JPH03255633A - Ｉｃパッケージのバンプ形成方法 - Google Patents
Ｉｃパッケージのバンプ形成方法Info
- Publication number
- JPH03255633A JPH03255633A JP2053313A JP5331390A JPH03255633A JP H03255633 A JPH03255633 A JP H03255633A JP 2053313 A JP2053313 A JP 2053313A JP 5331390 A JP5331390 A JP 5331390A JP H03255633 A JPH03255633 A JP H03255633A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- bumps
- insulating substrate
- bump
- conductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、ＩＣパッケージの出力端子として設けられる
バンプの形成方法に関する。
バンプの形成方法に関する。
［従来の技術］
従来より、バンプは、グリーンシートの裏面にタングス
テン（Ｗ）の導体ペーストをスクリーン印刷し、焼成し
て研磨した後、外表面にＮｉメツキおよびＡｕメツキが
順に施されて形成されている。
テン（Ｗ）の導体ペーストをスクリーン印刷し、焼成し
て研磨した後、外表面にＮｉメツキおよびＡｕメツキが
順に施されて形成されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかるに、従来のバンプは、スクリーン印刷で形成する
方法が一般的であるため、例えば、バンプ径： ０．３
ｍｍ 、パン１間ピッチ： ０．６５ｍｍ、およびバン
プ高さ： ｍａｘ２５０μがほぼ限界である。
方法が一般的であるため、例えば、バンプ径： ０．３
ｍｍ 、パン１間ピッチ： ０．６５ｍｍ、およびバン
プ高さ： ｍａｘ２５０μがほぼ限界である。
このため、これ以上の高密度化の要求に対して、現状で
は対応できない課題を有している。
は対応できない課題を有している。
また、バンプは、グリーンシートにスクリーン印刷され
た導体ペーストが、セラミックの焼結と同時にメタライ
ズされて形成される。このため、セラミックの焼成収縮
率の影響を受けて、精度のバラツキを生じる課題を有し
ていた。
た導体ペーストが、セラミックの焼結と同時にメタライ
ズされて形成される。このため、セラミックの焼成収縮
率の影響を受けて、精度のバラツキを生じる課題を有し
ていた。
本発明は上記事情に基づいてなされたもので、その目的
は、高密度で、且つ高精度のバンプを形成することので
きるＩＣパッケージのバンプ形成方法を提供することに
ある。
は、高密度で、且つ高精度のバンプを形成することので
きるＩＣパッケージのバンプ形成方法を提供することに
ある。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記目的を達成するために、請求項１では、主
面上にＩＣチップが搭載される絶縁性基板の前記主面の
反対側である裏面を研磨した後、その裏面に一定の厚さ
を有する導体層を形成し、該導体層を、適宜の溝幅およ
びピッチで前記絶縁性基板に達するまで縦横に切り込み
、切り残された各導体層をそれぞれバンプとすることを
技術的手段とする。
面上にＩＣチップが搭載される絶縁性基板の前記主面の
反対側である裏面を研磨した後、その裏面に一定の厚さ
を有する導体層を形成し、該導体層を、適宜の溝幅およ
びピッチで前記絶縁性基板に達するまで縦横に切り込み
、切り残された各導体層をそれぞれバンプとすることを
技術的手段とする。
また、請求項２では、焼成前の絶縁性シートの一方の平
面に一定の厚さで導体ペーストを塗布し、該導体ペース
トが塗布された前記絶縁性シートを焼成して絶縁性基板
を作成し、焼成によって該絶縁性基板の一方の平面に形
成された導体層を、適宜の溝幅およびピッチで前記絶縁
性基板に達するまで縦横に切り込み、切り残された各導
体層をそれぞれバンプとすることを技術的手段とする。
面に一定の厚さで導体ペーストを塗布し、該導体ペース
トが塗布された前記絶縁性シートを焼成して絶縁性基板
を作成し、焼成によって該絶縁性基板の一方の平面に形
成された導体層を、適宜の溝幅およびピッチで前記絶縁
性基板に達するまで縦横に切り込み、切り残された各導
体層をそれぞれバンプとすることを技術的手段とする。
［作用および発明の効果］
請求項１および請求項２の本発明は、絶縁性基板の裏面
あるいは一方の平面に形成された導体層を、適宜の溝幅
およびピッチ（間隔）で絶縁性基板に達するまで縦横に
切り込むことにより、方形状を呈する多数の導体層が形
成される。
あるいは一方の平面に形成された導体層を、適宜の溝幅
およびピッチ（間隔）で絶縁性基板に達するまで縦横に
切り込むことにより、方形状を呈する多数の導体層が形
成される。
従って、満幅およびピッチを適宜に設定することにより
、高密度のバンプを形成することが可能となる。バンプ
の高さは、導体層の厚さおよび絶縁性基板への切り込み
深さを大きくすることにより、従来のｍａｘ２５０μよ
