JPH03254497A - マイクロコンピュータ - Google Patents

マイクロコンピュータ

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JPH03254497A
JPH03254497A JP2054006A JP5400690A JPH03254497A JP H03254497 A JPH03254497 A JP H03254497A JP 2054006 A JP2054006 A JP 2054006A JP 5400690 A JP5400690 A JP 5400690A JP H03254497 A JPH03254497 A JP H03254497A
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JP
Japan
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memory
access
refresh
bus
control means
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JP2054006A
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Masaki Sugimoto
正樹 杉本
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
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    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Microcomputers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、ダイナミックメモリをリフレッシュするメ
モリコントローラを備えたマイクロコンピュータに関す
るものである。
[従来の技術] 従来のマイクロコンピュータを第7図及び第8図を用い
て説明する。図において、1はマイクロコンピュータ、
2はダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)
である。上言己マイクロコンピュータ1は、リフレッシ
ュコントローラ(リフレッシュ制御手段)3aを有する
DRAMコントローラ3を備えている。4は中央演算処
理装置(CP U)である。上記リフレッシュコントロ
ーラ3aは、内部クロックφを数えるインタバルカウン
タ5と、上記内部クロックφを何個骨カウントするかを
規定するメモリコントロールレジスタ(MCR)6と、
リフレッシュ要求を他のバス要求とともに管理制御する
バス優先順位判定回路7と、DRAM2をリフレッシュ
するリフレッシュアドレスカウンタ8とから構成されて
いる。9は内部バスである。
次に動作について説明する。インタバルカウンタ5は、
内部クロックφをカウントし、例えば32φ毎に32φ
から256φまでなどMCR6で定義する適当な値でバ
ス優先順位判定回路7に対してリフレッシュ要求を発生
する。バス優先順位判定回路7は、他のバス要求、例え
ばCPUバスアクセス、ダイレクトメモリアクセスコン
トローラ(DMAC)バスアクセス、外部バスマスタに
よるバスアクセス要求などの各バス要求を管理し、リフ
レッシュ要求に応じる条件であれば、リフレッシュアド
レスカウンタ8を更新して、DRAM2のリフレッシュ
を行う。その際に行われるDRAMリフレッシュ方式は
、通常RASオンリーリフレッシュが用いられている。
[発明が解決しようとする課題] 従来のマイクロコンピュータは以上のように構成されて
おり、DRAMコントローラ3はDRAM2のリフレッ
シュタイミング、リフレッシュアドレス、リフレッシュ
信号を得るためのリフレッシュコントローラであるので
、それら以外の機能は有していない。一方、DRAM2
にアクセスするためには、上記リフレッシュコントロー
ラ3aの他にDRAM2に入力するためのローアドレス
カラムアドレス発生手段及びそれらをストローブするた
めのRAS、CAS信号を発生させるアクセス信号発生
手段が必要であり、これらを第8図に示すようにマイク
ロコンピュータの外付は回路で実現することが必要であ
った。また、これらの信号のタイミングは相当に厳しい
ものであり、RAS信号に対するローアドレスのセット
アツプ。
ホールド時間、ローアドレス、カラムアドレス切換えの
タイミング、CAS信号に対するカラムアドレスのセッ
トアツプ、ホールド時間などを余裕をもって得るために
は、外付けの高速TTL、例えばAS (アドバンスト
ショットキー)回路やディジタル遅延線などで実現せね
ばならないなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、外付は回路及びこの外付は回路のタイミング
