である。回転軸２６の回転中心
の延長線は、ミラーの反射面２８ａ内にあるようになっ
ている。
全体フレーム２５は固定されている。
第２図に本実施例の全体構成の概略図を示す。
第３図と同様の部材には同じ符番を冠している。
図中３ａはマスク３を保持するマスクチャック、８ａは
ウェハ８を保持するウェハチャッつてある。この様な構
成においで、露光時に駆動機構２７で揺動フレーム２３
を回転駆動する事により、ミラー反射面２８ａを回転軸
２６を中心に回動させる事ができ、これにより第３図て
説明した様に照明Ｘ線の反射角を変化させて必要な露光
領域をＸ線てスキャンしていく事が可能となる。このス
キャン時に駆動機構２４によってミラー保持器２】を揺
動フレーム２３に対して反射面２８ａと平行な方向、こ
こでは回転軸方向に平行な方向に駆動する事によっで、
回動中のミラー反射面２８ａを同時に回転軸方向に平行
方向に移動させる事がてきる。この場合、反軸面２８ａ
が回転軸方向に平行方向に移動しても、Ｘ線が露光領域
上をスキャンする位置は、反射面２８ａがこの方向に移
動しない場合と変化がない。しかし、反射面２８ａ上で
のＸ線入射部が露光中に変化するので、ミラーの反射面
にキズ等があった場合、その影響を分散させることがで
きるため、露光光領域に、ビームのスキャン方向に、長
いスリット状の暗部ができることを防止することができ
る。
ウェハ８を保持するウェハチャッつてある。この様な構
成においで、露光時に駆動機構２７で揺動フレーム２３
を回転駆動する事により、ミラー反射面２８ａを回転軸
２６を中心に回動させる事ができ、これにより第３図て
説明した様に照明Ｘ線の反射角を変化させて必要な露光
領域をＸ線てスキャンしていく事が可能となる。このス
キャン時に駆動機構２４によってミラー保持器２】を揺
動フレーム２３に対して反射面２８ａと平行な方向、こ
こでは回転軸方向に平行な方向に駆動する事によっで、
回動中のミラー反射面２８ａを同時に回転軸方向に平行
方向に移動させる事がてきる。この場合、反軸面２８ａ
が回転軸方向に平行方向に移動しても、Ｘ線が露光領域
上をスキャンする位置は、反射面２８ａがこの方向に移
動しない場合と変化がない。しかし、反射面２８ａ上で
のＸ線入射部が露光中に変化するので、ミラーの反射面
にキズ等があった場合、その影響を分散させることがで
きるため、露光光領域に、ビームのスキャン方向に、長
いスリット状の暗部ができることを防止することができ
る。
この場合１回のスキャン中に充分多い数だけ回転軸方向
に平行方向に振動させるのが望ましい。振動方向はミラ
ーの反射面２８ａと平行な方向であれは前記回転軸方向
と平行な方向以外、例えは垂直な方向ても良い。
に平行方向に振動させるのが望ましい。振動方向はミラ
ーの反射面２８ａと平行な方向であれは前記回転軸方向
と平行な方向以外、例えは垂直な方向ても良い。
駆動手段２７か揺動フレーム２３を回転振動させで、１
つの露光域例えはマスクのパターン領域を複数回スキャ
ンする様にした場合を考える。この場合露光領域をスキ
ャンしている間は駆動手段２４が動作せず、Ｘ線が露光
領域のスキャンを終了して露光領域外に入射する角度に
反射面２８ａがなっている間に、不図示の制御手段によ
って駆動手段２４を動作させて次のスキャンにおける反
射面２８ａ上でのＸ線入射部が前回スキャンと異なる様
に反射面２８ａを移動し、次のスキャンが開始される角
度に反射面２８ａがなる前に不図示の制御手段が駆動手
段２４を停止させ、必要であればこれを繰り返す様にし
ても同様の効果か得られる。
つの露光域例えはマスクのパターン領域を複数回スキャ
ンする様にした場合を考える。この場合露光領域をスキ
ャンしている間は駆動手段２４が動作せず、Ｘ線が露光
領域のスキャンを終了して露光領域外に入射する角度に
反射面２８ａがなっている間に、不図示の制御手段によ
って駆動手段２４を動作させて次のスキャンにおける反
射面２８ａ上でのＸ線入射部が前回スキャンと異なる様
に反射面２８ａを移動し、次のスキャンが開始される角
度に反射面２８ａがなる前に不図示の制御手段が駆動手
段２４を停止させ、必要であればこれを繰り返す様にし
ても同様の効果か得られる。
以上の実施例はＸ線用の露光装置について述べたが、可
視光、紫外光等位の電磁波用にも適用できる事は言うま
でもない。
視光、紫外光等位の電磁波用にも適用できる事は言うま
でもない。
又ミラーは平面でなくともよく、例えばシリンドリカル
形状とした場合駆動機構２４がミラー保持器２１をシリ
ンドリカルの面内方向、例えは母線方向、あるいは円周
方向に移動する様にすれは良い。
形状とした場合駆動機構２４がミラー保持器２１をシリ
ンドリカルの面内方向、例えは母線方向、あるいは円周
方向に移動する様にすれは良い。
［効果］
本発明によれば反射面の欠陥等に起因する露光ムラの影
響を小さくした走査型の露光装置か可能になった。
響を小さくした走査型の露光装置か可能になった。
第１図は本発明の第１実施例の露光装置の反射製置部構
成図、 第２図は同露光装置の全体構成概略図、第３図は従来例
の説明図である。 図中２４．２７：駆動機構、２８：ミラーである。
成図、 第２図は同露光装置の全体構成概略図、第３図は従来例
の説明図である。 図中２４．２７：駆動機構、２８：ミラーである。
Claims (4)