り高い電極を形成することができる。
、高密度のバンプを形成することが可能となる。バンプ
の高さは、導体層の厚さおよび絶縁性基板への切り込み
深さを大きくすることにより、従来のｍａｘ２５０μよ
り高い電極を形成することができる。
また、絶縁性基板に形成された導体層を縦横に切り込み
、切り残された各導体層をそれぞれバンプとする方法で
あるため、焼成収縮率の影響を受けることなく、高精度
のバンプを形成することができる。特に、請求項１では
、研磨された絶縁性基板の裏面に一定の厚さの導体層を
形成するため、基板の平滑度が高く、従って、バンプの
高さを均一に形成することができる。
、切り残された各導体層をそれぞれバンプとする方法で
あるため、焼成収縮率の影響を受けることなく、高精度
のバンプを形成することができる。特に、請求項１では
、研磨された絶縁性基板の裏面に一定の厚さの導体層を
形成するため、基板の平滑度が高く、従って、バンプの
高さを均一に形成することができる。
［実施例］
次に、本発明のＩＣパッケージのバンプ形成方法を図面
に示す一実施例に基づき説明する。
に示す一実施例に基づき説明する。
第１図は、バンプの形成過程を示す斜視図である。
本実施例のバンプ（第２図参照）１は、ＩＣチップ（図
示しない）の出力端子として、ＩＣパッケージ２の裏面
（第１図上面〉に形成されている。
示しない）の出力端子として、ＩＣパッケージ２の裏面
（第１図上面〉に形成されている。
ＩＣパッケージ２は、アルミナを主原料として作成され
た多数のグリーンシートを積層して、加湿雰囲気の水素
炉中で高温焼成して得られる多層セラミック基板２ａよ
り構成される。
た多数のグリーンシートを積層して、加湿雰囲気の水素
炉中で高温焼成して得られる多層セラミック基板２ａよ
り構成される。
以下に、バンプ１の形成工程を説明する。
まず、セラミック基板２ａの両面が研磨されて、ＩＣチ
ップが搭載される主面上には、薄膜による配線パターン
（図示しない）が形成される。
ップが搭載される主面上には、薄膜による配線パターン
（図示しない）が形成される。
セラミック基板２ａの裏面には、ＭＯとＭｎの混合ペー
ストが一定の厚さ（例えば３０μｍ）でスクリーン印刷
され、還元雰囲気中にて焼成することでメタライズ（本
発明の導体Ｊｉｉ）２ｂが形成される。
ストが一定の厚さ（例えば３０μｍ）でスクリーン印刷
され、還元雰囲気中にて焼成することでメタライズ（本
発明の導体Ｊｉｉ）２ｂが形成される。
次に、厚さ０．２ｍｍのダイヤモンド刃を有するダイシ
ングソー（切断り３で、メタライズ２ｂが形成された基
板２ａの裏面を、第１図に示すように、ビッヂｏ、２ｍ
ｍで縦横に切り込む。
ングソー（切断り３で、メタライズ２ｂが形成された基
板２ａの裏面を、第１図に示すように、ビッヂｏ、２ｍ
ｍで縦横に切り込む。
このとき、要求されるバンプ１の高さに応じて切り込み
深さか決定されるため、例えば、バンプ１の高さを２０
０μｍと設定すれば、１７０μｍだけ基板２ａの内部ま
で切り込まれることになる。なお、バンプ１の高さは、
フラックスの洗浄を確実に行うために、最低１００μｍ
の高さが望まれる。
深さか決定されるため、例えば、バンプ１の高さを２０
０μｍと設定すれば、１７０μｍだけ基板２ａの内部ま
で切り込まれることになる。なお、バンプ１の高さは、
フラックスの洗浄を確実に行うために、最低１００μｍ
の高さが望まれる。
このように基板２ａの裏面を縦横に切り込むことにより
、第２図に示すように、切り残された方形状（０，２ｍ
ｍ角〉の各メタライズ２ｂ部分が、バンプ１として形成
される。
、第２図に示すように、切り残された方形状（０，２ｍ
ｍ角〉の各メタライズ２ｂ部分が、バンプ１として形成
される。
本実施例の方法によれば、ダイヤモンド刃の厚み、およ
び切り込みピッチを小さく設定することで、従来より高
密度にバンプ１を形成することができる。また、基板２
ａ内部への切り込み深さを深くすることにより、従来の
■ａｘ２５０μｍより高いバンプ１を形成することも可
能である。
び切り込みピッチを小さく設定することで、従来より高
密度にバンプ１を形成することができる。また、基板２
ａ内部への切り込み深さを深くすることにより、従来の
■ａｘ２５０μｍより高いバンプ１を形成することも可
能である。
さらには、焼成された基板２ａ上にバンプ１を形成する
ことから、セラミックの焼成収縮率の影響を受けること
がないため、セラミックの焼結と同時に形成される従来
のバンプと比較して、高精度のバンプ１を得ることがで
きる。特に、本実施例では、研磨された基板２ａの裏面
にメタライズ２ｂを形成するため、基板２ａの平滑度が
高く、従って、バンプ１の高さを均一に形成することが
できる。
ことから、セラミックの焼成収縮率の影響を受けること
がないため、セラミックの焼結と同時に形成される従来
のバンプと比較して、高精度のバンプ１を得ることがで
きる。特に、本実施例では、研磨された基板２ａの裏面
にメタライズ２ｂを形成するため、基板２ａの平滑度が
高く、従って、バンプ１の高さを均一に形成することが
できる。
（変形例）
上記実施例では、研磨された基板２ａの裏面にメタライ
ズ２ｂを形成してバンプ１を得る方法を示したが、グリ
ーンシート（本発明の絶縁性シート）に導体ペーストを
塗布し、セラミックの焼結と同時に形成されるメタライ
ズによってバンプ１を形成しても良い、この場合、メタ
ライズが形成された基板２ａ裏面の平滑度が上記実施例
の場合より低下するため、メタライズ面を研磨すること
が望ましい。
ズ２ｂを形成してバンプ１を得る方法を示したが、グリ
ーンシート（本発明の絶縁性シート）に導体ペーストを
塗布し、セラミックの焼結と同時に形成されるメタライ
ズによってバンプ１を形成しても良い、この場合、メタ
ライズが形成された基板２ａ裏面の平滑度が上記実施例
の場合より低下するため、メタライズ面を研磨すること
が望ましい。
本発明の導体層として、ＭｏとＭｎの混合ペーストを焼
成して得られるメタライズ２ｂを示したが、タングステ
ン（Ｗ＞メタライズでも良い。
成して得られるメタライズ２ｂを示したが、タングステ
ン（Ｗ＞メタライズでも良い。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示すもので、
第１図はバンプの形成過程を示す斜視図、第２図はＩＣ
パッケージに形成されたバンプの斜視図である。 図中 １・・・バンプ ２ａ・・・セラミック基板（絶縁性基板）２ｂ・・・メ
タライズ（導体層）
第１図はバンプの形成過程を示す斜視図、第２図はＩＣ
パッケージに形成されたバンプの斜視図である。 図中 １・・・バンプ ２ａ・・・セラミック基板（絶縁性基板）２ｂ・・・メ
タライズ（導体層）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）主面上にＩＣチップが搭載される絶縁性基板の前記
主面の反対側である裏面を研磨した後、その裏面に一定
の厚さを有する導体層を形成し、該導体層を、適宜の溝
幅およびピッチで前記絶縁性基板に達するまで縦横に切
り込み、切り残された各導体層をそれぞれバンプとする
ＩＣパッケージのバンプ形成方法。 ２）焼成前の絶縁性シートの一方の平面に一定の厚さで
導体ペーストを塗布し、該導体ペーストが塗布された前
記絶縁性シートを焼成して絶縁性基板を作成し、焼成に
よって該絶縁性基板の一方の平面に形成された導体層を
、適宜の溝幅およびピッチで前記絶縁性基板に達するま
で縦横に切り込み、切り残された各導体層をそれぞれバ
ンプとするＩＣパッケージのバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2053313A JPH03255633A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | Ｉｃパッケージのバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2053313A JPH03255633A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | Ｉｃパッケージのバンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03255633A true JPH03255633A (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=12939234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2053313A Pending JPH03255633A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | Ｉｃパッケージのバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03255633A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102398065A (zh) * | 2011-11-11 | 2012-04-04 | 常州澳弘电子有限公司 | 金属基线路板外形加工方法 |
| CN108406135A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-08-17 | 厦门大学 | 一种陶瓷基板连续化激光切割装置及其切割方法 |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP2053313A patent/JPH03255633A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102398065A (zh) * | 2011-11-11 | 2012-04-04 | 常州澳弘电子有限公司 | 金属基线路板外形加工方法 |
| CN108406135A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-08-17 | 厦门大学 | 一种陶瓷基板连续化激光切割装置及其切割方法 |
| CN108406135B (zh) * | 2018-03-21 | 2019-12-27 | 厦门大学 | 一种陶瓷基板连续化激光切割装置及其切割方法 |
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