調整をなくして、メモリに直結することができるマイク
ロコンピュータを得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段〕 この発明に係るマイクロコンピュータは、メモリのリフ
レッシュを制御するリフレッシュ制御手段と、メモリへ
のアクセスを制御するアクセス制御手段とからなるメモ
リコントローラを備え、上記アクセス制御手段は、メモ
リ空間を設定するためのメモリ領域選択ビット及びその
メモリ空間を有効にするためのメモリアクセス有効ビッ
トからなるメモリ制御レジスタと、上記メモリ空間アク
セス時にローアドレス、カラムアドレス及びそれらをス
トローブするためのRAS信号、CAS信号を発生させ
るアクセス信号発生回路とからなるものである。
[作用] この発明におけるマイクロコンピュータは、リフレッシ
ュ制御手段及びアクセス制御手段からなるメモリコント
ローラにより、メモリアクセス有効ビットがオンしてい
るとき、バスの優先順位を判定して、リフレッシュ要求
に答えるべきであれば、アクセスされたメモリ空間をリ
フレッシュする。
[実施例] 以下、この発明の一実施例であるマイクロコンピュータ
を第1図乃至第5図を用いて説明する。
なお、第7図及び第8図と同じものは同一の符号を用い
て説明を省略する。
第1図はマイクロコンピュータ1のブロック図である。
図において、3はリフレッシュコントローラ3aとアク
セスコントローラ(アクセス制御手段)3bとを有する
DRAMコントローラ、11は内部クロックφを数える
リフレッシュカウンタ、12はバスアービター 13は
リフレッシュ動作を制御するCASビフォアRAS信号
を出力するCASビフォアRAS信号発生回路、14は
内部アドレスバス、15は外部時分割アドレスバス、1
6は内部データバス、17はアドレスデコーダ、18は
DRAM領域選択ビットb。〜b3及びDRAMアクセ
ス有効ビットb7からなるDRAMC制御レジスタ、1
9はEPROMなどからなり時分割アドレス及びそれら
をストローブするためのRAS信号、CAS信号を発生
するアクセス信号発生回路、20はRASアドレス線、
21はCASアドレス線である。上記マイクロコンピュ
ータ1は、外部時分割アドレスバス15及び外部データ
バス22を介してランダムアクセスメモリ (RAM)
23aやリードオンリーメモリ(ROM)23b及び入
出力装置(I 10)23cなどの各周辺機器と接続さ
れている。
第2図はDRAMC制御レジスタ18及びそのビットマ
ツプAを示す。第3図は上記DRAMC制御レジスタ1
8のDRAM領域選択ビットb。
〜b3によって指定されるDRAM空間の配置を示す。
第4@は第1図に示すアクセス信号発生回路19により
外部時分割アドレスバスにどのような信号が発生するか
を示す。なお、上記マイクロコンピュータ1は、16M
バイトのメモリ空間にダイレクトにアクセスするための
24ビツトのアドレスバスと、外部8ビツト又は16ビ
ツト幅のデータバスをBYTE端子の切換え(第4図f
atのBYTE=1のときは8ビツトデータバスDo〜
D7、第4図fb)のBYTE=1のときは16ビツト
データバスDo−D15)により選択可能であり、デー
タバスは24ビツトアドレスバスの最上位及び中位に時
分割で入出力されるので、DRAM2にアクセスするア
ドレスはアドレスバス最下位8ビツトと別のアドレスラ
イン2本を使って構成され、最大で10本の時分割アド
レスラインを有する。第5図(a)〜tc+は時分割ア
ドレス及びRAS、CAS信号の発生のタイミングをリ
ードアクセス時、ライトアクセス時及びリフレッシュ時
の3つの場合について示したものである。
次に動作について説明する。DRAM領域選択ビットビ
ットb3をビットマツプAのように設定することにより
、メモリ空間を第3図fa)のように最小でFOOOO
OH−FFFFFFH番地の1Mバイト(ビットマツプ
Aにおける”0001” )から第3図fdlのように
最大で100OOOH−FFFFFFH番地の15Mバ
イト(ビットマツプAにおける”1111” )のDR
AM設定空間とすることができる。このDRAM設定空
間にデータバス16を介してCPU4から1Mバイト単
位でプログラムされる。また、DRAMアクセス有効ビ
ットb7は、DRAM2のアクセスが有効か無効かを定
義するビットであり。
RAS信号及びCAS信号の発生を制御する。
いま、上記DRAM設定空間に対してDRAMアクセス
有効ビットb7がオン(”1”)しているとき、CPU
4がアクセスするアドレスに対し、アドレスデコーダ7
が動作し、アドレスがDRAM空間であれば、例えリフ
レッシュ要求があっても待たせ、アクセス信号発生回路
19を起動する。
また、上記CPU4がアクセスしていない場合、リフレ
ッシュカウンタ11で内部クロックφをカウントし、リ
フレッシュカウンタ11にオーバーフローが発生すると
バスアービター12に対しリフレッシュ要求を起動する
。バスアービター12は他のバス要求とリフレッシュ要