- （１）所定領域を露光する露光装置で、所定の方向から
入射する光束を反射する反射面と、所定領域が光束で走
査されるように光束を反射する方向を変化させるべく前
記反射面を回転移動させる回転駆動手段と、前記走査中
に前記反射面を少なくとも前記反射面の面内方向に移動
させる第二駆動手段と、を有することを特徴とする露光
装置。 - （２）前記反射面は平面形状であり、前記駆動手段は前
記反射面を反射面に平行な一方向に直線駆動することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置。 - （３）所定領域を露光する露光装置で、所定の方向から
入射する光束を反射する反射面と、所定領域が複数回走
査されるように光束を反射する方向を変化させるべく前
記反射面を回転振動させる回転駆動手段と、前記反射面
を少なくとも前記反射面の面内方向に移動させる第二駆
動手段とを有し、前記第二駆動手段は所定領域走査終了
後でかつ次の所定領域走査開始前に前記反射面を移動さ
せることを特徴とする露光装置。 - （４）前記反射面は平面形状であり、前記駆動手段は前
記反射面を反射面に平行な一方向に直線振動させること
を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2051174A JP2749937B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 露光装置 |
| US07/489,194 US5150151A (en) | 1989-03-09 | 1990-03-06 | Reflecting device and pattern transfer apparatus using the same |
| DE69032861T DE69032861T2 (de) | 1989-03-09 | 1990-03-07 | Reflektoreinrichtung und diese Einrichtung verwendendes Musterübertragungsgerät |
| EP90302441A EP0387038B1 (en) | 1989-03-09 | 1990-03-07 | Reflecting device and pattern transfer apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2051174A JP2749937B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03254115A true JPH03254115A (ja) | 1991-11-13 |
| JP2749937B2 JP2749937B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=12879472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2051174A Expired - Fee Related JP2749937B2 (ja) | 1989-03-09 | 1990-03-02 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2749937B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63284817A (ja) * | 1987-05-16 | 1988-11-22 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | シンクロトロン放射光の照射方法 |
| JPH0246717A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｘ線露光方法 |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2051174A patent/JP2749937B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63284817A (ja) * | 1987-05-16 | 1988-11-22 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | シンクロトロン放射光の照射方法 |
| JPH0246717A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｘ線露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2749937B2 (ja) | 1998-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080220 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090220 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100220 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |