JPH0325632A - エラーメッセージ表示装置 - Google Patents

エラーメッセージ表示装置

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Publication number
JPH0325632A
JPH0325632A JP1161527A JP16152789A JPH0325632A JP H0325632 A JPH0325632 A JP H0325632A JP 1161527 A JP1161527 A JP 1161527A JP 16152789 A JP16152789 A JP 16152789A JP H0325632 A JPH0325632 A JP H0325632A
Authority
JP
Japan
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message
error message
error
display
storage device
Prior art date
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Pending
Application number
JP1161527A
Other languages
English (en)
Inventor
Kaoru Omine
薫 大嶺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Solution Innovators Ltd
Original Assignee
NEC Solution Innovators Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP1161527A priority Critical patent/JPH0325632A/ja
Publication of JPH0325632A publication Critical patent/JPH0325632A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報処理システムで異常処理が発生した場合
に、オペレータに対してエラーメッセージを表示して知
らせるエラーメッセージ表示装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、オペレータに対するエラーメッセージの表示は、
アプリケーションプログラムで使用するすべてのメッセ
ージを、連結を必要としない形(エラーメッセージとし
て完成された形)で主記憶装置上に記憶し、それをその
まま表示していた. また、表示されたエラーメッセージに対する詳細説明が
必要なときは、オペレータはマニヱアルを参照してエラ
ーメッセージの内容を理解していた. 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来のエラーメッセージ表示装置は、アプリケ
ーションプログラムで使用するすべてのエラーメッセー
ジを連結を必要としない形で主記憶装置上に格納してい
るため、エラーメッ・セージのための主記憶装置上の記
憶容量占有率が大きくなり、結果的にアプリケーション
プログラムの主記憶装置上の記憶容量占有率が大きくな
るという欠点があった。
また、エラーメッセージに対応する詳細説明の表示がで
きないため、熟練していないオペレータは異常処理発生
時には毎回マニュアルを参照し、必要な処置を施さなけ
ればならず業務をスムーズに行うことができないという
欠点があった.〔課題を解決するための手段〕 本発明のエラーメッセージ表示装置は、エラーメッセー
ジを楕或する種々のメッセージ要素を記憶する主記憶装
置と、前記メッセージ要素を連結しエラーメッセージを
作成する連結手段と、作或したエラーメッセージを表示
する表示装置と、エラーメッセージに対する詳細説明の
表示を指示する入力装置と、詳細説明表示用のエラーヘ
ルプファイルを格納する補助記憶装置と、この補助記憶
装置から前記主記憶装置上に詳細説明を読み込む読込装
置とを有している. 〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して説明する. 第1図は本発明の一実施例の構成図である。
1−1は詳細説明表示用のエラーヘルプファイルを格納
する補助記憶装置、1−3はキーボード、1−8は主記
憶装置上のメッセージ格納部、1−10は表示装置、1
−2は読み込み制御部、1−4は入力制御部、1−5は
詳細説明制御部、1一6はエラーメッセージ連結部、1
−7はメッセージ読み込み制御部、1−9は表示制御部
をそれぞれ表す. キーボード1−3と入力制御部1−4は、エラーメッセ
ージ表示状態において、詳細説明表示の指示を入力する
入力装置を構成し、主記憶装置上のメッセージ格納部1
−8には、エラーメッセージを作成するための部品化さ
れたメッセージ要素を記憶している。エラーメッセージ
読み込み制御部1−7とエラーメッセージ連結部1−6
とで連結手段を構成し、読み込み制御部1−2と詳細説
明制御部1−5が読込装置を制御部1−9とディスプレ
イ1−10がエラーメッセージおよび詳細説明を表示す
る表示装置を構成している。
次に、実際の動作例を第2図および第3図を用いて説明
する. 第2図はエラーメッセージ作或動作の説明図である.主
記憶装置上のメッセージ格納部1−8には、メッセージ
要素1からメッセージ要素nまでの部品化されたメッセ
ージ要素でアプリケーションプログラムに必要最小限の
ものが重複することなく記憶されている。異常処理が発
生すると、メッセージ連結部1−6はメッセージ読み込
み制御部1−7に対してメッセージ要素の読み込み要求
を行い、エラーメッセージを作成するために必要なメッ
セージ要素を取り込む。取り込まれたメッセージ要素は
エラーメッセージの形に連結され、表示制御部1−9を
通してディスプレイ110に表示される. 第3図は詳細説明表示の動作の説明図である。
キーボード1−3より詳細説明表示の指示があると、ま
ず詳細説明制御部1−5はディスプレイ1−10上にエ
ラーメッセージが表示されているかどうかを判断する。
エラーメッセージ表示中であれば、メッセージ連結部1
−6から該当するエラーメッセージに対する詳細説明の
番号を受け取り、読み込み制御部1−2を通して補助記
憶装置1−1上のエラーヘルプファイルから該当する詳
細説明を読み込み、表示制御部1−9を通してディスプ
レイ1−10上に詳細説明を表示する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、エラーメッセージを必要
最小限のメッセージ要素に部品化して格納し、必要に応
じて部品化したメッセージ要素を連結しエラーメッセー
ジとして表示する。これにより主記憶装置上におけるエ
ラーメッセージのための記憶容量占有率を小さくするこ
とができる効果がある.更に、エラーメッセージ表示中
にそのエラーメッセージに対する詳細説明の表示を行う
ことができるので、熟練していないオペレータでも速や
かにエラーメッセージの内容を理解し適切な対処を行う
ことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のエラーメッセージ連結表示装置の一実
施例の構成図、第2図はエラーメッセージ連結の概略動
作の説明図、第3図は詳細説明表示動作の説明図である
。 1”l・・・補助記憶装置、1−2・・・読み込み制御
部、1−3・・・キーボード、1−4・・・入力制御部
、1−5・・・詳細説明制御部、1−6・・・メッセー
ジ連結部、1−7・・・メッセージ読み込み制御部、1
−8・・・メッセージ格納部、1−9・・・表示制御部
、1−10・・・ディスプレイ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. エラーメッセージを構成する種々のメッセージ要素を記
    憶する主記憶装置と、前記メッセージ要素を連結しエラ
    ーメッセージを作成する連結手段と、作成したエラーメ
    ッセージを表示する表示装置と、エラーメッセージに対
    する詳細説明の表示を指示する入力装置と、詳細説明表
    示用のエラーヘルプファイルを格納する補助記憶装置と
    、この補助記憶装置から前記主記憶装置上に詳細説明を
    読み込む読込装置とを有することを特徴とするエラーメ
    ッセージ表示装置。
JP1161527A 1989-06-23 1989-06-23 エラーメッセージ表示装置 Pending JPH0325632A (ja)

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JP1161527A JPH0325632A (ja) 1989-06-23 1989-06-23 エラーメッセージ表示装置

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JP1161527A JPH0325632A (ja) 1989-06-23 1989-06-23 エラーメッセージ表示装置

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JPH0325632A true JPH0325632A (ja) 1991-02-04

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ID=15736784

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JP (1) JPH0325632A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7141821B1 (en) 1998-11-10 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an impurity gradient in the impurity regions and method of manufacture

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7141821B1 (en) 1998-11-10 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an impurity gradient in the impurity regions and method of manufacture

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