求とを優先順位づけして判断し、リフレッシュ要求に応
えるべきであれば、CASビフォアRAS発生回路13
を経て、RASアドレス線2線長0CASアドレス線2
線上1フレッシュ時に第5図fc)に示す特別のタイミ
ングでRAS、CAS信号を供給して、DRAM2のリ
フレッシュを行う。このリフレッシュ方式では、第7図
に示す従来のマイクロコンピュータ1のリフレッシュア
ドレスカウンタ8のようなカウンタは不要となり、リフ
レッシュコントローラ3aが簡単な構成となる。また、
DRAMアクセスとDRAMリフレッシュが競合する場
合は、DRAMリフレッシュが優先されて、DRAMア
クセス中にもリフレッシュがリフレッシュコントローラ
3aにより実行される。しかし、DRAMアクセスと競
合しない場合、またはDRAMのアクセスの頻度が低い
ような場合には、DRAMC制御レジスタ18のDRA
Mアクセス有効ビットb7の他に、もう1ビットDRA
Mリフレッシュコントローラ3aの動作を制約するため
の制御ビットを設け、このビットが1の場合、リフレッ
シュコントローラ3aはリフレッシュの要求をバスアー
ビター12に発生させず、自動的に第5図fc)に示す
信号を発生させるように制御する。このようにすること
で、CASビフォアRAS独自のリフレッシュ方式によ
り自動リフレッシュがDRAM2で可能となるので、C
PU4自体のバスアクセス効率をRASオンリーリフレ
ッシュ方式のようにリフレッシュアドレスをわざわざ発
生させる必要がなく、バス効率が改善される。
上記構成により、リフレッシュコントローラ3aの他に
アクセスコントローラ3bを有するDRAMコントロー
ラ3をマイクロコンピュータ1に内蔵したので、DRA
M2の配置できる空間を柔軟に選択し、かつ第6図に示
すように外付は回路を安価にし、タイミングの調整をな
くしてDRAM2に直結できる。
[発明の効果] 以上のように、この発明によればマイクロコンピュータ
を、アクセス制御手段のメモリアクセス有効ビットがオ
ンしているとき、バスの優先順位を判定して、リフレッ
シュ要求に答えるべきであれば、アクセス制御手段によ
りアクセスされたメモリ空間をリフレッシュ制御手段が
リフレッシュするメモリコントローラを備えたので、メ
モリのアクセスを外付は回路で実現する必要がなく、ま
たタイミングの調整も必要ないので、メモリを直結する
ことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例であるマイクロコンピュー
タのブロック図、第2図及び第3図は本実施例のマイク
ロコンピュータにおけるDRAMC制御レジスタのビッ
トマツプ及びメモリ空間の配置を示す図、第4図はアク
セス信号発生回路の信号発生の分配を示すブロック図、
第5図は発生した信号のタイミングチャート図、第6図
は本発明の他の実施例であるマイクロコンピュータのブ
ロック図、第7図は従来のマイクロコンピュータのブロ
ック図、第8図は従来のマイクロコンピュータにおける
DRAMアクセス回路のブロック図である。 1・・・マイクロコンピュータ、2・・・DRAM (
メモリ)、3・・・DRAMコントローラ(メモリコン
トローラ)、3a・・・リフレッシュコントローラ(リ
フレッシュ制御手段)、3b・・・アクセスコントロー
ラ(アクセス制御手段)、4・・・CPU、11・・・
リフレッシュカウンタ、12・・・バスアービター 1
3・・・CASビフォアRA、S’信号発生回路、14
・・・内部アドレスバス、15・・・外部時分割アドレ
スバス、16・・・内部データバス、17−1.アドレ
スデコーダ、18・・・DRAMC制御レジスタ、19
・・・アクセス信号発生回路。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. メモリのリフレッシュを制御するリフレッシュ制御手段
    と、メモリへのアクセスを制御するアクセス制御手段と
    からなるメモリコントローラを備え、上記アクセス制御
    手段は、メモリ空間を設定するためのメモリ領域選択ビ
    ット及びそのメモリ空間を有効にするためのメモリアク
    セス有効ビットからなるメモリ制御レジスタと、上記メ
    モリ空間アクセス時にローアドレス、カラムアドレス及
    びそれらをストローブするためのRAS信号、CAS信
    号を発生させるアクセス信号発生回路とからなり、上記
    メモリコントローラは、上記メモリアクセス有効ビット
    がオンしているとき、バスの優先順位を判定して、リフ
    レッシュ要求に答えるべきであれば、アクセス制御手段
    でアクセスされたメモリ空間をリフレッシュ制御手段に
    よりリフレッシュすることを特徴とするマイクロコンピ
    ュータ。
JP2054006A 1990-03-05 1990-03-05 マイクロコンピュータ Pending JPH03254497A (ja)

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