JPH03257814A - Ｘ線露光マスクとその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光マスクとその製造方法Info
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- JPH03257814A JPH03257814A JP2057057A JP5705790A JPH03257814A JP H03257814 A JPH03257814 A JP H03257814A JP 2057057 A JP2057057 A JP 2057057A JP 5705790 A JP5705790 A JP 5705790A JP H03257814 A JPH03257814 A JP H03257814A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高精度のＸ線露光マスクおよびその製造方法
に関する。
に関する。
（従来の技術）
従来のＸ線露光マスクの製造方法を第２図に示す。まず
（１００）面方位のＳｉ単結晶基板２１のどちらか一表
面にＸ線吸収体パターン領域に対応する開口部２３を有
すルＳｉ３Ｎ４．５ｉ０２、アルイハ５ｉｃ（７）うち
いづれか一つ、もしくはこれらの複合膜からなる薄膜パ
ターン２２を形成する（第２図（ａ））。さらに、Ｓｉ
基板２１の他の表面に、Ｓｉ３Ｎ４あるいはＳｉＣから
なるＸ線透過膜２４を堆積しく第２図（ｂ））、このＸ
線透過膜２４の上にＷあるいはＴａ等のＸ線吸収体とな
る重金属膜２５を堆積しく第２図（Ｃ））、次にこのＸ
線吸収体となる重金属膜２５をフッ素系ガスによるドラ
イエツチングを用いて加工することによりＸ線吸収体パ
ターンを形成する（第２図（ｄ））。次いで、前記パタ
ーン２２を保護膜としてＳｉ基板２１を異方性エツチン
グにより除去することによって露光用窓２７を開口しＸ
線露光マスクが得られる（第２図（ｅ））。
（１００）面方位のＳｉ単結晶基板２１のどちらか一表
面にＸ線吸収体パターン領域に対応する開口部２３を有
すルＳｉ３Ｎ４．５ｉ０２、アルイハ５ｉｃ（７）うち
いづれか一つ、もしくはこれらの複合膜からなる薄膜パ
ターン２２を形成する（第２図（ａ））。さらに、Ｓｉ
基板２１の他の表面に、Ｓｉ３Ｎ４あるいはＳｉＣから
なるＸ線透過膜２４を堆積しく第２図（ｂ））、このＸ
線透過膜２４の上にＷあるいはＴａ等のＸ線吸収体とな
る重金属膜２５を堆積しく第２図（Ｃ））、次にこのＸ
線吸収体となる重金属膜２５をフッ素系ガスによるドラ
イエツチングを用いて加工することによりＸ線吸収体パ
ターンを形成する（第２図（ｄ））。次いで、前記パタ
ーン２２を保護膜としてＳｉ基板２１を異方性エツチン
グにより除去することによって露光用窓２７を開口しＸ
線露光マスクが得られる（第２図（ｅ））。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、上記の方法においては、Ｘ線吸収体となる重金
属膜のエツチングの際、Ｘ線吸収体パターンとなる部分
以外のＸ線透過膜も約０．１ミクロン程度エツチングさ
れてしまいＸ線透過膜の膜厚に不均一が生じる。Ｘ線吸
収体パターンは露光用窓の全面に平均的に置かれている
わけではないので膜厚の不均一によってＸ線透過膜の膜
厚に不均一が生じる。
属膜のエツチングの際、Ｘ線吸収体パターンとなる部分
以外のＸ線透過膜も約０．１ミクロン程度エツチングさ
れてしまいＸ線透過膜の膜厚に不均一が生じる。Ｘ線吸
収体パターンは露光用窓の全面に平均的に置かれている
わけではないので膜厚の不均一によってＸ線透過膜の膜
厚に不均一が生じる。
Ｘ線透過膜に歪みが生じマスクの精度が低下する。
本発明の目的は、この問題点を解決したＸ線露光マスク
とその製造方法を提供することにある。
とその製造方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、重金属からなるＸ線吸収体パターンと、この
Ｘ線吸収体パターンを支えるＸ線透過膜の周囲を支える
支持枠とからなるＸ線露光マスクにおいて、Ｘ線透過膜
のＸ線吸収体を有する面を保護する酸化アルミニウム膜
を有することを特徴とするものであり、その製造方法は
、シリコン単結晶基板の一表面にエツチング保護膜パタ
ーンを形成し、このシリコン基板の他の表面にＸ線透過
膜を形成し、このＸ線透過膜上にＸ線透過膜を保護する
酸化アルミニウム膜をＡＩターゲットと０２含有ガスを
用いたＲＦスパッタリング法、あるいはＡｌ２Ｏ３ター
ゲットを用いたＲＦスパッタリング法、もしくはＣＶＤ
法により形成し、この酸化アルミニウム膜上に重金属か
らなるＸ線吸収体パターンをドライエツチングを用いて
形成し、前記エツチング保護膜をマスクに前記シリコン
基板を異方性エツチングにより除去することを特徴とす
る。
Ｘ線吸収体パターンを支えるＸ線透過膜の周囲を支える
支持枠とからなるＸ線露光マスクにおいて、Ｘ線透過膜
のＸ線吸収体を有する面を保護する酸化アルミニウム膜
を有することを特徴とするものであり、その製造方法は
、シリコン単結晶基板の一表面にエツチング保護膜パタ
ーンを形成し、このシリコン基板の他の表面にＸ線透過
膜を形成し、このＸ線透過膜上にＸ線透過膜を保護する
酸化アルミニウム膜をＡＩターゲットと０２含有ガスを
用いたＲＦスパッタリング法、あるいはＡｌ２Ｏ３ター
ゲットを用いたＲＦスパッタリング法、もしくはＣＶＤ
法により形成し、この酸化アルミニウム膜上に重金属か
らなるＸ線吸収体パターンをドライエツチングを用いて
形成し、前記エツチング保護膜をマスクに前記シリコン
基板を異方性エツチングにより除去することを特徴とす
る。
（作用）
酸化アルミニウム膜は、Ｗ、 Ｔａ、等の重金属膜のド
ライエツチングに用いられるフッ素系ガスによるエツチ
ング速度が極めて小さいため、Ｘ線透過膜と重金属膜と
の間に酸化アルミニウム膜を形成することにより、重金
属膜をフッ素系ガスでエツチングを行う際、酸化アルミ
ニウム膜が保護膜となって、Ｘ線透過膜の損傷を防ぐこ
とが期待できる。また、酸化アルミニウムは可視光およ
びＸ線に対して透明であるので、重金属膜のエツチング
後、酸化アルミニウム膜を除去する必要もない。
ライエツチングに用いられるフッ素系ガスによるエツチ
ング速度が極めて小さいため、Ｘ線透過膜と重金属膜と
の間に酸化アルミニウム膜を形成することにより、重金
属膜をフッ素系ガスでエツチングを行う際、酸化アルミ
ニウム膜が保護膜となって、Ｘ線透過膜の損傷を防ぐこ
とが期待できる。また、酸化アルミニウムは可視光およ
びＸ線に対して透明であるので、重金属膜のエツチング
後、酸化アルミニウム膜を除去する必要もない。
（実施例）
以下に、本発明の実施例を図面を用いて説明する。第１
図は、本発明のＸ線露光マスクの製造工程を示した断面
図である。
図は、本発明のＸ線露光マスクの製造工程を示した断面
図である。
まず、（１００）面方位のＳｉ単結晶基板１１の一表面
上にＣＶＤ法により数千オングストローム厚のＳｉ３Ｎ
４膜を堆積し、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて
Ｘ線吸収体パターン領域に対応する開口部１３を有する
パターン１２を形成する（第１図（ａ））。次に、Ｓｉ
基板１１の他の表面上にＣＶＤ法による１ミクロン厚の
Ｓｉ３Ｎ４からなるＸ線透過膜１４を堆積する（第１図
（ｂ））。
上にＣＶＤ法により数千オングストローム厚のＳｉ３Ｎ
４膜を堆積し、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて
Ｘ線吸収体パターン領域に対応する開口部１３を有する
パターン１２を形成する（第１図（ａ））。次に、Ｓｉ
基板１１の他の表面上にＣＶＤ法による１ミクロン厚の
Ｓｉ３Ｎ４からなるＸ線透過膜１４を堆積する（第１図
（ｂ））。
このＸ線透過膜１４上に、Ａｌ２Ｏ３ターゲットを用い
たＲＦスパッタリング法、あるいはＡｌターゲットと３
０％０２含有Ｍガスを用いたＲＦスパッタリング法、も
しくはＣＶＤ法により２００Ａ厚の酸化アルミニウム膜
１５を堆積する（第１図（Ｃ））。その上にＲＦスパッ
タリング法を用いて８０００人厚のＷ膜１６を堆積する
（第１図（ｄ））。次に、ＥＢリングラフィもしくはＦ
ＩＢリソグラフィを用いてレジストパターン１７を形成
（第１図（ｅ））、このレジストパターン１７を保護膜
にしてＳＦ６ガスによるＷ膜１６のドライエツチングを
行い、Ｘ線吸収体パターン１８を形成する（第１図（ｆ
））。最後に、前記Ｓｉ３Ｎ４膜１２を保護膜としてＫ
ＯＨ水溶液を用いてシリコン基板１１の異方性エツチン
グを行い、Ｘ線露光窓１９を形成することにより、第１
図（ｇ）に示した断面構造のＸ線露光マスクが得られた
。
たＲＦスパッタリング法、あるいはＡｌターゲットと３
０％０２含有Ｍガスを用いたＲＦスパッタリング法、も
しくはＣＶＤ法により２００Ａ厚の酸化アルミニウム膜
１５を堆積する（第１図（Ｃ））。その上にＲＦスパッ
タリング法を用いて８０００人厚のＷ膜１６を堆積する
（第１図（ｄ））。次に、ＥＢリングラフィもしくはＦ
ＩＢリソグラフィを用いてレジストパターン１７を形成
（第１図（ｅ））、このレジストパターン１７を保護膜
にしてＳＦ６ガスによるＷ膜１６のドライエツチングを
行い、Ｘ線吸収体パターン１８を形成する（第１図（ｆ
））。最後に、前記Ｓｉ３Ｎ４膜１２を保護膜としてＫ
ＯＨ水溶液を用いてシリコン基板１１の異方性エツチン
グを行い、Ｘ線露光窓１９を形成することにより、第１
図（ｇ）に示した断面構造のＸ線露光マスクが得られた
。
（発明の効果）
従来、Ｘ線吸収体パターンを形成する際、Ｘ線透過膜が
深さ０．１ミクロン程度の損傷を受けていたのに対し、
本発明を用いることによって、Ｘ線透過膜には損傷が生
じなかった。このようにしてＸ線透過膜に歪みが入るの
を防ぐことができ高精度のＸ線露光マスクが得られた。
深さ０．１ミクロン程度の損傷を受けていたのに対し、
本発明を用いることによって、Ｘ線透過膜には損傷が生
じなかった。このようにしてＸ線透過膜に歪みが入るの
を防ぐことができ高精度のＸ線露光マスクが得られた。
第１図は本発明のＸ線露光マスクの製造方法を説明する
工程図、第２図は従来のＸａ露光マスクの製造工程図で
ある。 １１、２１・・・Ｓｉ単結晶基板、１２・・−８ｉ３Ｎ
４膜パターン、１３．２３・・・開口部、１４．２４・
・・Ｘ線透過膜、１５・・＝Ａｌ２０３膜、１６・・・
Ｗ膜、１７・・・レジストパターン、１８．２６・・・
Ｘ線吸収体パターン、１９．２７・・・露光用窓、２２
・・・薄膜パターン、２５・・・重金属膜。
工程図、第２図は従来のＸａ露光マスクの製造工程図で
ある。 １１、２１・・・Ｓｉ単結晶基板、１２・・−８ｉ３Ｎ
４膜パターン、１３．２３・・・開口部、１４．２４・
・・Ｘ線透過膜、１５・・＝Ａｌ２０３膜、１６・・・
Ｗ膜、１７・・・レジストパターン、１８．２６・・・
Ｘ線吸収体パターン、１９．２７・・・露光用窓、２２
・・・薄膜パターン、２５・・・重金属膜。
Claims (2)
- （１）重金属からなるＸ線吸収体パターンと、このＸ線
吸収体パターンを支えるＸ線透過膜と、このＸ線透過膜
のＸ線吸収体を支持する面を被覆する酸化アルミニウム
膜と、このＸ線透過膜の周囲を支える支持枠とからなる
ことを特徴とするＸ線露光マスク。 - （２）シリコン単結晶基板の一表面にエッチング保護膜
パターンを形成する工程と、このシリコン基板の他の表
面にＸ線透過膜を形成する工程と、このＸ線透過膜上に
Ｘ線透過膜を保護する酸化アルミニウム膜をＡｌターゲ
ットとＯ＿２含有ガスを用いたＲＦスパッタリング法あ
るいはＡｌ＿２Ｏ＿３ターゲットを用いたＲＦスパッタ
リング法あるいはＣＶＤ法により形成する工程と、この
酸化アルミニウム膜上に重金属からなるＸ線吸収体パタ
ーンをドライエッチングを用いて形成する工程と、前記
エッチング保護膜をマスクに前記シリコン基板を異方性
エッチングにより除去する工程を有することを特徴とす
るＸ線露光マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5705790A JP2943217B2 (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | Ｘ線露光マスクとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5705790A JP2943217B2 (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | Ｘ線露光マスクとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257814A true JPH03257814A (ja) | 1991-11-18 |
| JP2943217B2 JP2943217B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=13044819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5705790A Expired - Lifetime JP2943217B2 (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | Ｘ線露光マスクとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2943217B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5291536A (en) * | 1991-06-26 | 1994-03-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray mask, method for fabricating the same, and pattern formation method |
-
1990
- 1990-03-07 JP JP5705790A patent/JP2943217B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5291536A (en) * | 1991-06-26 | 1994-03-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray mask, method for fabricating the same, and pattern formation method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2943217B2 (ja) | 1999-08-30 |
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